CN109979910B - 一种接地信号的连接方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及集成电路技术领域,公开了一种接地信号的连接方法及装置,该方法包括:将器件到焊盘窗口的总线分为并行的器件地总线、衬底地总线和独立线;判断需要焊接的NMOS管是否属于模拟电路;若是,则根据所述NMOS管的工作电流与预设电流阈值的比较结果,将所述NMOS管的源端和衬底端连接到总线,通过将干净敏感的器件地总线和衬底地总线及独立线隔离设置,长距离不相交走线,借助连线寄生电容值,抑制了模拟地信号的衬底噪声对敏感器件及相关电路的影响,提高了电路的性能。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域,尤其涉及一种接地信号的连接方法及装置。
背景技术
在现有的集成电路设计中,一般是将NMOS管的源端SO和衬底端BO合并接在GND信号线上,这会导致芯片衬底其他器件传播到NMOS管附件的噪声,将经由BO-GND-SO通路就近传回到NMOS管,并引入到原本干净的模拟电路系统中,影响电路性能。
发明内容
本发明的主要目的在于提出一种接地信号的连接方法及装置,通过将干净敏感的器件地总线和衬底地总线及独立线隔离设置,长距离不相交走线,借助连线寄生电容值,抑制了模拟地信号的衬底噪声对敏感器件及相关电路的影响,提高了电路的性能。
为实现上述目的,本发明提供的一种接地信号的连接方法,包括:
将器件到焊盘窗口的总线分为并行的器件地总线、衬底地总线和独立线;
判断需要焊接的NMOS管是否属于模拟电路;
若是,则根据所述NMOS管的工作电流与预设电流阈值的比较结果,将所述NMOS管的源端和衬底端连接到总线;
否则,将所述源端和衬底端一起连接到同一总线。
可选地,所述预设电流阈值包括第一预设电流阈值和第二预设电流阈值,所述第一预设电流阈值小于第二预设电流阈值。
可选地,所述根据所述NMOS管的工作电流与预设电流阈值的比较结果,将所述NMOS管的源端和衬底端连接到总线包括:
判断所述工作电流是否大于第一预设电流阈值,若不大于,则将所述源端连接到器件地总线,将所述衬底端连接到衬底地总线;
若所述工作电流大于第一预设电流阈值,则判断所述工作电流是否大于第二预设电流阈值,若是,则将所述源端连接到独立线,将所述衬底端连接到衬底地总线;
否则,将所述源端和衬底端一起连接到衬底地总线。
可选地,所述器件地总线、衬底地总线和独立线在器件端隔离设置,在焊盘窗口端单点连接。
可选地,所述独立线的数量为两个以上。
作为本发明的另一方面,提供的一种接地信号的连接装置,包括:
隔离模块,用于将器件到焊盘窗口的总线分为并行的器件地总线、衬底地总线和独立线;
判断模块,用于判断需要焊接的NMOS管是否属于模拟电路;
连接模块,用于当需要焊接的NMOS管属于模拟电路时,根据所述NMOS管的工作电流与预设电流阈值的比较结果,将所述NMOS管的源端和衬底端连接到总线;还用于当需要焊接的NMOS管不属于模拟电路时,将所述源端和衬底端一起连接到同一总线。
可选地,所述预设电流阈值包括第一预设电流阈值和第二预设电流阈值,所述第一预设电流阈值小于第二预设电流阈值。
可选地,所述连接模块包括:
第一判断单元,用于判断所述工作电流是否大于第一预设电流阈值;
第二判断单元,用于当所述工作电流大于第一预设电流阈值时,判断所述工作电流是否大于第二预设电流阈值;
连接单元,用于当所述工作电流不大于第一预设电流阈值时,将所述源端连接到器件地总线,将所述衬底端连接到衬底地总线;还用于当所述工作电流不大于第二预设电流阈值时,将所述源端和衬底端一起连接到衬底地总线;还用于当所述工作电流大于第二预设电流阈值时,将所述源端连接到独立线,将所述衬底端连接到衬底地总线。
可选地,所述器件地总线、衬底地总线和独立线在器件端隔离设置,在焊盘窗口端单点连接。
可选地,所述独立线的数量为两个以上。
本发明提出的一种接地信号的连接方法及装置,该方法包括:将器件到焊盘窗口的总线分为并行的器件地总线、衬底地总线和独立线;判断需要焊接的NMOS管是否属于模拟电路;若是,则根据所述NMOS管的工作电流与预设电流阈值的比较结果,将所述NMOS管的源端和衬底端连接到总线,通过将干净敏感的器件地总线和衬底地总线及独立线隔离设置,长距离不相交走线,借助连线寄生电容值,抑制了模拟地信号的衬底噪声对敏感器件及相关电路的影响,提高了电路的性能。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的一种接地信号的连接方法流程图;
