CN109500505A - 半导体制造装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施方式提供一种半导体制造装置，能抑制激光光束的散射，并能在相对短时间内高品质地加工半导体衬底。实施方式的半导体制造装置通过对半导体衬底照射激光，沿着切断预定线在半导体衬底上形成改质区域。光源出射激光。光学系统具有将激光聚光于半导体衬底的物镜。光调制器能够对激光的能量密度分布进行调制。控制部对光调制器进行控制，使得激光的能量密度分布的峰值位置从物镜的光轴朝向光学系统相对于半导体衬底的相对移动方向偏移。

Description

半导体制造装置
[关联申请]
本申请享有以日本专利申请2017-176070号(申请日：2017年9月13日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及一种半导体制造装置。
背景技术
当将半导体衬底单片化为芯片时，有一种方法是将激光聚光于半导体衬底而生成改质层，沿着此改质层将半导体衬底劈开。半导体衬底内的改质层会因内部应力一定程度劈开，所以有时候激光会被其解理面反射或折射。激光反射或折射产生的散射光会到达半导体衬底的半导体集成电路区域，损伤半导体集成电路。
为了抑制此种散射光，考虑降低激光功率(方法1)、或者延长激光振荡周期以增大相邻改质区域间的间距(方法2)。方法1中，由于散射光的能量本身小，所以能抑制半导体集成电路的损伤。不过，若激光功率低，则改质区域变小，因此必须增加激光照射次数(通过次数)。因此加工耗时长，生产性降低。
另一方面，方法2中由于激光的照射间距大，所以激光不怎么会入射至已经形成的解理面，从而抑制散射光。不过，若照射间距大，则半导体衬底的解理面不稳定，难以将半导体衬底高品质地单片化为芯片。
发明内容
本发明的实施方式提供一种能够抑制激光光束的散射，并在相对短时间内高品质地加工半导体衬底的半导体制造装置。
实施方式的半导体制造装置通过对半导体衬底照射激光，沿着切断预定线在半导体衬底上形成改质区域。光源出射激光。光学系统具有物镜，所述物镜将激光聚光于半导体衬底。光调制器能够对激光的能量密度分布进行调制。控制部控制光调制器，使得激光的能量密度分布的峰值位置，从物镜的光轴朝向光学系统相对于半导体衬底的相对移动方向偏移。
附图说明
图1是表示第1实施方式的激光加工装置的构成例的概略图。
图2是表示激光装置的内部构成的一例的概略图。
图3是表示光调制器控制器的内部构成的一例的框图。
图4是表示第1实施方式的激光光束的能量密度分布的曲线图。
图5是表示使用激光光束加工半导体衬底的状况的剖视图。
图6是表示激光光束的能量密度分布的曲线图。
图7是表示使用激光光束加工半导体衬底的状况的剖视图。
图8是表示激光光束的照射间距和峰值位置的偏移量的关系的曲线图。
图9是表示第2实施方式的激光光束的能量密度分布的曲线图。
图10是表示使用第2实施方式的激光加工装置加工半导体衬底的状况的剖视图。
图11是表示使用第2实施方式的激光加工装置加工半导体衬底的状况的剖视图。
图12是表示第3实施方式的激光装置的内部构成的一例的概略图。
图13是表示第3实施方式的激光加工装置的构成例的剖视图。
图14是表示第4实施方式的激光加工装置的构成例的概略图。
图15是表示第4实施方式的激光加工装置的构成例的剖视图。
具体实施方式
下面，参照附图来说明本发明的实施方式。本实施方式并不对本发明进行限定。附图是示意图或概念图，各部分的比率等并非必须和实物相同。说明书和附图中，对和前图已叙述的要素相同的要素附加相同符号，并适当地省略详细说明。
(第1实施方式)
图1是表示第1实施方式的激光加工装置1的构成例的概略图。激光加工装置1是以下装置：沿着半导体衬底W的切断预定线(切割线)照射激光光束，使半导体结晶改质而形成改质层。沿着该改质层将半导体衬底W劈开，由此半导体衬底W沿着切割线被切断，单片化为半导体芯片。用这样的方式将激光加工装置1用于半导体衬底W的激光切割。
这种激光加工装置1具备载物台10、可动轴20～23、可动轴控制器30、激光装置40及主控制器50。
