CN110085686A - 一种双面太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

一种双面太阳能电池及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110085686A
CN110085686A CN201910372065.1A CN201910372065A CN110085686A CN 110085686 A CN110085686 A CN 110085686A CN 201910372065 A CN201910372065 A CN 201910372065A CN 110085686 A CN110085686 A CN 110085686A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film layer
solar cell
ion
double
cell substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910372065.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110085686B (zh
Inventor
魏青竹
姚悦
苗凤秀
霍亭亭
胡党平
连维飞
倪志春
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Talesun Solar Technologies Co Ltd
Original Assignee
Suzhou Talesun Solar Technologies Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou Talesun Solar Technologies Co Ltd filed Critical Suzhou Talesun Solar Technologies Co Ltd
Priority to CN201910372065.1A priority Critical patent/CN110085686B/zh
Priority to PCT/CN2019/095771 priority patent/WO2020224051A1/zh
Publication of CN110085686A publication Critical patent/CN110085686A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110085686B publication Critical patent/CN110085686B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
    • H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/30—Coatings
    • H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
    • H10F77/311—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • H10F77/315—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种双面太阳能电池，在氮化硅膜层背向太阳能电池基板一侧表面设置有离子传导膜层，该离子传导膜层的电阻率需要小于氮化硅膜层的电阻率，而背面玻璃具体贴合于离子传导膜层表面。由于离子传导膜层的电阻率小于氮化硅膜层的电阻率，且离子传导膜层会与背面电极相接触，使得当背面玻璃中的正离子转移至离子传导膜层时，会通过背面电极传导出双面太阳能电池，而不会逐步转移至氧化铝膜层与氧化铝膜层中固定的负电荷发生中和而影响氧化铝膜层的钝化效果，使得双面太阳能电池具有足够的可靠性。本发明还提供了一种双面太阳能电池的制备方法，所制备而成的双面太阳能电池同样具有上述有益效果。

Description

一种双面太阳能电池及其制备方法
技术领域
本发明涉及光伏技术领域，特别是涉及一种双面太阳能电池及一种双面太阳能电池的制备方法。
背景技术
随着光伏产业的发展与进步，太阳能电池的转换效率以及可靠性得到了极大的提高。对于太阳能电池来说，载流子在太阳能电池背表面复合对其转换效率的影响很大。
所谓双面太阳能电池，即正反两面均可以吸收外界光线并将光能直接转换成电能的太阳能电池。当然，对于双面太阳光能电池而言，双面太阳能电池的正面主要用于吸收外界光线，而双面太阳能电池的背面用于辅助吸收外界光线。在现阶段，通常会在太阳能电池的背表面依次设置氮化铝膜层以及氮化硅膜层，从而太阳能电池背面形成“氧化铝-氮化硅”双层钝化结构。但是对于双面太阳能电池而言，在使用一段时间之后容易发生太阳能电池背面钝化失效的情况，从而会导致载流子大量在太阳能电池背面复合，使得双面太阳能电池的性能大幅相抵。所以如何提高双面太阳能电池的可靠性是本领域技术人员急需解决的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种双面太阳能电池，在长时间使用时具有较高的可靠性；本发明还提供了一种双面太阳能电池的制备方法，所制备而成的太阳能电池在长时间使用时具有较高的可靠性。
为解决上述技术问题，本发明提供一种双面太阳能电池，包括：
太阳能电池基板；
位于所述太阳能电池基板背光侧表面的氧化铝膜层；
位于所述氧化铝膜层背向所述太阳能电池基板一侧表面的氮化硅膜层；
位于所述氮化硅膜层背向所述太阳能电池基板一侧表面的离子传导膜层，所述离子传导膜层的电阻率小于所述氮化硅膜层的电阻率；
