CN109904129A - 一种芯片散热系统及其制备方法 - Google Patents
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- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims abstract description 109
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 23
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 29
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 abstract description 3
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
本发明提供一种芯片散热系统及其制备方法，通过对散热系统中，散热片面积的阶梯性的差异化设计，从而保证不同芯片的工作温度趋于一致；进一步，利用衬底偏压技术，调节每一颗芯片的产热量，使得不同芯片的产热‑散热达到一个平衡的状态，使芯片工作温度更加趋于一致。本发明所述的芯片散热系统对芯片的工作温度调节有更高的精度和更广的应用范围，提高系统的性能、延长系统使用寿命和降低总能耗。
Description
技术领域
本发明属于半导体散热技术领域，具体涉及一种芯片散热系统及其制备方法。
背景技术
随着高科技的发展，电子产品越来越复杂，电子元器件的数量越来越多。电子产品内有许多高功率芯片一起工作，单位体积内的发热量很大，如果不对其进行散热，会对系统的性能和寿命造成极大影响。
传统散热方式是将散热片安装在电路板上，然后利用风扇从电路板的一端吹风至另一端来散热。然而，受到风扇和散热片的物理位置限制，风扇产生的气流先和较近的散热片作热交换，此时的气流温度较低，热交换的温差较大，散热效率高；然后气流随着风向流动，和较远处的散热片作热交换，因为之前做过热交换的缘故，此时气流温度较高，热交换的温差较小，散热效率低。因此，距离风扇较近的芯片工作温度低，距离风扇较远的芯片工作温度高，因此，这种传统的散热方式无法解决芯片间散热均衡问题。
对于一些芯片来说，在不同温度下工作会导致芯片有不同的性能，包括但不限于工作频率，工作能耗，电流大小，电压大小等等。同一个系统中，芯片间性能的差异会导致系统效率降低，能耗增加，使用寿命减少等问题。
综上，如何在满足芯片散热要求的条件下，尽可能的确保系统内的芯片工作温度(芯片结温)在同一温度，是本专利需要解决的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种解决现有技术中，由于芯片发热、散热不均衡导致芯片工作温度(芯片结温)差异比较大的问题。本发明提供一种如下的芯片散热系统及其制备方法：
一种芯片散热系统,包括:
电路板；
位于所述电路板其中一面的多颗芯片；
散热器,所述散热器与所述芯片邻接,用于对所述芯片进行散热；
风扇,所述风扇用于将空气从所述电路板的一端沿所述散热器吹风至所述电路板的另一端；
其中,所述散热器的散热片散热面积沿所述空气流动方向阶梯性增加。
进一步，所述散热片为翅片高度阶梯性增高的翅片结构，通过阶梯性增高的翅片高度获得所述散热面积的散热片。
进一步，所述散热片面积与△T成正比,其中,△T为工作状态下,散热片温度与空气流温度之间的温差。
进一步，所述芯片散热系统中，各芯片的工作温度最大值与最小值之差可控制不超过10±1℃。
进一步，所述芯片散热系统中,所述散热器为连续的整体散热结构、或对应设置于各芯片上的多个独立散热结构组成。
进一步，所述芯片散热系统还包括衬底偏压装置，所述衬底偏压装置用于改变芯片的阀值电压，使芯片散热系统中各芯片的工作温度趋于一致。
进一步，所述芯片散热系统中，各芯片的工作温度最大值与最小值之差可控制不超过2±1℃。
进一步，所述风扇为包括两个，所述风扇分别位于电路板两端，其中，一端的风扇用来吸取冷空气，向散热器吹风，另一端的风扇用来排出经过热交换后的热空气。
一种上述所述芯片散热系统的制备方法，包括以下步骤：将所述散热系统中散热器的散热片面积设置为阶梯性增加，使工作态下，散热器不同位置的散热量趋于一致；设置衬底偏压装置，所述衬底偏压装置用于对工作状态下的过热的芯片采用负偏压调节，温度较低的芯片采用正偏压调节，使各芯片的产热量趋于一致。
