CN109634344A - 一种高带宽低压差线性稳压器 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种高带宽低压差线性稳压器,包括:比较器、第一开关管和米勒电容;所述比较器的第一输入端连接参考电压,所述比较器的第二输入端连接所述第一开关管的第一端,所述比较器的输出端连接所述第一开关管的控制端;所述第一开关管的第一端连接负载,所述第一开关管的第二端连接电源电压;所述米勒电容的第一端连接所述第一开关管的控制端,所述米勒电容的第二端连接所述第一开关管的第一端。本发明实施例中的高带宽LDO无需要求闭环电路的输出稳定,通过米勒电容使第一开关管的输出震荡稳定在负载要求的范围之内,无需限制LDO的带宽以使其输出稳定,实现了高带宽、负载瞬态响应速度快的低压差线性稳压器。
Description
本案是基于申请号为201710135653.4母案的分案申请
技术领域
本发明涉及电力电子技术领域,尤其涉及一种高带宽低压差线性稳压器。
背景技术
随着半导体工艺的发展,低压差线性稳压器(LDO,Low-dropout Regulator)成为了3D NAND闪存的制作过程中至关重要的一环。
传统的模拟LDO广泛应用于各种电路结构中。然而,为了保证在不同负载条件下LDO输出的稳定性,会导致LDO具有较高的静态功耗以及需要较大的去耦电容,这使得现有的模拟LDO的带宽低、负载瞬态响应速度慢。
发明内容
为了解决现有技术中LDO带宽低、负载瞬态响应速度慢的问题,本发明提供了一种高带宽低压差线性稳压器(LDO)。
本发明实施例提供的高带宽低压差线性稳压器,包括:比较器、第一开关管和米勒电容;
所述比较器的第一输入端连接参考电压,所述比较器的第二输入端连接所述第一开关管的第一端,所述比较器的输出端连接所述第一开关管的控制端;
所述第一开关管的第一端连接负载,所述第一开关管的第二端连接电源电压;
所述米勒电容的第一端连接所述第一开关管的控制端,所述米勒电容的第二端连接所述第一开关管的第一端。
可选的,还包括:驱动模块;
所述驱动模块,用于将所述比较器输出的信号驱动后输出至所述第一开关管的控制端。
可选的,所述驱动模块,包括:PMOS管和NMOS管;
所述PMOS管的源极连接所述电源电压,所述PMOS管的漏极连接所述第一开关管的控制端,所述PMOS管的栅极连接所述比较器的输出端;
所述NMOS管的栅极连接所述比较器的输出端,所述NMOS管的源极接地,所述NMOS管的漏极连接所述第一开关管的控制端。
可选的,所述驱动模块,包括:第一反相器;
所述第一反相器的输入端连接所述比较器的输出端,所述第一反相器的输出端连接所述第一开关管的控制端。
可选的,所述驱动模块,包括:第一反相器、PMOS管和NMOS管;
所述第一反相器的输入端连接所述比较器的输出端,所述第一反相器的输出端连接所述PMOS管的栅极;
所述PMOS管的源极连接所述电源电压,所述PMOS管的漏极连接所述第一开关管的控制端;
所述NMOS管的栅极连接所述第一反相器的输出端,所述NMOS管的源极接地,所述NMOS管的漏极连接所述第一开关管的控制端。
可选的,所述驱动模块,还包括:第一电流源和/或第二电流源;
所述第一电流源的输入端连接所述电源电压,所述第一电流源的输出端连接所述PMOS管的源极;
所述第二电流源的输入端连接所述NMOS管的源极,所述第二电流源的输出端接地。
可选的,所述驱动模块,还包括:第二反相器;
所述第二反相器的输入端连接所述比较器的输出端,所述第二反相器的输出端连接所述第一反相器的输入端。
可选的,所述第一反相器为反相缓冲器或反相放大器。
可选的,所述米勒电容的容值小于所述负载的等效电容的容值;
所述米勒电容的容值大于所述第一开关管控制端处寄生电容的容值。
可选的,100Cx≤Cload,且Cx≥10Cp;
其中,Cx为所述米勒电容的容值,所述Cload为所述负载等效电容的容值,Cp为所述第一开关管控制端处寄生电容的容值。
与现有技术相比,本发明至少具有以下优点:
本发明实施例提供的高带宽LDO,包括比较器、第一开关管和米勒电容。采用比较器比较第一开关管输出至负载的电压以及参考电压的大小,并将比较结果输出至第一开关管的控制端,使LDO的带宽不因原有的误差放大器而限制,实现了LDO的高带宽。第一开关管的第一端连接负载,第二端连接电源电压;米勒电容连接在第一开关管的第一端和控制端之间。由于米勒效应,米勒电容减小了第一开关管的输出震荡,降低了本发明实施例中LDO的输出噪音,使其波形满足负载的需求。因此,有别于现有的模拟LDO,本发明实施例中的高带宽LDO无需要求闭环电路的输出稳定,通过米勒电容使第一开关管的输出震荡稳定在负载要求的范围之内,无需限制LDO的带宽以使其输出稳定,实现了高带宽、负载瞬态响应速度快的低压差线性稳压器。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本发明提供的高带宽低压差线性稳压器实施例一的电路拓扑图;
