CN109994692A - 一种隔离膜，其制备方法及包括该隔离膜的电化学装置 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及储能材料领域，具体讲涉及一种隔离膜，其制备方法及包括该隔离膜的电化学装置。一种隔离膜，其包括多孔基底；和至少设置于所述多孔基底一侧的无机层，所述多孔基底的材料含有改性的共聚物材料，所述多孔基底对水滴的接触角为1°～80°；所述无机层为不含有粘结剂的介电层。本申请的隔离膜通过改性多孔基底的表面，使其由疏水界面转变为有较强亲水性界面(<80°)，能够有效提高无机层的沉积速率、膜层与基底的结合力，并且由于基底表面活性基团较多，有利于通过改变气相沉积的参数，调节无机层的孔隙率、孔径等微观形貌。

Description

一种隔离膜，其制备方法及包括该隔离膜的电化学装置
技术领域
本申请涉及储能领域，具体讲，涉及一种隔离膜，其制备方法及包括该隔离膜的电化学装置。
背景技术
在电池的内部结构中，隔离膜作为关键部件，通常为多孔聚合物薄膜，其具有电子隔绝、离子导通的特性，用于保障离子能够在正极与负极之间正常传输而不发生短路。近年来，为了改善单一聚合物隔离膜的热收缩较高、与电解液浸润性较差的问题，在聚合物基材表面涂覆陶瓷涂层的复合隔离膜逐渐成为改善电池安全性能的关键技术。但是这种复合隔离膜仍然存在一些问题，需要进一步开发研究。
通过无机颗粒与粘结剂混合形成有机/无机复合涂层，可以对聚合物基底表面改性有效改善上述问题，但无机颗粒与聚合物基材之间主要靠粘结剂粘合，不同区域的结合力受粘结剂分布的影响显著，容易在涂覆过程、长期循环或者电池滥用等情况下，发生陶瓷层表面龟裂与老化、孔隙率变化、陶瓷颗粒脱落等，从而导致导离子性能变差，严重时甚至容易引起安全问题。
发明内容
鉴于此，本申请第一方面提出一种隔离膜，其包括多孔基底；和至少设置于所述多孔基底一侧的无机层，所述多孔基底的材料含有改性的共聚物材料，所述多孔基底对水滴的接触角为1°～80°；所述无机层为不含有粘结剂的介电层。
本申请第二方面提出上述第一方面提出的隔离膜的制备方法，至少包括以下步骤：
将所述多孔基底表面进行改性以使所述多孔基底对水滴的接触角为1°～80°；及在经改性后的所述多孔基底上通过气相沉积方法形成无机层。
本申请第三方面提出一种电化学装置，包括正极、负极、隔离膜、电解液，所述隔离膜为上述第一方面提出的隔离膜。
本申请的技术方案至少具有以下有益的效果：
本申请的隔离膜通过在多孔基底表面设置超薄无机层，有效降低隔离膜在受热时的热收缩率，保证隔离膜具有一定的机械强度和较好的电解液浸润性。本发明的无机层不含有粘结剂且厚度较薄，主要采用气相沉积的方法制备在多孔基底表面，通过改性多孔基底的表面，使其由疏水界面转变为有较强亲水性界面(<80°)，能够有效提高无机层的沉积速率、膜层与基底的结合力，并且由于基底表面活性基团较多，有利于通过改变气相沉积的参数，调节无机层的孔隙率、孔径等微观形貌。本发明使用不含粘结剂的无机层复合多孔基底作为隔离膜，无需粘结剂增强多孔基底与无机层之间的结合力，避免因粘结剂分布不均而导致的无机层龟裂、脱落等问题，也避免了由脱落引起的机械强度降低及堵塞多孔基底孔隙的问题，从而进一步改善改善电化学装置的受热安全性，提高电化学装置的循环寿命。
具体实施方式
下面通过实施例和对比例进一步说明本申请，这些实施例只是用于说明本申请，本申请不限于以下实施例。凡是对本申请技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本申请技术方案的范围，均应涵盖在本申请的保护范围中。
首先说明根据本申请实施例第一方面的隔离膜。
根据本申请实施例第一方面的隔离膜，该隔离膜包括具有孔隙的多孔基底；和至少设置于所述多孔基底一侧的无机层，所述多孔基底的材料含有改性的共聚物材料，所述多孔基底对水滴的接触角为1°～80°；所述无机层为不含有粘结剂的介电层。