采用本发明的芯片散热系统及其制备方法，通过对散热片面积的阶梯性增加的差异化设计，一开始在吹风的空气温度较低的位置，所述散热片采用较小面积，随着换热，吹风空气温度升高，随着空气温度升高，采用增大面积的散热片，从而使不同位置散热片的散热量趋于一致，从而保证不同芯片的工作温度(芯片结温)趋于一致；进一步，利用衬底偏压技术，调节每一颗芯片的产热量，使得不同芯片的产热-散热达到一个平衡的状态，使芯片工作温度(芯片结温)更加趋于一致，进而促进整个系统高效运转，同时节约了能源。与现有技术中利用传统散热器相比，本发明所述的芯片散热系统对芯片的工作温度(芯片结温)调节有更高的精度和更广的应用范围，提高系统的性能、延长系统使用寿命和降低总能耗有较深远的意义。
附图说明
图1.本发明芯片散热系统具体实施方式一结构示意图；
图2.本发明芯片散热系统具体实施方式二结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图及具体实施方式对本发明做进一步详细的说明。
参考图1及图2，本发明的芯片散热系统，包括:电路板120、220；位于所述电路板120、220其中一面的多颗芯片；散热器,所述散热器与所述芯片邻接,用于对所述芯片进行散热；风扇,所述风扇，用于将空气从所述电路板120、220的一端沿所述散热器吹风至所述电路板120、220的另一端；其中,所述散热器的散热片散热面积沿所述空气流动方向阶梯性增加。
通过采用本发明的所述芯片散热系统，散热片可以对芯片进行良好的散热，使用时可以均衡不同位置的芯片散热量。参考传热公式Q＝K*A*△T，其中，Q为传热量，即散热片的散热量；K为散热片的传热系数；A为散热片散热面积，与散热片尺寸有关；△T为工作状态下,散热片温度与空气流温度之间的温差。系统运行时，风扇产生的空气先和较近的散热片进行热交换，此时的气流温度较低，△T较大；然后随着空气流动，和较远处的散热片作热交换，因为之前已经进行过热交换，此时空气温度较高，与散热片的温差△T较小。因而，为均衡△T不同带来的散热差异，设置所述散热器的散热片散热面积沿所述空气流动方向阶梯性增加，也就是说，设置距离风扇较近的散热片较小尺寸，即A(较小)，设置距离风扇较远的散热片较大的尺寸，即A(较大)。综上，靠近风扇的散热片散热量Q(近)＝K*△T(较大)*A(较小)，远离风扇的散热片散热量为Q(远)＝K*△T(较小)*A(较大)。由此，通过设置所述散热器的散热片散热面积沿所述空气流动方向阶梯性增加有效调节了由于△T不同导致的散热差，使得不同位置的散热片散热量可以保持在一个相对接近的范围内，从而保证系统的芯片工作在比较接近的工作温度。通常，所述散热系统中，不同位置的散热片材质是一致的，即不同位置的K值是一样的，所以Q(近)/Q(远)＝△T(较大)*A(较小)/△T(较小)*A(较大),为了保证Q(近)与Q(远)相当，即Q(近)/Q(远)，A(较小)/A(较大)＝△T(较小)/△T(较大)，所以为了保持不同位置趋于一致的散热量，优选所述散热片面积与△T成正比。采用上述的芯片散热系统，各芯片的工作温度最大值与最小值之差可控制不超过10±1℃，而对于现有的芯片散热系统中，采用面积一致大小的散热片，各芯片的工作温度最大值与最小值之差通常会达到20℃，甚至更高。
本发明的芯片散热系统，对于实际具体的散热片材料及尺寸大小的范围的设定，可以参考已有类似散热系统的散热片进行梯度调整设置，也可根据芯片功率，芯片尺寸大小，风扇的风速，具体工作环境温度等进行设置。
本发明的芯片散热系统具体实施方式一和具体实施方式二中，所述芯片包括芯片141、241，芯片142、242，芯片143、243，芯片144、244，芯片145、245五颗，在其它具体实施方式中，对于所述芯片数量没有特别限制，根据需要，可以为其它多颗的方式，比如两颗、三颗、十颗、二十颗等等。
本发明的芯片散热系统，所述散热器可以为图1具体实施方式一的散热器130所示的连续的整体散热结构，也可以为图2具体实施方式二所示的散热器，包括分别对应设置于芯片241，芯片242，芯片243，芯片244，芯片245上的散热结构231，散热结构232，散热结构233，散热结构234，散热结构235的独立散热结构。
本发明的芯片散热系统，优选所述的散热器还包括用于支撑散热片的散热片底座。为了提供高效的散热，优选所述散热器采用翅片结构，根据实际需要，可以选取合适的散热片截面形状，比如长方形、梯形或三角形等。进一步，对于该翅片结构的散热器，可以设置翅片高度阶梯性增高的翅片结构，通过阶梯性增高的翅片高度获得所述散热面积的散热片。
本发明的芯片散热系统，所述散热器的散热材料可以采用高导热的金属材料如铝、铁或铜等合金，但不仅局限于上述材料。根据上锡或者其他要求，会在散热材料表面的某些区域镀上其他材料。进一步的，在散热器与芯片之间会增加热界面材料，以改善界面接触热阻。
本发明的芯片散热系统，如图1或图2的具体实施方式一或具体实施方式二中，所述散热器位于电路板120、220的一侧，为了提高散热效率，也可以在电路板120、220的两侧都进行设置，通常如果另一侧也进行设置时，所述电路板120、220对应芯片处包括金属过孔，通过金属过孔将热量传导至背面。
本发明的芯片散热系统，可以为图1具体实施方式一，所述风扇包括两个，所述风扇分别位于电路板130两端，其中，电路板130一端的风扇111用来吸取冷空气，向散热器吹风，电路板130另一端的风扇112用来排出经过热交换后的热空气；也可以为图2具体实施方式一，仅为位于电路板230一端的风扇210用来吸取冷空气，向散热器吹风；但考虑到加速散热器周围的空气流动以提高散热效率，优选为具体实施方式一所采用的两个风扇共同作用。
继续参考图1或图2，在上述芯片散热系统的基础上，本发明的芯片散热系统进一步包括衬底偏压装置150、250，所述衬底偏压装置150、250用于改变芯片的阀值电压，使芯片散热系统中各芯片的工作温度趋于一致。通过前述利用散热片面积的阶梯性增加的差异化设计使各芯片的工作温度最大值与最小值之间的差别控制在一定范围内，进一步利用衬底偏压技术从芯片内部调节，通过改变芯片的产热量，来调节芯片的工作温度，使系统中各芯片的工作温度趋于一致，其中所述衬底偏压技术是指通过对器件衬底的电位加以控制，在衬底和源区之间加一个适当的电压，改变器件的阈值电压，从而控制器件的工作状态。
本发明的芯片散热系统，所述衬底偏压装置150、250对各芯片衬底偏置电压调节包括正偏压FBB(forward body-bias)、负偏压调节RBB(reverse body-bias)和零偏压ZBB(zero body-bias)。其中零偏压即衬底接地，是传统的电路设计方法。其中负偏压是直接在源-衬底之间增加一个反向电压，它可以使场感应结的耗尽层进一步展宽，并引起其中的空间电荷密度增加，从而导致器件的阈值电压的升高，这降低了芯片的工作速度，减少了芯片的产热。相反，正偏压可以导致器件的阈值电压降低，可以提高芯片的工作速度，增加了芯片的产热。通过正偏压和负偏压的调节可以改变芯片的阈值电压，从而调节芯片的产热量。衬底正偏压可以增加芯片的产热，而衬底负偏压可以减少芯片的产热。因此，可以进一步通过衬底偏压装置150、250对各芯片的产热进行矫正，具体来说，对于芯片发热量低于平均值的，通过正偏压调节以增加芯片的产热，对于芯片发热量高于平均值的，通过负偏压调节以减少芯片的产热，使各芯片的产热更加平衡，从而使芯片的工作温度更加趋于一致，通过本发明所述衬底偏压装置150、250的调节，各芯片的工作温度最大值与最小值之差可控制不超过2±1℃。
本发明的芯片散热系统，所述衬底偏压的调节可以通过改变n阱和p阱的电压来实现。具体实施方式为：对于NMOS管，可以通过将n阱的电压调节为0-2V来实现所述正偏压，降低芯片阈值电压以提高芯片的工作速度，进而提高芯片的产热；可以将p阱的电压调节为0ˉ-2V来实现负偏压，升高芯片阈值电压以降低芯片的工作速度，进而调低芯片的产热；对于PMOS管，可以通过将p阱l的电压调节为0ˉ-2V来实现正偏压，降低芯片的阈值电压以提高芯片的工作速度，进而提高芯片的产热；可以将N-wel l的电压调节为0-2V来实现负偏压，提高芯片的阈值电压以降低芯片的工作速度，进而调低芯片的产热。所述衬底偏压装置150、250，可以在芯片设计时，通过指定12位寄存器来控制n阱和p阱的供电电压，在使用中，通过改变寄存器的值可以改变n阱和p阱的电压。当然也可以通过设计外部电路或者其他方式调节n阱和p阱的电压，凡是与本发明所述调节原理一致的做法，都在本发明的保护范围内。本发明的芯片散热系统，在具体实际应用中，可以根据器件的晶体管类型、衬底类型、芯片的发热量选择所述对应的方式来调节芯片的衬底电压。
本发明还提供一种上述所述芯片散热系统的制备方法，包括以下步骤：将所述散热系统中散热器的散热片面积设置为阶梯性增加，使工作态下，散热器不同位置的散热量趋于一致；设置衬底偏压装置，所述衬底偏压装置用于对工作状态下的过热的芯片采用负偏压调节，温度较低的芯片采用正偏压调节，使各芯片的产热量趋于一致。如前所述，对于散热片尺寸大小的设定，可以参考已有类似散热系统的散热片进行梯度调整设置，也可根据芯片功率，芯片尺寸大小，风扇的风速，具体工作环境温度等进行设置，所述设置可以采用计算机仿真的方式，也可以在实际工作状态下的不断调整使其产热趋于一致；对于所述衬底偏压装置的正偏压调节或负偏压调节，可以采用工作状态下芯片温度实时监测下进行对应调节，从而使各芯片的产热量趋于一致。
本发明还提供一种具体实施方式三的芯片散热系统及其制备方法。在本具体实施方式三中，采用了64颗8mm*8mm的芯片搭建芯片散热系统，其中，环境温度为40℃，单颗芯片的功率为7.6w。通过计算机仿真制备具有如下的散热片散热面积梯度增加的连续的整体散热结构的散热器二的散热系统和现有常用的散热片散热面积不变的连续的整体散热结构的散热器二的散热系统：
散热器一：(长方形散热器)长270MM，宽122MM，高18.6MM，翅片厚0.8MM，翅片高14MM 20片
散热器二：(阶梯形散热器)长270MM，宽122MM，高18.6MM，翅片厚0.8MM，翅片高5-16MM(沿着风向逐渐增加)20片
工作状态下，监测对应的芯片工作温度，采用散热器一的散热系统，芯片工作温度范围为60-80℃，采用散热器二的散热系统，芯片的工作温度范围为70℃-80℃。
进一步对具有散热器二的散热系统设置衬底偏置压装置进行产热矫正调节，芯片的工作温度范围为78-80℃。
在本具体实施方式三中，通过梯度化散热片尺寸设计，调节了散热器在不同位置的散热效率。受到物理结构的限制，这一方法可以将芯片工作温度的差距控制在10℃左右；进一步的，利用衬底偏压技术调节每颗芯片的产热量，使得芯片间产热—散热平衡，可以将芯片工作温度的差距控制在2℃左右。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (9)
1.一种芯片散热系统,包括:
电路板；
位于所述电路板其中一面的多颗芯片；
散热器,所述散热器与所述芯片邻接,用于对所述芯片进行散热；
风扇,所述风扇用于将空气从所述电路板的一端沿所述散热器吹风至所述电路板的另一端；
其中,所述散热器的散热片散热面积沿所述空气流动方向阶梯性增加。
2.根据权利要求1所述的芯片散热系统，其特征在于，所述散热片为翅片高度阶梯性增高的翅片结构，通过阶梯性增高的翅片高度获得所述散热面积的散热片。
3.根据权利要求1所述的芯片散热系统，其特征在于，所述散热片面积与△T成正比,其中,△T为工作状态下,散热片温度与空气流温度之间的温差。
4.根据权利要求1所述的芯片散热系统，其特征在于，所述芯片散热系统中，各芯片的工作温度最大值与最小值之差可控制不超过10±1℃。
5.根据权利要求1所述的芯片散热系统，其特征在于，所述芯片散热系统中,所述散热器为连续的整体散热结构、或对应设置于各芯片上的多个独立散热结构组成。
6.根据权利要求1所述的芯片散热系统，其特征在于，所述芯片散热系统还包括衬底偏压装置，所述衬底偏压装置用于改变芯片的阀值电压，使芯片散热系统中各芯片的工作温度趋于一致。
7.根据权利要求6所述的芯片散热系统，其特征在于，所述芯片散热系统中，各芯片的工作温度最大值与最小值之差可控制不超过2±1℃。
8.根据权利要求1所述的芯片散热系统，其特征在于，所述风扇为包括两个，所述风扇分别位于电路板两端，其中，一端的风扇用来吸取冷空气，向散热器吹风，另一端的风扇用来排出经过热交换后的热空气。
9.一种如权利要求1-8任意一项所述芯片散热系统的制备方法，包括以下步骤：将所述散热系统中散热器的散热片面积设置为阶梯性增加，使工作态下，散热器不同位置的散热量趋于一致；设置衬底偏压装置，所述衬底偏压装置用于对工作状态下的过热的芯片采用负偏压调节，温度较低的芯片采用正偏压调节，使各芯片的产热量趋于一致。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910009593.0A CN109904129A (zh) | 2019-01-04 | 2019-01-04 | 一种芯片散热系统及其制备方法 |
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|---|---|
| CN (1) | CN109904129A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110708932A (zh) * | 2019-09-25 | 2020-01-17 | 北京比特大陆科技有限公司 | 散热器和具有其的pcb散热组件、服务器 |
| CN113927176A (zh) * | 2021-11-26 | 2022-01-14 | 深圳市宏钢机械设备有限公司 | 异种材料钎焊局部镀水冷底座 |
| CN114899164A (zh) * | 2022-04-28 | 2022-08-12 | 合肥悦芯半导体科技有限公司 | 一种均热散热器和半导体测试设备 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1757008A (zh) * | 2002-12-31 | 2006-04-05 | 全美达股份有限公司 | 电路管理 |
| CN201238048Y (zh) * | 2008-08-11 | 2009-05-13 | 洋鑫科技股份有限公司 | Cpu散热器 |
| CN201803348U (zh) * | 2010-09-16 | 2011-04-20 | 奇鋐科技股份有限公司 | Led模块的温度控管系统 |
| CN103576717A (zh) * | 2012-07-26 | 2014-02-12 | 三星电子株式会社 | 芯片上系统及其温度控制方法 |
| CN204440306U (zh) * | 2015-03-17 | 2015-07-01 | 临沂大学 | 一种网络系统中易散热的散热器 |
| CN107947793A (zh) * | 2017-11-13 | 2018-04-20 | 苏州云芯微电子科技有限公司 | 一种用于多芯片模数转换器采样相位一致性校准的电路及方法 |
-
2019
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1757008A (zh) * | 2002-12-31 | 2006-04-05 | 全美达股份有限公司 | 电路管理 |
| CN201238048Y (zh) * | 2008-08-11 | 2009-05-13 | 洋鑫科技股份有限公司 | Cpu散热器 |
| CN201803348U (zh) * | 2010-09-16 | 2011-04-20 | 奇鋐科技股份有限公司 | Led模块的温度控管系统 |
| CN103576717A (zh) * | 2012-07-26 | 2014-02-12 | 三星电子株式会社 | 芯片上系统及其温度控制方法 |
| CN204440306U (zh) * | 2015-03-17 | 2015-07-01 | 临沂大学 | 一种网络系统中易散热的散热器 |
| CN107947793A (zh) * | 2017-11-13 | 2018-04-20 | 苏州云芯微电子科技有限公司 | 一种用于多芯片模数转换器采样相位一致性校准的电路及方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110708932A (zh) * | 2019-09-25 | 2020-01-17 | 北京比特大陆科技有限公司 | 散热器和具有其的pcb散热组件、服务器 |
| CN113927176A (zh) * | 2021-11-26 | 2022-01-14 | 深圳市宏钢机械设备有限公司 | 异种材料钎焊局部镀水冷底座 |
| CN114899164A (zh) * | 2022-04-28 | 2022-08-12 | 合肥悦芯半导体科技有限公司 | 一种均热散热器和半导体测试设备 |
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