图2为本发明提供的高带宽低压差线性稳压器实施例二的结构图;
图3为本发明实施例二提供的高带宽低压差线性稳压器的第一种实现方式的一种电路拓扑图;
图4为本发明实施例二提供的高带宽低压差线性稳压器的第一种实现方式的另一种电路拓扑图;
图5为本发明实施例二提供的高带宽低压差线性稳压器的第二种实现方式的电路拓扑图;
图6本发明实施例二提供的高带宽低压差线性稳压器的第三种实现方式的电路拓扑图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例一:
参见图1,该图为本发明提供的高带宽低压差线性稳压器实施例一的电路拓扑示意图。
本实施例提供的高带宽LDO,包括:比较器Comp、第一开关管K1和米勒电容Cm;
所述比较器Comp的第一输入端连接参考电压Vref,所述比较器Comp的第二输入端连接所述第一开关管K1的第一端,所述比较器Comp的输出端连接所述第一开关管K1的控制端;
所述第一开关管K1的第一端连接负载,所述第一开关管K1的第二端连接电源电压Vcc;
所述米勒电容Cm的第一端连接所述第一开关管K1的控制端,所述米勒电容Cm的第二端连接所述第一开关管K1的第一端。
可以理解的是,相较于传统的LDO电路所采用的误差运算放大器的工作带宽,比较器的带宽更高,相应的提高了本实施例的LDO的带宽。
本实施例提供的高带宽LDO的工作原理如下:
比较器Comp比较参考电压Vref以及输出至负载的输出电压Vx的大小。当输出电压Vx大于参考电压Vref时,节点Ng(位于第一开关管K1的控制端)处为高电平,第一开关管K1闭合,负载消耗米勒电容Cm上的电量,拉低输出电压Vx;当输出电压Vx小于参考电压Vref时,节点Ng处为高电平,第一开关管K1开通,向输出电压Vx处传导电流,拉高输出电压Vx。通过上述步骤,就可以将输出至负载的输出电压Vx稳定在参考电压Vref。
有别于传统的LDO,本实施例中的高带宽LDO无需另外的电路结构来保证输出的稳定,通过米勒电容Cm即可限制输出电压Vx的震荡,使之满足不同负载的供电要求。具体原理如下:
由于米勒电容Cm造成的米勒效应,当输出电压Vx的噪声过大,其震荡变化通过米勒电容Cm耦合至节点Ng,减缓了第一开关管K1的开通和关断,相应的减小了输出电压Vx的震荡,纠正输出电压Vx的非线性失真,使输出电压Vx稳定在负载能够承受的范围之内。
需要说明的是,由于米勒电容Cm对输出电压Vx的反馈控制以及比较器Comp,使得本实施例的LDO对负载突降(load dump)的响应速度远大于传统的模拟LDO。
本实施例中LDO的电压转换速率(Slew rate)由输出电压Vx和负载的等效电容决定。
还需要说明的是,米勒电容Cm的容值小于负载的等效电容的容值。米勒电容Cm的容值大于第一开关管K1控制端处寄生电容的容值,这样可以保证将输出电压Vx的噪声尽可能多的耦合至节点Ng,减小Vx的非线性失真。
在本实施例的一些可能的实现方式中,100Cx≤Cload,且Cx≥10Cp;其中,Cx为所述米勒电容Cm的容值,所述Cload为所述负载等效电容的容值,Cp为所述第一开关管K1控制端处寄生电容的容值。
由于Cx≥10Cp,使得输出电压Vx中将近90%-100%的震荡耦合在节点Ng处。经实验确定,输出电压Vx的噪声可以从原先的201mV降至20mV,其波形能够满足各种负载的需要。
本实施例提供的高带宽LDO,包括比较器、第一开关管和米勒电容。采用比较器比较第一开关管输出至负载的电压以及参考电压的大小,并将比较结果输出至第一开关管的控制端,使LDO的带宽不因原有的误差放大器而限制,实现了LDO的高带宽。第一开关管的第一端连接负载,第二端连接电源电压;米勒电容连接在第一开关管的第一端和控制端之间。由于米勒效应,米勒电容减小了第一开关管的输出震荡,降低了本实施例中LDO的输出噪音,使其波形满足负载的需求。因此,有别于现有的模拟LDO,本实施例中的高带宽LDO无需要求闭环电路的输出稳定,通过米勒电容使第一开关管的输出震荡稳定在负载要求的范围之内,无需限制LDO的带宽以使其输出稳定,实现了高带宽、负载瞬态响应速度快的低压差线性稳压器。另外,为达到相同的设计指标(如功、噪声、负载突降、负载调整率、线性调整率等),相较于传统的LDO,本实施例的LDO消耗了更小的静态电流。
实施例二:
参见图2,该图为本发明提供的高带宽低压差线性稳压器实施例二的电路拓扑图。相较于图1,本实施例提供了一种更加具体的电路拓扑结构。
在实施例一的基础上,本实施例提供的高带宽LDO还包括:驱动模块100;
所述驱动模块100,用于将所述比较器Comp输出的信号驱动后输出至所述第一开关管K1的控制端。
需要说明的是,驱动模块100使比较器Comp输出的信号能够满足第一开关管K1的驱动需求。进一步的,驱动模块100还可以缓冲输出至第一开关管K1的信号,提高本实施例中LDO输出的稳定性。
可以理解的是,驱动模块100有多种可能的实现方式,下面举例说明:
第一种可能的实现方式,如图3所示,所述驱动模块100,包括:PMOS管PM和NMOS管NM;