图2为本发明实施例一提供的总线并行示意图;
图3为本发明实施例一提供的噪声传播路径示意图;
图4为本发明实施例一提供的并行总线在器件端隔离设置的示意图;
图5为图1中步骤S30的方法流程图;
图6为本发明实施例二提供的一种接地信号的连接装置示范性结构框图;
图7为图6中连接模块的示范性结构框图。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
在后续的描述中,使用用于表示元件的诸如“模块”、“部件”或“单元”的后缀仅为了有利于本发明的说明,其本身并没有特定的意义。因此,"模块"与"部件"可以混合地使用。
如图1所示,在本实施例中,一种接地信号的连接方法,包括:
S10、将器件到焊盘窗口的总线分为并行的器件地总线、衬底地总线和独立线;
S20、判断需要焊接的NMOS管是否属于模拟电路;
若是,则进入步骤S30、根据所述NMOS管的工作电流与预设电流阈值的比较结果,将所述NMOS管的源端和衬底端连接到总线;否则,进入步骤S40、将所述源端和衬底端一起连接到同一总线。
在本实施例中,接地信号包括模拟地信号和数字地信号,本发明适用于模拟地信号;当接地信号为数字地信号时,按照常规方法将所述源端和衬底端一起连接到同一总线,该同一总线是指同一个器件地总线、同一个衬底地总线或者同一个独立线。
在本实施例中,通过将干净敏感的器件地总线和衬底地总线及独立线隔离设置,长距离不相交走线,借助连线寄生电容值,抑制了模拟地信号的衬底噪声对敏感器件及相关电路的影响,提高了电路的性能。
在本实施例中,本方案适用于数模混合电路中的非功率器件的所有NMOS管(N-Metal-Oxide-Semiconductor,N型金属氧化物半导体),这些NMOS管的源端S1和衬底端B1最终要连接到接地信号AG,本方案在器件附近区域和器件到焊盘窗口padwindow的途中提供了有效的噪声隔离,达到了减小模拟NMOS源端噪声的效果。
在本实施例中,如图2所示,为器件地总线AGS、衬底地总线AGB和独立线AGP总线并行示意图,其中,器件地总线AGS用于连接敏感不希望受到干扰的器件源端,衬底地总线AGB和独立线AGP用于连接瞬态电流值较大的源端或衬底端;在图2中,双总线(器件地总线AGS和衬底地总线AGB)加独立线AGP的走线结构可以根据设计版图的具体情况而变化,但要维持不相交原则,仅在AG的padwindow窗口处才有单点连接,图2中的折弯结构仅为一种较佳实施例。
在本实施例中,如图3所示,为噪声传播路径示意图,由于器件地总线AGS、衬底地总线AGB和独立线AGP总线并行走线途中不相交,仅在padwindow相交,所以噪声的传播路径为AGB-padwindow-AGP,路径较长,并且沿途有对衬底及其他信号线的寄生电容值。在这些寄生电容作用下,衬底地噪声有效减弱。
在本实施例中,所述预设电流阈值包括第一预设电流阈值和第二预设电流阈值,所述第一预设电流阈值小于第二预设电流阈值。
在本实施例中,所述器件地总线、衬底地总线和独立线在器件端隔离设置,在焊盘窗口端单点连接。
在本实施例中,所述独立线的数量为两个以上。
在本实施例中,如图4所示,为并行总线在器件端隔离设置的示意图,其中,M1的工作电流极小,为敏感电路;M2的瞬态电流大于第一预设电流阈值I1小于第二预设电流阈值I2;M3瞬态电流大于第二预设电流阈值I2;M4是数字电路的NMOS。
如图5所示,在本实施例中,所述步骤S30包括:
S31、判断所述工作电流是否大于第一预设电流阈值,若不大于,则S32、将所述源端连接到器件地总线,将所述衬底端连接到衬底地总线;
若所述工作电流大于第一预设电流阈值,则S33、判断所述工作电流是否大于第二预设电流阈值,若是,则S34、将所述源端连接到独立线,将所述衬底端连接到衬底地总线;
否则,S35、将所述源端和衬底端一起连接到衬底地总线。
在本实施例中,通过判断NMOS是否属于模拟敏感电路,以及设定合理的电流阈值I1和I2,将连接到AG的NMOS归类并指定给不同的AG拓扑连接位置(AGS/AGB/AGP),完成受保护管和污染源的分离,完善衬底噪声的新路径。
实施例二
如图6所示,在本实施例中,一种接地信号的连接装置,包括:
隔离模块10,用于将器件到焊盘窗口的总线分为并行的器件地总线、衬底地总线和独立线;
判断模块20,用于判断需要焊接的NMOS管是否属于模拟电路;
连接模块30,用于当需要焊接的NMOS管属于模拟电路时,根据所述NMOS管的工作电流与预设电流阈值的比较结果,将所述NMOS管的源端和衬底端连接到总线;还用于当需要焊接的NMOS管不属于模拟电路时,将所述源端和衬底端一起连接到同一总线。
在本实施例中,通过将干净敏感的器件地总线和衬底地总线及独立线隔离设置,长距离不相交走线,借助连线寄生电容值,抑制了模拟地信号的衬底噪声对敏感器件及相关电路的影响,提高了电路的性能。
在本实施例中,本方案适用于数模混合电路中的非功率器件的所有NMOS管(N-Metal-Oxide-Semiconductor,N型金属氧化物半导体),这些NMOS管的源端S1和衬底端B1最终要连接到接地信号AG,本方案在器件附近区域和器件到焊盘窗口padwindow的途中提供了有效的噪声隔离,达到了减小模拟NMOS源端噪声的效果。
在本实施例中,如图2所示,为器件地总线AGS、衬底地总线AGB和独立线AGP总线并行示意图,其中,器件地总线AGS用于连接敏感不希望受到干扰的器件源端,衬底地总线AGB和独立线AGP用于连接瞬态电流值较大的源端或衬底端;在图2中,双总线(器件地总线AGS和衬底地总线AGB)加独立线AGP的走线结构可以根据设计版图的具体情况而变化,但要维持不相交原则,仅在AG的padwindow窗口处才有单点连接,图2中的折弯结构仅为一种较佳实施例。
在本实施例中,如图3所示,为噪声传播路径示意图,由于器件地总线AGS、衬底地总线AGB和独立线AGP总线并行走线途中不相交,仅在padwindow相交,所以噪声的传播路径为AGB-padwindow-AGP,路径较长,并且沿途有对衬底及其他信号线的寄生电容值。在这些寄生电容作用下,衬底地噪声有效减弱。
在本实施例中,所述预设电流阈值包括第一预设电流阈值和第二预设电流阈值,所述第一预设电流阈值小于第二预设电流阈值。
在本实施例中,所述器件地总线、衬底地总线和独立线在器件端隔离设置,在焊盘窗口端单点连接。
在本实施例中,所述独立线的数量为两个以上。
在本实施例中,如图4所示,为并行总线在器件端隔离设置的示意图,其中,M1的工作电流极小,为敏感电路;M2的瞬态电流大于第一预设电流阈值I1小于第二预设电流阈值I2;M3瞬态电流大于第二预设电流阈值I2;M4是数字电路的NMOS。
如图7所示,在本实施例中,所述连接模块包括:
第一判断单元31,用于判断所述工作电流是否大于第一预设电流阈值;
第二判断单元32,用于当所述工作电流大于第一预设电流阈值时,判断所述工作电流是否大于第二预设电流阈值;
连接单元33,用于当所述工作电流不大于第一预设电流阈值时,将所述源端连接到器件地总线,将所述衬底端连接到衬底地总线;还用于当所述工作电流不大于第二预设电流阈值时,将所述源端和衬底端一起连接到衬底地总线;还用于当所述工作电流大于第二预设电流阈值时,将所述源端连接到独立线,将所述衬底端连接到衬底地总线。
在本实施例中,通过判断NMOS是否属于模拟敏感电路,以及设定合理的电流阈值I1和I2,将连接到AG的NMOS归类并指定给不同的AG拓扑连接位置(AGS/AGB/AGP),完成受保护管和污染源的分离,完善衬底噪声的新路径。
需要说明的是,在本文中,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述,不代表实施例的优劣。
以上仅为本发明的优选实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (6)
1.一种接地信号的连接方法,其特征在于,包括:
将器件到焊盘窗口的总线分为并行的器件地总线、衬底地总线和独立线;
判断需要焊接的NMOS管是否属于模拟电路;
若是,则根据所述NMOS管的工作电流与预设电流阈值的比较结果,将所述NMOS管的源端和衬底端连接到所述总线;
否则,将所述源端和衬底端一起连接到同一总线,
所述预设电流阈值包括第一预设电流阈值和第二预设电流阈值,所述第一预设电流阈值小于第二预设电流阈值,
所述根据所述NMOS管的工作电流与预设电流阈值的比较结果,将所述NMOS管的源端和衬底端连接到所述总线包括:
判断所述工作电流是否大于第一预设电流阈值,若不大于,则将所述源端连接到所述器件地总线,将所述衬底端连接到所述衬底地总线;
若所述工作电流大于第一预设电流阈值,则判断所述工作电流是否大于第二预设电流阈值,若是,则将所述源端连接到独立线,将所述衬底端连接到衬底地总线;
否则,将所述源端和衬底端一起连接到所述衬底地总线。
2.根据权利要求1所述的一种接地信号的连接方法,其特征在于,所述器件地总线、衬底地总线和独立线在器件端隔离设置,在焊盘窗口端单点连接。
3.根据权利要求1所述的一种接地信号的连接方法,其特征在于,所述独立线的数量为两个以上。
4.一种接地信号的连接装置,其特征在于,包括:
隔离模块,用于将器件到焊盘窗口的总线分为并行的器件地总线、衬底地总线和独立线;
判断模块,用于判断需要焊接的NMOS管是否属于模拟电路;
连接模块,用于当需要焊接的NMOS管属于模拟电路时,根据所述NMOS管的工作电流与预设电流阈值的比较结果,将所述NMOS管的源端和衬底端连接到总线;还用于当需要焊接的NMOS管不属于模拟电路时,将所述源端和衬底端一起连接到同一总线,
所述预设电流阈值包括第一预设电流阈值和第二预设电流阈值,所述第一预设电流阈值小于第二预设电流阈值,
所述连接模块包括:
第一判断单元,用于判断所述工作电流是否大于第一预设电流阈值;
第二判断单元,用于当所述工作电流大于第一预设电流阈值时,判断所述工作电流是否大于第二预设电流阈值;
连接单元,用于当所述工作电流不大于第一预设电流阈值时,将所述源端连接到器件地总线,将所述衬底端连接到衬底地总线;还用于当所述工作电流不大于第二预设电流阈值时,将所述源端和衬底端一起连接到衬底地总线;还用于当所述工作电流大于第二预设电流阈值时,将所述源端连接到独立线,将所述衬底端连接到衬底地总线。
5.根据权利要求4所述的一种接地信号的连接装置,其特征在于,所述器件地总线、衬底地总线和独立线在器件端隔离设置,在焊盘窗口端单点连接。
6.根据权利要求4所述的一种接地信号的连接装置,其特征在于,所述独立线的数量为两个以上。
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Citations (4)
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---|---|---|---|---|
US6040996A (en) * | 1998-11-16 | 2000-03-21 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. | Constant current programming waveforms for non-volatile memories |
CN101232020A (zh) * | 2007-01-24 | 2008-07-30 | 株式会社瑞萨科技 | 半导体集成电路 |
CN105897178A (zh) * | 2016-05-04 | 2016-08-24 | 苏州雷诚芯微电子有限公司 | 一种高良率的倒装芯片线性功率放大器及其应用 |
CN107045880A (zh) * | 2016-02-08 | 2017-08-15 | 恩智浦有限公司 | 具有用于高速和低电压的双位存储的高密度rom单元 |
-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6040996A (en) * | 1998-11-16 | 2000-03-21 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. | Constant current programming waveforms for non-volatile memories |
CN101232020A (zh) * | 2007-01-24 | 2008-07-30 | 株式会社瑞萨科技 | 半导体集成电路 |
CN107045880A (zh) * | 2016-02-08 | 2017-08-15 | 恩智浦有限公司 | 具有用于高速和低电压的双位存储的高密度rom单元 |
CN105897178A (zh) * | 2016-05-04 | 2016-08-24 | 苏州雷诚芯微电子有限公司 | 一种高良率的倒装芯片线性功率放大器及其应用 |
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