位于所述太阳能电池基板受光侧表面的正面电极，以及位于所述太阳能电池基板背光侧表面的背面电极；所述背面电极与所述离子传导膜层相接触；
位于所述太阳能电池基板受光侧的正面玻璃，以及位于所述离子传导膜层背向所述太阳能电池基板一侧的背面玻璃。
可选的，所述离子传导膜层为碳化硅膜层。
可选的，所述碳化硅膜层厚度的取值范围为20nm至120nm，包括端点值。
可选的，所述背面玻璃通过EVA胶膜贴附于所述离子传导膜层表面。
本发明还提供了一种双面太阳能电池的制备方法，包括：
在太阳能电池基板背光侧表面沉积氧化铝膜层；
在所述氧化铝膜层表面沉积氮化硅膜层；
在所述氮化硅膜层表面设置离子传导膜层；所述离子传导膜层的电阻率小于所述氮化硅膜层的电阻率；
在所述太阳能电池基板受光侧表面设置正面电极，并在所述太阳能电池基板背光侧表面设置背面电极；所述背面电极与所述离子传导膜层相接触；
在所述太阳能电池基板受光侧贴合正面玻璃，并在所述离子传导膜层表面贴合背面玻璃，以制成所述双面太阳能电池。
可选的，所述在所述氮化硅膜层表面设置离子传导膜层包括：
利用PECVD机台通过硅烷与甲烷的反应在所述氮化硅膜层表面沉积碳化硅膜层。
可选的，沉积所述碳化硅膜层时所述硅烷与所述甲烷的流量比的取值范围为1:6至1:15，包括端点值；所述碳化硅膜层的沉积温度的取值范围为440℃至570℃，包括端点值；沉积所述碳化硅膜层时所述PECVD机台内气压的取值范围为1600Torr至1800Torr，包括端点值。
可选的，所述在所述氧化铝膜层表面沉积氮化硅膜层包括：
利用PECVD机台通过硅烷与氨气的反应在所述氧化铝膜层表面沉积氮化硅膜层。
可选的，所述在太阳能电池基板背光侧表面沉积氧化铝膜层包括：
利用ALD设备通过三甲基铝与纯水的反应在太阳能电池基板背光侧表面沉积氧化铝膜层。
可选的，所述在所述离子传导膜层表面贴合背面玻璃包括：
通过EVA胶膜将背面玻璃贴合于所述离子传导膜层表面。
本发明所提供的一种双面太阳能电池，在氮化硅膜层背向太阳能电池基板一侧表面设置有离子传导膜层，该离子传导膜层的电阻率需要小于氮化硅膜层的电阻率，而背面玻璃具体贴合于离子传导膜层表面。当双面太阳能电池处于工作状态时，会在背面玻璃与太阳能电池基板之间施加巨大的电压，该电压会使背面玻璃中的正离子，例如钠离子受电压驱动逐步向氧化铝膜层转移。由于离子传导膜层的电阻率小于氮化硅膜层的电阻率，且离子传导膜层会与背面电极相接触，使得当背面玻璃中的正离子转移至离子传导膜层时，会通过背面电极传导出双面太阳能电池，而不会逐步转移至氧化铝膜层与氧化铝膜层中固定的负电荷发生中和而影响氧化铝膜层的钝化效果；即设置离子传导膜层可以在长时间使用双面太阳能电池时，保证氧化铝膜层仍然可以提供足够的场钝化效应，从而保证氧化铝膜层具有足够的钝化效果，从而使得在长时间使用之后双面太阳能电池仍然具有足够的转换效率，使得双面太阳能电池具有足够的可靠性。
本发明还提供了一种双面太阳能电池的制备方法，所制备而成的双面太阳能电池同样具有上述有益效果，在此不再进行赘述。
附图说明
为了更清楚的说明本发明实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例所提供的一种双面太阳能电池的结构示意图；
图2为衰减处理后IQE测试结果对比图；
图3为本发明实施例所提供的一种具体的双面太阳能电池的结构示意图；
图4为EVA封装的PID衰减测试结果对比图；
图5为POE封装的PID衰减测试结果对比图；
图6为本发明实施例所提供的一种双面太阳能电池制备方法的流程图；
图7为本发明实施例所提供的一种具体的双面太阳能电池制备方法的流程图。
图中：1.太阳能电池基板、2.氧化铝膜层、3.氮化硅膜层、4.离子传导膜层、5.钝化减反层、6.背面电极、7.正面电极、8.背面玻璃、9.正面玻璃、10.EVA胶膜。
具体实施方式
本发明的核心是提供一种双面太阳能电池。在现有技术中，双面太阳能电池的背面通常会安装背面玻璃对太阳能电池进行保护。但是在实际情况中，光伏组件内通常是多个太阳能电池片相互串联以进行供电，而相互串联的太阳能电池片会产生非常大的电压，通常可以达到上千伏特的电压，相当于在工作状态时会在背面玻璃与太阳能电池片之间施加非常大的电压。该大电压会驱动背面玻璃中的正离子，例如钠离子(Na+)逐步透过氮化硅膜层扩散至氧化铝膜层。而氧化铝膜层主要依靠场钝化效应对太阳能电池的背表面进行钝化，在氧化铝膜层中固定有大量的负电荷以对太阳能电池的背表面进行钝化。当上述正离子扩散至氧化铝膜层时，会与氧化铝膜层中固定的负电荷中和，从而影响氧化铝膜层的钝化效果，使得太阳能电池内大量载流子在太阳能电池背表面发生复合，从而影响太阳能电池的转换效率，导致现有技术中双面太阳能电池的可靠性较低。
而本发明所提供的一种双面太阳能电池，在氮化硅膜层背向太阳能电池基板一侧表面设置有离子传导膜层，该离子传导膜层的电阻率需要小于氮化硅膜层的电阻率，而背面玻璃具体贴合于离子传导膜层表面。当双面太阳能电池处于工作状态时，会在背面玻璃与太阳能电池基板之间施加巨大的电压，该电压会使背面玻璃中的正离子，例如钠离子受电压驱动逐步向氧化铝膜层转移。由于离子传导膜层的电阻率小于氮化硅膜层的电阻率，且离子传导膜层会与背面电极相接触，使得当背面玻璃中的正离子转移至离子传导膜层时，会通过背面电极传导出双面太阳能电池，而不会逐步转移至氧化铝膜层与氧化铝膜层中固定的负电荷发生中和而影响氧化铝膜层的钝化效果；即设置离子传导膜层可以在长时间使用双面太阳能电池时，保证氧化铝膜层仍然可以提供足够的场钝化效应，从而保证氧化铝膜层具有足够的钝化效果，从而使得在长时间使用之后双面太阳能电池仍然具有足够的转换效率，使得双面太阳能电池具有足够的可靠性。
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图1以及图2，图1为本发明实施例所提供的一种双面太阳能电池的结构示意图；图2为衰减处理后IQE测试结果对比图。