所述PMOS管PM的源极连接所述电源电压Vcc,所述PMOS管PM的漏极连接所述第一开关管K1的控制端,所述PMOS管PM的栅极连接所述比较器Comp的输出端;
所述NMOS管NM的栅极连接所述比较器Comp的输出端,所述NMOS管NM的源极接地,所述NMOS管NM的漏极连接所述第一开关管K1的控制端。
在本实现方式中,第一开关管K1为PMOS管,该PMOS管的栅极连接驱动模块100的输出端,漏极连接负载,源极连接电源电压Vcc。比较器Comp的同相输入端连接参考电压Vref,反相输入端连接第一开关管K1的第一端(即该PMOS管的漏极)。
可选的,还可以通过添加恒定电流源来限定输出电压Vx的变化速率。具体的,如图4所示,所述驱动模块100,还包括:第一电流源Ipu和/或第二电流源Ipd;
所述第一电流源Ipu的输入端连接所述电源电压Vcc,所述第一电流源Ipu的输出端连接所述PMOS管PM的源极;
所述第二电流源Ipd的输入端连接所述NMOS管NM的源极,所述第二电流源Ipd的输出端接地。
第一电流源Ipu限制输出电压Vx的升压速度,而第二电流源Ipd限制输出电压Vx的降压速度。
第二种可能的实现方式,如图5所示,所述驱动模块100,包括:第一反相器Inv1;
所述第一反相器Inv1的输入端连接所述比较器Comp的输出端,所述第一反相器Inv1的输出端连接所述第一开关管K1的控制端。
在本实现方式中,第一开关管K1为PMOS管,该PMOS管的栅极连接驱动模块100的输出端,漏极连接负载,源极连接电源电压Vcc。比较器Comp的同相输入端连接参考电压Vref,反相输入端连接第一开关管K1的第一端(即该PMOS管的漏极)。
根据需要,所述第一反相器Inv1可以是电流不补偿型反相器、反相缓冲器或反相放大器,第一反相器Inv1的延迟时间或放大倍数根据实际情况设定,这里不再赘述。
在一些可能的实现方式中,还可以采用多级放大或缓冲的形式。此时,所述驱动模块100,还包括:第二反相器(未在图中示出);所述第二反相器的输入端连接所述比较器Comp的输出端,所述第二反相器的输出端连接所述第一反相器Inv1的输入端。
第三种可能的实现方式,参见图6,所述驱动模块100,包括:第一反相器Inv1、PMOS管PM和NMOS管NM;
所述第一反相器Inv1的输入端连接所述比较器Comp的输出端,所述第一反相器Inv1的输出端连接所述PMOS管PM的栅极;
所述PMOS管PM的源极连接所述电源电压Vcc,所述PMOS管PM的漏极连接所述第一开关管K1的控制端;
所述NMOS管NM的栅极连接所述第一反相器Inv1的输出端,所述NMOS管NM的源极接地,所述NMOS管NM的漏极连接所述第一开关管K1的控制端。
可选的,所述驱动模块100,还包括:第二反相器Inv2;
所述第二反相器Inv2的输入端连接所述比较器Comp的输出端,所述第二反相器Inv2的输出端连接所述第一反相器Inv1的输入端。
同理,所述第一反相器Inv1和第二反相器Inv2可以是电流不补偿型反相器、反相缓冲器或反相放大器。
在本实现方式中,第一开关管K1为PMOS管,该PMOS管的栅极连接驱动模块100的输出端,漏极连接负载,源极连接电源电压Vcc。比较器Comp的同相输入端连接参考电压Vref,反相输入端连接第一开关管K1的第一端(即该PMOS管的漏极)。
在一些可能的实现方式中,所述驱动模块100,还包括:第一电流源Ipu和/或第二电流源Ipd;
所述第一电流源Ipu的输入端连接所述电源电压Vcc,所述第一电流源Ipu的输出端连接所述PMOS管PM的源极;
所述第二电流源Ipd的输入端连接所述NMOS管NM的源极,所述第二电流源Ipd的输出端接地。
可以理解的是,第一电流源Ipu和第二电流源Ipd的具体工作原理与上面所述的类似,这里不再赘述。
下面以图6所示的电路拓扑为例,详细说明本实施例提供的LDO的工作原理。为方便说明,节点N1位于比较器的输出端,节点N2位于第二反相器Inv2的输出端,节点N3位于第一反相器Inv1的输出端,节点Ng位于第一开关管K1的控制端。
首先,比较器Comp比较参考电压Vref和输出电压Vx。当输出电压Vx大于参考电压Vref时,比较器Comp输出低电平,节点N1为低电平,节点N2为高电平,节点N3为低电平,PMOS管PM导通,NMOS管NM关断,节点Ng为高电平,第一开关管K1闭合,负载消耗电容Cx上的电量,拉低输出电压Vx。
由于电路的动态变化,可以忽视输出电压Vx等于参考电压Vref的情况。
然后,当输出电压Vx降至小于参考电压Vref时,比较器Comp输出高电平,节点N1为高电平,节点N2为低电平,节点N3为高电平,PMOS管PM关断,NMOS管NM开通,节点Ng为低电平,第一开关管K1开通,向输出电压Vx传导电流,拉高输出电压Vx。
通过上述过程,输出电压Vx即稳定在参考电压Vref。
在图6所示的电路拓扑中,节点N1、节点N2、节点N3、均非主极点,节点Ng为主极点。
