CN109983590B - 发光器件封装和光源单元 - Google Patents

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Abstract

实施例中公开的发光器件封装可以包括：相互隔开的第一至第四框架；布置到第一至第四通孔中的导电层，所述第一通孔至第四通孔分别贯穿第一至第四框架的上表面和下表面；支撑第一至第四框架的主体；第一发光器件，其包括电连接到第一框架的第一结合部和电连接到第二框架的第二结合部；和第二发光器件，其包括电连接到第三框架的第三结合部和电连接到第四框架的第四结合部，其中，第一至第四通孔在竖直方向上与第一至第四结合部重叠，并且第一至第四结合部接触导电层。

Description

发光器件封装和光源单元
技术领域
实施例涉及一种发光器件封装、半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法和光源单元。
背景技术
包括化合物(例如GaN、AlGaN等)的半导体器件可以具有很多优点，例如具有宽且可容易调节的带隙能量，使得半导体器件可以以各种方式用作发光器件、光接收器件、各种二极管等。
具体地，由于薄膜生长技术和器件材料已经得到发展，所以使用III-V或II-VI族化合物半导体材料的发光器件(例如发光二极管或激光二极管)具有能够实现各种波长带的光(例如红光、绿光、蓝光和紫外光)的优点。另外，使用III-V或II-VI族化合物半导体材料的发光器件(例如发光二极管或激光二极管)可以通过使用荧光材料或通过组合颜色来实现高效率的白色光源。与传统光源(例如荧光灯、白炽灯等)相比，这种发光器件具有低功耗、半永久寿命、响应速度快、安全性和环境友好性的优点。
另外，当通过使用III-V族或-VI-VI族化合物半导体材料制造光接收器件(例如光电检测器或太阳能电池)时，因为器件材料的材料已经得到发展，所以在各种波长范围内的光被吸收以产生光学电流(optical current)，从而可以使用从伽马射线到无线电波长区域的各种波长范围的光。此外，这种光接收器件可以具有响应速度快、安全性、环境友好性和器件材料容易控制的优点，从而光接收器件可以容易地用于电力控制、微波电路或通信模块。
因此，半导体器件的应用被扩展到光学通信传输模块的传输模块、用作构成液晶显示器(LCD)的背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的替代的发光二极管背光、用作荧光灯或白炽灯的替代的白色光发光二极管照明装置、车辆前灯、信号灯和用于检测气体或火的传感器。另外，半导体器件的应用可以扩展到高频应用电路、其它的电力控制器件和通信模块。
发光器件可以用作具有通过使用元素周期表的III-V或II-VI族元素将电能转换成光能的特性的p-n结二极管，并且可以通过控制化合物半导体的组成比率而提供各种波长。
例如，氮化物半导体表现出优良的热稳定性和宽的带隙能量，因而氮化物半导体已经在光学器件和高功率电子器件领域受到关注。特别地，采用氮化物半导体的蓝色、绿色和UV发光器件已经被商业化并广泛地使用。
例如，紫外发光器件可以用作发射分布在200nm到400nm的波长范围内的光的发光二极管，在波长带中的短波长的情形中用于杀菌和净化，并且在长波长的情形中用于曝光机、固化机等。
紫外线可以按照长波长的次序被划分成UV-A(315nm到400nm)、UV-B(280nm到315nm)和UV-C(200nm至280nm)这三个组。UV-A(315nm～400nm)已经应用于各种领域，例如工业用UV固化、印刷油墨固化、曝光机、鉴别假冒、光催化消毒、特殊照明(水族/农业等)；UV-B(280nm到315nm)已用于医疗用途，UV-C(200nm～280nm)已应用于空气净化、水净化、杀菌产品等。
同时，由于已经要求能够提供高输出的半导体器件，已研究了能够通过应用高功率源来增加输出的半导体器件。
另外，已研究了用于提高半导体器件的光提取效率和提高半导体器件封装中的封装级中的发光强度的方法。此外，在半导体器件封装中，已经对增强封装电极和半导体器件之间的结合强度的方法进行了研究。
另外，在半导体器件封装中，已经对通过提高工艺效率和改变结构来降低制造成本并提高制造产量的方法进行了研究。
发明内容
技术问题
实施例可以提供一种具有多个半导体器件或多个发光器件的半导体器件封装或发光器件封装。
实施例可以提供一种半导体器件封装或发光器件封装，其中，多个半导体器件或多个发光器件被布置在相互隔开的至少三个框架上。
实施例可以提供一种半导体器件封装或发光器件封装，其中，在相互隔开的至少三个框架上，相互隔开的多个半导体元件或多个发光元件被连接到导电层。
实施例提供了一种半导体器件封装或发光器件封装，其中，导电层被布置在相互隔开的至少三个框架的三个通孔中，以改进导电层、每个器件的结合部、该导电层和框架之间的粘结。
实施例提供一种半导体器件封装或发光器件封装，其中，半导体器件或面对框架的通孔的、发光器件的结合部被电连接到导电层。
实施例提供一种能够选择性地切换处于串联或并联的多个发光器件的半导体器件封装或发光器件封装。
实施例可以提供一种能够改进光提取效率和电气特性的半导体器件封装或发光器件封装。
实施例可以提供一种半导体器件封装或发光器件封装，其能够通过提高工艺效率并引入新的封装结构来降低制造成本并提高制造产量。
实施例可以提供一种半导体器件封装或发光器件封装，其能够在将半导体器件封装再结合到衬底等的过程中防止在半导体器件封装的结合区域中发生再熔化(re-melting)现象。
技术方案
根据实施例，提供一种发光器件封装，包括：相互隔开的第一至第四框架；布置在第一至第四通孔中的导电层，所述第一至第四通孔分别布置成贯穿过第一至第四框架的上表面和下表面；支撑第一至第四框架的主体；第一发光器件，其包括电连接到第一框架的第一结合部和电连接到第二框架的第二结合部；和第二发光器件，其包括电连接到第三框架的第三结合部和电连接到第四框架的第四结合部，其中，第一至第四通孔分别在竖直方向上与第一至第四结合部重叠，并且第一至第四结合部接触导电层。
根据实施例，分别布置在第一至第四框架中的第一至第四通孔的中心与第一至第四框架的端部之间的最小距离可以是80μm或更大。
根据实施例，发光器件封装还可以包括连接框架，该连接框架将第二和第三框架相互连接，并且该连接框架可以与第一和第四框架中的每一个隔开。
根据实施例，第一框架的与第二框架面对的端部可以具有凹形部分，第一框架的该端部与第二框架相邻，并且该凹形部分可以在第一框架的该端部处沿着朝向第一通孔的方向呈凹形。
根据实施例，发光器件封装可以还包括布置成贯穿连接框架的上表面和下表面的第五通孔，其中，该连接框架包括通过第五通孔相互分离开的第一和第二连接部，第一连接部连接到第二框架，并且第二连接部连接到第三框架。
根据实施例，第五通孔的宽度可以大于连接框架的宽度，并且第五通孔的宽度方向可以与连接框架的宽度方向相同。
根据实施例，第一和第二连接部之间的最小距离可以小于第五通孔的宽度。
根据实施例，发光器件封装可以还包括布置在连接框架的第五通孔中的导电层，其中，布置在第五通孔中的导电层可以连接到第一和第二连接部。
根据实施例，布置在连接框架的第五通孔中的导电层可以包括与第一至第四框架的材料不同的材料。
根据实施例，树脂材料可以布置在连接框架的第五通孔中。
根据实施例，第一凹部可以布置在主体的上部上，该第一凹部布置在第一和第二通孔之间并朝向主体的下表面的方向凹进，第二凹部可以布置在主体的上部上，该第二凹部布置在第三和第四通孔之间并朝向主体的下表面的方向凹进，第一凹部可以在竖直方向上与第一发光器件重叠，并且第二凹部可以在竖直方向上与第二发光器件重叠。
根据实施例，第一树脂可以布置在第一和第二凹部中。
根据实施例，可以对齐地设有(aligned)在第一和第二通孔之间具有最短长度的虚拟线，第一凹部可以在垂直于该虚拟线的方向上延伸，并且第一凹部在第一凹部的延伸方向上的长度可以比第一发光器件的宽度长。
根据实施例，发光器件封装可以还包括在第一和第二发光器件之间的内壁部，该内壁部的高度可以比第一和第二发光器件的上表面高，并且内壁部可以与主体和第一至第四框架形成接触。
根据实施例，第一和第二框架可以在内壁部的一侧处相互隔开，并且第三和第四框架可以在内壁部的相反侧处相互隔开。
根据实施例，凹形空腔可以布置在第一和第二发光器件的周边上。
根据实施例，主体可以包括：在朝向主体的上表面的方向上凹进的连接凹部，该连接凹部在第二和第三框架之间布置在主体的下表面上并朝向主体的上表面凹进，和导电层，该导电层将第二和第三框架电连接到连接凹部。
有利效果
根据实施例的半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法，导电层可以在半导体器件或发光器件的结合部中设置在框架的通孔中，由此提高结合部的粘结力和导电性。
根据实施例的半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法，能够通过将多个半导体器件或多个发光器件选择性地连接到框架或导电层来切换封装的驱动电压。
根据实施例的半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法，可以提供一种高电压封装。
根据实施例的半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法，存在可以提高光提取效率、电气特性和可靠性的优点。
根据实施例的半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法，可以提高工艺效率并且可以提出新的封装结构，其优点在于降低了制造成本并提高了制造产量。
根据实施例的半导体器件封装可以具有以下优点：通过提供具有高反射率的主体，可以防止反射器变色，由此提高了半导体器件封装的可靠性。
根据实施例的半导体器件封装和制造半导体器件的方法，能够在将半导体封装再结合到衬底等的过程中，防止在半导体器件封装的结合区域中发生再熔化现象。
可以提高根据实施例的半导体器件封装或发光器件封装的可靠性。
附图说明
图1是示意根据本公开第一实施例的半导体器件封装的透视图。
图2是示意图2的半导体器件封装的平面图。
图3是示意图2的半导体器件封装的底平面图。
图4是示意图2的半导体器件封装中的器件的详细平面图。
图5是图2的半导体器件封装的沿着线A-A截取的截面图。
图6是图2的半导体器件封装的沿着线B-B截取的截面图。
图7是图2的半导体器件封装的沿着线C-C截取的截面图。
图8是图2的半导体器件封装的沿着线D-D截取的截面图。
图9(a)和(b)是示意图2的半导体器件封装中的被拆解的框架的前平面图和底平面图。
图10(a)和(b)是示意以另一种形式布置的、图2的半导体器件封装的框架的前平面图和底平面图。
图11是示意图5的半导体器件封装的第一变型例的视图。
图12是示意图5的半导体器件封装的第二变型例的视图。
图13是示意图5的半导体器件封装的第三变型例的视图。
图14是示意图5的半导体器件封装的第四变型例的视图。
图15是示意包括在图5的半导体器件封装中的结合部的另一个实例的视图。
图16是示意根据第二实施例的半导体器件封装的平面图。
图17是示意图16的半导体器件封装的底平面图。
图18是图16的半导体器件封装沿着线E-E截取的截面图。
图19是示意其中导电层被布置在图18的半导体器件封装的连接框架的通孔中的实例的视图。
图20是示意图16的半导体器件封装的框架的平面图。
图21是示意根据第三实施例的半导体器件封装的底平面图。
图22是示意图21的半导体器件封装的侧截面图。
图23是示意图21的半导体器件封装的框架的平面图。
图24示意根据实施例的框架的通孔的其它实例。
图25是示意框架的实例的前视图，其中，连接框架被从根据实施例的半导体器件封装移除。
图26是根据实施例的半导体器件封装的侧截面图，其中，作为图8的变型例移除了内壁部。
图27是示意模块的一个实例的视图，其中，根据实施例的半导体器件封装被布置在电路衬底上。
图28是示意根据实施例的器件的实例的平面图。
图29是图28的发光器件沿着线F-F截取的截面图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图描述实施例。在描述实施例时，应当理解，当一个层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一个衬底、另一个层(或膜)、另一个区域、另一个焊盘或另一个图案“上”或“下”时，它能够“直接”或“间接”在该另一个衬底、层(或膜)、区域、焊盘或图案上方，或者还可以存在一个或多个中间层。已经参考绘图描述了层的这种位置，但实施例不限于此。
在下文中，将参考附图详细描述根据实施例的半导体器件封装。器件封装中的半导体器件可以包括发射光诸如紫外光、红外光或可见光的发光器件。在下文中，作为半导体器件的实例，将描述应用发光器件的情形，并且应用发光器件的封装或光源单元可以包括非发光器件(例如齐纳二极管)或用于监测波长或热的感测器件。在下文中，作为半导体器件的实例，将描述应用发光器件的情形，并且将详细描述发光器件封装。
<第一实施例>
图1是示意根据本公开第一实施例的半导体器件封装的透视图。
图2是示意图2的半导体器件封装的平面图。图3是示意图2的半导体器件封装的底平面图。图4是示意图2的半导体器件封装中的器件的详细平面图。图5是图2的半导体器件封装的沿着线A-A截取的截面图。图6是图2的半导体器件封装的沿着线B-B截取的截面图。图7是图2的半导体器件封装的沿着线C-C截取的截面图。图8是图2的半导体器件封装的沿着线D-D截取的截面图。图9(a)和(b)是示意图2的半导体器件封装中的被拆解的框架的前平面图和底平面图。
参考图1到9，根据实施例的半导体器件封装或发光器件封装100包括相互隔开的多个框架120、132、134和140、对框架120、132、134和140进行支撑的主体115、布置在框架120、132、134和140上的多个半导体器件或多个发光器件151和153。在下文中，布置有发光器件151和153的封装被描述为发光器件封装。根据实施例的发光器件151和153可以布置成被分别驱动，或者相互连接以便被一起驱动。发光器件封装100可以根据所连接的发光器件151和153的数目来改变或切换驱动电压。
发光器件封装100在第一方向(X)上的长度等于或不同于在第二方向(Y)上的长度。发光器件封装100的第一方向的长度可以是至少2.5mm，例如在2.5mm至5mm的范围内。第二方向的长度等于或长于第一方向的长度。发光器件封装100的厚度可以小于第一和第二方向的长度。
封装主体110可以具有彼此相等或不同的、第一方向的长度和第二方向的长度。第一方向可以是X方向，第二方向可以是正交于X方向的Y方向，并且第三方向可以是正交于X方向和Y方向的Z方向，但实施例不限于此。封装主体110在X方向上的长度可以比在Y方向上的长度长或短。当在X方向上的长度比在Y方向上的长度长时，可以减小发光器件151和153的在Y方向上的宽度以提高亮度。当Y方向上的长度比X方向上的长度长时，可以增加发光器件151和153的在Y方向上的宽度。
封装主体110可以包括彼此面对的第一和第二侧部S1和S2以及彼此面对的第三和第四侧部S3和S4。第一和第二侧部S1和S2可以具有长的、沿X方向的长度，并且可以连接到第三和第四侧部S3和S4的两端。第一至第四侧部S1到S4可以形成为相对于主体115的底部垂直或倾斜。
<框架120、132、134和140>
参考图2、3和9，框架120、132、134和140可以包括至少三个框架，例如第一至第四框架120、132、134和140。第一框架120和第二框架132可以相互隔开。第一框架120和第二框架132可以沿第一方向(X)相互隔开。第三框架134和第四框架140可以相互隔开。第三框架134和第四框架140可以沿第一方向(X)相互隔开。第一框架120和第三框架134可以沿着正交于第一方向的第二方向(Y)相互隔开。第二框架132和第四框架140可以沿第二方向相互隔开。第三方向(Z)可以正交或垂直于第一和第二方向。
第一至第四框架120、132、134和140可以设置为导电框架。第一框架120和第二框架132可以稳定地提供主体115的结构强度，并且可以电连接到第一发光器件151。第三框架134和第四框架140可以稳定地提供主体115的结构强度，并且可以电连接到第二发光器件153。
当第一至第四框架120、132、134和140是导电框架时，第一至第四框架120、132、134和140可以定义为引线框架，并且可以散热或反射从发光器件151和153产生的光。当第一至第四框架120、132、134和140可以由导电性材料形成时，第一至第四框架120、132、134和140可以包括金属，例如Pt、Ti、Ni、Cu、Au、Ta、Al和Ag中的至少一个，并且可以形成为单层或形成为具有相互不同的金属层的多层。
作为另一个实例，第一至第四框架120、132、134和140可以设置为绝缘框架。当第一至第四框架120、132、134和140是绝缘框架时，第一至第四框架120、132、134和140可以稳定地提供封装主体110的结构强度。当第一至第四框架120、132、134和140是绝缘框架时，主体115和第一至第四框架120、132、134和140可以由相同的材料一体地形成，或者可以由相互不同的材料形成。稍后将描述其中第一至第四框架120、132、134和140由绝缘框架形成的情形与其中第一至第四框架120、132、134和140由导电框架形成的情形之间的差异。
当第一至第四框架120、132、134和140由绝缘材料形成时，该绝缘材料可以是树脂材料或绝缘材料。例如，第一至第四框架120、132、134和140可以由选自由以下项组成的组中的至少一个形成：聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三苯基(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9(PA9T)、硅树脂、环氧树脂模塑料(EMC)、硅树脂模塑料(SMC)、陶瓷、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)等。另外，第一至第四框架120、132、134和140可以由包括高折射填料(例如TiO2、SiO2等)的环氧树脂材料形成。第一至第四框架120、132、134和140可以包括反射性树脂材料。
如图1和2中所示，第一延伸部123可以比封装主体110的第一侧部S1更向外突出。第一延伸部123可以从第一框架120和第二框架132中的一个延伸。第一延伸部123可以从第一框架120通过第一侧部S1向外突出。第一延伸部123在X方向上的长度等于或者是封装主体110在X方向上的长度的至少一半，由此，防止散热面积减小并增强封装主体110和主体115之间的结合强度。第一延伸部123的突出宽度可以是至少100μm。
第二延伸部143可以比封装主体110的第二侧部S2更向外突出。第二延伸部143可以从第三框架134和第四框架140中的一个延伸。第二延伸部143可以从第四框架140通过第二侧部S2向外突出。第二延伸部143在X方向上的长度等于或者是封装主体110在X方向上的长度的至少一半，由此，防止散热面积减小并增强封装主体110和主体115之间的结合强度。
如图9的(a)和(b)与图10的(a)和(b)中所示，连接框架136可以布置在第二框架132和第三框架134之间。连接框架136可以与主体115的下表面隔开。连接框架136可以连接到相邻的两个框架，例如第二框架132和第三框架134。
如图1与图9(a)和9(b)中所示，第一框架120可以在朝向封装主体110的第三侧部S3的方向上突出，并且可以包括暴露于第三侧部S3的第一突起21。第二框架132可以在朝向封装主体110的第四侧部S4的方向上突出，并且多个第二突起31可以暴露于第四侧部S4。第三框架134可以在朝向封装主体110的第三侧部S3的方向上突出，并且可以包括暴露于第三侧部S3的第三突起32，其中，第三突起32可以包括一个或多个突起。第四框架140可以在朝向封装主体110的第四侧部S4的方向上突出，并且可以包括暴露于第四侧部S4的第四突起41。突起21、31、32和41可以在联接到封装主体110或主体115的情况下支撑封装主体110或主体115。
第二框架132的多个第二突起31可以联接到封装主体110和主体115，以支撑第二框架132。第三框架134的多个第四突起32可以联接到封装主体110和主体115，以支撑第三框架134。第二框架132和第三框架134可以不暴露于封装主体110的第一侧部S1和第二侧部S2。
如图9的(a)和(b)中所示，第一至第四框架120、132、134和140中的每一个均可以具有大于下表面面积的上表面面积。第一框架120和第四框架140可以具有相同的形状或彼此不同的形状。除了连接框架136的区域之外，第二框架132和第三框架134可以具有相同的形状。第一框架120和第一延伸部123可以在它们的下部上设有阶差结构125A，并且，阶差结构125A的与第二框架132和第三框架134对应的部分可以具有薄的厚度，由此增强与主体115的联接。第四框架140和第二延伸部143可以在它们的下部上设有阶差结构145A，并且阶差结构145A的与第二框架132和第三框架134对应的部分可以具有薄的厚度，由此增强与主体115的联接。第二框架132和第三框架134可以在它们的外周上设有阶差结构，由此增强与主体115的联接。
第一框架120可以在其下部上设有凹入的第一下凹部125，并且第一下凹部125可以沿第二方向布置在第一延伸部123与其中设有第一发光器件151的结合区域之间。第四框架140可以在其下部上设有凹入的第二下凹部145，并且第二下凹部145可以沿Y方向布置在第二延伸部143与其中设有第二发光器件153的结合区域之间。第一和第四框架120、140的第一和第二凹部125、145的一部分可以在Z方向上与空腔112的底部113重叠。第一和第四框架120、140的第一和第二下凹部125、145可以联接到树脂部，例如主体115的一部分。
第一下凹部125和第二下凹部145可以设置在第一框架120和第四框架140的下表面上。第一下凹部125和第二下凹部145可以与第一通孔TH1和第四通孔TH4隔开。主体115的一部分或树脂部可以设置于第一下凹部125和第二下凹部145。树脂部可以由从与导电层321具有不良粘结性和可湿性的材料中选取的材料形成。当树脂部由与导电层具有不良粘结性和可湿性的材料形成时，可以防止设置在通孔中的导电层扩散超出树脂部或主体上的通孔。替代地，树脂部可以由从相对于导电层321具有低表面张力的材料中选取的材料形成。例如，可以在通过注射工艺等形成框架120、132、134和140及主体115的过程中提供被填充在第一下凹部125和第二下凹部145中的树脂部。
由于树脂部被填充在下凹部125和145中，第一框架120和第四框架140的下表面可以具有岛的形状。由于树脂部填充在下部的阶差结构中，第二框架132和第三框架134的下表面可以具有岛的形状。一个或多个下凹部125和145可以布置在框架120、132、134和140中的每一个上。因此，当树脂部由与导电层321具有不良粘结性和可湿性的材料形成，或者由在树脂部和导电层321之间具有低表面张力的材料形成时，可以防止被填充在通孔TH1、TH2、TH3和TH4中的导电层321扩散到其它区域中。构成导电层321的材料可以被选择为与框架120、132、134和140中的每一个具有良好的粘结性。另外，构成导电层321的材料可以被选择为与树脂部和主体115具有不良粘结性。因此，当发光器件封装被安装在电路板上时，可以防止导电层321的、填充在通孔TH1、TH2、TH3和TH4中的部分形成相互接触而短路，并且，在布置导电层321的过程中，导电层321的数量可以非常易于控制。导电层321可以包括选自由Ag、Au、Pt、Sn、Cu、In等或者其合金组成的组中的一个。导电层321可以是焊膏或Ag膏。导电层321可以包括例如Sn-Ag-Cu。合金层、金属间化合物层或化合物层可以形成在连接框架136的第一和第二连接部137、138与导电层321之间。该合金层、金属间化合物层或化合物层可以是选自由AgSn、CuSn、AuSn等组成的组的至少一个。当导电层321包括Ag、Au、Pt、Sn、Cu和In中的至少一个并且第二连接框架包括Ag、Au和Pt中的至少一个时，在设置导电层321的过程中或者在设置导电层321之后的热处理过程中，可以通过组合两种材料而形成化合物层。
可以围绕第一框架的区域的与第二框架132对应的部分设置有凹形部分127。凹形部分127可以增强与主体115的结合力。可以围绕第四框架140的区域的与第三框架134对应的部分设置凹形部分137。凹形部分137可以增强与主体115的结合力。第一框架120的、面对第二框架132的端部可以具有凹形部分127，并且第四框架140的、面对第三框架134的端部可以具有凹形部分137。第一框架120的该端部可以是与第二框架132相邻的端部，并且凹形部分127可以在第一框架120的端部上沿朝向第一通孔TH1的方向凹进。第四框架140的端部可以是与第三框架134相邻的端部，并且凹形部分137可以在第四框架140的端部上沿朝向第四通孔TH4的方向凹进。类似该凹形部分的结构可以布置在第二框架132和第三框架134的、对应于另一个框架的外部处，但实施例不限于此。
第二框架132和第三框架134可以介于第一框架120和第四框架140之间。第二框架132可以布置在第一框架120和第四框架140之间并可以由主体115支撑。第二框架132可以布置在第一延伸部123和第四框架140之间。第三框架134可以布置在第一框架120和第四框架140之间并且可以由主体支撑。第三框架134可以布置在第一框架120和第二延伸部143之间。第二框架132和第三框架134可以在对角方向上(diagonally)相互隔开，并且第一框架120和第四框架140可以在对角方向上相互隔开。
如图9的(a)和(b)中所示，第二框架132可以在其下部中包括阶差结构135B，其中，阶差结构135B允许第二框架132的下表面具有岛的形状。阶差结构135B可以围绕第二通孔TH2布置。
第三框架134可以在其下部中包括阶差结构135A，其中，阶差结构135A允许第三框架134的下表面具有岛的形状。阶差结构135A可以围绕第三通孔TH3布置。
如图9的(a)和(b)中所示，第一框架120和第三框架134可以布置成使得彼此对应的部分不具有任何阶差结构。第二框架132和第四框架140可以布置成使得彼此对应的部分不具有任何阶差结构。因为不在第一框架120和第三框架134的彼此对应的部分上形成任何阶差结构，所以能够确保与主体接触的框架部分的刚度，并且当第一通孔TH1和第三通孔TH3被注射成形时，防止框架由于阶差结构而受到损坏。因为不在第二框架132和第四框架140的、彼此对应的部分上形成任何阶差结构，所以能够确保与主体接触的框架部分的刚度，并且当第二通孔TH2和第四通孔TH4被注射成形时，防止框架由于阶差结构而受到损坏。
因此，围绕通孔TH1、TH2、TH3和TH4中的每一个以预定距离确保具有框架120、132、134和140的厚度的区域，从而能够确保与主体115联接的框架部分的刚度，并且在通孔TH1、TH2、TH3和TH4被注射成形时，减小传递到框架TH1、TH2、TH3和TH4的冲击。
参考图3，在框架120、132、134和140的下表面上，第一框架120的第一延伸部123的下表面与第二框架132的下表面之间的间隔T2小于第一框架120的下表面与第三框架132的下表面之间的间隔T1。第一框架120的第一延伸部123的下表面与第二框架132的下表面之间的间隔T2可以是400μm或更大，例如在400μm到600μm的范围内。第四框架140的第二延伸部143的下表面与第三框架134的下表面之间的间隔小于第一框架120的下表面与第三框架132的下表面之间的间隔。第四框架140的第二延伸部143的下表面与第三框架134的下表面之间的间隔可以是400μm或更大，例如，在400μm到600μm的范围内。当发光器件封装被结合在电路板上时，可以通过确保这种间隔来防止由于焊膏的扩散而引起电干扰。
如图2中所示，突出到封装主体110外侧的第一延伸部123和第二延伸部143的宽度可以是100μm或更大，例如在100μm到400μm的范围内。第一延伸部123和第二延伸部143的宽度可以根据注射模制来提供工艺余量，第一延伸部123和第二延伸部143可以通过该注射模制与主体或封装主体110组合，并保护主体或封装主体110的第一侧部S1和第二侧部S2。
参考图3、9和10，第一至第四框架120、132、134和140中的至少一个或两个或更多个可以包括通孔。第一至第四框架120、132、134和140中的每一个均可以包括一个通孔或多个通孔。第一框架120可以包括第一通孔TH1，第二框架132可以包括第二通孔TH2，第三框架134可以包括第三通孔TH3，第四框架140可以包括第四通孔TH4。第一通孔TH1至第四通孔TH4可以是分别贯穿框架120、132、134和140的孔。
第一通孔TH1至第四通孔TH4可以不沿竖直方向(即Z方向)与主体115重叠。第一通孔TH1至第四通孔TH4可以沿竖直方向(即Z方向)与所述空腔重叠。
第一通孔TH1和第二通孔TH2可以沿竖直方向(例如Z方向)与第一发光器件151重叠。第一通孔TH1和第二通孔TH2之间的间隔可以小于第一发光器件151在Y方向上的长度。第一通孔TH1和第二通孔TH2中的每一个的上部宽度(或直径)可以小于第一发光器件151在X方向上的宽度。
第三通孔TH3和第四通孔TH4可以沿竖直方向(例如Z方向)与第二发光器件153重叠。第三通孔TH3和第四通孔TH4之间的间隔可以小于第二发光器件153在Y方向上的长度。第三通孔TH3和第四通孔TH4中的每一个的上部宽度(或直径)可以小于第二发光器件153在X方向上的宽度。
第一通孔TH1和第二通孔TH2之间的间隔以及第三通孔TH3和第四通孔TH4之间的间隔可以小于第一通孔TH1和第三通孔TH3之间的间隔以及第二通孔TH2和第四通孔TH4之间的间隔。这些间隔可以根据第一发光器件151和第二发光器件153的尺寸或根据第一发光器件151和第二发光器件153之间的间隔而改变。
<主体115>
如图1到4中所示，主体115可以连接到封装主体110。主体115可以一体地由与封装主体110相同的材料形成，或者可以由分离的材料形成。当主体115由不同于封装主体110的材料制成时，封装主体110可以附着或附接在该主体上。封装主体110可以提供具有敞口上部的空腔112。第一至第四框架120、132、134和140可以布置在空腔112的底部113上。空腔112的侧表面可以形成为相对于主体115的底部113垂直或倾斜。
主体115可以称为绝缘构件。主体115可以执行电极分离线的功能。主体115可以布置在第一框架120和第二框架132之间以及第三框架134和第四框架140之间。主体115可以沿第一方向布置在框架120、132、134和140之间，由此，将相邻的第一框架120和第二框架132与第三框架134和第四框架140相互分离。主体115可以沿第二方向布置，使得主体115布置在第一框架120和第三框架134之间以及第二框架134和第四框架140之间。在主体115中，沿第一方向布置的部分可以连接到沿第二方向布置的部分。
主体115可以布置在第一至第四框架120、132、134和140上。封装主体110可以提供布置在第一至第四框架120、132、134和140上的倾斜表面。封装主体110可以设置为侧壁，其在第一至第四框架120、132、134和140上具有空腔112。封装主体110可以被移除。主体115可以与封装主体110成一体或与其分离。根据实施例，封装主体110可以设有具有空腔112的结构，并且设有具有平坦上表面而无空腔112的结构。
例如，主体115可以由选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三苯基(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9T(PA9T)、硅树脂、环氧树脂模塑料(EMC)、硅树脂模塑料(SMC)、陶瓷、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)等组成的组中的至少一个形成。另外，主体115可以包括高折射填料，例如TiO2或SiO2。封装主体110可以由主体115的材料形成，或者可以由不同于上述材料的材料形成。
<发光器件151和153>
根据实施例，发光器件151和153可以包括第一发光器件151和第二发光器件153。参考图4到8，第一发光器件151可以包括第一结合部51和第二结合部52以及发光部50(图4)。第一结合部51和第二结合部52可以布置在发光部50下方，并且可以是电极或/和电极极板。第一结合部51和第二结合部52可以电连接到第一框架120和第二框架132。第一结合部51和第二结合部52之间的间隔小于第一通孔TH1和第二通孔TH2之间的间隔。第一结合部51可以在第三方向上与第一通孔TH1重叠，第二结合部52可以在第三方向上与第二通孔TH2重叠。第一结合部51和第二结合部52的下表面面积可以大于第一通孔TH1和第二通孔TH2的上表面面积。第一结合部51可以在第三方向上面对第一通孔TH1和第一框架120或者与第一通孔TH1和第一框架120重叠，并且第二结合部52可以在第三方向上面对第二通孔TH2和第二框架132或者与第二通孔TH2和第二框架132重叠。因此，第一发光器件151的第一结合部51和第二结合部52可以被结合到布置在第一通孔TH1和第二通孔TH2中的导电层321，并且可以被结合到第一框架120和第二框架132。第一发光器件151可以电连接到第一框架120和第二框架和132。第一发光器件151可以电连接到布置在第一通孔TH1和第二通孔TH2中的导电层321。
第一发光器件151和第二发光器件153的发光部50可以包括半导体层，并且可以发射蓝光、绿光、红光、紫外线和红外线中的至少一种。半导体层可以包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层，以及n-p结、p-n结、n-p-n结和p-n-p结中的至少一种。半导体层可以包括3族到6族元素的化合物半导体。例如，半导体层可以包括3族和5族元素的化合物半导体层或2族和6族元素的化合物半导体层。例如，半导体层可以包括选自由Al、Ga、In、P、As和N组成的组中的至少两种元素。第一结合部51可以连接到第一和第二导电型半导体层中的一个，第二结合部52可以连接到另一个。发光部50可以通过发光器件151和153发射相同的峰值波长或发射不同的峰值波长。第一发光器件151和第二发光器件153的发光部50可以在其上包括衬底，其中，该衬底可以包括透明材料并且可以布置在半导体层上。
第二发光器件153可以包括第三结合部53和第四结合部54以及发光部50(图4)。第三结合部53和第四结合部54可以布置在该发光部下方，并且可以是电极或/和电极极板。第三结合部53和第四结合部54可以电连接到第三框架134和第四框架140。第三结合部53和第四结合部54之间的间隔小于第三通孔TH3和第四通孔TH4之间的间隔。第三结合部53可以在第三方向上与第三通孔TH3重叠，第四结合部54可以在第三方向上与第四通孔TH4重叠。第三结合部53和第四结合部54中的每一个的下表面面积可以大于第三通孔TH3和第四通孔TH4中的每一个的上表面面积。第三结合部53可以在第三方向上面对第三通孔TH3和第三框架134或者与第三通孔TH3和第三框架134重叠，第四结合部54可以在第三方向上面对第四通孔TH4和第四框架140或者与第四通孔TH4和第四框架140重叠。因此，第二发光器件153的第三结合部53和第四结合部54可以结合到布置在第三通孔TH3和第四通孔TH4中的导电层321，并且可以结合到第三框架134和第四框架140。第二发光器件153可以电连接到第三框架134和第四框架140。第二发光器件153可以电连接到布置在第三通孔TH3和第四通孔TH4中的导电层321。第三结合部53可以连接到发光部50的第一和第二导电型半导体层中的一个，第四结合部54可以连接到另一个。
在发光部50中，第一和第二导电型半导体层可以通过使用3族到5族或2族到6族的化合物半导体中的至少一种形成。第一和第二导电型半导体层可以通过使用具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成。例如，第一和第二导电型半导体层可以包括选自由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP等组成的组中的至少一种。第一导电型半导体层可以是掺杂有N型掺杂剂(例如Si、Ge、Sn、Se、Te等)的N型半导体层。第二导电型半导体层可以是掺杂有P型掺杂剂(例如Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等)的P型半导体层。
所述有源层可以通过使用化合物半导体来形成。有源层可以通过使用3族到5族或2族到6族的化合物半导体中的至少一种形成。当有源层被实现为多阱结构时，有源层可以包括交替地布置的多个阱层和多个势垒层，并且可以布置在具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料上。例如，有源层可以包括选自由InGaN/GaN、GaN/AlGaN、AlGaN/AlGaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN、AlGaAs/GaAs、InGaAs/GaAs、InGaP/GaP、AlInGaP/InGaP和InP/GaAs组成的组中的至少一种。
第一至第四结合部51至54可以通过使用选自由Ti、Al、In、Ir、Ta、Pd、Co、Cr、Mg、Zn、Ni、Si、Ge、Ag、Ag合金、Au、Hf、Pt、Ru、Rh、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au和Ni/IrOx/Au/ITO或者它们的合金组成的组中的至少一种而形成为单层或多层。
框架120、132、134和140中的每一个以及结合部51至54中的每一个均可以通过金属间化合物层被结合。该金属间化合物层可以包括CuxSny、AgxSny和AuxSny中的至少一种，其中‘x’满足“0<x<1、y＝1-x、x>y”的条件。
在形成构成导电层321的材料和导电层321的过程中或者在提供导电层321之后的热处理过程中，发光器件151和153的结合部51至54可以形成有在导电层321与框架120、132、134和140之间的金属间化合物层。导电层321可以包括选自由Ag、Au、Pt、Sn、Cu等或其合金组成的组中的一种。然而，实施例不限于以上材料，而是，能够确保导电性的功能的材料均可用于导电层321。例如，导电层321可以通过使用导电膏而形成。该导电膏可以包括焊膏、银膏等，并且可以由以下项构成：多层；或由多层构成的单层；或由相互不同的材料构成的合金。例如，导电层321可以包括SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
例如，可以通过组合构成导电层321的材料与框架120、132、134和140的金属来形成合金层。因此，导电层321与框架120、132、134和140可以相互联接，以在物理上或电气上稳定。另外，导电层321、合金层和框架可以相互联接以在物理上或电气上稳定。该合金层可以包括选自由AgSn、CuSn和AuSn组成的组中的至少一个金属间化合物层。可以通过组合第一材料和第二材料来形成金属间化合物层，其中，第一材料可以从导电层321提供，第二材料可以从结合部51至54或框架120、132、134和140提供。
<模制部180>
如图5到8中所示，根据实施例的发光封装110可以包括模制部180。模制部180可以设置在发光器件151和153上。模制部180可以布置在第一至第四框架120、132、134和140上。模制部180可以布置在由封装主体110提供的空腔112中。
模制部180可以包括绝缘材料。另外，模制部180可以包括波长转换装置，该波长转换装置用于接收从发光器件151和153发射的光并提供经过波长转换后的光。例如，模制部180可以包括选自由荧光体、量子点等组成的组中的至少一种。发光器件151和153可以发射蓝光、绿光、红光、白光、红外光或紫外光。该荧光体或量子点可以发射蓝光、绿光和红光。可以不形成模制部180。
<框架的通孔TH1、TH2、TH3和TH4>
如图2到8中所示，发光器件封装100可以包括在发光器件151和153下方的多个通孔TH1、TH2、TH3和TH4。第一框架120可以包括第一通孔TH1。第二框架132可以包括第二通孔TH2。第三框架120可以包括第三通孔TH3。第四框架140可以包括第四通孔TH4。
第一至第四通孔TH1到TH4可以作为一个孔或多个通孔设置在框架120、132、134和140中的至少一个中。第一至第四通孔TH1到TH4可以分别穿过框架120、132、134和140。第一至第四通孔TH1到TH4可以分别穿过框架120、132、134和140的上表面和下表面。
第一通孔TH1可以面对第一发光器件151的第一结合部51的下表面，第二通孔TH2可以面对第二结合部52的下表面。第三通孔TH3可以面对第二发光器件152的第三结合部53的下表面，并且第四通孔TH4可以面对第四结合部54的下表面。
第一通孔TH1和第二通孔TH2可以相互隔开。第一通孔TH1和第二通孔TH2可以在第一发光器件151的下表面下方相互隔开。第一通孔TH1和第二通孔TH2可以布置在与第一发光器件151重叠的区域中，并且可以从主体115隔开。第三通孔TH3和第四通孔TH4可以相互隔开。第三通孔TH3和第四通孔TH4可以在第二发光器件153的下表面下方相互隔开。第三通孔TH3和第四通孔TH4可以布置在与第二发光器件153重叠的区域中，并且可以从主体115隔开。
每个通孔TH1至TH4的深度可以与每个框架120、132、134和140的厚度相同，由此维持每个框架120、132、134和140的稳定强度。例如，每个通孔TH1到TH4的深度可以是180μm或更大，例如在180μm至220μm的范围内。
根据实施例，如图3和4中所示，各通孔TH1至TH4的上部区域的在第一和第二方向(X和Y)上的宽度等于或小于下部区域的宽度。通孔TH1至TH4的上部区域的在第一和第二方向上的宽度可以彼此相等，或者沿第一方向的宽度可以大于沿第二方向的宽度。各通孔TH1至TH4的上部区域的在第一和第二方向上的宽度可以等于或小于各结合部51至54的面对通孔TH1至TH4的下表面的长度。各通孔TH1至TH4的上部区域可以小于各结合部51至54的下部区域。通孔TH1至TH4可以分别被结合部51至54覆盖。通孔TH1、TH2、TH3和TH4中的每一个可以具有具有圆形或多边形形状的上部。各通孔TH1至TH4的形状可以是与各结合部51至54的下表面形状相同或不同的形状。结合部51至54的下表面可以具有圆形或多边形形状，但实施例不限于此。
各通孔TH1至TH4的上表面面积可以被设定为结合部51至54中的每一个的底表面面积的50％或更大，例如50％到98％。另外，各通孔TH1至TH4以及结合部51至54可以具有部分地面对的区域和不彼此面对的非重叠区域。
从通孔TH1至TH4中的每一个的上部区域到各结合部51至54的在X方向上的侧端的距离是40μm或更大，例如在40μm到60μm的范围内。当该距离是至少40μm时，能够确保用于防止结合部51至54在通孔TH1至TH4中的每一个的下表面处暴露的工艺余量。当该距离是60μm或更小时，可以确保通过通孔TH1至TH4暴露的各结合部51至54的面积，并且可以降低通过通孔TH1至TH4暴露的各结合部51至54的电阻，从而能够平稳地将电流注入到通过通孔TH1至TH4暴露的结合部51至54。
通孔TH1至TH4中的每一个可以具有其中宽度或直径在向上方向上逐渐减小的形状。作为通孔的变型例，如图24的(a)中所示，通孔TH的侧表面S11可以形成为弯曲的，并且通孔TH的宽度或直径可以朝向上部逐渐减小。如图24的(b)中所示，通孔TH的侧表面S12可以竖直地形成，从而上部和下部可以形成为具有相同的宽度或直径。如图24的(c)中所示，通孔TH的侧表面S13可以以相互不同的角度倾斜，从而上部宽度或直径可以小于下部宽度或直径。如图24的(d)中所示，通孔TH的侧表面S14可以包括具有相互不同的曲率的弯曲表面，其中，下侧的曲率半径可以大于上侧的曲率半径。弯曲表面可以是从通孔TH的中心向外呈凸形的弯曲表面。根据实施例的通孔TH(TH1到TH4)可以形成在至少一些侧表面上，形成在彼此面对的侧表面上，或者形成在所有的侧表面上。
<导电层321>
如图5到8中所示，根据实施例的发光器件封装100可以包括导电层321。导电层321可以设置在该多个通孔TH1至TH4中的至少一个或所有的通孔上。导电层321可以布置在发光器件151和153的结合部51至54下方。导电层321在第一方向X和第二方向Y上的宽度可以小于各结合部51至54的宽度。
导电层321可以布置成与结合部51至54中的每一个的下表面形成直接接触。导电层321可以电连接到结合部51至54中的每一个。导电层321的外周可以布置在框架120、132、134和140中的每一个中，并且可以连接到框架120、132、134和140中的每一个。
导电层321可以包括选自由Ag、Au、Pt、Sn、Cu、Zn、In、Bi、Ti等或其合金组成的组中的一种。可以通过使用能够确保导电性的功能的材料形成导电层321。导电层321可以包括焊膏或Ag膏，并且可以例如通过混合粉粒或颗粒与焊剂而形成。例如，导电层321可以包括Sn-Ag-Cu。作为一个实例，导电层321可以由以下项构成：多层；或由多层构成的单层；或由相互不同的材料构成的合金。
在根据实施例的发光器件封装100中，电源通过第一和第二通孔TH1、TH2的导电层321连接到第一发光器件151的第一和第二结合部51、52，并且可以通过第三和第四通孔TH3、TH4的导电层321连接到第二发光器件153的第三和第四结合部53、54。当第一和第二框架120、132是导电性的时，第一和第二框架120、132可以电连接到发光器件151、153的结合部51至54。发光器件151和153的结合部51至54可以电连接到导电层321和322以及框架120、132、134和140中的至少一个或全部。因此，发光器件151和153可以由通过结合部51至54中的每一个供应的驱动电力驱动。另外，从发光器件151和153发射的光可以向封装主体110上方辐射。
如图24中所示，根据实施例的框架120、132、134或140可以包括第一金属层L1和第二金属层L2，其中，第一金属层L1可以包括Cu、Ni和Ti作为基础层，并且可以形成为单层或多层。第二金属层L2可以包括Au层、Ni层和Ag层中的至少一个。当第二金属层L2包括Ni层时，因为Ni层具有小的热膨胀变化，所以，即便封装主体的尺寸或布置位置由于热膨胀而改变，布置在封装主体的上部上的发光器件的位置仍然可以稳定地固定。当第二金属层L1包括Ag层时，Ag层可以有效率地反射从布置在上部上的发光器件发射的光，并提高发光强度。
导电层321可以包括选自由Ag、Au、Pt、Sn、Cu、Zn、In、Bi、Ti等或其合金组成的组中的一种。
合金层L3可以布置在导电层321和框架120、132、134或140之间。合金层L3可以通过组合构成导电层321的材料和框架120、132、134或140的第二材料L2而形成。合金层L3可以形成在框架120、132、134或140的通孔TH的表面上。合金层L3可以包括选自由AgSn、CuSn、AuSn等组成的组中的至少一个金属间化合物层。金属间化合物层可以通过组合第一材料和第二材料而形成，其中，第一材料可以从导电层321提供，并且第二材料可以从第二金属层L2或框架120、132、134或140提供。当导电层321包括Sn并且第二金属层L2包括Ag时，可以在设置导电层321的过程中或在设置导电层321之后的热处理过程中，通过组合Sn和Ag而形成AgSn的金属间化合物层。
替代地，当导电层321包括Sn并且第二金属层L2包括Au时，可以在提供导电层321的过程中或在提供导电层321之后的热处理过程中，通过组合Sn和Au而形成AuSn的金属间化合物层。
替代地，当导电层321和322包括Sn并且框架120、132、134或140的第一金属层L1包括Cu时，可以在提供导电层321的过程中或在提供导电层321之后的热处理过程中，通过组合Cu和Ag而形成CuSn的金属间化合物层。
替代地，当导电层321包括Ag并且第二金属层L2或框架120、132、134或140的层包括Sn时，可以在提供导电层321的过程中或者在提供导电层321之后的热处理过程中，通过组合Ag和Sn而形成AgSn的金属间化合物层。
上述金属间化合物层可以具有比其它结合材料高的熔点。另外，可以在比普通结合材料的熔点低的温度下执行其中形成金属化合物层的热处理过程。因此，即使当根据实施例的发光器件封装100通过回流工艺被结合到主衬底时，由于不会发生再熔化现象，所以电连接和物理结合力仍不会劣化。
另外，根据实施例的发光器件封装100和发光器件封装制造方法，封装主体110不需要在制造发光器件封装的过程中暴露于高温。因此，根据实施例，可以防止封装主体110暴露于高温而损坏或变色。相应地，可以扩大用于构成主体115的材料的选择范围。根据实施例，可以通过使用相对廉价的树脂材料以及诸如陶瓷的昂贵材料来提供主体115。
参考图3与图9的(a)和(b)，在第一框架120和第二框架132的下表面区域中，第一通孔TH1和第二通孔TH2之间的间隔可以是100μm或更大，例如在100μm至150μm的范围内。在第三框架134和第四框架140的下表面区域中，第三通孔TH3和第四通孔TH4之间的间隔可以是100μm或更大，例如在100μm至150μm的范围内。通孔TH1到TH4之间的间隔可以是当发光器件封装100安装在电路板或子安装件上时为防止电极电短路而要求的最小距离。
各通孔TH1到TH5的中央部分与框架120、132、134或140的端部之间的最小距离(图3的D5)可以是80μm或更大，例如在80μm至120μm的范围内，其中，框架可以被以相同厚度设置，而在距离D5内没有任何阶差结构。因为通孔TH1到TH4具有框架的厚度并且以距离D5相互隔开，所以可以保持通孔TH1到TH5的形状并可以防止由于主体模制而引起损坏。距离D5可以等于或小于通孔TH1到TH4的上部宽度。
<主体的凹部R1和R2>
如图1到4中所示，根据实施例的发光器件封装100可以包括凹部R1和R2。凹部R1和R2可以设置于主体115的上部。所述多个凹部R1和R2可以相互隔开。凹部R1和R2包括第一凹部R1和第二凹部R2。第一凹部R1和第二凹部R2在第一方向X上的长度可以大于在第二方向Y上的宽度。第一凹部R1可以布置在第一框架120和第二框架132之间，并且第二凹部R2可以布置在第三框架134和第四框架140之间。第一凹部R1可以布置在第一通孔TH1和第二通孔TH2之间，并且第二凹部R2可以布置在第三通孔TH3和第四通孔TH4之间。
可以设置有在第一通孔TH1和第二通孔TH2之间具有最短长度的虚拟线，并且第一凹部R1可以沿着垂直于该虚拟线的方向延伸。第一凹部R1的长度可以大于发光器件151和153在第一凹部R1的延伸方向上的宽度。
可以设置有在第三通孔TH3和第四通孔TH4之间具有最短长度的虚拟线，并且第二凹部R2可以在垂直于该虚拟线的方向上延伸。第二凹部R2的长度可以大于发光器件151和153在第二凹部R2的延伸方向上的宽度。
第一凹部R1在第一方向上的长度可以大于第一通孔TH1和第二通孔TH2在第一方向上的宽度，并且可以等于或长于第一发光器件151沿着第一方向的长度。第二凹部R2沿第一方向的长度可以大于第三通孔TH3和第四通孔TH4沿第一方向的宽度，并且可以等于或长于第二发光器件153沿第一方向的长度。第一凹部R1和第二凹部R2沿第二方向的宽度被设定为第一框架120和第二框架132之间的间隔的30％或更大，例如，在30％到70％的范围内，从而可以防止布置在第一框架120和第二框架132之间的主体115的刚度劣化并可以防止粘结力降低。
凹部R1和R2可以在朝向下表面的方向上从主体115的上表面凹进。第一凹部R1和第二凹部R2的深度可以小于通孔TH1到TH4的深度。第一凹部R1和第二凹部R2的深度被设定为主体115的厚度的40％或更大，例如在40％到60％的范围内。如果第一凹部R1和第二凹部R2的深度小于该范围，则第一树脂160和162的量会减小，使得发光器件151和153的支撑力的提高不显著。
可以考虑到第一树脂160和162的粘结强度来确定凹部R1和R2的深度。另外，可以通过考虑到主体115的稳定强度和/或防止发光器件封装100由于从发光器件151和153发出的热量而破裂来确定凹部R1和R2的深度。
凹部125和145可以在各发光器件151和153下方被布置为一个或多于一个。凹部R1和R2可以在Z方向上与各发光器件151和153重叠。例如，凹部R1和R2的深度是考虑到能够提供无裂纹主体115的注射工艺厚度的结果。凹部R1和R2的深度与通孔TH1到TH4的深度之间的比率可以在2至10的范围内。例如，当通孔TH1到TH4的深度是200μm时，凹部R1和R2的深度可以在20μm至100μm的范围内。
凹部R1和R2可以设置在发光器件151和153的下部中，并具有在其中执行底部填充工艺的适当的空间。在此情形中，该底部填充工艺可以是在主体115上安装发光器件151和153并然后在发光器件151和153的下部上布置第一树脂160和162的过程，以及在将第一树脂160和162布置在凹部R1和R2中之后布置发光器件151和153的过程，其目的在于在将发光器件151和153安装在主体115上的过程中将发光器件151和153通过第一树脂160和162安装。凹部R1和R2可以以预定深度或更大深度提供，以足以在发光器件151和153的下表面与主体115的上表面之间设置第一树脂160和162。另外，凹部R1和R2可以被以预定深度设置，以向主体115提供稳定强度。例如，凹部R1和R2的深度可以是40μm或更大，例如在40μm到60μm的范围内。凹部R1和R2在第二方向上的宽度可以是至少140μm，例如在140μm至160μm的范围内。凹部R1和R2在第一方向上的长度比发光器件151和153在Y方向上的长度长或短，从而能够引导第一树脂160和162的形成并增强第一方向上的粘结强度。
<第一树脂160和162>
根据实施例的发光器件封装100可以包括第一树脂160和162。第一树脂160和162可以布置在主体115与发光器件151、153之间。第一树脂160和162可以布置在主体115的下表面与发光器件151和153的下表面之间。第一树脂160和162可以在作为Z轴方向的竖直方向上与发光器件151和153重叠。第一树脂160和162可以附着到发光器件151、153和主体115。第一树脂160和162可以布置在发光器件151和153的结合部51至54之间。布置在第一凹部R1中的第一树脂160可以布置在第一和第二结合部51和52之间，并且可以与第一发光器件151的下表面以及第一和第二结合部51、52形成接触。布置在第二凹部R2中的第二树脂162可以布置在第二发光器件的下表面与第三和第四结合部53、54之间，并且可以与第三和第四结合部53、54形成接触。
第一树脂160和162可以分别布置在凹部R1和R2中。第一树脂160和162可以在发光器件151、153与封装主体110和/或主体115之间提供稳定的固定力。第一树脂160和162可以在发光器件151、153与主体115之间提供稳定的固定力。例如，第一树脂160和162可以布置成与主体115的上表面形成直接接触。另外，第一树脂160和162可以布置成与主体115的下表面形成直接接触。
例如，第一树脂160和162可以包括以下项中的至少一种：环氧基材料、硅树脂基材料、以及包括环氧基材料和硅树脂基材料的混合材料。另外，例如，当第一树脂160和162包括反射功能时，第一树脂可以包括金属氧化物，例如白色硅树脂。第一树脂160和162可以由不同于模制部的材料形成，或者可以包含与可以添加到模制部的杂质(例如，荧光体)的种类不同的种类的杂质(例如，金属氧化物)。第一树脂160和162可以是粘结剂。
当光被发射到发光器件151和153的下表面时，第一树脂160和162可以在发光器件151和153与主体115之间提供光漫射功能。当光被从发光器件151和153发射到发光器件151和153的下表面时，第一树脂160和162可以提供光漫射功能，以提高发光器件封装100的光提取效率。另外，第一树脂160和162可以反射从发光器件151和153发射的光。当第一树脂160或162包括反射功能时，第一树脂160和162可以由包括金属氧化物(例如TiO2、硅树脂或Al2O3，或杂质)的材料构成。
<内壁部117>
根据实施例的发光器件封装100可以包括在主体115上的内壁部117。内壁部117可以沿第二方向布置在发光器件151和153之间。内壁部117在第二方向上的最大长度D2可以设置成比空腔112的底部长度长。内壁部117在第一方向上的宽度D1可以是200μm或更大，例如在200μm到400μm的范围内。当内壁部117的宽度D1大于上述范围内的宽度时，其中布置有发光器件151和153的空间可以减小，从而减小器件尺寸。当宽度D1小于上述范围内的宽度时，光反射效率可能劣化。
例如，内壁部117的厚度(图6的H1)可以大于发光器件151和153的厚度。内壁部171的上表面的高度可以高于发光器件151和153的上表面的高度。从主体115的上表面算起，内壁部117的厚度H1可以是150μm或更大，例如在150μm至250μm的范围内。如果厚度H1小于上述范围内的厚度，则光反射效率可能劣化。如果厚度H1大于上述范围内的厚度，则厚度可能影响光定向分布。
内壁部117可以具有在一个方向上延长的直的形状，并且可以包括倾斜形状。内壁部117的侧端表面可以具有半球形形状、半椭圆形形状，或多边形形状。
内壁部117可以布置在第一发光器件151和第二发光器件153之间。因为第一发光器件151和第二发光器件153被内壁部117阻挡，所以可以提高从第一发光器件151和第二发光器件153发射的光的反射效率。内壁部117可以将其中布置第一框架120和第二框架132的空间和其中布置第三框架134和第四框架140的空间相互分离。内壁部117的两端可以与封装主体110接触，并且可以与封装主体110一体地形成。内壁部117可以由与主体115和/或封装主体110相同的材料形成。内壁部117的下表面可以与主体110一体地形成，或者可以分开地附接到主体110。内壁部117可以由绝缘材料形成为中间壁。
第一框架120和第二框架132可以在内壁部117的一侧处相互隔开，并且第三框架134和第四框架140可以在内壁部117的另一侧处相互隔开。
内壁部117可以由选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三苯基(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9(PA9T)、硅树脂、环氧树脂模塑料(EMC)、硅树脂模塑料(SMC)、陶瓷、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)等组成的组中的至少一种形成。另外，内壁部117可以包括高折射填料，例如TiO2，或SiO2。内壁部117可以由主体115的材料形成，或者可以由与上述材料不同的材料形成。
<连接框架136>
根据实施例的发光器件封装100可以包括连接框架136。连接框架136可以连接在彼此相邻的两个框架之间。如图9的(a)和(b)中所示，连接框架136可以连接到第二框架132和第三框架134，或者可以与第二框架132和第三框架134一体地形成。
连接框架136可以包括金属、焊膏和Ag膏中的至少一种。当连接框架136由金属形成时，连接框架136可以包括构成第二框架132和第三框架134的金属。连接框架136可以由以单层或多层构成第二框架132和第三框架134的金属形成。
连接框架136可以布置在主体115中。连接框架136可以布置在主体115和内壁部117之间。连接框架136可以将第二框架132和第三框架134相互连接。
连接框架136可以比第一至第四框架120、132、134和140的厚度薄。第一至第四框架120、132、134和140的厚度可以是在空腔112的底表面或主体115的上表面与主体115的下表面之间的直线距离。连接框架136的上表面可以与第二框架132和第三框架134的上表面共面。作为另一个实例，连接框架136的上表面可以布置成低于空腔的底部，并且连接框架136的下表面可以与第二框架132和第三框架134的下表面共面。连接框架136可以在第二框架132和第三框架134之间线性地延伸，或者可以形成为弯曲或成角度的形状。
连接框架136的宽度(在正交于长度的方向上的长度)可以比连接框架136的长度短。连接框架136的宽度可以根据供应电压改变并且例如可以是至少120μm。例如，连接框架136的宽度可以在120μm到300μm或150μm至250μm的范围内。连接框架136可以以从第一方向隔开的方向上以例如在30到70度的范围内的预定角度延伸。连接框架的长度D11(图3)、即在第二框架132和第三框架134之间的间隔可以是至少400μm，例如在400μm到600μm的范围内。连接框架136的宽度(在从第一框架120朝向第四框架140的方向上的宽度)可以是至少150μm，例如在150μm到300μm的范围内。连接框架136的长度可以根据封装的尺寸和各框架的尺寸而改变，并且该宽度可以设置于其中在彼此相邻的第一框架120和第四框架140之间不存在任何电干扰的范围内。
在根据实施例的发光器件封装100中，光学透镜或光学构件可以布置在其上部。光学透镜可以改变入射光的方向性角度(directivity angle)，并且光学构件可以包括漫射光以提供表面光源的光导板，或者在光导板上的棱镜片。
根据实施例的发光器件封装100可以串联连接到多个发光器件151和153。作为另一个实例，发光器件151和153可以相互并联连接。
参考图2，第一极性的电源连接到第一框架120和第一延伸部123，第二极性的电源连接到第四框架140和第二延伸部143，使得第一发光器件151和第二发光器件153可以通过连接框架136串联连接。第一框架120连接到第一延伸部123，第一发光器件151连接第一框架120和第二框架132，第三框架134连接第二框架132和第三框架134，第二发光器件153连接第三框架134和第四框架140。第四框架140可以连接到第二延伸部143。因此，第一发光器件151和第二发光器件153可以连接在第一框架120和第四框架140之间。通过在其内侧处将发光器件151和153相互连接，发光器件封装可以用作高压封装。
因为连接框架136在第一发光器件151和第二发光器件153之间沿着相反的极性方向延伸，所以连接框架136可以被结合到电路板，同时减小了第二框架132和第三框架134的面积，并且，被供应电力的第一框架120和第四框架140的尺寸可以增加。
根据实施例，可以提高发光器件封装的发光强度。内壁部117可以布置在第一发光器件151和第二发光器件153之间，用以反射入射光并且控制光方向性分布。因此，由于发光器件封装允许光指向角度分布在其中布置发光器件151和153的空间中被均匀化，所以可以提高发光强度分布和亮度分布。
根据实施例，可以提高发光器件151和153的支撑强度。如图2和4中所示，第一凹部R1设置在第一框架120和第二框架132之间，第二凹部R2设置在第三框架134和第四框架140之间，使得发光器件151和153可以通过第一树脂160和162结合。第一树脂160和162可以分别支撑发光元件151和153，由此支持发光器件151和153由于外部因素引起的移动。
图10的(a)和(b)是图9的(a)和(b)的变型，其中，第一发光器件151布置在第一框架120和第三框架134上，第二发光器件153布置在第二框架132和第四框架140上。即，发光器件151和153可以在布置于两个框架120和134(132和140)上时在第一方向上相互连接，而可以在第二方向上相互隔开。第二框架132和第三框架134可以通过连接框架136相互连接。
根据实施例的发光器件封装可以选择性地应用于以下描述的变型或另一个实施例，并且将集中于不同于第一实施例的部分来描述以下变型例和实施例。
图11是示意图5的半导体器件封装的第一变型例的视图。图11的发光器件封装包括第二树脂164。第二树脂164可以布置在发光器件151和153的周边上。第二树脂164可以布置在第一至第四框架120、132、134和140上。第二树脂164可以与发光器件151和153的下表面接触。第二树脂164的一部分可以与发光器件151和153的侧表面的下部接触。第二树脂164可以在侧向上反射从发光器件151和153发射的光。
例如，第二树脂164可以包括环氧基材料、硅树脂基材料，和包括环氧基材料和硅基材料的混合材料中的至少一种。另外，第二树脂164可以是反射从发光器件151和153发射的光的反射部，并且例如可以是包括反射性材料(例如TiO2等)的树脂，或者可以包括白色硅树脂。第二树脂164可以由不同于模制部的材料形成，或者可以包含与可以添加到模制部的杂质(例如，荧光体)的种类不同的种类的杂质(例如，金属氧化物)。
图12是示意图5的半导体器件封装的第二变型例的视图，其中，参考图11和12，发光器件封装包括上凹部R5和R6。上凹部R5和R6可以布置在各框架、例如第三框架134和第四框架140上。上凹部R5和R6可以从各框架的上表面在朝向下表面的方向上凹进，并且可以沿着每个发光器件151和153的周边布置。第二树脂166可以布置在上凹部R5和R6中，并且可以从上凹部R5和R6布置到发光器件151和153之间的区域。上凹部R5和R6的深度可以在框架121、132、134和140的厚度的40％到60％的范围内，并且宽度可以形成在能够防止并减小框架121、132的强度的范围内。上凹部R5和R6可以布置在沿第三方向不与下凹部125和145及阶差结构重叠的区域中。上凹部R5和R6可以沿第三方向与发光器件151和153重叠，使得第二树脂166可以与发光器件151和153形成接触。
图13是示意图5的半导体器件封装的第三变型例的视图。参考图11和13，发光器件封装包括上凹部R7和R8。上凹部R7和R8可以沿着各框架的上边缘形成。上凹部R7和R8可以布置在沿第三方向不与下凹部及阶差结构重叠的区域中。上凹部R7和R8可以与发光器件151和153隔开。第二树脂164可以布置在上凹部R7和R8中，并且第二树脂164可以布置在空腔112的底部上。第二树脂164的一部分可以与发光器件151或153的下表面形成接触。第二树脂164的一部分可以与发光器件的下侧表面形成接触。
在图12和13中，第二树脂164和166的材料可以是反射从发光器件151和153发射的光的反射部，并且例如可以是包含反射性材料(例如TiO2)的树脂，或者可以包括白色硅树脂。
图14是示意图5的半导体器件封装的第四变型例的视图。
参考图14，发光器件封装可以在布置于发光器件151和153下方的主体115中包括通孔TH0。通孔TH0可以是从主体115的上表面到下表面贯穿的孔。通孔TH0可以布置在两个相邻的通孔TH3和TH4之间。通孔TH0在第一方向上的宽度可以小于主体115的宽度，并且在第二方向上的长度可以小于或大于发光元件151和153在第二方向上的长度。模制部180的一部分可以布置在通孔TH0中，或者图13和14所示的第一树脂162的一部分可以布置在通孔TH0中。在形成通孔TH0时，可以在将片材紧密贴近地附到下部之后通过模制部180填充通孔TH0，或者通孔TH0可以通过第一树脂162模制。通孔TH0可以具有与下部宽度或直径相同的上部宽度或直径。通孔TH0可以具有如下形状：通过该形状，上述第一凹部R1和第二凹部R2的一部分被贯穿，或者其整个区域被贯穿。
图15是示意根据实施例的半导体器件封装中的发光器件150和153的结合部的变型例的视图。图1到8所示的发光器件150和153的结合部53A和54A中的每一个可以具有为发光器件150的底部面积的10％或更大的面积，并且对应于通孔TH3和TH4中的每一个。在图15所示的发光器件TH0中，各结合部53A和54A可以布置成具有小于发光器件150的底表面面积的10％的面积。例如，各结合部53A和54A的最大宽度可以小于通孔TH3和TH4的上表面面积。因此，发光器件150的结合部53A和54A可以插入到通孔TH3和TH4中。发光器件150的结合部53A和54A的下表面可以布置在比主体或框架130和140的上表面的位置低的位置处。发光器件150的结合部53A和54A可以布置在通孔TH3和TH4中，并且可以联接到布置在通孔TH3和TH4中的导电层321。在此情形中，导电层321可以与发光器件150的结合部53A和54A的外周形成接触，由此提高与发光器件150的粘结强度。在此情形中，可以通过导电层321将电力供应到发光器件150中的每一个结合部。
在形成构成导电层321的材料和导电层321的过程中或者在提供导电层321之后的热处理过程中，发光器件150的结合部53A和54A可以在导电层321与框架130和140之间形成有金属间化合物层。导电层321可以包括选自由Ag、Au、Pt、Sn、Cu、Zn、In、Bi、Ti等或其合金组成的组中的一种。然而，实施例不限于以上材料，并且能够确保导电性的功能的材料可以用作导电层321。作为一个实例，导电层321可以使用导电膏形成。导电膏可以包括焊膏、银膏等，并且可以由以下项构成：多层；或由多层构成的单层；或由相互不同的材料构成的合金。例如，导电层321可以包括Sn-Ag-Cu(SAC)。
例如，可以通过组合构成导电层321的材料和框架的金属而形成合金层。因此，导电层321和框架可以相互联接，以在物理上或在电气上是稳定的。导电层321、合金层和框架可以被相互联接以在物理上或在电气上是稳定的。合金层可以包括选自由AgSn、CuSn和AuSn组成的组中的至少一个金属间化合物层。可以通过组合第一材料和第二材料而形成金属间化合物层，其中，第一材料可以从导电层321提供，并且第二材料可以从结合部或框架提供。
<第二实施例>
图16至20是示意第二实施例的视图，其中，与第一实施例的那些相同的部分可以包括第一实施例的描述和构造，并且下面将描述不同于第一实施例的部分。
图16是示意根据第二实施例的半导体器件封装的平面图。图17是示意图16的半导体器件封装的底平面图。图18是图16的半导体器件封装沿着线E-E截取的截面图。图19是示意其中导电层布置在图18的半导体器件封装的连接框架的通孔中的实例的视图。图20是示意图16的半导体器件封装的框架的平面图。
参考图16至20，发光器件封装包括具有第五通孔TH5的连接框架136A。连接框架136A的第五通孔TH5具有的高度可以等于或低于其它通孔的高度。第五通孔TH5可以穿过连接框架136A的上表面和下表面。宽度方向可以正交于连接框架136A的延伸方向。
第五通孔TH5可以将连接框架136A分离成第一连接部137和第二连接部138。连接框架136A可以包括第一连接部137、布置在第五通孔TH5中的材料和第二连接部138。第五通孔TH5可以延伸到布置在连接框架136A的下部上的主体115，或者可以被暴露于主体的下表面。第五通孔TH5可以具有其上部宽度大于其底部宽度的形状，或者可以具有图24的(a)至(d)所示的形状中的一个。在此情形中，第一连接部137可以被包括在第二框架132中，第二连接部138可以被包括在第三框架134中。
第五通孔TH5的宽度大于连接框架136A的宽度，并且可以是200μm或更大，例如在200μm到400μm的范围内。第五通孔TH5的下部宽度可以小于第一和第二连接部137和138之间的最小间隔距离。
如图20中所示，因为连接框架136A被第五通孔TH5分离成第一连接部137和第二连接部138，所以第一发光器件151可以电连接到第一框架120和第二框架132，第二发光器件153可以连接到第三框架134和第四框架140。在此情形中，第一发光器件151和第二发光器件153可以相互并联连接，或者被分别驱动。如图18中所示，通孔TH5可以是空的区域，或者可以填充有绝缘树脂材料。
如图19中所示，导电层191可以布置在第五通孔TH5中。导电层191可以包括选自由Ag、Au、Pt、Sn、Cu、Zn、In、Bi、Ti等或其合金组成的组中的一种。导电层191可以将连接框架136A的第一连接部137和第二连接部138相互连接。导电层191可以是焊膏或Ag膏。导电层191可以包括例如Sn-Ag-Cu。因为导电层191将第一连接部137和第二连接部138相互连接，所以第二框架132和第三框架134可以相互连接。第一发光器件151可以连接到第一框架120和第二框架132，第二发光器件153可以连接到第三框架134和第四框架140，连接框架136A可以连接到第二框架132和第三框架134。因此，第一发光器件151和第二发光器件153可以相互串联连接。
根据实施例的连接框架136A可以包括Cu、Ni、Ti、Au、In、Sn和Ag中的至少一种，并且可以形成为单层或多层。导电层191可以包括选自由Ag、Au、Pt、Sn、Cu、Zn、In、Bi、Ti等或其合金组成的组中的一种。
合金层可以形成在导电层191和连接框架136A之间。合金层可以通过组合构成导电层191的材料和连接框架136A的金属层而形成。合金层可以形成在连接框架136A的通孔TH5的表面上。合金层可以包括选自由AgSn、CuSn、AuSn等组成的组中的至少一个金属间化合物层。金属间化合物层可以通过组合第一材料和第二材料而形成，其中，第一材料可以从导电层191提供，并且第二材料可以从连接框架136A的金属层或基础层提供。合金层可以包括选自由AgSn、CuSn、AuSn等组成的组中的至少一个金属间化合物层。金属间化合物层可以通过组合第一材料和第二材料而形成，其中，第一材料可以从导电层191提供，并且第二材料可以从结合部或框架提供。
上述金属间化合物层可以具有比其它结合材料高的熔点。另外，可以在比普通结合材料的熔点低的温度下执行其中形成金属化合物层的热处理过程。因此，即使当根据实施例的发光器件封装100通过回流工艺被结合到主衬底时，因为不发生再熔化现象，所以电连接和物理结合力仍不会劣化。
另外，根据实施例的发光器件封装100和发光器件封装制造方法，封装主体110不需要在制造发光器件封装的过程中暴露于高温。因此，根据实施例，可以防止封装主体110暴露于高温而损坏或变色。相应地，可以扩大用于构成主体115的材料的选择范围。根据实施例，可以使用相对廉价的树脂材料以及诸如陶瓷的昂贵材料来提供主体115。
取决于布置在第五通孔TH5中的导电层191的存在与否，发光器件封装可以驱动发光器件，或者可以驱动多个发光器件。即，因为驱动电压可以根据所连接的发光器件的数目而改变，所以可以提供能够根据使用意图切换驱动电压的封装。即，当各个发光器件的驱动电压是3V时，公共封装可以设置为切换到3V或6V。所具有的发光器件的数目是框架的数目及连接框架的数目的两倍或更多倍的封装可以被设置为使得可以切换到更高的电压。
<第三实施例>
图21至23是示意第二实施例的视图，其中，与第一实施例的那些相同的部分可以包括第一实施例的描述和构造，并且下面将描述不同于第一实施例的部分。
图21是示意根据第三实施例的半导体器件封装的底平面图。图22是示意图21的半导体器件封装的侧截面图。图23是示意图21的半导体器件封装的框架的平面图。
参考图21至23，发光器件封装可以包括连接凹部119。连接凹部119可以布置在第二框架132和第三框架134之间。连接凹部119连接到第二框架132和第三框架134，并且可以在朝向第三框架134的方向上从第二框架132延伸。连接凹部119的深度可以小于主体115的厚度，并且可以布置成距主体115的下表面在主体115的厚度的40％到60％的范围内。连接凹部119的延伸方向可以是对角方向，即，在第二框架132和第三框架134之间具有最短长度的虚拟线的延伸方向。
连接凹部119可以从主体115的上表面隔开预定距离。连接凹部119的长度D11可以等于或小于第二框架132和第三框架134之间的间隔。连接凹部119可以具有比下部宽度窄或与其相等的上部宽度，并且可以包括图24的(a)和(b)中的一个。
连接凹部119可以是空的空间，或者填充有绝缘树脂材料，或者可以在其中设有导电层192。当连接凹部119为空时，因为第二框架132和第三框架134不相互连接，所以发光器件151和153可以相互并联连接，或者被分别驱动。当导电层192布置在连接凹部119中时，第二框架132和第三框架134可以相互连接，并且第一发光器件151和第二发光器件153可以相互连接。根据导电层192是否布置在连接凹部119中，可以供应发光器件封装的驱动电压，例如n倍的驱动电压。在此情形中，“n”是所连接的发光器件的数目。
导电层192可以包括选自由Ag、Au、Pt、Sn、Cu、In等或其合金组成的组中的一种。导电层192可以将第一框架132和第二框架134相互连接。导电层192可以是焊膏或Ag膏。导电层192可以包括例如Sn-Ag-Cu。因为导电层192将第二连接部132和第三连接部134相互连接，所以第二框架132和第三框架134可以被相互连接。
根据实施例的第二框架132和第三框架134可以包括Cu、Ni、Ti、Au、In、Sn和Ag中的至少一种，并且可以形成为单层或多层。导电层192可以包括选自由Ag、Au、Pt、Sn、Cu、Zn、In、Bi、Ti等或其合金组成的组中的一种。合金层可以布置在导电层192与第二框架132和第三框架134中的每一个之间。合金层可以通过组合构成导电层192的材料与第二框架132和第三框架134的各金属层而形成。合金层可以布置在第二框架132和第三框架134的表面上。合金层可以包括选自由AgSn、CuSn、AuSn等组成的组中的至少一个金属间化合物层。金属间化合物层可以通过组合第一材料和第二材料而形成，其中，第一材料可以从导电层192提供，第二材料可以从第二框架132和第三框架134的金属层或基础层提供。合金层可以包括选自由AgSn、CuSn、AuSn等组成的组的至少一个金属间化合物层。金属间化合物层可以通过组合第一材料和第二材料而形成，其中，第一材料可以从导电层192提供，并且第二材料可以从结合部或框架提供。
上述金属间化合物层可以具有比其它结合材料高的熔点。另外，可以在比普通结合材料的熔点低的温度下执行其中形成金属化合物层的热处理过程。因此，即使当根据实施例的发光器件封装100通过回流工艺被结合到主衬底时，因为不发生再熔化现象，所以电连接和物理结合力仍不会劣化。
另外，如上所述，根据实施例的半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法，封装主体110不需要在制造发光器件封装的过程中暴露于高温。因此，根据实施例，可以防止封装主体暴露于高温而损坏或变色。相应地，可以扩大用于构成主体115的材料的选择范围。根据实施例，可以使用相对廉价的树脂材料以及诸如陶瓷的昂贵材料来提供主体。
取决于导电层192是否布置在连接凹部116上，发光器件封装可以分别驱动发光器件，或者可以驱动所述多个发光器件。即，因为驱动电压可以根据所连接的发光器件的数目而改变，所以可以提供能够根据使用意图来切换驱动电压的封装。即，当各个发光器件的驱动电压是3V时，公共封装可以被设置为切换到3V或6V。所具有的发光器件的数目是框架的数目和连接框架的数目的两倍或更多倍的封装可以被设置为能够切换到更高电压。
<半导体模块或光源模块>
图25示出具有根据第一至第三实施例的发光器件封装的半导体模块或光源模块。作为一个实例，将描述具有第一实施例的发光器件封装的发光模块，下面将参考以上公开的描述和绘图进行描述。
参考图2和25，在根据实施例的光源模块中，一个或多个发光器件封装100可以布置在电路板201上。
电路板201可以包括具有第一至第四焊盘211至217的衬底构件。用于控制发光器件151和153的驱动的供电电路可以设置于电路板310。
发光器件封装100的每个框架可以连接到电路板201的焊盘211至217。因此，发光器件封装100的第一发光器件151和第二发光器件153可以从电路板的各焊盘211至217接收电力。电路板201的各焊盘211至217可以包括选自由Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag、P、Fe、Sn、Zn、Al等或其合金组成的组中的至少一种。
电路板201的焊盘211至217中的每一个可以布置成与框架120、132、134和140和通孔TH1至TH4重叠。结合层221至227可以设置在焊盘211至217与框架120、132、134和140之间。结合层221至227可以连接到框架120至140和/或各通孔TH1至TH4的导电层321。
根据实施例的发光器件封装，发光器件151和153的结合部51至54可以通过布置在框架120、132、134和140的通孔TH1至TH4中的导电层321接收驱动电力。另外，布置在通孔TH1至TH4中的导电层321的熔点可以被选择为具有比传统结合材料的熔点高的值。因此，即使当根据实施例的发光器件封装100通过回流工艺被结合到主衬底时，因为不发生再熔化现象，所以电连接和物理结合力仍不会劣化。根据实施例的发光器件封装100和发光器件封装制造方法，封装主体110不需要在制造发光器件封装的过程中暴露于高温。因此，根据实施例，可以防止封装主体110暴露于高温而损坏或变色。
根据实施例的发光器件封装100可以安装在子安装件、电路板等上。然而，当传统发光器件封装安装在子安装件、电路板等上时，可以应用高温工艺，例如回流。在回流工艺中，可能在设置于发光器件封装中的框架和发光器件之间的结合区域中发生再熔化现象，使得电连接和物理结合的稳定性可能劣化，由此改变发光器件的位置，因此发光器件封装的光学和电气特性和可靠性可能劣化。然而，根据实施例的发光器件封装，根据实施例的发光器件的第一结合部分可以通过布置在通孔中的导电层接收驱动电力。另外，布置在通孔中的导电层的熔点可以被选择为具有比传统结合材料的熔点高的值。因此，即使当根据实施例的发光器件封装100通过回流工艺被结合到主衬底时，因为不生再熔化现象，所以电连接和物理结合力仍不会劣化。
图28是示意根据本发明实施例的发光器件的平面图，并且图29是图28所示的发光器件的沿着线F-F截取的截面图。
为了更好的理解，虽然被布置在第一结合部1171和第二结合部1172下方，但图28示出了电连接到第一结合部1171的第一子电极1141和电连接到第二结合部1172的第二子电极1142。
如图29中所示，根据实施例的发光器件1100可以包括布置在衬底1105上的发光结构1110。
衬底1105可以选自包括蓝宝石衬底(Al2O3)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP和Ge的组。例如，衬底1105可以设置为在其上表面上形成有凹凸图案的图案化蓝宝石衬底(PSS)。
发光结构1110可以包括第一导电型半导体层1111、有源层1112和第二导电型半导体层1113。有源层1112可以布置在第一导电型半导体层1111和第二导电型半导体层1113之间。例如，有源层1112可以布置在第一导电型半导体层1111上，第二导电型半导体层1113可以布置在有源层1112上。
根据实施例的发光器件1100可以包括透明电极层1130。透明电极层1130可以通过提高电流扩散而增加光输出。例如，透明电极层1130可以包括选自包括金属、金属氧化物和金属氮化物的组中的至少一种。透明电极层1130可以包括透光材料。透明电极层1130可以包括选自包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、IZO氮化物(IZON)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、Pt、Ni、Au、Rh和Pd的组。
根据实施例的发光器件1100可以包括反射层1160。反射层1160可以包括第一反射层1161、第二反射层1162和第三反射层1163。反射层1160可以布置在透明电极层1130上。第二反射层1162可以包括用于暴露透明电极层1130的第一开口h1。第二反射层1162可以包括布置在透明电极层1130上的多个第一开口h1。第一反射层1161可以包括用于暴露第一导电型半导体层1111的上表面的第二开口h2。
第三反射层1163可以布置在第一反射层1161和第二反射层1162之间。例如，第三反射层1163可以连接到第一反射层1161。另外，第三反射层1163可以连接到第二反射层1162。第三反射层1163可以布置成在物理上与第一反射层1161和第二反射层1162形成直接接触。
根据实施例的反射层1160可以通过设置在透明电极层1130中的接触孔而与第二导电型半导体层1113形成接触。反射层1160可以通过设置在透明电极层1130中的接触孔而在物理上与第二导电型半导体层1113的上表面形成接触。
反射层1160可以设置为绝缘反射层。例如，反射层1160可以设置为分布式布拉格反射器(DBR)层。另外，反射层1160可以设置为全向反射器(ODR)层。另外，可以通过堆叠DBR层和ODR层来提供反射层1160。
根据实施例的发光器件1100可以包括第一子电极1141和第二子电极1142。第一子电极1141可以在第二开口h2中电连接到第一导电型半导体层1111。第一子电极1141可以布置在第一导电型半导体层1111上。例如，根据该实施例的发光器件1100，第一子电极1141可以在穿过第二导电型半导体层1113和有源层1112布置到第一导电型半导体层1111的局部区域中的凹部内布置在第一导电型半导体层1111的上表面上。
第一子电极1141可以通过设置在第一反射层1161中的第二开口h2电连接到第一导电型半导体层1111的上表面。第二开口h2和凹部可以在竖向上相互重叠。例如，第一子电极1141可以在凹部区域中与第一导电型半导体层1111的上表面形成直接接触。
第二子电极1142可以电连接到第二导电型半导体层1113。第二子电极1142可以布置在第二导电型半导体层1113上。根据实施例，透明电极层1130可以布置在第二子电极1142和第二导电型半导体层1113之间。
第二子电极1142可以通过设置在第二反射层1162中的第一开口h1电连接到第二导电型半导体层1113。例如，第二子电极1142可以通过P区域中的透明电极层1130电连接到第二导电型半导体层1113。
第二子电极1142可以通过在P区域中设置在第二反射层1162中的多个第一开口h1而与透明电极层1130的上表面形成直接接触。根据实施例，第一子电极1141和第二子电极1142可以相对于彼此具有极性并且可以相互隔开。
第一子电极1141和第二子电极1142可以用具有单层或多层的结构形成。例如，第一子电极1141和第二子电极1142可以是欧姆电极。例如，第一子电极1141和第二子电极1142可以包括ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的至少一种或由其中的至少两种形成的合金。图29中示出了区域R11、R12和R13，以区别每个子电极的重叠区域。
根据实施例的发光器件1100可以包括保护层1150。保护层1150可以包括用于暴露第二子电极1142的第三开口h3。第三开口h3可以布置成对应于设置在第二子电极1142中的PB区域。另外，保护层1150可以包括用于暴露第一子电极1141的第四开口h4。第四开口h4可以布置成对应于设置在第一子电极1141中的NB区域。保护层1150可以布置在反射层1160上。保护层1150可以布置在第一反射层1161、第二反射层1162和第三反射层1163上。例如，保护层1150可以设置成绝缘材料。例如，保护层1150可以由选自包括SixOy、SiOxNy、SixNy和AlxOy的组中的至少一种材料形成。
根据实施例的发光器件1100可以包括布置在保护层1150上的第一结合部1171和第二结合部1172。第一结合部1171可以布置在第一反射层1161上。另外，第二结合部1172可以布置在第二反射层1162上。第二结合部1172可以从第一结合部1171隔开。第一结合部1171可以通过在NB区域中设置在保护层1150中的第四开口h4与第一子电极1141的上表面形成接触。NB区域可以相对于第二开口h2在竖向上偏移。当该多个NB区域和第二开口h2相对彼此竖直地偏移时，注入第一结合部1171中的电流可以沿着第一子电极1141的水平方向均匀地分布，因此在NB区域中电流可以均匀地注入。
另外，第二结合部1172可以通过在PB区域中设置在保护层1150中的第三开口h3与第二子电极1142的上表面形成接触。当PB区域和第一开口h1不在竖向上相互重叠时，注入第二结合部1172中的电流可以沿着第二子电极1142的水平方向均匀地分布，因此在PB区域中电流可以均匀地注入。因此，根据实施例，因为可以通过这些区域供应电力，所以能够产生电流分散效应，并且根据接触面积的增加和接触区域的分散，可以降低操作电压。
相应地，第一反射层1161和第二反射层1162反射从发光结构1110的有源层1112发射的光，以最小化在第一子电极1141和第二子电极1142中的光学吸收，使得可以提高光强度Po。第一反射层1161和第二反射层1162可以具有其中具有不同折射率的材料被交替地布置的DBR结构。例如，第一反射层1161和第二反射层1162可以布置为单层，或者布置为包括TiO2、SiO2、Ta2O5和HfO2中的至少一种的堆叠结构。不受此限制地，根据另一实施例，第一反射层1161和第二反射层1162可以被自由地选择，以根据从有源层1112发射的光的波长来调节对于从有源层1112发射的光的反射性。另外，根据另一实施例，第一反射层1161和第二反射层1162可以设置为ODR层。根据又一实施例，第一反射层1161和第二反射层1162可以设置为其中DBR层和ODR层被堆叠的一种混合型。
当根据实施例的发光器件在通过倒装芯片结合方案安装之后被实现为发光器件封装时，可以通过衬底1105发射从发光结构1110提供的光。从发光结构1110发射的光可以由第一反射层1161和第二反射层1162反射并朝向衬底1105发射。
另外，从发光结构1110发射的光可以在发光结构1110的横向方向上发射。另外，通过在布置有第一结合部1171和第二结合部1172的表面中的未设置第三反射层1163的区域，可以将从发光结构1110发射的光发射到外侧。
相应地，根据实施例的发光器件1100可以沿着包围发光结构1110的六个表面方向发射光，并显著提高光强度。
同时，根据实施例的发光器件，当从发光器件1100的顶部观察时，第一结合部1171和第二结合部1172的面积之和小于或等于布置有第一结合部1171和第二结合部1172的、发光器件1100的上表面的总面积的60％。
例如，发光器件1100的上表面的总面积可以对应于由发光结构1110的第一导电型半导体层1111的下表面的横向长度和纵向长度限定的面积。另外，发光器件1100的上表面的总面积可以对应于衬底1105的上表面或下表面的面积。
相应地，第一结合部1171和第二结合部1172的面积之和等于或小于发光器件1100的总面积的60％，从而可以增大发射到布置有第一结合部1171和第二结合部1172的表面的光的量。因此，根据实施例，因为增大了沿着发光器件1100的六个表面方向发射的光的量，所以可以提高光提取效率，并且可以增大光强度Po。
另外，当从发光器件的顶部观察时，第一结合部1171和第二结合部1172的面积之和等于或大于发光器件1100的总面积的30％。
相应地，第一结合部1171和第二结合部1172的面积之和等于或大于发光器件1100的总面积的30％，从而可以通过第一结合部1171和第二结合部1172执行稳定的安装，并且可以确保发光器件1100的电气特性。
考虑到确保光提取效率和结合稳定性，第一结合部1171和第二结合部1172的面积之和可以被选择为关于发光器件1100的总面积的30％到60％。
换言之，当第一结合部1171和第二结合部1172的面积之和是关于发光器件1100的总面积的30％至100％时，可以确保发光器件1100的电气特性，并且可以确保将安装在发光器件封装上的结合强度，从而可以执行稳定安装。
另外，当第一结合部1171和第二结合部1172的面积之和大于发光器件1100的总面积的0％且等于或小于60％时，发射到布置有第一结合部1171和第二结合部1172的表面的光的量增加，从而可以提高发光器件1100的光提取效率，并且可以提高光强度Po。
在该实施例中，第一结合部1171和第二结合部1172的面积之和被选择为发光器件1100的总面积的30％到60％，以确保发光器件1100的电气特性和将被安装在发光器件封装上的结合强度，并增加光强度。
另外，根据实施例的发光器件1100，第三反射层1163可以布置在第一结合部1171和第二结合部1172之间。例如，第三反射层1163在发光器件1100的主轴方向上的长度W5可以对应于在第一结合部1171和第二结合部1172之间的距离。另外，例如，第三反射层1163的面积可以是发光器件1100的全部上表面的10％到25％。
当第三反射层1163的面积是发光器件1100的全部上表面的10％或更大时，可以防止布置在发光器件下方的封装主体变色或破裂。当是25％或更低时，有利的是确保用于向发光器件的六个表面发射光的光提取效率。
另外，在另一个实施例中，不限于此地，第三反射层1163的面积可以布置成大于发光器件1100的全部上表面的0％且小于10％，以确保光提取效率更高，并且第三反射层1163的面积可以布置成大于发光器件1100的全部上表面的25％且小于100％，以防止封装主体变色或破裂。
另外，从发光结构1110产生的光可以通过设置在沿着主轴方向布置的侧表面和与该侧表面相邻的第一结合部1171或第二结合部1172之间的第二区域被透射并发射。
另外，从发光结构1110产生的光可以通过设置在沿着副轴方向布置的侧表面和与该侧表面相邻的第一结合部1171或第二结合部1172之间的第三区域被透射并发射。
根据实施例，第一反射层1161的尺寸可以比第一结合部1171的尺寸大几微米。例如，第一反射层1161的面积的大小可以设置为完全覆盖第一结合部1171的面积的大小。考虑到工艺误差，例如，第一反射层1161的一侧的长度可以大于第一结合部1171的一侧的长度大约4微米至大约10微米。
另外，第二反射层1162的尺寸可以比第二结合部1172的尺寸大几微米。例如，第二反射层1162的面积的大小可以设置为完全覆盖第二结合部1172的面积。考虑到工艺误差，例如，第二反射层1162的一侧的长度可以大于第二结合部1172的一侧的长度大约4微米到大约10微米。
根据实施例，从发光结构1110发射的光可以被第一反射层1161和第二反射层1162反射，而不在第一结合部1171和第二结合部1172上入射。因此，根据实施例，可以最小化从发光结构1110产生和发射并入射到第一结合部1171和第二结合部1172的光的损失。
另外，根据实施例的发光器件1100，因为第三反射层1163布置在第一结合部1171和第二结合部1172之间，所以可以调节在第一结合部1171和第二结合部1172之间发射的光的量。
如上所述，根据实施例的发光器件1100可以在例如以倒装芯片结合方案安装之后被设置为发光器件封装。这里，当安装有发光器件1100的封装主体设有树脂等时，由于从发光器件1100发射的强的短波长光，封装主体在发光器件1100的下部区域中变色或破裂。
然而，根据实施例的发光器件1100，因为调节了在其上布置有第一结合部1171和第二结合部1172的区域之间发射的光的量，所以可以防止布置在发光器件1100的下部区域中的封装主体变色或破裂。
根据实施例，从发光结构1100产生的光可以通过其上布置有第一结合部1171、第二结合部1172和第三反射层1163的发光器件1100的上表面的面积中的20％或更多而被透射并发射。
因此，根据实施例，因为增加了沿着发光器件1100的六个表面方向发射的光的量，所以可以提高光提取效率，并且可以增大光强度Po。另外，可以防止与发光器件1100的下表面相邻布置的封装主体变色或破裂。
另外，根据实施例的发光器件1100，多个接触孔C1、C2和C3可以设置在透明电极层1130中。第二导电型半导体层1113可以通过设置在透明电极层1130中的所述多个接触孔C1、C2和C3被结合到反射层1160。反射层1160与第二导电型半导体层1113形成直接接触，从而相比于反射层1160与透明电极层1130形成接触的情形，可以增强粘结强度。
当反射层1160仅与透明电极层1130形成直接接触时，可能减弱反射层1160与透明电极层1130之间的结合强度或粘结强度。例如，当绝缘层被结合到金属层时，可能减弱其材料之间的结合强度或粘结强度。
例如，当反射层1160和透明电极层1130之间的结合强度或粘结强度是弱的时，可能在这两个层之间引起剥离。因此，当在反射层1160和透明电极层1130之间引起剥离时，发光器件1100的特性可以劣化，且无法确保发光器件1100的可靠性。
然而，根据实施例，因为反射层1160能够与第二导电型半导体层1113形成直接接触，所以可以在反射层1160、透明电极层1130和第二导电型半导体层1113之间稳定地提供结合强度和粘结强度。
因此，根据实施例，因为可以在反射层1160和第二导电型半导体层1113之间稳定地提供结合强度，所以可以防止反射层1160从透明电极层1130剥离。另外，因为可以在反射层1160和第二导电型半导体层1113之间稳定地提供结合强度，可以提高发光器件1100的可靠性。
同时，如上所述，透明电极层1130可以设有接触孔C1、C2和C3。从有源层1112发射的光可以通过设置在透明电极层1130中的接触孔C1、C2和C3入射到反射层1160并被反射层1160反射。相应地，减少了从有源层1112产生并且入射到透明电极层1130的光的损失，从而可以提高光提取效率。因此，根据实施例的发光器件1100，可以增强光强度。
如上所述，根据实施例的半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法，实施例的发光器件120的结合部可以接收通过布置在通孔处的导电层所供应的驱动电力。另外，布置在通孔中的导电层的熔点可以被选择为具有比传统结合材料的熔点高的值。因此，即使当根据实施例的发光器件封装100通过回流工艺被结合到主衬底时，因为不发生再熔化现象，所以电连接和物理结合力不会劣化。
另外，根据实施例的发光器件封装100，封装主体110不需要在制造发光器件封装的过程中暴露于高温。因此，根据实施例，可以防止封装主体暴露于高温而损坏或变色。相应地，可以扩大用于构成主体115的材料的选择范围。根据实施例，可以通过使用相对廉价的树脂材料以及诸如陶瓷的昂贵材料来提供主体。
同时，根据实施例的发光器件封装可以应用于光源单元。
另外，根据工业领域，光源单元可以包括显示装置、照明装置、头灯等。
作为光源单元的实例，显示装置可以包括底盖、布置在底盖上的反射器、包括发射光的发光器件的发光模块、布置在反射器前面并向前引导从发光模块发射的光的光导板、包括布置在光导板前面的棱镜片的光学片、布置在光学片前面的显示面板、连接到显示面板以向显示面板供应图像信号的图像信号输出电路、和布置在显示面板前面的滤色片。在此情形中，底盖、反射器、发光模块、光导板和光学片可以构成背光单元。另外，显示器件可以具有其中分别布置发射红光、绿光和蓝光的发光器件的结构。
作为光源单元的再一实例，头灯可以包括发光模块，该发光模块包括：布置在衬底上的发光器件封装；用于沿预定方向(例如向前)反射从发光模块发射的光的反射器；用于向前折射由反射器反射的光的透镜；和遮光器，其用于通过阻挡或反射由反射器反射的光的一部分以被引导向透镜，从而构建设计者所期望的光分布图案。
作为光源单元的另一个实例，照明装置可以包括盖、光源模块、散热器、电源、内壳和插座。另外，根据实施例的光源单元还可以包括构件和保持器中的至少一个。光源模块可以包括根据实施例的发光器件封装。
在本说明书中对“一个实施例(one embodiment)”、“实施例(an embodiment)”、“实例实施例(example embodiment)”等的任何提及均意味着结合实施例描述的具体特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中的各种场合中出现这种短语并不必然全部指同一实施例。此外，当结合任何实施例来描述具体的特征、结构或特性时，这是表明与其它的实施例相结合地实现这种特征、结构或特性是在本领域技术人员的能力范围内。
尽管已经参考其多个示意性实施例描述了实施例，但应理解，本领域技术人员能够设计出将落入本公开原理的范围内的、多个其它的修改和实施例。更具体地，在本公开、附图和所附权利要求书的范围内，可以在主题组合布置的组成部件和/或布置方面进行各种变化和修改。除了组成部件和/或布置的变化和修改之外，替代用途对于本领域技术人员也将是明显的。

Claims (5)

1.一种发光器件封装，包括：
第一框架至第四框架，所述第一框架至第四框架彼此隔开；
导电层，所述导电层布置在第一通孔至第四通孔中，所述第一通孔至第四通孔布置成分别贯穿所述第一框架至第四框架的上表面和下表面；
主体，所述主体支撑所述第一框架至第四框架；
第一发光器件，所述第一发光器件包括电连接到所述第一框架的第一结合部和电连接到所述第二框架的第二结合部；
第二发光器件，所述第二发光器件包括电连接到所述第三框架的第三结合部和电连接到所述第四框架的第四结合部；
空腔，所述第一发光器件和所述第二发光器件布置在所述空腔中；
连接框架，所述连接框架将所述第二框架和所述第三框架彼此连接；以及
内壁部，所述内壁部在所述第一发光器件和所述第二发光器件之间，
其中，所述第一通孔至第四通孔分别在竖向上重叠所述第一结合部至第四结合部，
其中，所述第一结合部至第四结合部接触所述导电层，
其中，所述连接框架与所述第一框架至第四框架中的每一个间隔开，
其中，所述内壁部布置在所述连接框架上，
其中，所述第一框架至第四框架以及所述连接框架由金属形成。
2.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，分别布置在所述第一框架至第四框架中的所述第一通孔至第四通孔的中心与所述第一框架至第四框架的端部之间的最小距离为80μm或更大，
其中，所述第一框架和所述第四框架在所述发光器件封装中在对角方向上彼此间隔开，以及
所述第二框架和所述第三框架在对角方向上彼此间隔开。
3.根据权利要求1所述的发光器件封装，
其中，所述内壁部的高度比所述第一发光器件和所述第二发光器件的上表面高，
其中，所述内壁部与所述主体及所述第一框架至第四框架形成接触，
其中，所述第一框架和所述第二框架在所述内壁部的一侧处彼此间隔开，并且
所述第三框架和所述第四框架在所述内壁部的相反的另一侧处彼此间隔开。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光器件封装，还包括：
布置成贯穿所述连接框架的上表面和下表面的第五通孔；以及
布置在所述连接框架的所述第五通孔中的导电材料和树脂材料之一，
其中，所述连接框架包括由所述第五通孔彼此分离开的第一连接部和第二连接部，
其中，所述第一连接部连接到所述第二框架，
其中，所述第二连接部连接到所述第三框架，其中，所述第五通孔的宽度大于所述连接框架的宽度，
其中，所述第五通孔的宽度方向与所述连接框架的宽度方向相同，
其中，所述第一连接部和所述第二连接部之间的最小距离小于所述第五通孔的宽度。
5.根据权利要求1至3中的一项所述的发光器件封装，其中，第一凹部布置在所述主体的上部上，所述第一凹部布置在所述第一通孔和所述第二通孔之间并朝向所述主体的下表面凹进，
第二凹部布置在所述主体的所述上部上，所述第二凹部布置在所述第三通孔和所述第四通孔之间并朝向所述主体的所述下表面凹进，
所述第一凹部在竖直方向上与所述第一发光器件重叠，
所述第二凹部在所述竖直方向上与所述第二发光器件重叠，
其中，在所述第一凹部和所述第二凹部中布置有第一树脂，
其中，对齐地设有在所述第一通孔和所述第二通孔之间具有最短长度的虚拟线，
所述第一凹部在垂直于所述虚拟线的方向上延伸，并且
所述第一凹部在所述第一凹部的延伸方向上的长度比所述第一发光器件的宽度长。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI790249B (zh) * 2017-07-13 2023-01-21 大陸商蘇州樂琻半導體有限公司 發光裝置及發光裝置封裝
KR102455086B1 (ko) * 2017-09-12 2022-10-17 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 광원장치
KR102392013B1 (ko) * 2017-09-15 2022-04-28 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지
JP6870592B2 (ja) * 2017-11-24 2021-05-12 豊田合成株式会社 発光装置
KR20190074200A (ko) * 2017-12-19 2019-06-27 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 이를 포함하는 발광 모듈
US10811581B2 (en) 2018-06-15 2020-10-20 Nichia Corporation Method of manufacturing semiconductor device
CN111341750B (zh) * 2018-12-19 2024-03-01 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 包括有导电基部结构的部件承载件及制造方法
CN113140552A (zh) * 2020-01-20 2021-07-20 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管封装结构
CN111525009B (zh) * 2020-04-27 2022-02-22 开发晶照明（厦门）有限公司 半导体发光器件
CN111525014B (zh) * 2020-04-27 2021-10-12 开发晶照明（厦门）有限公司 固态发光器件
JP7506319B2 (ja) 2020-09-30 2024-06-26 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN113078252B (zh) * 2021-03-17 2022-11-01 江门市迪司利光电股份有限公司 一种led芯片的封装方法
JP7389363B2 (ja) 2021-05-26 2023-11-30 日亜化学工業株式会社 発光装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6012782A (ja) 1983-07-01 1985-01-23 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光ダイオ−ド実装構造
JP5081370B2 (ja) * 2004-08-31 2012-11-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2007214249A (ja) * 2006-02-08 2007-08-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法
JP4828248B2 (ja) * 2006-02-16 2011-11-30 新光電気工業株式会社 発光装置及びその製造方法
KR101365622B1 (ko) * 2007-11-29 2014-02-24 서울반도체 주식회사 방습 ｌｅｄ 패키지
DE102009042479A1 (de) * 2009-09-24 2011-03-31 Msg Lithoglas Ag Verfahren zum Herstellen einer Anordnung mit einem Bauelement auf einem Trägersubstrat und Anordnung sowie Verfahren zum Herstellen eines Halbzeuges und Halbzeug
US8900893B2 (en) * 2010-02-11 2014-12-02 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Vertical LED chip package on TSV carrier
KR101039994B1 (ko) * 2010-05-24 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR101859149B1 (ko) * 2011-04-14 2018-05-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR101103674B1 (ko) * 2010-06-01 2012-01-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
JP6167619B2 (ja) 2012-04-06 2017-07-26 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ成形体及びそれを用いた発光装置
KR101973613B1 (ko) 2012-09-13 2019-04-29 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
JP5986923B2 (ja) 2012-12-28 2016-09-06 スタンレー電気株式会社 発光表示装置
TWI483434B (zh) * 2013-02-18 2015-05-01 Lextar Electronics Corp 發光二極體的轉置基材與使用該轉置基材的發光裝置製造方法
CN103715186A (zh) * 2013-04-12 2014-04-09 弘凯光电(深圳)有限公司 用于产生对称性均匀混光光源的多芯片封装结构
KR20160003429A (ko) * 2014-07-01 2016-01-11 현대자동차주식회사 발광 소자 패키지, 발광 소자 패키지 모듈, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지의 제조 방법
JP6413412B2 (ja) * 2014-07-11 2018-10-31 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
KR102279212B1 (ko) 2014-11-13 2021-07-20 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지
EP2988341B1 (en) 2014-08-22 2017-04-05 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
KR20160037471A (ko) 2014-09-29 2016-04-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR101640385B1 (ko) * 2014-12-24 2016-07-18 주식회사 루멘스 발광 소자 패키지의 제조 방법
KR102606852B1 (ko) * 2015-01-19 2023-11-29 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자
JP6862141B2 (ja) 2015-10-14 2021-04-21 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ及び照明装置
KR101831249B1 (ko) * 2015-10-14 2018-02-23 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 조명 장치
KR20170037907A (ko) * 2017-03-21 2017-04-05 서울바이오시스 주식회사 발광 장치

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Publication number Publication date
US10636946B2 (en) 2020-04-28
JP2020536370A (ja) 2020-12-10
US20190334063A1 (en) 2019-10-31
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