参见图1，在本发明实施例中，所述双面太阳能电池可以包括太阳能电池基板1；位于所述太阳能电池基板1背光侧表面的氧化铝膜层2；位于所述氧化铝膜层2背向所述太阳能电池基板1一侧表面的氮化硅膜层3；位于所述氮化硅膜层3背向所述太阳能电池基板1一侧表面的离子传导膜层4，所述离子传导膜层4的电阻率小于所述氮化硅膜层3的电阻率；位于所述太阳能电池基板1受光侧表面的正面电极7，以及位于所述太阳能电池基板1背光侧表面的背面电极6；所述背面电极6与所述离子传导膜层4相接触；位于所述太阳能电池基板1受光侧的正面玻璃9，以及位于所述离子传导膜层4背向所述太阳能电池基板1一侧的背面玻璃8。
上述太阳能电池基板1为本发明实施例所提供的双面太阳能电池中主要用于将光能转换成电能的部件，该太阳能电池基板1主体的材质通常为硅，具体的，该太阳能电池基板1可以为多晶硅太阳能电池基板1或单晶硅太阳能电池基板1，有关太阳能电池基板1的具体材质在本发明实施例中并不做具体限定。需要说明的是，在本发明实施例中太阳能电池基板1通常为在衬底表面进行制绒以及扩散所制备而成的太阳能电池基板1，即在本发明实施例中，太阳能电池基板1包括衬底和扩散层。例如，若上述衬底为p型硅衬底，则上述扩散层通常为n型扩散层。有关太阳能电池基板1的具体结构可以参考现有技术，在此不再进行赘述。
通常情况下，太阳能电池基板1具有面向太阳的一面和背离太阳的一面，其中面向太阳的一面通常称为受光侧表面，也称为正面；背离太阳的一面通常称为背光侧表面，也称为背面。通常情况下，上述太阳能电池基板1中扩散层通常位于衬底的受光侧表面。在本发明实施例中，后续氧化铝膜层2、氮化硅膜层3以及离子传导膜层4均位于太阳能电池基板1的背光侧表面。
上述氧化铝膜层2位于太阳能电池基板1背光侧表面，由于氧化铝膜层2中固定有大量的负电荷，相应的氧化铝膜层2可以依靠场钝化效应有效减少太阳能电池基板1的界面态密度，起到良好的钝化效果，有效减少载流子在太阳能电池基板1背表面的复合速率。有关氧化铝膜层2的具体制备工艺将在下述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。
需要说明的是，上述氧化铝膜层2还可以增加太阳能电池基板1对波长较长的光线，例如波长大于600nm的光线的二次吸收。由于波长较长的光线容易穿透太阳能电池基板1，当外界光线从太阳能电池基板1穿透至氧化铝膜层2的界面时，可以发生反射从而被太阳能电池基板1二次吸收，从而进一步增加太阳能电池基板1对波长大于600nm的光线的吸收效率。通常情况下，在本发明实施例中氧化铝膜层2厚度的取值范围通常为2nm至6nm，包括端点值，即上述氧化铝膜层2的厚度可以恰好为2nm或6nm。
上述氮化硅膜层3位于氧化铝膜层2背向太阳能电池基板1一侧表面，即氮化硅膜层3位于太阳能电池基板1背光侧，从而形成“氧化铝-氮化硅”的背面钝化结构。上述氮化硅膜层3通常作为减反射层设置在太阳能电池基板1背光侧，有关减反射层的具体原理以及具体结构可以参考现有技术，在此不再进行赘述。在本发明实施例中，氮化硅膜层3可以有效抑制长波段光线穿过太阳能电池基板1，从而有效增加太阳能电池基板1对长波段光线的吸收效率。并且，氮化硅膜层3可以提供一定的氢钝化作用，从而进一步提高太阳能电池基板1的钝化效果，进一步减少太阳能电池基板1背面表面复合电流密度。有关氮化硅膜层3的具体制备工艺将在下述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。
通常情况下，在本发明实施例中氮化硅膜层3厚度的取值范围通常为20nm至120nm，包括端点值，即上述氮化硅膜层3的厚度可以恰好为20nm或120nm。同时，上述氮化硅膜层3的折射率通常在2.05至2.3之间，包括端点值。
需要说明的是，在太阳能电池基板1的受光侧表面通常也会设置钝化减反层5，以减少太阳能电池基板1正表面复合电流密度以及增加太阳能电池基板1正面的光吸收率。上述钝化减反层5可以是单层结构也可以是多层复合结构，有关设置于太阳能电池基板1受光侧表面的钝化减反层5的具体结构可以参考现有技术，在此不再进行赘述。
上述离子传导膜层4位于氮化硅膜层3背向太阳能电池基板1一侧表面，同时离子传导膜层4的电阻率需要小于氮化硅膜层3的电阻率，即上述离子传导膜层4的导电性能需要高于氮化硅膜层3的导电性能，以保证离子传导膜层4可以将扩散的正离子从离子传导膜层4处导走，保证背面玻璃8内的正离子不会扩散至氧化铝膜层2。有关离子传导膜层4的具体制备工艺将在下述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。
具体的，在本发明实施例中上述离子传导膜层4具体可以为碳化硅膜层，即离子传导膜层4的材质具体可以是碳化硅。通常情况下，氮化硅膜层3的电阻率通常在1×1016Ω·m，而碳化硅膜层的电阻通常在1×109Ω·m，即碳化硅膜层的电阻率远低于氮化硅膜层3的电阻率，背面玻璃8中侵蚀氧化铝膜层2的正离子在迁移至碳化硅膜层时会被导走，从而无法对氧化铝膜层2进行侵蚀。需要说明的是，对于双面太阳能电池来说，上述离子传导膜层4需要具有较高的透过率，比氮化硅膜层3低的电阻率，以及在制备背面电极6时的电池烧结过程中，对导电浆料具有较高的抵抗能力。即在本发明实施例中，除了选择碳化硅膜层作为离子传导膜层4之外，其他材质的膜层只要满足上述三个条件均可作为本发明实施例中的离子传导膜层4，有关离子传导膜层4的具体材质在本发明实施例中并不做具体限定。通常情况下，上述碳化硅膜层厚度的取值范围通常为20nm至120nm，包括端点值，即上述碳化硅膜层的厚度可以恰好为20nm或120nm。同时，上述碳化硅膜层的折射率通常在2.05至2.3之间，包括端点值。