通过仿真实验得知,图6所示的LDO使用耐压100mV容值为400pF的去耦电容即可保证最大50mA的负载输出能力。
以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制。虽然本发明已以较佳实施例揭露如上,然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围情况下,都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例。因此,凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰,均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
Claims (10)
1.一种高带宽低压差线性稳压器,其特征在于,包括:比较器、第一开关管和米勒电容;
所述比较器的第一输入端用于连接参考电压,所述比较器的第二输入端连接所述第一开关管的第一端,所述比较器的输出端连接所述第一开关管的控制端;
所述第一开关管的第一端用于连接负载,所述第一开关管的第二端用于连接电源电压;
所述米勒电容的第一端连接所述第一开关管的控制端,所述米勒电容的第二端连接所述第一开关管的第一端;
所述米勒电容,用于限制所述第一开关管的第一端输出电压的震荡。
2.根据权利要求1所述的高带宽低压差线性稳压器,其特征在于,还包括:驱动模块;
所述驱动模块,用于将所述比较器输出的信号驱动后输出至所述第一开关管的控制端。
3.根据权利要求2所述的高带宽低压差线性稳压器,其特征在于,所述驱动模块,包括:PMOS管和NMOS管;
所述PMOS管的源极用于连接所述电源电压,所述PMOS管的漏极连接所述第一开关管的控制端,所述PMOS管的栅极连接所述比较器的输出端;
所述NMOS管的栅极连接所述比较器的输出端,所述NMOS管的源极接地,所述NMOS管的漏极连接所述第一开关管的控制端。
4.根据权利要求2所述的高带宽低压差线性稳压器,其特征在于,所述驱动模块,包括:第一反相器;
所述第一反相器的输入端连接所述比较器的输出端,所述第一反相器的输出端连接所述第一开关管的控制端。
5.根据权利要求2所述的高带宽低压差线性稳压器,其特征在于,所述驱动模块,包括:第一反相器、PMOS管和NMOS管;
所述第一反相器的输入端连接所述比较器的输出端,所述第一反相器的输出端连接所述PMOS管的栅极;
所述PMOS管的源极连接所述电源电压,所述PMOS管的漏极连接所述第一开关管的控制端;
所述NMOS管的栅极连接所述第一反相器的输出端,所述NMOS管的源极接地,所述NMOS管的漏极连接所述第一开关管的控制端。
6.根据权利要求3或5所述的高带宽低压差线性稳压器,其特征在于,所述驱动模块,还包括:第一电流源和/或第二电流源;
所述第一电流源的输入端连接所述电源电压,所述第一电流源的输出端连接所述PMOS管的源极;
所述第二电流源的输入端连接所述NMOS管的源极,所述第二电流源的输出端接地。
7.根据权利要求4或5所述的高带宽低压差线性稳压器,其特征在于,所述驱动模块,还包括:第二反相器;
所述第二反相器的输入端连接所述比较器的输出端,所述第二反相器的输出端连接所述第一反相器的输入端。
8.根据权利要求4或5所述的高带宽低压差线性稳压器,其特征在于,所述第一反相器为反相缓冲器或反相放大器。
9.根据权利要求1所述的高带宽低压差线性稳压器,其特征在于,
所述米勒电容的容值小于所述负载的等效电容的容值;
所述米勒电容的容值大于所述第一开关管的控制端处寄生电容的容值。
10.根据权利要求9所述的高带宽低压差线性稳压器,其特征在于,100Cx≤Cload,且Cx≥10Cp;
其中,Cx为所述米勒电容的容值,所述Cload为所述负载的等效电容的容值,Cp为所述第一开关管的控制端处寄生电容的容值。
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US11675379B2 (en) * | 2018-09-14 | 2023-06-13 | Intel Corporation | Variable-adaptive integrated computational digital low dropout regulator |
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CN111755058A (zh) * | 2019-03-27 | 2020-10-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种动态反馈读出放大电路 |
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CN110187730A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-08-30 | 广东明丰电源电器实业有限公司 | 一种节能线性电路及电子设备 |
US11480984B2 (en) * | 2019-07-23 | 2022-10-25 | Magnachip Semiconductor, Ltd. | Low dropout voltage regulator and driving method of low dropout voltage regulator |
CN111338416A (zh) * | 2020-03-17 | 2020-06-26 | 北京思众电子科技有限公司 | 一种基于bcd工艺的ldo电路控制系统及控制方法 |
US11474548B2 (en) * | 2020-04-03 | 2022-10-18 | Wuxi Petabyte Technologies Co, Ltd. | Digital low-dropout regulator (DLDO) with fast feedback and optimized frequency response |
CN111506144B (zh) * | 2020-05-20 | 2022-07-01 | 上海维安半导体有限公司 | 一种应用于ldo中的低功耗方法 |
US11552434B2 (en) * | 2020-05-22 | 2023-01-10 | Qualcomm Incorporated | Overvoltage protection scheme for connector ports |
CN112327987B (zh) * | 2020-11-18 | 2022-03-29 | 上海艾为电子技术股份有限公司 | 一种低压差线性稳压器及电子设备 |
CN112379718A (zh) * | 2020-11-24 | 2021-02-19 | 无锡艾为集成电路技术有限公司 | 线性稳压器、电子设备及线性稳压器折返限流的方法 |
CN113009959B (zh) * | 2021-03-09 | 2022-10-04 | 上海艾为电子技术股份有限公司 | 线性稳压器、电子设备及线性稳压器折返限流的方法 |
CN112987837B (zh) * | 2021-04-15 | 2021-07-27 | 上海南芯半导体科技有限公司 | 一种用于补偿ldo输出极点的前馈补偿方法和电路 |
US11656643B2 (en) * | 2021-05-12 | 2023-05-23 | Nxp Usa, Inc. | Capless low dropout regulation |
CN113467567A (zh) * | 2021-07-28 | 2021-10-01 | 深圳市中科蓝讯科技股份有限公司 | 一种基准源电路及芯片 |
CN114564063B (zh) * | 2022-03-14 | 2023-11-10 | 长鑫存储技术有限公司 | 稳压器及其控制方法 |
CN115756070B (zh) * | 2022-10-15 | 2023-07-25 | 北京伽略电子股份有限公司 | 一种低压差线性稳压器以及稳压系统 |
CN116540817A (zh) * | 2023-05-24 | 2023-08-04 | 深圳飞渡微电子有限公司 | 一种自供电的电荷泵型高电源抑制比ldo电路及其控制方法 |
CN117093047B (zh) * | 2023-08-30 | 2024-08-30 | 合芯科技(苏州)有限公司 | 加速稳压电路、低压差线性稳压器及电子产品 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW357360B (en) * | 1996-12-10 | 1999-05-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Internal power voltage generating circuit |
CN102117089A (zh) * | 2009-12-31 | 2011-07-06 | 财团法人工业技术研究院 | 低压降稳压器 |
CN103744803A (zh) * | 2014-01-26 | 2014-04-23 | 无锡云动科技发展有限公司 | 一种电源组件及存储系统 |
CN105700605A (zh) * | 2014-12-11 | 2016-06-22 | 三星电子株式会社 | 基于反相放大器的双环电压调节器及其电压调节方法 |
US9552004B1 (en) * | 2015-07-26 | 2017-01-24 | Freescale Semiconductor, Inc. | Linear voltage regulator |