本申请实施例的多孔基底的表面为不含有粘结剂的无机层，由于多孔基底表面通常为低表面活性能的疏水界面，不利于无机层的沉积，因此，为了提高无机层与多孔基底的结合力，本发明实施例中，多孔基底由改性的聚烯烃基材料制成，并使多孔基底对水滴的接触角为1°～80°，水滴的接触角是指在固、液、气三相交界面处，气-液相界面与固-液相界面之间的夹角。即使其表面具有亲水性，提高多孔基底的表面能，从而为后续无机层的形成提供了大量的活性位点以供无机层成膜，由于无机层与多孔基底之间通过化学键键合，提高了无机层与多孔基底之间的结合力。本发明实施例中的隔离膜，受热时，由于通过在多孔基底表面形成有结合力较强的无机层，使得其在趋于收缩时受到来自表面无机层的各个方向的反作用力，有效抑制了多孔基底的热收缩，(如本发明实施例得到的隔离膜在90℃下放置1h几乎不发生收缩)，从而大大提高了锂离子电池的安全性能。另外，由于避免使用粘结剂来增强多孔基底与无机层之间的结合力，从而避免了因粘结剂分布不均而导致的无机层龟裂、脱落等问题，也避免了由脱落引起的机械强度降低及堵塞多孔基底的孔隙的问题，从而进一步改善改善电池的安全性，提高电池的循环寿命。
作为本申请实施例的隔离膜的一种改进，接触角优选的范围可以为；更优选的范围可以为：；接触角的上限可为80°、75°、70°、65°、60°、55°、50°、45°；接触角下限可为1°、5°、10°、15°、20°、25°、30°、35°、40°、43°。接触角的范围可由上限、下限的任意数据组成。
作为本申请实施例的隔离膜的一种改进，所述多孔基底的表面含有极性基团，所述极性基团为-OH、-NH2、-COOH、羰基、环氧基团中的至少一种。
作为本申请实施例的隔离膜的一种改进，所述共聚物为聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酰对苯二胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚四氟乙烯、聚丙烯腈、聚酰亚胺、聚酰胺中的至少一种。
作为本申请实施例的隔离膜的一种改进，所述多孔基底的孔隙率为20％～80％，进一步优选为40％～60％。孔隙率的上限可为80％、78％、776％、74％、72％、70％、68％、65％、63％、60％、58％、55％、53％、50％；孔隙率的下限可为20％、22％、24％、26％、28％、30％、32％、35％、38％、40％、43％、45％、48％。孔隙率的范围可由上限、下限的任意数据组成。由于无机层会沉积在多孔基底的上表面、下表面及至少一部分孔隙的内壁，因此为了保证隔离膜具有良好的离子导通性能，需要提高多孔基底的孔隙率，避免部分孔隙被无机层堵塞后，电池的动力学性能降低。
作为本申请实施例的隔离膜的一种改进，所述多孔基底的厚度为5μm～50μm，优选为7μm～20μm，进一步优选的是7μm～15μm。多孔基底的厚度的上限可为50μm、48μm、45μm、42μm、40μm、38μm、36μm、34μm、32μm、30μm；多孔基底的厚度的下限可为5μm、6μm、7μm、8μm、9μm、10μm、11μm、12μm、13μm、15μm、16μm、18μm、19μm、20μm、22μm、24μm、26μm、28μm。多孔基底的厚度范围可由上限、下限的任意数据组成。
作为本申请实施例的隔离膜的一种改进，所述无机层含有Al的氧化物、Al的氮化物、Al的氟化物、Si的氧化物、Si的氮化物、Si的氟化物、Ti的氧化物、Ti的氮化物、Ti的氟化物、Zn的氧化物、Zn的氮化物、Zn的氟化物、Mg的氧化物、Mg的氮化物、Mg的氟化物、Zr的氧化物、Zr的氮化物、Zr的氟化物、Ca的氧化物、Ca的氮化物、Ca的氟化物、Ba的氧化物、Ba的氮化物、Ba的氟化物、AlO(OH)中的至少一种
作为本申请实施例的隔离膜的一种改进，所述无机层为采用气相沉积法在所述多孔基底的至少一个表面上形成的连续状介电层。
采用气相沉积法制备的无机层时，气态活化无机分子与多孔基底表面的活化极性基团之间通过化学键键合，因此形成的无机层与多孔基底的结合力更强、不易剥落；同时由于多孔基底平整，所以无机层在多孔基底表面连续分布、包覆性和膜层均一性良好，厚度偏差可以控制在±5％以内。