上述正面电极7通常位于太阳能电池基板1受光侧表面，该正面电极7通常与太阳能电池基板1中的扩散层相接触以实现电连接；上述背面电极6位于太阳能电池基板1背光侧表面，该背面电极6通常依次穿过上述离子传导膜层4、氮化硅膜层3和氧化铝膜层2，而与太阳能电池基板1中衬底相接触以实现电连接。有关上述正面电极7以及背面电极6的具体结构可以参考现有技术，在此不再进行赘述。需要说明的是，在本发明实施例中离子传导膜层4需要与背面电极6相接触，以保证扩散至离子传导层的正离子可以通过背面电极6传导出双面太阳能电池。
上述正面玻璃9以及背面玻璃8相互配合以实现对太阳能电池基板1进行封装，共同构成双面太阳能电池。具体的，上述正面玻璃9位于太阳能电池基板1受光侧，通常贴合在太阳能电池基板1受光侧表面覆盖正面电极7。相应的上述背面玻璃8位于离子传导膜层4背向太阳能电池基板1一侧表面，即背面玻璃8位于太阳能电池基板1背光侧表面。通常情况下，背面玻璃8会与上述离子传导层相接触。有关上述正面玻璃9以及背面玻璃8的具体材质以及具体厚度等参数可以参考现有技术，在此不再进行赘述。
参见图2，在本发明实施例中具体对本发明实施例所提供的设置有碳化硅膜层作为离子传导膜层4的双面太阳能电池，以及现有技术中不设置有离子传导膜层4的双面太阳能电池进行对比。图2中虚线部分代表现有技术中未设置有离子化传导膜层的双面太阳能电池，而实现部分代表本发明实施例所提供的设置有碳化硅膜层作为离子传导膜层4的双面太阳能电池，而其余结构，例如氧化铝膜层2等结构的参数均相同。
具体的，在此处对本发明实施例所提供的双面太阳能电池片以及现有技术中的双面太阳能电池片均进行-1500V/85℃/85％RH/96h的PID衰减处理，即分别对上述两块双面太阳能电池在温度为85℃、湿度为5％RH的条件下，施加1500V电压长达96h，以实现PID(Potential Induced Degradation，电位诱发衰减)衰减处理。在经过上述衰减处理后分别测试两个双面太阳能电池的IQE(Internal Quantum Efficiency，内量子效率)，所得结果如图2所示。
从图2中可以看出，本发明实施例所提供的双面太阳能电池在经过PID衰减处理后，仍然对于长波段800nm至1100nm光线仍然具有良好的量子响应；而现有技术中双面太阳能电池在经过PID衰减处理后，对于长波段800nm至1100nm光线的量子响应明显变低。而长波响应劣化正是由于在经历PID衰减处理后，现有技术中氧化铝膜层2钝化作用失效所致。而本发明实施例所提供的双面太阳能电池由于可以避免氧化铝膜层2钝化失效，所以仍然具有良好的长波响应。
本发明实施例所提供的一种双面太阳能电池，在氮化硅膜层3背向太阳能电池基板1一侧表面设置有离子传导膜层4，该离子传导膜层4的电阻率需要小于氮化硅膜层3的电阻率，而背面玻璃8具体贴合于离子传导膜层4表面。当双面太阳能电池处于工作状态时，会在背面玻璃8与太阳能电池基板1之间巨大的电压，该电压会使背面玻璃8中的正离子，例如钠离子受电压驱动逐步向氧化铝膜层2转移。由于离子传导膜层4的电阻率小于氮化硅膜层3的电阻率，且离子传导膜层4会与背面电极6相接触，使得当背面玻璃8中的正离子转移至离子传导膜层4时，会通过背面电极6传导出双面太阳能电池，而不会逐步转移至氧化铝膜层2与氧化铝膜层2中固定的负电荷发生中和而影响氧化铝膜层2的钝化效果；即设置离子传导膜层4可以在长时间使用双面太阳能电池时，保证氧化铝膜层2仍然可以提供足够的场钝化效应，从而保证氧化铝膜层2具有足够的钝化效果，从而使得在长时间使用之后双面太阳能电池仍然具有足够的转换效率，使得双面太阳能电池具有足够的可靠性。
有关本发明所提供的双面太阳能电池的具体结构将在下述发明实施例中做详细介绍。
请参考图3，图4以及图5，图3为本发明实施例所提供的一种具体的双面太阳能电池的结构示意图；图4为EVA封装的PID衰减测试结果对比图；图5为POE封装的PID衰减测试结果对比图。
区别于上述发明实施例，本发明实施例是在上述发明实施例的基础上，进一步的对双面太阳能电池的结构进行具体限定。其余内容已在上述发明实施例中进行了详细介绍，在此不再进行赘述。
参见图3，在本发明实施例中，所述背面玻璃8可以通过EVA胶膜10贴附于所述离子传导膜层4表面。
EVA胶膜10即现阶段常规的用于将玻璃板封装在太阳能电池片表面所使用的胶膜，该EVA胶膜10通常位于太阳能电池片与封装玻璃，例如背面玻璃8之间，起到固定连接的作用。但是在现有技术中为了降低双面太阳能电池的PID衰减，也会选用POE胶膜作为将玻璃板封装在太阳能电池片表面的胶膜。相比于EVA胶膜10，POE胶膜具有更好的抗PID性能，但是相应的POE胶膜的成本也明显高于EVA胶膜10。在本发明实施例中，由于在双面太阳能电池的背光侧设置有离子传导膜层4，即使使用常规的EVA胶膜10仍然可以使双面太阳能电池具有良好的抗PID性能，同时使用EVA胶膜10可以有效降低双面太阳能电池的制作成本。具体的，在本发明实施例中，背面玻璃8通常通过EVA胶膜10贴合在离子传导膜层4表面，即EVA胶膜10通常位于背面玻璃8与离子传导膜层4之间，起到将背面玻璃8与离子传导膜层4固定连接的作用。
需要说明的是，为了保证双面太阳能电池背面具有最优的抗PID性能，在本发明实施例中也可以使用POE胶膜将背面玻璃8贴合在离子传导膜层4表面。相应的，在本发明实施例中正面可以通过EVA胶膜10贴合在太阳能电池基板1受光侧表面，也可以是通过POE胶膜贴合在太阳能电池基板1受光侧表面均可，在本发明实施例中并不做具体限定。
参见图4以及图5，在本发明实施例中具体对不同种类的封装胶膜对双面太阳能电池背面抗PID性能的影响进行对比，其中图4以及图5的纵坐标均为PID衰减比例，图中矩形图形对应的纵坐标越接近0，意味着PID衰减比例越小，抗PID性能越好。图4以及图5中的实线矩形图形均对应本发明实施例所提供的设置有离子传导膜层4的双面太阳能电池，其中离子传导膜层4均为碳化硅膜层；虚线矩形图形均对应现有技术中未设置有离子传导膜层4的双面太阳能电池，其余条件均相等。其中，图4为使用EVA胶膜10将背面玻璃8贴合于太阳能电池基板1，而图5为使用POE胶膜将背面玻璃8贴合于太阳能电池基板1。所得结果如图4以及图5所示。