CN106708153B (zh) * | 2017-03-08 | 2019-03-12 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种高带宽低压差线性稳压器 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0363805A (ja) * | 1989-08-02 | 1991-03-19 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロコンピュータ |
JP3063805B2 (ja) | 1991-02-25 | 2000-07-12 | オリンパス光学工業株式会社 | 光学式情報再生装置および記録媒体 |
JP3085562B2 (ja) * | 1992-10-12 | 2000-09-11 | 三菱電機株式会社 | 基準電圧発生回路および内部降圧回路 |
US5552697A (en) * | 1995-01-20 | 1996-09-03 | Linfinity Microelectronics | Low voltage dropout circuit with compensating capacitance circuitry |
JP4149637B2 (ja) | 2000-05-25 | 2008-09-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
KR100353544B1 (en) | 2000-12-27 | 2002-09-27 | Hynix Semiconductor Inc | Circuit for generating internal supply voltage of semiconductor memory device |
US6518737B1 (en) * | 2001-09-28 | 2003-02-11 | Catalyst Semiconductor, Inc. | Low dropout voltage regulator with non-miller frequency compensation |
US6600299B2 (en) * | 2001-12-19 | 2003-07-29 | Texas Instruments Incorporated | Miller compensated NMOS low drop-out voltage regulator using variable gain stage |
US7095257B2 (en) * | 2004-05-07 | 2006-08-22 | Sige Semiconductor (U.S.), Corp. | Fast low drop out (LDO) PFET regulator circuit |
TWI275919B (en) * | 2005-03-30 | 2007-03-11 | Sitronix Technology Corp | Quick-recovery low dropout linear regulator |
US7248531B2 (en) | 2005-08-03 | 2007-07-24 | Mosaid Technologies Incorporated | Voltage down converter for high speed memory |
US7589507B2 (en) * | 2005-12-30 | 2009-09-15 | St-Ericsson Sa | Low dropout regulator with stability compensation |
US7710091B2 (en) * | 2007-06-27 | 2010-05-04 | Sitronix Technology Corp. | Low dropout linear voltage regulator with an active resistance for frequency compensation to improve stability |
TWI395083B (zh) | 2009-12-31 | 2013-05-01 | Ind Tech Res Inst | 低壓降穩壓器 |
US8872492B2 (en) * | 2010-04-29 | 2014-10-28 | Qualcomm Incorporated | On-chip low voltage capacitor-less low dropout regulator with Q-control |
JP5936447B2 (ja) | 2012-05-31 | 2016-06-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路 |
JP2013254538A (ja) | 2012-06-06 | 2013-12-19 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US20140159683A1 (en) * | 2012-12-07 | 2014-06-12 | Sandisk Technologies Inc. | Settling Time and Effective Band Width for Op-Amps Using Miller Capacitance Compensation |
CN103064455B (zh) * | 2012-12-07 | 2016-06-08 | 广州慧智微电子有限公司 | 一种基于调零电阻的动态零点米勒补偿线性电压调整电路 |
CN103268134B (zh) * | 2013-06-03 | 2015-08-19 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 可提高瞬态响应的低压差电压调节器 |
CN103713682B (zh) * | 2014-01-09 | 2015-08-26 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 低压差线性稳压器 |
CN104881070B (zh) * | 2014-02-27 | 2016-11-09 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 一种适用于mems应用的超低功耗ldo电路 |
CN104076854B (zh) * | 2014-06-27 | 2016-02-03 | 电子科技大学 | 一种无电容低压差线性稳压器 |
CN106206590A (zh) * | 2015-05-07 | 2016-12-07 | 成都海存艾匹科技有限公司 | 电压产生器分离的三维纵向存储器 |
CN104950974B (zh) | 2015-06-30 | 2017-05-31 | 华为技术有限公司 | 低压差线性稳压器与增加其稳定性的方法及锁相环 |
DE102015216493B4 (de) * | 2015-08-28 | 2021-07-08 | Dialog Semiconductor (Uk) Limited | Linearer Regler mit verbesserter Stabilität |
DE102015218656B4 (de) * | 2015-09-28 | 2021-03-25 | Dialog Semiconductor (Uk) Limited | Linearregler mit verbessertem Versorgungsspannungsdurchgriff |
US10175706B2 (en) * | 2016-06-17 | 2019-01-08 | Qualcomm Incorporated | Compensated low dropout with high power supply rejection ratio and short circuit protection |
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Patent Citations (6)
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---|---|---|---|---|
TW357360B (en) * | 1996-12-10 | 1999-05-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Internal power voltage generating circuit |
CN102117089A (zh) * | 2009-12-31 | 2011-07-06 | 财团法人工业技术研究院 | 低压降稳压器 |
CN103744803A (zh) * | 2014-01-26 | 2014-04-23 | 无锡云动科技发展有限公司 | 一种电源组件及存储系统 |
CN105700605A (zh) * | 2014-12-11 | 2016-06-22 | 三星电子株式会社 | 基于反相放大器的双环电压调节器及其电压调节方法 |
US9552004B1 (en) * | 2015-07-26 | 2017-01-24 | Freescale Semiconductor, Inc. | Linear voltage regulator |
CN106708153B (zh) * | 2017-03-08 | 2019-03-12 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种高带宽低压差线性稳压器 |
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