载物台10可搭载加工的半导体衬底W，吸附并固定该半导体衬底W。可动轴20～22设置在载物台10的下部，使载物台10在大体水平面内进行平行移动或旋转移动。可动轴20、21分别使载物台10在大体水平面内朝向X轴方向及Y轴方向平行移动。可动轴22使载物台10在大致水平面内旋转移动。可动轴23设置在激光装置40，使激光装置40自身移动。
可动轴控制器30对可动轴20～23进行控制。由此，可动轴控制器30能够使载物台10及半导体衬底W相对于激光装置40相对移动。此外，可动轴控制器30能够使激光装置40相对于载物台10移动。
激光装置40使激光光束2脉冲振荡，并对激光光束2进行整形和调制，利用物镜(聚光透镜)使激光光束2聚光于半导体衬底W内。激光光束2的脉冲频率例如为约90kHz。为了控制半导体衬底W内的激光光束2的焦点位置，激光装置40能够利用可动轴23在Z方向上移动。关于激光装置40的内部构成，将参照图2在后文说明。
主控制器50对激光装置40或可动轴控制器等激光加工装置1的整体进行控制。
图2是表示激光装置40的内部构成的一例的概略图。激光装置40具备激光振荡器41、光束整形器42、光调制器43、光束整形器44、物镜(聚光透镜)45、及光调制器控制器46。
作为光源的激光振荡器41对激光光束进行脉冲振荡并出射。光束整形器42对来自激光振荡器41的激光光束的能量密度分布(即能量强度分布)进行调整。
光调制器43具有呈格子状或矩阵状二维排列的像素电极(未图示)，利用施加于像素电极的电压，对激光光束的波长、相位、能量密度分布(即能量强度分布)等进行控制。
光调制器控制器46为了变更激光光束的波长、相位、能量密度(即能量强度)等而控制光调制器43。参照图3在下文说明光调制器控制器46的内部构成。
经光调制器43调制后的激光光束被光束整形器44进行最终的调整，然后被物镜45聚光。物镜45使激光光束朝向半导体衬底W照射，让激光光束聚光于半导体衬底W内的特定深度位置。
光束整形器42、44及物镜45作为对激光光束进行调制，使所述激光光束聚光于半导体衬底W的光学系统发挥功能。
图3是表示光调制器控制器46的内部构成的一例的框图。光调制器控制器46具备接口部141、144、调制图案存储部142、及调制图案控制器143。
调制图案存储部142存储激光光束的波长、相位、能量密度等的调制图案。调制图案是以特定时序向光调制器43输出的电信号的图案，使得激光光束的波长、相位、能量密度等处在特定值或特定范围。用户通过主控制器50预先输入或选择调制图案，经由接口部141登录到调制图案存储部142。调制图案存储部142在半导体衬底W的加工时，向调制图案控制器143输出调制图案。
调制图案控制器143对调制图案存储部142、接口部141、144进行控制。调制图案控制器143经由接口部144按照调制图案存储部142中储存的调制图案对光调制器43进行控制。由此，光调制器控制器46能够按照载物台10或激光装置40的动作，对照设至半导体衬底W的激光光束进行调制。
在本实施方式中，光调制器控制器46对激光光束的能量密度分布(能量强度分布)进行调制。因此，本文中调制图案是用来对激光光束的能量密度分布(能量强度分布)进行调制的电信号图案。关于本实施方式的调制图案将在下文说明。激光光束的波长、相位等虽未特别提及，可固定，也可以在半导体衬底W的加工中调制。
图4是表示第1实施方式的激光光束的能量密度分布的曲线图。横轴表示图5所示的物镜45(光学系统)相对于半导体衬底W的相对移动方向(+X方向)。纵轴表示激光光束的能量密度分布(能量强度分布)。原点0是能量密度分布的第1端部Xe1和第2端部Xe2之间的中心位置，且是物镜45的光轴(光瞳中心)。即，激光光束以能量密度分布的中心位置(Xe1和Xe2之间的中心位置)和物镜45的光轴大体一致的方式入射至物镜45。
通常，激光光束的能量密度具有相对于穿过原点0的纵轴左右对称的高斯分布(参照图9)。这种情况下，激光光束的能量密度的峰值位置P处在纵轴上。不过，本实施方式中，使激光光束的能量密度的峰值位置P从纵轴向加工行进方向偏移。