从图4以及图5中可以看出，无论使用哪种封装胶膜，本发明实施例所提供的双面太阳能电池与现有技术相比，均具有更优秀的抗PID性能。同时在使用EVA胶膜10对背面玻璃8进行封装时，本发明实施例所提供的双面太阳能电池的背面抗PID性能可以类似于现有技术中使用POE胶膜对表面玻璃进行封装所起到的抗PID性能。
本发明实施例所提供的一种双面太阳能电池，具体使用EVA胶膜10将背面玻璃8贴合在离子传导膜层4表面，可以在保证双面太阳能电池具有良好的背面抗PID性能的同时，有效减少双面太阳能电池的成本。
下面对本发明所提供的一种双面太阳能电池的制备方法进行介绍，下文描述的制备方法与上述描述的双面太阳能电池的结构可以相互对应参照。
请参考图6，图6为本发明实施例所提供的一种双面太阳能电池制备方法的流程图。
参见图6，在本发明实施例中，所述双面太阳能电池的制备方法可以包括：
S101：在太阳能电池基板背光侧表面沉积氧化铝膜层。
有关太阳能电池基板的具体结构以及氧化铝膜层的具体结构已在上述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。在本步骤中，具体会通过沉积工艺在太阳能电池基板背光侧表面沉积氧化铝膜层。有关氧化铝膜层具体的设置工艺将在下述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。
S102：在氧化铝膜层表面沉积氮化硅膜层。
有关氮化硅膜层的具体结构已在上述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。在本步骤中，会具体通过沉积工艺在氧化铝膜层表面沉积氮化硅膜层。有关氮化硅膜层具体的设置工艺将在下述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。
S103：在氮化硅膜层表面设置离子传导膜层。
在本发明实施例中，所述离子传导膜层的电阻率小于所述氮化硅膜层的电阻率。有关离子传导膜层的具体结构已在上述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。需要说明的是，根据离子传导膜层具体材质的不同，通常可以使用不同工艺设置该离子传导膜层。有关离子传导膜层具体的设置工艺将在下述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。
S104：在太阳能电池基板受光侧表面设置正面电极，并在太阳能电池基板背光侧表面设置背面电极。
在本发明实施例中，所述背面电极与所述离子传导膜层相接触。
有关正面电极以及背面电极的具体结构已在上述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。在本步骤中，当设置背面电极时，通常是先通过激光开槽在太阳能电池基板背光侧表面开设穿透上述离子传导膜层、氮化硅膜层、以及氧化铝膜层的窄槽；再通过丝网印刷工艺在窄槽中印刷导电浆料；最后烧结上述导电浆料使其固化，以形成背面电极。当设置正面电极时，通常是通过烧结银浆，使银浆穿透钝化减反层与太阳能电池基板接触，以形成正面电极。有关上述背面电极以及正面电极具体的制备工艺可以参考现有技术，在此不再见进行赘述。
S105：在太阳能电池基板受光侧贴合正面玻璃，并在离子传导膜层表面贴合背面玻璃，以制成双面太阳能电池。
在本步骤中，会使用正面玻璃以及背面玻璃对太阳能电池基板进行封装，以制成双面太阳能电池。具体的，在本步骤中，为了降低双面太阳能电池的制作成本，本步骤可以具体为通过EVA胶膜将背面玻璃贴合于所述离子传导膜层表面；若为了尽可能的提高双面太阳能电池背表面抗PID性能，本步骤可以具体为通过POE胶膜将背面玻璃贴合于所述离子传导膜层表面。在本发明实施例中，既可以使用EVA胶膜将正面玻璃贴合于所述太阳能电池基板受光侧表面，可以使用POE胶膜将正面玻璃贴合于所述太阳能电池基板受光侧表面均可，在本发明实施例中并不做具体限定，视具体情况而定。有关正面玻璃以及背面玻璃的基体材质可以参考现有技术，在此不再进行赘述。
本发明实施例所提供的一种双面太阳能电池的制备方法，所制备而成的双面太阳能电池在氮化硅膜层背向太阳能电池基板一侧表面设置有离子传导膜层，该离子传导膜层的电阻率需要小于氮化硅膜层的电阻率，而背面玻璃具体贴合于离子传导膜层表面。当双面太阳能电池处于工作状态时，会在背面玻璃与太阳能电池基板之间施加巨大的电压，该电压会使背面玻璃中的正离子，例如钠离子受电压驱动逐步向氧化铝膜层转移。由于离子传导膜层的电阻率小于氮化硅膜层的电阻率，且离子传导膜层会与背面电极相接触，使得当背面玻璃中的正离子转移至离子传导膜层时，会通过背面电极传导出双面太阳能电池，而不会逐步转移至氧化铝膜层与氧化铝膜层中固定的负电荷发生中和而影响氧化铝膜层的钝化效果；即设置离子传导膜层可以在长时间使用双面太阳能电池时，保证氧化铝膜层仍然可以提供足够的场钝化效应，从而保证氧化铝膜层具有足够的钝化效果，从而使得在长时间使用之后双面太阳能电池仍然具有足够的转换效率，使得双面太阳能电池具有足够的可靠性。
有关本发明所提供的一种双面太阳能电池制备方法的具体内容将在下述发明实施例中做详细介绍。
请参考图7，图7为本发明实施例所提供的一种具体的双面太阳能电池制备方法的流程图。
参见图7，在本发明实施例中，所述双面太阳能电池的制备方法可以包括：
S201：利用ALD设备通过三甲基铝与纯水的反应在太阳能电池基板背光侧表面沉积氧化铝膜层。
在本发明实施例中，具体通过ALD(Atomic layer deposition原子层沉积)设备可以在太阳能电池基板背光侧表面沉积氧化铝膜层。具体的，在本步骤中利用ALD设备通过三甲基铝与纯水的反应可以生成并沉积氧化铝膜层。通常情况下上述三甲基铝与纯水是由氮气携带进入ALD设备的反应腔室中进行反应，有关三甲基铝(TMA)与纯水反应生成氧化铝的具体反应过程可以参考现有技术，在此不再进行赘述。在本步骤中，通常仅沉底一层厚度在2nm至6nm之间，包括端点值的氧化铝膜层。