作为本申请实施例的隔离膜的一种改进，所述无机层与所述多孔基底的界面粘结力不低于30N/m。当所述无机层与所述多孔基底的界面粘结力不低于30N/m时，可避免隔离膜在高温、长期循环过程或机械滥用情况下，无机层脱落引发的电性能变差以及安全问题。
作为本申请实施例的隔离膜的一种改进，所述无机层的厚度20nm～2000nm；进一步优选为50nm～1500nm；更进一步优选为100nm～1000nm。无机层的厚度的上限可为1000nm、950nm、900nm、850nm、800nm、700nm、650nm、600nm、650nm、500nm；无机层的厚度的下限可为20nm、50nm、100nm、150nm、200nm、250nm、300nm、350nm、400nm、450nm。所述无机层的厚度范围可由上限、下限的任意数据组成。
由于多孔基底经过改性处理，与无机层的结合力增强，有利于提高无机层的结构稳定性、性质稳定性，因此在一定程度上缩小无机层的厚度，并不影响隔离膜与电解液的浸润性、在90℃下的热收缩率和透气率，因此使用较薄的无机层有利于提高电芯能量密度。当无机层过薄时(<20nm)，无法有效降低隔离膜的热收缩率；当无机层过厚时(>2000nm)，会降低隔离膜的透气率，影响电池的倍率性能，降低电池能量密度。
作为本申请实施例的隔离膜的一种改进，所述无机层均匀包覆所述多孔基底的至少一个表面和该表面的至少一部分的孔隙的内壁。
本发明中无机层的厚度可以较薄，特别是气相沉积法制备时，不仅可以沉积在多孔基底的外侧表面，还可以进一步沉积在多孔基底的孔隙的内壁，随着无机层对多孔基底的包覆率提高，多孔基底受到无机层抵抗受热收缩的抑制效果越明显，隔离膜的拉伸强度也随之提高，有效改善电芯的安全性。
作为本申请实施例的隔离膜的一种改进，所述无机层包覆所述孔隙的深度与所述多孔基底的厚度的比值d为1/1000～1/20，优选为1/200～1/40。该比值d的上限可为1/20、1/22、1/24、1/26、1/28、1/30、1/32、1/35、1/38、1/40、1/42、1/44、1/46、1/48、1/50、1/60、1/70、1/80、1/90、1/100；该比值d的下限可为1/1000、1/950、1/900、1/850、1/800、1/750、1/700、1/650、1/600、1/550、1/500、1/450、1/400、1/350、1/300、1/250、1/200、1/150。所述比值d的范围可由上限、下限的任意数据组成。无机层在多孔基底的孔隙内部的深度随沉积厚度的提高逐渐加深，但是包覆过深(>基底厚度的1/20)，此时基孔隙的周围容易被大量无机层堵塞，引起电化学装置的离子导通性能变差。若无机层对多孔基底的孔隙内壁的包覆深度过浅(<1/1000)，孔隙内部存在大量暴露的聚合物表面，在受热时，由于无机层的束缚力较低，容易发生热收缩。
作为本申请实施例的隔离膜的一种改进，所述无机层占所述隔离膜的质量比为0.1wt％～50wt％，进一步地为1wt％～30wt％。该质量比的上限可为50wt％、48wt％、45wt％、43wt％、40wt％、38wt％、35wt％、33wt％、30wt％、28wt％、25wt％；该质量比的下限可为0.1wt％、0.5wt％、0.8wt％、1wt％、5wt％、8wt％、10wt％、13wt％、15wt％、18wt％、20wt％、23wt％。所述质量比的范围可由上限、下限的任意数据组成。如果质量比太小则起不到增强隔离膜机械强度的作用，如果质量比太大则对电性能或机械强度提升不明显，反而会增加隔离膜的厚度、降低电芯能量密度。
作为本申请实施例的隔离膜的一种改进，所述隔离膜在150℃下放置1h的横向热收缩率和纵向热收缩率均低于3％，如2.8％、2.5％、2.3％、2％、1.8％等；进一步地低于1.5％，如1.3％、1％、0.8％、0.5％等。
根据本申请实施例第二方面的隔离膜的制备方法，其至少包括以下步骤：
将所述多孔基底表面进行改性以使所述多孔基底对水滴的接触角为1°～80°；及
在经所述改性后的所述多孔基底上通过气相沉积方法形成无机层。
作为本申请实施例的隔离膜的制备方法的一种改进，所述改性方法为低温等离子体表面处理或偶联剂处理，进一步优选为低温等离子体表面处理。
作为本申请实施例的隔离膜的一种改进，所述低温等离子体表面处理使用的活性气体为O2、N2、Ar、H2、CO、NH3、臭氧、二氧化碳、水蒸汽中的至少一种。
作为本申请实施例的隔离膜的制备方法的一种改进，所述偶联剂处理使用的偶联剂为硅烷偶联剂、有机硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂中的至少一种。
根据本申请实施例第三方面的电化学装置，其包括正极、负极、隔离膜、电解液，所述隔离膜为根据本申请实施例第一方面的隔离膜。
下面以锂离子二次电池为例，进一步说明本申请实施例。
隔离膜
本发明实施例中，对多孔基底的材料无特殊限定，可以为聚合物基材。上述聚合物基材可选自聚乙烯、聚丙烯和乙烯-丙烯共聚物中的一种或多种。
隔离膜基底活化改性的方法为等离子体活化法，下面以丙烯酸接枝活化隔离膜基底为例。一次用无水乙醇、丙酮清洗隔离膜表面。将表面清洗干净的隔离膜放入等离子体腔体中，密闭腔体后对其抽真空至10-1Pa，再在等离子体腔体中通入Ar气(0.3～0.5sccm)、氧气(0.05～0.15sccm)以及经超声波雾化的丙烯酸气体，待气流稳定后，调节等离子体功率(30W～100W)，保持1min～5min，即可。该隔离膜表面可接枝形成与隔离膜化学连接的羟基、羧基亲水基团。
隔离膜的无机层的制备方法，以等离子体辅助热蒸发沉积技术为例。其中加热源为电子束，加热靶材为无机层中除氧以外相应的元素单质(如Al、Si、Mg等)，在真空条件下，以含氧的活化气体(如氧气、臭氧、氧离子、一氧化氮、二氧化氮、二氧化碳、水蒸气等)为反应气体，控制基材温度小于100℃，通过调节加热电流(50A～300A)、工艺腔真空度(10-1～10-3Pa)、氧流量(8000～12000sccm)、等离子体功率(300W～600W)以及工艺时间，调节无机层在多孔基底表面的沉积速率，进一步调节无机层的厚度、组分和微观形貌。
正极极片制备
将正极活性物质、导电剂乙炔黑(SP)、粘结剂聚偏氟乙烯(PVDF)混合，三者混合的重量比为96：2：2。加入溶剂N-甲基吡咯烷酮，混合搅拌均匀后得到正极浆料。将正极浆料均匀的涂覆在正极集流体铝箔上，随后在85℃下烘干后进行冷压、切边、裁片、分条，之后在85℃真空条件下干燥4h，得到正极极片。其中使用的正极活性物质可以为层状锂过渡金属氧化物、富锂锰基氧化物、磷酸铁锂、钴酸锂或其掺杂或包覆后的正极活性物质。本实施例中以层状锂过渡金属氧化物LiNi0.8Co0.1Mn0.1O2为例。
负极极片的制备
将负极活性物质人造石墨、导电剂乙炔黑、粘结剂丁苯橡胶(SBR)、增稠剂羧甲基纤维素钠(CMC)按照重量比96：1：2：1混合，加入溶剂去离子水，搅拌混合均匀后得到负极浆料。将负极浆料均匀涂覆在负极集流体铜箔上，涂覆后在80-90℃下烘干后，进行冷压、切边、裁片、分条，之后在110℃真空条件下干燥4h，得到负极极片。
电解液制备
配置基础电解液，其中包括碳酸二甲酯(DMC)、碳酸甲乙酯(EMC)和碳酸乙烯酯(EC)，三者的质量比为5:2:3。然后加入电解质盐，使电解液中六氟磷酸锂浓度为1mol/L。
锂离子电池制备
将负极极片、隔离膜、正极极片依次叠放，隔离膜处于正极极片和负极极片中间，且隔离膜一侧表面的涂层朝向正极极片，然后卷绕成厚度为8mm、宽度为60mm、长度为130mm的方形裸电芯。将裸电芯装入铝箔包装袋，在75℃下真空烘烤10h，注入非水电解液、经过真空封装、静置24h，之后用0.05C的恒定电流充电至3.75V，然后以0.3C充电到4.2V恒压充电至电流下降到0.05C，然后以0.3C的恒定电流放电至2.8V，最后以1C的恒定电流充电至3.8V，即完成锂离子二次电池的制备。
实施例
采用上述方法制备锂离子二次电池，具体的，选择具有一定孔隙率和厚度的多孔基材，通过低温等离子体处理方法，改变通入的活性气体，使其表面具有一定的活化极性基团；再在其上、下表面用上述气相沉积法制备具有一定参数的多孔氧化铝层；
具体工艺参数为：靶材为金属铝材，沉积腔真空度小于1×10-3Pa，靶材为Al金属时加热蒸发电流为190A，氧流量300sccm，等离子体功率约300W活化反应气体，工艺时间5min。
表1
其中，“—”表示未含有该极性基团。
最后说明隔离膜及锂离子二次电池的测试过程以及测试结果。
(1)膜基结合力测试
室温常压条件下，使用3M双面胶，均匀贴于不锈钢板上，再将测试样品均匀贴于双面胶上，宽度为2cm，使用高铁拉力机将样品和钢板剥离，根据拉力和位移的数据图，读取最大拉力F(N)，测得的粘结力即为F/0.02。
(2)隔离膜的热收缩率测试
将测试样品裁切成100mm长、100mm宽的正方形样品，并标记纵向(MD)以及横向(TD)方向，之后用投影测试仪测试MD以及TD方向的长度并记为L1和L2，随后将测试样品放入150℃的鼓风烘箱中，一小时后取出，再次用投影测试仪测试MD以及TD方向的长度并记为L3和L4。
MD方向的热收缩率＝(L1-L3)/L1×100％；
TD方向的热收缩率＝(L2-L4)/L2×100％。
(3)隔离膜的拉伸强度测试
将固定厚度为T的测试样品沿MD(长度方向)/TD(宽度方向)用刀模分别冲切成100mm×15mm的片料，然后将片料垂直于高铁拉力机夹头且夹头上下初始高度5cm固定加紧，设置50mm/min的拉伸速率，测得最大拉力为F。
拉伸强度＝F/9.8/(15mm×T)。
(4)隔离膜的透气度测试
在温度15～28℃和湿度小于80％的环境下，将测试样品制成4cm×4cm大小，使用Air-permeability-tester使用Gurley test(100cc)方法测量，直接得到透气度值。
(5)隔离膜的浸润性
将测试样品放置在水接触角测试仪上，在距离隔离膜高度为1cm滴10μL去离子水，通过光学显微镜和高速相机给落在样品表面的水滴拍照。经软件分析测量水滴与样品接触点表面的切线与水平面的夹角，既为接触角。接触角越大，意味着隔离膜越疏水，反之越亲水。
上述隔离膜的各项物理性能的实验结果具体如表2所示。
(6)锂离子二次电池的容量测试
在25℃恒温箱中，以1C倍率恒流充电至电压为4.2V，之后以4.2V恒压充电至电流为0.05C，然后以1C倍率恒定电流放电至电压为2.8V，得到的放电容量即为电池容量。
(7)锂离子二次电池的常温循环性能测试
在25℃下，以1C倍率恒流充电至电压为4.2V，之后以4.2V恒压充电至电流为0.05C，然后以1C倍率恒定电流放电至电压为2.8V，此为一个充放电循环过程，反复1000次这种充放电循环过程。
1000次循环后的容量保持率＝第1000次循环后的放电容量/第一次循环后的放电容量×100％。
(8)热箱测试
将实施例和对比例中的电池每组各取5块，在常温下以1C倍率的恒定电流充电至电压高于4.2V，进一步在4.2V恒定电压下充电至电流低于0.05C，使其处于4.2V满充状态。将满充状态电池置于热箱中，温度传感器紧贴电池正面中心、被面中心、极耳，程序控制热箱以1°/min的速度，匀速升温至180℃，监控测试过程中电芯的温度及电压、内阻。以电压降低20％所对应的温度为失效温度。
采用上述隔离膜制备得到的锂离子二次电池的电化学性能的实验结果具体如表3所示。
表2：隔离膜的物理性能
表3：隔离膜的电化学性能
通过上述实施例可知，当电池采用本发明实施方式制备的隔离膜，由于基底采用活化基团进行了改性处理，使其与无机层的膜基结合力更强，从而大大改善了其它物理性能，如热收缩率、透气度都非常好，进而使得电池的电化学性能(如电池容量、1000次循环后的容量保持率、失效温度等)优良。相反地，如对基底不进行改性处理，则其与无机层的膜基结合力较弱，导致对应的电池的电化学性能较差。
本申请虽然以较佳实施例公开如上，但并不是用来限定权利要求，任何本领域技术人员在不脱离本申请构思的前提下，都可以做出若干可能的变动和修改，因此本申请的保护范围应当以本申请权利要求所界定的范围为准。

Claims (19)

1.一种隔离膜，包括多孔基底；和
至少设置于所述多孔基底一侧的无机层，其特征在于，