于此，如图4所示，激光光束的能量密度分布的中心位置(Xe1和Xe2之间的中心位置)和原点0大体一致，激光光束的能量密度分布的峰值位置P朝+X方向(物镜45的移动方向)偏移，处在+X1的位置。即，激光光束的能量密度分布的峰值位置P从能量密度分布的中心点0朝+X方向偏移+X1。作为控制部的光调制器控制器46控制光调制器43，使得激光光束的能量密度分布的峰值位置P从能量密度分布的中心0朝向物镜45相对于半导体衬底W的相对移动方向(+X方向)。峰值位置P表示激光光束2的能量密度(强度)的最大值的位置。
图5是表示使用激光光束加工半导体衬底W的状况的剖视图。激光光束2入射至物镜45后，从半导体衬底W的背面F2入射，聚光于半导体衬底W内的位置Lf。利用激光光束2的能量，破坏位置Lf处的半导体衬底W的结晶(例如硅结晶)，形成改质区域100。在改质区域100周围，因为应力而形成劈开区域110。改质区域100延伸到激光光束2的聚光位置的上方(背面F2侧)，不怎么朝下方(表面F1侧)延伸。此外，改质区域100例如形成在距半导体衬底W的表面F1约40μm的位置。
实际上，一边用载物台10使半导体衬底W朝-X方向移动，一边用激光装置40对激光光束2进行周期性脉冲振荡。因此，如图5所示，改质区域100在物镜45相对于半导体衬底W的相对移动方向(+X方向)间断(离散)地形成。另外，激光的照射间距相对较窄，改质区域100沿着切割线呈层状或带状形成。因此，以下将多个改质区域100也称为改质层。此外，本说明书中记载的是，在半导体衬底W的加工中，物镜45相对于半导体衬底W及载物台10相对移动。不过，载物台10及半导体衬底W也可以相对于物镜45(光学系统)移动。
于此，线Lp表示激光光束2的能量密度分布的峰值位置P的线。激光光束2是以物镜45的光轴0为中心入射的，Lp相对于物镜45的光轴0朝物镜45的相对移动方向(+X方向)偏移+X1。换句话说，光调制器控制器46使峰值位置P从能量密度分布的中心0朝向改质区域100相对于半导体衬底W的形成方向(+X方向)偏移+X1。即，峰值位置P朝加工行进方向偏移。
由此，能量密度高的峰值位置P处的激光光束2基本上不通过改质区域100及劈开区域110地到达聚光位置Lf。由于峰值位置P的激光光束2基本上不通过改质区域100及劈开区域110，强度高的激光光束2基本上不会向改质区域100及劈开区域110散射。即，激光光束2的反射、折射引起的散射光得到抑制，能够抑制半导体衬底的表面设置的半导体集成电路的损伤。
图6及图7表示物镜45相对于半导体衬底W的行进方向为反(-X方向)的情况。
图6是表示激光光束的能量密度分布的曲线图。激光光束的能量密度分布的中心位置(Xe1和Xe2之间的中心位置)和原点0大体一致，激光光束的能量密度分布的峰值位置P向-X方向(物镜45的移动方向)偏移，处在-X1的位置。即，激光光束的能量密度分布的峰值位置P从能量密度分布的中心点0朝向-X方向偏移-X1。
像这样，本实施方式中，作为控制部的光调制器控制器46控制光调制器43，使得激光光束的能量密度分布的峰值位置P，从能量密度分布的中心0朝向物镜45相对于半导体衬底W的相对移动方向(-X方向)偏移。
图7是表示使用激光光束加工半导体衬底W的状况的剖视图。激光光束2入射至物镜45之后，从半导体衬底W的背面F2入射，并聚光于半导体衬底W内的位置Lf。利用激光光束2的能量，破坏位置Lf处的半导体衬底W的结晶(例如硅结晶)，形成改质区域100。在改质区域100周围因应力而形成劈开区域110。
实际上，一边用载物台10使半导体衬底W朝+X方向移动，一边用激光装置40对激光光束2进行周期性脉冲振荡。因此，如图7所示，改质区域100在物镜45相对于半导体衬底W的相对移动方向(-X方向)间断(离散)地形成。
于此，激光光束2以物镜45的光轴0为中心入射的，Lp相对于物镜45的光轴0朝物镜45的相对移动方向(-X方向)偏移-X1。换句话说，光调制器控制器46使峰值位置P从能量密度分布的中心0朝向改质区域100相对于半导体衬底W的形成方向(-X方向)偏移-X1。即，峰值位置P朝加工行进方向偏移。
由此，能量密度高的峰值位置P的激光光束2基本上不通过改质区域100及劈开区域110地到达聚光位置Lf。由于强度高的峰值位置P的激光光束2基本上不会通过改质区域100及劈开区域110，激光光束2基本上不会向改质区域100及劈开区域110散射。即，因激光光束2的反射、折射引起的散射光得到抑制，从而能够抑制半导体衬底的表面设置的半导体集成电路的损伤。
像这样，根据本实施方式，光调制器控制器46控制光调制器43，使得能量密度分布的峰值位置P朝向物镜45的相对移动方向偏移。由此，能够抑制激光光束2的散射光，并且高品质地将半导体衬底W单片化为半导体芯片。
如图5和图7所示，当物镜45相对于半导体衬底W的移动方向切换时，光调制器控制器46对照物镜45的移动方向，来切换峰值位置P相对于能量密度分布的中心的偏移。即，光调制器控制器46对照物镜45相对于半导体衬底W的移动方向自动地切换峰值位置P的偏移方向。例如，当一边使激光光束2脉冲振荡一边使载物台10往复移动时，光调制器控制器46在去路(例如+X方向)和返路(-X方向)使峰值位置P的偏移方向从+X方向向-X方向自动切换。由此，即便物镜45相对于半导体衬底W的移动方向改变，也能继续地抑制激光光束2的散射光。结果，能够抑制散射光，并效率良好地加工半导体衬底W，相对地缩短其加工时间。
(关于偏移量的考察)
图8是表示激光光束2的照射间距和峰值位置的偏移量的关系的曲线图。横轴表示峰值位置P相对于激光光束2的能量密度分布的中心位置0的偏移量。偏移量的单位为光调制器43的像素数。另，物镜45的相对行进方向设为-X方向。即，偏移量表示图7的-X1。纵轴表示相邻的多个改质区域100间的间距(图7的P100)。
偏移量作为调制图案的部分信息预先储存在图4的调制图案存储部142即可。调制图案控制器143按照调制图案存储部142储存的偏移量，使峰值位置P相对于激光光束2的能量密度分布的中心位置0偏移。另，偏移量也可以不储存在调制图案存储部142，而是从主控制器50直接输入到调制图案控制器143。
L1～L5表示能够将激光光束2的散射光维持为未达阈值的下限间距。通常，间距P100越大则激光光束2越远离相邻的改质区域100，因此难以通过此改质区域100及劈开区域110。由此，间距P100越大，散射光越减少。另一方面，间距P100越窄，激光光束2越靠近相邻的改质区域100及劈开区域110，容易通过此改质区域100及劈开区域110。由此，间距P100越窄，散射光越增加。
因此，L1～L5表示的下限间距越低，意味着越能将散射光抑制得低，并缩小间距P100。间距P100若过大，则半导体衬底W的劈开不稳定，难以将半导体衬底W高品质地单片化为芯片。因此，若考虑半导体芯片的品质及可靠性，优选为间距P100较窄。由此，若能将散射光抑制得低，并缩小间距P100，就能同时实现散射光的抑制和单片化的容易化。
此外，L1～L5下，激光光束2的1脉冲(1照射(shot))的能量各不相同。L1表示的激光光束2的能量为例如3.33μJ/照射。L2表示的激光光束2的能量为例如6.67μJ/照射。L3表示的激光光束2的能量为例如10.00μJ/照射。L4表示的激光光束2的能量为例如13.33μJ/照射。L5表示的激光光束2的能量为例如16.67μJ/照射。
参照L1～L5，若激光光束2的能量上升，为了抑制散射光，就需要增大下限间距。另一方面，不依赖于激光光束2的能量，若偏移量在-X方向为2像素以上(-2像素以下)，则下限间距会变小。这意味着：通过将峰值位置P相对于激光光束2的能量密度分布的中心位置0的偏移设为2像素以上，就能抑制散射光。因此，可以说优选将峰值位置P相对于激光光束2的能量密度分布的中心位置0的偏移设为2像素以上。
(第2实施方式)
图9是表示第2实施方式的激光光束的能量密度分布的曲线图。在第1实施方式中，是使激光光束的能量密度分布的峰值位置P从能量密度分布的中心点0偏移。相对于此，第2实施方式中，不使峰值位置P从能量密度分布的中心点0偏移，而是使激光光束整体从物镜45的光轴偏移。因此，如图9所示，在第2实施方式中，激光光束的能量密度具有高斯分布。这种情况下，激光光束的能量密度的峰值位置P处在纵轴上。另一方面，如图10和图11所示，光调制器控制器46使激光光束2整体从透镜45的光轴0偏移。
图10和图11是表示使用第2实施方式的激光加工装置1加工半导体衬底W的状况的剖视图。图10及图11在激光光束2的能量密度分布方面不同于图5及图7，其他构成和图5及图7是相同的。
于此，如上所述，激光光束2相对于物镜45的光轴0朝向物镜45相对于半导体衬底W的相对移动方向(+X方向)偏移。换句话说，光调制器控制器46通过使激光光束2整体相对于物镜45偏移，而使峰值位置P从物镜45的光轴0朝向改质区域100相对于半导体衬底W的形成方向(+X方向)偏移+X1。结果，和第1实施方式的峰值位置P同样地，峰值位置P朝加工行进方向偏移。
图11表示物镜45相对于半导体衬底W的行进方向为反(-X方向)的情况。于此，激光光束2相对于物镜45的光轴0朝物镜45相对于半导体衬底W的相对移动方向(-X方向)偏移。换句话说，光调制器控制器46通过使激光光束2整体相对于物镜45偏移，而使峰值位置P从物镜45的光轴0朝改质区域100相对于半导体衬底W的形成方向(-X方向)偏移-X1。结果，和第1实施方式的峰值位置P同样地，峰值位置P朝加工行进方向偏移。
当物镜45相对于半导体衬底W的移动方向切换时，光调制器控制器46对照物镜45相对于半导体衬底W的移动方向，自动切换激光光束2相对于物镜45的偏移方向。
由此，第2实施方式能够获得和第1实施方式相同的效果。
(第3实施方式)
图12是表示第3实施方式的激光装置40的内部构成的一例的概略图。在第3实施方式中，光调制器控制器46使激光光束2相对于物镜45的入射角从物镜45的光轴倾斜。
为了实现这种形态，第3实施方式的激光装置40还具备反射镜MRR1、MRR2、和致动器ACT1、ACT2。反射镜MRR1配置在光调制器43和光束整形器44之间的激光光束的光路上。反射镜MRR2配置在光束整形器44和物镜45之间的激光光束的光路上。致动器ACT1设置在光调制器43上，能够变更光调制器43的角度。致动器ACT2设置在反射镜MRR2上，能够变更反射镜MRR2的角度。致动器ACT1、ACT2由光调制器控制器46控制。光调制器控制器46按照调制图案来变更光调制器43及反射镜MRR2的角度。由此，能够变更激光光束2的入射角。第3实施方式的其他构成和第1实施方式的对应构成相同即可。
图13是表示第3实施方式的激光加工装置1的构成例的剖视图。在第3实施方式中，光调制器控制器46使激光光束2相对于物镜45的光轴的入射角，从垂直于半导体衬底W的表面F1或背面F2的垂直方向(Y方向)朝向物镜45相对于半导体衬底W的相对移动方向(-X方向)倾斜。另，峰值位置P并不从激光光束2的能量密度分布的中心偏移。此外，物镜45自身也不倾斜，物镜45的光轴和Y方向大体一致。第3实施方式的其他构成和第1实施方式的对应构成相同即可。
例如，将激光光束2入射至物镜45的角度设为φ，将激光光束2入射至聚光位置Lf的角度设为θ。另，入射角φ及θ如线Lp所示是峰值位置P处的激光光束2的入射角。
这种情况下，入射角φ及θ是从物镜45的光轴(Y方向)朝向物镜45的相对移动方向(-X方向)倾斜的角度。激光光束2从物镜45的光轴(Y方向)朝向物镜45的相对移动方向(-X方向)以入射角φ倾斜后入射至物镜45。此外，激光光束2从Y方向朝向物镜45的相对移动方向(-X方向)以入射角θ倾斜后入射至聚光位置Lf。
换句话说，光调制器控制器46控制光调制器43，使得激光光束2入射至物镜45的入射角从Y方向朝向改质区域100的形成方向以角度φ倾斜。由此，激光光束2从Y方向朝向物镜45的相对移动方向(-X方向)以入射角θ倾斜后入射至聚光位置Lf。即，线Lp相对于加工行进方向以角度θ倾斜。
像这样，通过使激光光束2的入射角从Y方向朝向加工行进方向倾斜，能够使能量密度高的峰值位置P处的激光光束2基本上不通过改质区域100及劈开区域110地到达聚光位置Lf。因此，第3实施方式能够获得和第1实施方式相同的效果。
当物镜45相对于半导体衬底W的移动方向改变时，光调制器控制器46以使入射角φ及θ朝移动方向倾斜的方式变更光调制器43。即，光调制器控制器46以对照物镜45的移动方向的方式自动切换入射角φ及θ。由此，即便物镜45相对于半导体衬底W的移动方向改变，也能够继续抑制激光光束2的散射光。结果，能够相对地缩短半导体衬底W的加工时间。
(第4实施方式)
图14是表示第4实施方式的激光加工装置1的构成例的概略图。在第3实施方式中，不倾斜物镜45的光轴而是使激光光束2的入射角从物镜45的光轴倾斜。相对于此，第4实施方式中，是使物镜45的光轴和激光光束2的入射角一起倾斜。另，这种情况下，激光光束2的入射角也可以不相对于物镜45的光轴倾斜。
为了实现这种形态，第4实施方式的激光加工装置1还具备倾斜轴24、25。倾斜轴24设置在载物台10的下方，构成为使载物台10和半导体衬底W一起倾斜。倾斜轴25设置在激光装置40，构成为使激光装置40和物镜45一起倾斜。倾斜轴24、25由可动轴控制器30控制。可动轴控制器30按照调制图案变更半导体衬底W的角度或物镜45的角度。由此，能够使物镜45的光轴和激光光束2的入射角一起倾斜，变更激光光束2的入射角。第4实施方式的其他构成和第1实施方式的对应构成相同即可。
图15是表示第4实施方式的激光加工装置1的构成例的剖视图。在第4实施方式中，使物镜45的光轴及激光光束2的入射角，从垂直于半导体衬底W的表面F1或背面F2的垂直方向(Y方向)朝向物镜45相对于半导体衬底W的相对移动方向(+X方向)倾斜。另，图15中，将物镜45的移动方向设为+X方向。
例如，激光光束2的入射角及物镜45的光轴以角度φ从Y方向倾斜。这时，将激光光束2入射至聚光位置Lf的角度设为θ。激光光束2的入射角及物镜45的光轴的倾斜方向是从Y方向朝物镜45的相对移动方向(+X方向)。即，入射角φ及θ是从Y方向朝物镜45的相对移动方向(+X方向)倾斜的角度。
激光光束2从Y方向朝向物镜45的相对移动方向(+X方向)以入射角φ倾斜后入射至物镜45。由此，激光光束2从Y方向朝物镜45的相对移动方向(+X方向)以入射角θ倾斜后入射至聚光位置Lf。
换句话说，可动轴控制器30控制倾斜轴25，使得物镜45的光轴及激光光束2的入射角从Y方向朝改质区域100的形成方向以角度φ倾斜。通过用可动轴控制器30控制倾斜轴25，能够使物镜45及激光装置40相对于载物台10倾斜。由此，激光光束2从Y方向朝物镜45的相对移动方向(+X方向)以入射角θ倾斜后入射至聚光位置Lf。即，线Lp相对于加工行进方向以角度θ倾斜。
当物镜45相对于半导体衬底W的移动方向改变时，可动轴控制器30以使入射角φ及θ朝移动方向倾斜的方式变更光调制器43及物镜45的倾斜方向。即，可动轴控制器30以对照物镜45的移动方向的方式自动切换入射角φ及θ。另，物镜45的光轴的倾斜角的切换，是通过用可动轴控制器30控制倾斜轴24，变更载物台10相对于物镜45或激光装置40的倾斜来进行变更。
由此，即便物镜45相对于半导体衬底W的移动方向改变，也能继续抑制激光光束2的散射光。由此，第4实施方式能够获得和第3实施方式相同的效果。
虽然对本发明的若干实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为示例提出的，并不意图限定发明的范围。这些实施方式能以其他各种形态实施，且在不脱离发明主旨的范围内，能够进行各种省略、置换、变更。这些实施方式或其变化包含于发明的范围及主旨，同样包含于权利要求记载的发明及其均等范围内。
[符号的说明]
1 激光加工装置
10 载物台
20～23 可动轴
30 可动轴控制器
40 激光装置
50 主控制器
41 激光振荡器
42 光束整形器
43 光调制器
44 光束整形器
45 物镜
46 光调制器控制器
141、144 接口部
142 调制图案存储部
143 调制图案控制器

Claims (11)

1.一种半导体制造装置，其特征在于：通过对半导体衬底照射激光，沿着切断预定线在所述半导体衬底上形成改质区域，且具备：
光源，出射所述激光；
光学系统，具有将所述激光聚光于所述半导体衬底的物镜；
光调制器，能够对所述激光的能量密度分布进行调制；以及
控制部，对所述光调制器进行控制，使得所述激光的能量密度分布的峰值位置从所述物镜的光轴朝向所述光学系统相对于所述半导体衬底的相对移动方向偏移。
2.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于：所述控制部对所述光调制器进行控制，使得所述峰值位置从所述物镜的光轴朝向所述改质区域相对于所述半导体衬底的形成方向偏移。
3.根据权利要求1或2所述的半导体制造装置，其特征在于：当所述移动方向改变时，所述控制部变更所述光调制器，使得相对于所述物镜的光轴的所述峰值位置朝向所述移动方向偏移。