S202：利用PECVD机台通过硅烷与氨气的反应在氧化铝膜层表面沉积氮化硅膜层。
在本发明实施例中，具体通过PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，等离子体增强化学的气相沉积)机台可以在氧化铝膜层表面沉积氮化硅膜层。具体的，在本步骤中利用PECVD机台通过硅烷与氨气的反应可以生成并沉积氮化硅膜层。有关硅烷与氨气(NH3)反应生成氮化硅的具体反应过程可以参考现有技术，在此不再进行赘述。
具体的，在本步骤中，在利用PECVD机台进行硅烷与氨气的反应时，即沉积氮化硅膜层时，硅烷与氨气的流量比的取值范围通常为1:6至1:15，包括端点值。即在反应时上述氨气的体积通常是硅烷体积的6倍至15倍，包括端点值。上述氮化硅膜层的沉积温度的取值范围通常为440℃至570℃，包括端点值；即在进行硅烷与氨气的反应时PECVD机台内的温度通常在440℃至570℃之间，包括端点值。在沉积氮化硅膜层时，PECVD机台内气压的取值范围通常为1600Torr至1800Torr，包括端点值，此时PECVD机台功率的范围通常在13000W至16000W，包括端点值。通过上述工艺条件可以在氧化铝膜层表面沉积一致密均匀的氮化硅膜层。
S203：利用PECVD机台通过硅烷与甲烷的反应在氮化硅膜层表面沉积碳化硅膜层。
在本发明实施例中，具体通过PECVD机台可以在氮化硅膜层表面沉积碳化硅膜层。具体的，在本步骤中利用PECVD机台通过硅烷与甲烷(CH4)的反应可以生成并沉积碳化硅膜层。有关硅烷与甲烷反应生成碳化硅的具体反应过程可以参考现有技术，在此不再进行赘述。
具体的，在本步骤中，在利用PECVD机台进行硅烷与甲烷的反应时，即沉积碳化硅膜层时，硅烷与甲烷的流量比的取值范围通常为1:6至1:15，包括端点值。即在反应时上述甲烷的体积通常是硅烷体积的6倍至15倍，包括端点值。上述碳化硅膜层的沉积温度的取值范围通常为440℃至570℃，包括端点值；即在进行硅烷与甲烷的反应时PECVD机台内的温度通常在440℃至570℃之间，包括端点值。在沉积碳化硅膜层时，PECVD机台内气压的取值范围通常为1300Torr至1600Torr，包括端点值，此时PECVD机台功率的范围通常在13000W至16000W，包括端点值。通过上述工艺条件可以在氮化硅膜层表面沉积一致密均匀的碳化硅膜层。
通过上述内容可知，在本发明实施例中若具体选用碳化硅膜层作为离子传导膜层时，在制备氮化硅膜层之后，仅仅需要更换PECVD机台气路中的气体即可，即在沉积完碳化硅膜层之后，仅仅需要将气路中的氨气更换为甲烷，即可继续沉积碳化硅膜层，该操作非常简单易行。
S204：在太阳能电池基板受光侧表面设置正面电极，并在太阳能电池基板背光侧表面设置背面电极。
S205：在太阳能电池基板受光侧贴合正面玻璃，并在离子传导膜层表面贴合背面玻璃，以制成双面太阳能电池。
上述S204至S205与上述发明实施例中S104至S105基本一致，详细内容请参考上述发明实施例，在此不再进行赘述。
本发明实施例所提供的一种双面太阳能电池的制备方法，通过PECVD机台制备氮化硅膜层与碳化硅膜层时，仅仅需要更换PECVD机台气路中的气体即可，该操作非常简单易行。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
专业人员还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接用硬件、处理器执行的软件模块，或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(RAM)、内存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种双面太阳能电池及一种双面太阳能电池的制备方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

Claims (10)

1.一种双面太阳能电池，其特征在于，包括：
太阳能电池基板；
位于所述太阳能电池基板背光侧表面的氧化铝膜层；
位于所述氧化铝膜层背向所述太阳能电池基板一侧表面的氮化硅膜层；
位于所述氮化硅膜层背向所述太阳能电池基板一侧表面的离子传导膜层，所述离子传导膜层的电阻率小于所述氮化硅膜层的电阻率；
位于所述太阳能电池基板受光侧表面的正面电极，以及位于所述太阳能电池基板背光侧表面的背面电极；所述背面电极与所述离子传导膜层相接触；
位于所述太阳能电池基板受光侧的正面玻璃，以及位于所述离子传导膜层背向所述太阳能电池基板一侧的背面玻璃。
2.根据权利要求1所述的双面太阳能电池，其特征在于，所述离子传导膜层为碳化硅膜层。
3.根据权利要求2所述的双面太阳能电池，其特征在于，所述碳化硅膜层厚度的取值范围为20nm至120nm，包括端点值。
4.根据权利要求1所述的双面太阳能电池，其特征在于，所述背面玻璃通过EVA胶膜贴附于所述离子传导膜层表面。
5.一种双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
在太阳能电池基板背光侧表面沉积氧化铝膜层；
在所述氧化铝膜层表面沉积氮化硅膜层；
在所述氮化硅膜层表面设置离子传导膜层；所述离子传导膜层的电阻率小于所述氮化硅膜层的电阻率；
在所述太阳能电池基板受光侧表面设置正面电极，并在所述太阳能电池基板背光侧表面设置背面电极；所述背面电极与所述离子传导膜层相接触；
在所述太阳能电池基板受光侧贴合正面玻璃，并在所述离子传导膜层表面贴合背面玻璃，以制成所述双面太阳能电池。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述氮化硅膜层表面设置离子传导膜层包括：