所述多孔基底的材料含有改性的共聚物材料，所述多孔基底对水滴的接触角为1°～80°；
所述无机层为不含有粘结剂的介电层。
2.根据权利要求1所述的隔离膜，其特征在于，所述多孔基底的表面含有极性基团，所述极性基团为-OH、-NH2、-COOH、羰基、环氧基团中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的隔离膜，其特征在于，所述共聚物为聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酰对苯二胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚四氟乙烯、聚丙烯腈、聚酰亚胺、聚酰胺中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的隔离膜，其特征在于，所述多孔基底的孔隙率为20％～80％，优选为40％～60％。
5.根据权利要求1所述的隔离膜，其特征在于，所述多孔基底的厚度为5μm～50μm，优选为7μm～20μm，进一步优选为7μm～15μm。
6.根据权利要求1所述的隔离膜，其特征在于，所述无机层含有Al的氧化物、Al的氮化物、Al的氟化物、Si的氧化物、Si的氮化物、Si的氟化物、Ti的氧化物、Ti的氮化物、Ti的氟化物、Zn的氧化物、Zn的氮化物、Zn的氟化物、Mg的氧化物、Mg的氮化物、Mg的氟化物、Zr的氧化物、Zr的氮化物、Zr的氟化物、Ca的氧化物、Ca的氮化物、Ca的氟化物、Ba的氧化物、Ba的氮化物、Ba的氟化物、AlO(OH)中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的隔离膜，其特征在于，所述无机层为采用气相沉积法在所述多孔基底的至少一个表面上形成的连续状介电层。
8.根据权利要求1所述的隔离膜，其特征在于，所述无机层为纳米团簇堆积的多孔结构，所述无机层的孔隙率为10％～60％。
9.根据权利要求1所述的隔离膜，其特征在于，所述无机层与所述多孔基底的界面粘结力不低于30N/m。
10.根据权利要求1所述的隔离膜，其特征在于，所述无机层的厚度为20nm～2000nm，优选为50nm～1500nm，更进一步优选为100nm～1000nm。
11.根据权利要求1所述的隔离膜，其特征在于，所述无机层均匀包覆于所述多孔基底的至少一个表面和所述表面至少一部分的孔隙内壁。
12.根据权利要求11所述的隔离膜，其特征在于，所述无机层包覆所述孔隙的深度与所述多孔基底的厚度的比值d为1/1000～1/20。
13.根据权利要求1所述的隔离膜，其特征在于，所述无机层占所述隔离膜的质量比为0.1wt％～50wt％，进一步地为1wt％～30wt％。
14.根据权利要求1所述的隔离膜，其特征在于，所述隔离膜在90℃下放置1h的横向热收缩率和纵向热收缩率均低于3％，进一步地低于1.5％。
15.一种如权利要求1-14任一项所述的隔离膜的制备方法，其至少包括以下步骤：
将所述多孔基底表面进行改性以使所述多孔基底对水滴的接触角为1°～80°；及
在经所述改性后的所述多孔基底上通过气相沉积方法形成不含粘结剂的无机介电层。
16.根据权利要求15所述的隔离膜的制备方法，其特征在于，所述基底的改性方法为低温等离子体表面处理或偶联剂处理，进一步优选为低温等离子体表面处理。
17.根据权利要求16所述的隔离膜的制备方法，其特征在于，所述低温等离子体表面处理使用的活性气体为O2、N2、Ar、H2、CO、NH3、臭氧、二氧化碳、水蒸汽中的至少一种。
18.根据权利要求16所述的隔离膜的制备方法，其特征在于，所述偶联剂处理使用的偶联剂为硅烷偶联剂、有机硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂中的至少一种。
19.一种电化学装置，包含正极、负极、隔离膜、电解液，其特征在于，所述隔离膜为权利要求1～14任意一项所述的隔离膜。
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