4.根据权利要求1或2所述的半导体制造装置，其特征在于：所述控制部对所述光调制器进行控制，使得所述激光的能量密度分布的峰值位置，从该能量密度分布的中心朝向所述移动方向偏移。
5.根据权利要求1或2所述的半导体制造装置，其特征在于：所述控制部对所述光调制器进行控制，使得所述激光的能量密度分布的中心从所述物镜的光轴朝向所述移动方向偏移。
6.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于：所述峰值位置相对于所述物镜的光轴的偏移为所述光调制器的2像素以上。
7.一种半导体制造装置，其特征在于：通过对半导体衬底照射激光，沿着切断预定线在所述半导体衬底上形成改质区域，且具备：
光源，出射所述激光；
光学系统，将所述激光聚光于所述半导体衬底；
光调制器，能对所述激光进行调制；以及
控制部，对所述光学系统或所述光调制器进行控制，使得所述激光相对于所述半导体衬底的入射角，从与所述半导体衬底的表面垂直的方向，朝向所述光学系统相对于所述半导体衬底的相对移动方向倾斜。
8.根据权利要求7所述的半导体制造装置，其特征在于：所述控制部对所述光学系统或所述光调制器进行控制，使得所述入射角从所述垂直方向朝向所述改质区域相对于所述半导体衬底的形成方向倾斜。
9.根据权利要求7或8所述的半导体制造装置，其特征在于：当所述移动方向改变时，所述控制部变更所述光学系统或所述光调制器，使得所述入射角朝向所述移动方向倾斜。
10.根据权利要求7或8所述的半导体制造装置，其特征在于：所述光学系统具有物镜，所述物镜将所述激光聚光于所述半导体衬底，
所述控制部对所述光学系统或所述光调制器进行控制，使得所述激光相对于所述物镜的入射角从所述垂直方向倾斜。
11.根据权利要求7或8所述的半导体制造装置，其特征在于：所述光学系统具有物镜，所述物镜将所述激光聚光于所述半导体衬底，
所述控制部对所述光学系统或所述光调制器进行控制，使得所述物镜的光轴从所述垂直方向倾斜。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113146054A (zh) * 2020-01-23 2021-07-23 上海新微技术研发中心有限公司 激光加工装置及激光加工方法
WO2021181511A1 (ja) * 2020-03-10 2021-09-16 三菱電機株式会社 波長変換レーザ装置および波長変換レーザ加工機

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1716544A (zh) * 2004-06-14 2006-01-04 株式会社迪斯科 晶片处理方法
US20090314755A1 (en) * 2008-06-18 2009-12-24 Sung-Won Chung Laser annealing apparatus
JP2011051011A (ja) * 2009-08-03 2011-03-17 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法及び半導体装置の製造方法
CN102066036A (zh) * 2008-06-17 2011-05-18 伊雷克托科学工业股份有限公司 在多头激光机械加工系统中沿着共用夹具的行进方向消除头对头偏差
CN103025474A (zh) * 2010-07-26 2013-04-03 浜松光子学株式会社 激光加工方法
CN105665946A (zh) * 2014-12-04 2016-06-15 株式会社迪思科 晶片的生成方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5635976A (en) * 1991-07-17 1997-06-03 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate
JPH08144970A (ja) * 1994-11-16 1996-06-04 Daido Metal Co Ltd スクロール型コンプレッサー用チップシール及びその製造方法
US6341029B1 (en) * 1999-04-27 2002-01-22 Gsi Lumonics, Inc. Method and apparatus for shaping a laser-beam intensity profile by dithering
US8497450B2 (en) * 2001-02-16 2013-07-30 Electro Scientific Industries, Inc. On-the fly laser beam path dithering for enhancing throughput
US20090030853A1 (en) * 2007-03-30 2009-01-29 De La Motte Alain L System and a method of profiting or generating income from the built-in equity in real estate assets or any other form of illiquid asset
JP4402708B2 (ja) * 2007-08-03 2010-01-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法
CN102006964B (zh) * 2008-03-21 2016-05-25 Imra美国公司 基于激光的材料加工方法和系统
JP2011121061A (ja) * 2009-12-08 2011-06-23 Mitsubishi Electric Corp レーザ加工方法および装置
JP2013027887A (ja) * 2011-07-27 2013-02-07 Toshiba Mach Co Ltd レーザダイシング方法
JP6272302B2 (ja) * 2013-03-27 2018-01-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP6353683B2 (ja) * 2014-04-04 2018-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP6272145B2 (ja) * 2014-05-29 2018-01-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP6258787B2 (ja) 2014-05-29 2018-01-10 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP6521711B2 (ja) 2015-04-20 2019-05-29 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6542630B2 (ja) * 2015-09-29 2019-07-10 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1716544A (zh) * 2004-06-14 2006-01-04 株式会社迪斯科 晶片处理方法
CN102066036A (zh) * 2008-06-17 2011-05-18 伊雷克托科学工业股份有限公司 在多头激光机械加工系统中沿着共用夹具的行进方向消除头对头偏差
US20090314755A1 (en) * 2008-06-18 2009-12-24 Sung-Won Chung Laser annealing apparatus
JP2011051011A (ja) * 2009-08-03 2011-03-17 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法及び半導体装置の製造方法
CN103025474A (zh) * 2010-07-26 2013-04-03 浜松光子学株式会社 激光加工方法
CN105665946A (zh) * 2014-12-04 2016-06-15 株式会社迪思科 晶片的生成方法

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