利用PECVD机台通过硅烷与甲烷的反应在所述氮化硅膜层表面沉积碳化硅膜层。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，沉积所述碳化硅膜层时所述硅烷与所述甲烷的流量比的取值范围为1:6至1:15，包括端点值；所述碳化硅膜层的沉积温度的取值范围为440℃至570℃，包括端点值；沉积所述碳化硅膜层时所述PECVD机台内气压的取值范围为1600Torr至1800Torr，包括端点值。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述氧化铝膜层表面沉积氮化硅膜层包括：
利用PECVD机台通过硅烷与氨气的反应在所述氧化铝膜层表面沉积氮化硅膜层。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在太阳能电池基板背光侧表面沉积氧化铝膜层包括：
利用ALD设备通过三甲基铝与纯水的反应在太阳能电池基板背光侧表面沉积氧化铝膜层。
10.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述离子传导膜层表面贴合背面玻璃包括：
通过EVA胶膜将背面玻璃贴合于所述离子传导膜层表面。
CN201910372065.1A 2019-05-06 2019-05-06 一种双面太阳能电池及其制备方法 Active CN110085686B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910372065.1A CN110085686B (zh) 2019-05-06 2019-05-06 一种双面太阳能电池及其制备方法
PCT/CN2019/095771 WO2020224051A1 (zh) 2019-05-06 2019-07-12 一种双面太阳能电池及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910372065.1A CN110085686B (zh) 2019-05-06 2019-05-06 一种双面太阳能电池及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110085686A true CN110085686A (zh) 2019-08-02
CN110085686B CN110085686B (zh) 2021-04-23

Family

ID=67418771

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910372065.1A Active CN110085686B (zh) 2019-05-06 2019-05-06 一种双面太阳能电池及其制备方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN110085686B (zh)
WO (1) WO2020224051A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112531034A (zh) * 2019-08-28 2021-03-19 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种太阳能电池、太阳能电池板及制备方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100096819A (ko) * 2009-02-25 2010-09-02 엘지전자 주식회사 후면전극형 태양전지 및 그 제조방법
US20110308602A1 (en) * 2010-06-18 2011-12-22 Q-Cells Se Solar cell, solar cell manufacturing method and testing method
KR101125435B1 (ko) * 2010-05-07 2012-03-27 현대중공업 주식회사 Ｍｗｔ형 태양전지
CN103022160A (zh) * 2013-01-10 2013-04-03 常州天合光能有限公司 能抗pid效应的太阳电池钝化减反膜
CN103337525A (zh) * 2013-05-27 2013-10-02 镇江大全太阳能有限公司 抗pid效应的太阳能电池片及其制造方法
WO2013071925A3 (de) * 2011-11-15 2014-03-20 International Solar Energy Research Center Konstanz E.V. Verfahren zur herstellung einer solarzelle mit pecvd-kombinationsschicht und solarzelle mit pecvd-kombinationsschicht
CN105322030A (zh) * 2014-08-04 2016-02-10 南京市荣达树脂有限公司 一种太阳能晶硅电池的反射膜及其制作工艺
CN205564764U (zh) * 2016-04-28 2016-09-07 乐叶光伏科技有限公司 一种背面钝化接触电池结构
CN106159008A (zh) * 2015-05-13 2016-11-23 Lg电子株式会社 太阳能电池及其制造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120128875A (ko) * 2011-05-18 2012-11-28 삼성디스플레이 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR101867855B1 (ko) * 2014-03-17 2018-06-15 엘지전자 주식회사 태양 전지
CN109244182A (zh) * 2018-09-03 2019-01-18 江西展宇新能源股份有限公司 一种黑硅perc双面电池及其制作方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100096819A (ko) * 2009-02-25 2010-09-02 엘지전자 주식회사 후면전극형 태양전지 및 그 제조방법
KR101125435B1 (ko) * 2010-05-07 2012-03-27 현대중공업 주식회사 Ｍｗｔ형 태양전지
US20110308602A1 (en) * 2010-06-18 2011-12-22 Q-Cells Se Solar cell, solar cell manufacturing method and testing method
WO2013071925A3 (de) * 2011-11-15 2014-03-20 International Solar Energy Research Center Konstanz E.V. Verfahren zur herstellung einer solarzelle mit pecvd-kombinationsschicht und solarzelle mit pecvd-kombinationsschicht
CN103022160A (zh) * 2013-01-10 2013-04-03 常州天合光能有限公司 能抗pid效应的太阳电池钝化减反膜
CN103337525A (zh) * 2013-05-27 2013-10-02 镇江大全太阳能有限公司 抗pid效应的太阳能电池片及其制造方法
CN105322030A (zh) * 2014-08-04 2016-02-10 南京市荣达树脂有限公司 一种太阳能晶硅电池的反射膜及其制作工艺
CN106159008A (zh) * 2015-05-13 2016-11-23 Lg电子株式会社 太阳能电池及其制造方法
CN205564764U (zh) * 2016-04-28 2016-09-07 乐叶光伏科技有限公司 一种背面钝化接触电池结构

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112531034A (zh) * 2019-08-28 2021-03-19 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种太阳能电池、太阳能电池板及制备方法
CN112531034B (zh) * 2019-08-28 2022-10-21 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种太阳能电池、太阳能电池板及制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020224051A1 (zh) 2020-11-12
CN110085686B (zh) 2021-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6980079B2 (ja) 太陽電池
JP6788144B1 (ja) 太陽電池モジュール、太陽電池及びその製造方法
CN114709294B (zh) 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
CN115132851B (zh) 太阳能电池及其制作方法、光伏组件
AU2022200098B2 (en) Photovoltaic cell, method for manufacturing same, and photovoltaic module
CN115472701B (zh) 太阳能电池及光伏组件
JPWO2014192408A1 (ja) 結晶シリコン系太陽電池の製造方法、および結晶シリコン系太陽電池モジュールの製造方法
CN114709277A (zh) 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
CN104064622A (zh) 一种抗电势诱导衰减的太阳能电池片及其制作方法
CN104752526A (zh) 一种高pid抗性多晶电池的钝化减反射膜及其制备工艺
TW201424014A (zh) 抗高電場衰減太陽能電池結構及其製作方法
CN110085686A (zh) 一种双面太阳能电池及其制备方法
JPWO2016163168A1 (ja) 光電変換素子
CN110112242A (zh) 一种太阳能电池及一种太阳能电池的制备方法
CN218769547U (zh) 光伏电池及光伏组件
CN110164985A (zh) 一种太阳能电池及其制备方法
WO2014050193A1 (ja) 光電変換モジュール
JP6689757B2 (ja) 光電変換素子、それを備えた太陽電池モジュールおよび太陽光発電システム
CN108365025A (zh) 一种双面perc电池及其制备方法
CN115172479B (zh) 一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件
JP2014041983A (ja) 界面パッシベーション構造の製造方法および光電変換素子
CN105261672B (zh) 一种抗pid的太阳能电池制备方法
CN104752527B (zh) 一种高pid抗性单晶电池的钝化减反射膜及其制备工艺
CN113889539B (zh) 太阳能电池及其制造方法
CN104835864B (zh) 一种太阳能电池

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant