CN109297262A - 基板处理装置及方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种用于干燥基板的装置和方法。用于干燥基板的装置包括内部具有处理空间的腔室、在所述处理空间内配置为支撑基板的基板支撑单元、配置为在水平状态和倾斜状态之间对通过所述基板支撑单元支撑的基板状态进行转换的转换单元、配置为向所述处理空间供应干燥流体的流体供应单元、以及设置为控制所述转换单元和所述流体供应单元的控制器。依据本发明构思的实施例，由于通过转换基板状态为倾斜状态可以使存留在基板上的一部分液体流下来，并随后通过使用干燥流体去除残留在基板上的剩余液体，因此可以缩短干燥基板的时间。

Description

基板处理装置及方法
技术领域
在此描述的发明构思的实施例涉及一种用于处理基板的装置及方法。
背景技术
为制造半导体器件，通过各种工艺，例如显影、蚀刻、灰化、离子注入和薄膜沉积在基板上形成理想图案，在上述工艺中，采用了各种不同的处理液，并且在上述工艺中产生了污染物和颗粒物。为解决上述问题，用于清洁污染物和颗粒物的清洁过程基本上在上述工艺之前和之后进行。
一般而言，清洁过程包括液体处理过程和干燥过程，在液体处理过程中，采用化学品和冲洗液处理基板，在干燥过程中，去除存留在基板上的液体。近年来，为防止基板上的图案塌陷，通过采用具有较低表面张力的超临界流体来干燥基板。
由于采用超临界流体的基板干燥过程是在高压腔室内进行的，因此液体处理过程和干燥过程在不同的腔室内进行。如果在基板送入干燥腔室之前存留在基板上的液体自然干燥，就会产生处理过程瑕疵。为避免此种情况发生，在液体处理过程中，在基板送入干燥腔室之前会有足够大量的液体存留在基板上。
然而，由于存留在基板上的大量液体不得不利用超临界流体从干燥室中去除，所以，干燥过程需用很长时间。
【现有技术文献】
【专利文献】
韩国专利申请公开号2011-0101045。
发明内容
本发明的构思的实施例提供了一种即使在足够大量的液体存留在基板上时也能够用于迅速执行干燥基板过程的装置和方法。
本发明的构思提供了一种用于干燥基板的装置及方法。根据本发明构思的一方面，提供一种用于干燥基板的装置，所述装置包括：腔室，在所述腔室内部具有处理空间；基板支撑单元，所述基板支撑单元配置为在所述处理空间内支撑基板；转换单元，所述转换单元配置为将由所述基板支撑单元支撑的基板的状态在水平状态和倾斜状态之间进行转换；流体供应单元，所述流体供应单元配置为向所述处理空间供应干燥流体；以及控制器，所述控制器配置为控制所述转换单元和所述流体供应单元。
所述控制器可以控制所述转换单元和所述流体供应单元执行：第一液体去除操作，如果基板被载入到所述处理空间内的基板支撑单元上，则通过将所述基板的状态转换为倾斜状态使存留在所述基板上的一部分液体从所述基板上流下来；以及，第二液体去除操作，通过向所述处理空间供应干燥流体，使残留在所述基板上的剩余液体得以去除。在所述第二液体去除操作中，所述干燥流体在所述处理空间内以超临界状态供应。在所述第二液体去除操作中，所述基板以水平状态提供。所述控制器可以控制所述流体供应单元进一步执行：气氛形成操作，在第一液体去除操作前，通过向所述处理空间供应干燥流体，使所述处理空间形成超临界气氛；并且在所述气氛形成操作中，在所述处理空间内所述干燥流体为超临界状态。
所述转换单元可以通过在水平状态和倾斜状态之间改变所述腔室的状态来转换所述基板的状态。所述基板支撑单元可以包括多个基板，所述基板支撑单元可以包括：从所述腔室的内顶表面向下延伸的多个垂直支撑件，以及从所述垂直支撑件向内延伸并分别位于不同的高度以支撑所述基板的多个水平支撑件。
所述转换单元可以通过产生磁力在水平状态和倾斜状态之间转换所述基板的状态。所述转换单元可以包括：位于所述基板支撑单元中并配置为支撑所述基板的一侧的引导部；设置在所述引导部中的上磁性构件；和设置在所述腔室中，并位于所述上磁性构件下方的下磁性构件；通过所述上磁性构件和所述下磁性构件之间产生的磁力提升所述引导部。
根据本发明的另一方面，提供一种干燥基板的方法，所述方法包括：将基板载入至腔室形成的处理空间内的操作；在所述处理空间封闭的状态下干燥所述基板的操作，以及，所述干燥基板的操作包括：第一液体去除操作，通过将所述基板的状态转换为倾斜状态使存留在所述基板上的一部分液体从所述基板上流下来；以及第二液体去除操作，通过向所述处理空间供应干燥流体，使残留在所述基板上的剩余液体得以去除。
在所述第二液体去除操作中，所述基板以水平状态提供。在所述第二液体去除操作中，所述干燥流体在所述处理空间内为超临界状态。所述方法可以进一步包括气氛形成操作，在第一液体去除操作前，通过向所述处理空间供应干燥流体，使所述处理空间形成超临界气氛；并且，在所述气氛形成操作中，在所述处理空间内，所述干燥流体以超临界状态提供。所述方法还可以包括液体处理操作，在载入基板的操作之前，在液体处理腔室中将液体提供到所述基板上。
通过将所述腔室的状态改变为水平状态和倾斜状态来转换所述基板的状态。多个基板位于所述处理空间中。
所述基板的状态可在倾斜状态和水平状态之间转换。
附图说明
通过参考附图详细描述本发明构思的示例性实施例，本发明构思的上述和其他目的和特征将变得一目了然。
图1为示意性地示出了根据本发明构思的实施例的基板处理系统的俯视图；
图2为示意性地示出了图1的第一处理腔室中的用于清洁基板的装置的剖视图；
图3为示意性地示出了图1的第二处理腔室中用于干燥基板的装置的剖视图；
图4为图3的基板支撑单元的透视图；
图5为图3的基板转换为倾斜状态时的视图；
图6～9为示出了采用图3的装置进行基板处理的过程视图；
图10为图3的装置的另一实施例的剖视图；
图11为图3的转换单元的另一实施例的剖视图；
图12为示出了通过图11中转换单元将基板转换为倾斜状态的剖视图。
具体实施方式
本发明构思的实施例可以以各种形式进行改进，并且本发明构思的范围不应被解释为受以下描述的本发明构思的实施例的限制。提供本发明构思的实施例是为了向本领域技术人员更完整地描述本发明的构思。因此，为清楚起见，附图中组件的形状等被放大。
将参照图1至图12对本发明构思的实施例进行描述。
图1为示出了根据本发明构思的第一实施例的基板处理系统的俯视图。
参照图1，基板处理系统1具有索引模块10和工艺处理模块20，所述索引模块10包括多个装载端口120和输送框架140。装载端口120、输送框架140和工艺处理模块20可以依次排成一排。下文中，设置有装载端口120、输送框架140和工艺处理模块20的方向将被称为第一方向12。当从顶部往下看时垂直于第一方向12的方向将被称为第二方向14，而垂直于包含第一方向12和第二方向14的平面的方向将被称为第三方向16。
接收基板W的载体18固定于装载端口120上。提供多个装载端口120，而且多个装载端口120沿第二方向14排成一排。图1示出了提供四个装载端口120。然而，根据如工艺处理模块20的处理效率或占地面积(footprint)等条件，可以增加或减少装载端口120的数量。在载体18中形成有设置为支撑多个基板边缘的多个插槽(未示出)。多个插槽沿第三方向16提供，而且，基板位于载体18中，使得基板沿第三方向16彼此间隔开地堆叠。前开式晶圆盒(FOUP，FrontOpening Unified Pod)可以被用作载体18。
工艺处理模块20包括缓冲单元220、输送腔室240、第一处理腔室260和第二处理腔室280。输送腔室240设置为使其纵长方向平行于第一方向12。沿第二方向14，第一处理腔室260被设置在输送腔室240的一侧，第二处理腔室280被设置在输送腔室240的另一相对侧。第一处理腔室260和第二处理腔室280布置为相对于输送腔室240彼此对称。一些第一处理腔室260沿着输送腔室240的纵长方向排列。此外，一些第一处理腔室260彼此堆叠排列。换言之，具有A×B(A和B为自然数)的阵列的第一处理腔室260可以在布置在输送腔室240的一侧。这里，“A”表示沿着第一方向12成排设置的第一处理腔室260的数量，“B”表示沿着第三方向16成排设置的第一处理腔室260的数量。当在输送腔室240的一侧设置四个或六个第一处理腔室260时，第一处理腔室260可以排成2×2或3×2陈列。第一处理腔室260的数量可以增加或减少。与第一处理腔室260相类似地，第二处理腔室280可以排列为M×N的阵列(M和N为自然数)。这里，M和N可以是同A和B一样的数。与上述描述不同的是，第一处理腔室260和第二处理腔室280可以仅设置在输送腔室240的一侧。进一步地，与上述描述不同的是，第一处理腔室260和第二处理腔室280可以在输送腔室240的相对两侧以单层设置。进一步地，与上述描述不同的是，第一处理腔室260和第二处理腔室280可以提供为不同的排布方式。
缓冲单元220设置在输送框架140与输送腔室240之间。缓冲单元220提供一空间，基板W在输送腔室240与输送框架140之间传输之前在该空间中停留。在缓冲单元220中提供有放置基板W的插槽(未示出)，并且多个插槽(未示出)沿着第三方向16彼此间隔设置。缓冲单元220面向输送框架140的一面以及缓冲单元220面向输送腔室240的一面均是敞开的。
输送框架140在位于装载端口120上的载体18与缓冲单元220之间传输基板W。在输送框架140中设置有索引轨道142和索引机械手144。索引轨道142设置为使其纵长方向平行于第二方向14。索引机械手144安装在索引轨道142上，并且沿着索引轨道142在第二方向14上线性移动。索引机械手144具有基部144a、主体144b和多个索引臂144c。基部144a安装为沿着索引轨道142移动。主体144b连接到基部144a。主体144b设置为在基部144a上沿着第三方向16移动。主体144b设置为在基部144a上旋转。索引臂144c连接到主体144b，并且设置为相对于主体144b向前和向后移动。多个索引臂144c设置为各自独立驱动。索引臂144c堆叠设置，以便沿着第三方向16彼此间隔开。当基板W在工艺处理模块20中被传输到载体18时，使用一些索引臂144c；而当基板W从载体18被传输到工艺处理模块20时，可以使用另一些索引臂144c。在索引机械手144将基板W载入或载出的过程中，该结构可以防止来自在工艺处理之前的基板W上生成的颗粒附着到工艺处理之后的基板W上。
输送腔室240在缓冲单元220、第一处理腔室260和第二处理腔室280的任意两者之间传输基板W。在输送腔室240中设置有导轨242和主机械手244。导轨242设置为使其纵长方向平行于第一方向12。主机械手244安装在导轨242上，并且在导轨242上沿着第一方向12线性移动。
第一处理腔室260和第二处理腔室280可以在基板W上依次执行处理工序，例如，在第一处理腔室260中，基板W可以进行化学处理、清洗处理和溶剂供应处理，以及在第二处理腔室280中，基板可以进行干燥处理。在这种情况下，溶剂供应处理可以由有机溶剂进行，干燥处理可以由超临界流体进行。异丙醇(IPA)液体可以用作有机溶剂，二氧化碳(CO2)可以用作超临界流体。
在下文中，将描述在第一处理腔室260中设置的基板处理装置300。图2是示出了图1的第一处理腔室中用于清洁基板的装置的剖视图。参见图2，基板处理装置300包括处理容器320、旋转头340、提升单元360和喷射构件380。处理容器320提供进行基板处理过程的空间，并且，处理容器320的上部敞口。处理容器320包括内部回收皿322和外部回收皿326。在处理过程中，内部回收皿322和外部回收皿326回收不同处理液。内部回收皿322设置为具有围绕旋转头340的环形形状，外部回收皿326设置为具有围绕内部回收皿322的环形形状。内部回收皿322的内部空间322a以及内部回收皿322和外部回收皿326之间的空间用作入口，通过该入口处理液被分别引入到内部回收皿322和外部回收皿326。自内部回收皿322和外部回收皿326沿其下表面的下游方向垂直延伸的回收管线322b和326b分别连接到内部回收皿322和外部回收皿326。回收管线322b和326b分别排放通过内部回收皿322和外部回收皿326引入的处理液。所排放的处理液可以通过外部处理液回收系统(未示出)进行再利用。
旋转头340设置在处理容器320中。在处理过程中，旋转头340支撑和旋转基板W。旋转头340包括主体342、多个支撑销334、多个卡盘销346和支撑轴348。主体342具有当从上向下看时基本为圆形的上表面。可以通过电机349转动的支撑轴348固定连接到主体342的底部。提供有多个支撑销334。支撑销344可以在主体342的上表面的外周彼此间隔设置，并且自主体342向上突出。通过相互组合，这些支撑销344布置为具有大致环形形状。支撑销344支撑基板W背面的外周，以便基板W以预定距离与主体342的上表面间隔开。提供有多个卡盘销346。卡盘销346比支撑销344更偏离本体342的中心布置。卡盘销346自本体342向上突出。卡盘销346支撑基板W的侧面，以便当旋转头340旋转时基板不会从适当位置向旁边偏离。卡盘销346设置为沿本体342的径向在待命位置和支撑位置之间进行线性移动。待命位置为比支撑位置更远离本体342的中心的位置。当基板W从旋转头340载入或载出时，卡盘销346处于待命位置，当在基板W上执行处理时，卡盘销346处于支撑位置。卡盘销346在支撑位置时与基板W的侧面相接触。
提升单元360向上向下线性移动处理容器320。当处理容器320向上向下移动时，处理容器320与旋转头340的相对高度改变。提升单元360具有支架362、移动轴364和驱动器366。支架362固定安装在处理容器320的外壁上，通过驱动器366进行向上和向下移动的移动轴364固定连接至支架362。向下调低处理容器320，以便将基板W放置在旋转头340上时或者将基板W从旋转头340上提时，旋转头340伸出到处理容器320的上侧。当执行处理工艺时，调整处理容器320的高度，以便处理液被引入到根据供应到基板W的处理液的种类所预设的回收皿322或326。
与上述不同的是，提升单元360可以使旋转头340向上和向下移动，而不是使处理容器320向上和向下移动。
喷射构件380向基板W上提供处理液。所述喷射构件380包括喷嘴支撑件382、喷嘴384、支撑轴386和驱动器388。支撑轴386的纵长方向沿第三方向16设置，驱动器388连接至支撑轴386的下端。驱动器388旋转并提升支撑轴386。喷嘴支撑件382连接至支撑轴386的末端，该末端与支撑轴386连接至驱动器388的一端相对，喷嘴支撑件382垂直于支撑轴386。喷嘴384设置在喷嘴支撑件382一端的底表面上。喷嘴384通过驱动器388移动至处理位置和待命位置。处理位置为喷嘴384被设置在处理容器320的垂直上部的位置，待命位置为喷嘴384偏离于处理容器320的垂直上部的位置。喷射构件380设置有一个或多个。当喷射构件380设置有多个时，化学品、清洗液和有机溶剂可以通过不同的喷射构件380来提供。所述化学品可以为强酸性液体或者强碱性液体。所述清洗液可以为纯水。所述有机溶剂可以为异丙醇蒸汽和惰性气体的混合物或异丙醇液体。
在所述第二处理腔室中，提供用于进行干燥基板处理的基板处理装置400。其次，基板处理装置400用于干燥在第一处理腔室中进行过液体处理的基板W。根据一实施例，将处于上表面存留有大量有机溶剂状态的基板W送入第二处理腔室中。基板处理装置400通过使用超临界溶剂干燥基板W。图3为示出了图1的第二处理腔室中的用于干燥基板的装置的剖面图。参见图3，基板处理装置400包括腔室410、主体提升构件470、基板支撑单元440、阻碍构件450、加热构件460、流体供应单元490、转换单元和控制器。
腔室410限定了在其中处理基板W的处理空间412。在处理基板W时，腔室410从外面关闭处理空间412。腔室410包括下部主体420和上部主体430。下部主体420具有顶部敞口的杯状。在下部主体420内部的底表面上形成有下部供应口422和排放口426。当从顶部观看时，下部供应口422可以偏离下部主体420的中心轴。下部供应口422用作为通道，通过该通道将超临界流体提供给处理空间412。
上部主体430与下部主体420结合以在其二者之间形成处理空间412。上部主体430位于下部主体420的上方。上部主体430具有板体形状。在上部主体430中形成有上部供应口432。上部供应口432用作为通道，通过该通道将超临界流体提供给处理空间412。上部供应口432可以设置为与上部主体430的中心重合。在上部主体430的中心轴与下部主体420的中心轴重合的位置上，上部主体430的下端可面向下部主体420的上端。根据一示例，上部主体430与下部主体420由金属材料制成。
主体提升构件470调整上部主体430与下部主体420的相对高度。主体提升构件470向上和向下移动上部主体430和下部主体420两者之一。在实施例中描述了上部主体430的位置是固定的，上部主体430与下部主体420之间的距离是通过移动下部主体420来调节的。主体提升构件470提升下部主体420以打开或关闭处理空间412。主体提升构件470移动下部主体420，以便上部主体430和下部主体420的相对位置可以具有闭合位置和打开位置。这里，闭合位置为上部主体430和下部主体420彼此紧密贴附以相互接触的位置，打开位置为上部主体430和下部主体420彼此分离以便基板载入和载出的位置。主体提升构件470包括连接上部主体430和下部主体420的多个提升轴472。提升轴472位于下部主体420的上端和上部主体430之间。提升轴472沿着下部主体420的上端的外周设置。提升轴472可以穿过上部主体430以使其固定连接到下部主体420的上端。随着提升轴472的升降，下部主体420的高度被改变，上部主体430和下部主体420之间的距离被调整。例如，提升轴472可以通过气缸进行升降。
可选地，基板支撑单元安装在固定的下部主体420中，并且，上部主体430可以移动。
在处理空间412中，基板支撑单元440支撑基板W。基板支撑单元440支撑基板W，以使基板W的处理面朝向上部侧。基板支撑单元440包括垂直构件和水平构件。图4为示出了图3的基板支撑单元的透视图。参见图4，所述垂直构件包括多个垂直支撑件442。垂直支撑件442具有从上部主体430的内顶表面向下延伸的条柱状。例如，可以提供有4个垂直支撑件442。当从顶部观看时，垂直支撑件442可以围绕上部供应口432设置。
水平支撑件444具有弧形形状。水平支撑件444从垂直支撑件442的下端沿着垂直于垂直支撑件442的方向延伸。基板W的周边区域位于水平支撑件444的上表面。
再次参见图3，阻碍构件450包括阻碍板456和下支撑件458。阻碍板456在处理空间412中位于下部供应口422和基板支撑单元440之间。阻碍板456具有盘子形状。阻碍板456的直径小于下部主体420的内部直径。当从顶部观看时，阻碍板456具有覆盖下部供应口422和排放口426两者的直径。相应地，由下部供应口422提供的处理液的流动路径通过阻碍板456分离绕道。换言之，阻碍板456阻止了从下部供应口422供应的超临界流体直接供应到基板w的非处理表面。例如，阻碍板456可以与基板W的直径相对应，或者具有更大的直径。下支撑件458支撑阻碍板456。提供多个下支撑件458以使其沿着阻碍板456的圆周方向设置。下支撑件458以特定的间隔彼此分离设置。
加热构件460加热处理空间412。加热构件460将供应到处理空间412的超临界流体加热到临界温度或者更高温度以维持超临界流体的相。加热构件460可以埋设和安装在上部主体430和下部主体420的至少一个墙壁中。例如，加热构件460可以是从外部接收电能生热的加热器。
流体供应单元490向处理空间412供应干燥流体。干燥流体以具有超临界温度和超临界压力的超临界状态提供。流体供应单元490包括上供应管线492和下供应管线494。上供应管线492连接至上部供应口432。干燥流体依次通过上供应管线492和上部供应口432供应给处理空间412。上阀门493安装在上供应管线492中。上阀门493打开和关闭上供应管线492。下供应管线494连接至上供应管线492和下部供应口422。下供应管线494从上供应管线492分流并连接到下部供应口422。换言之，从上供应管线492和下供应管线494供应的干燥流体可以为同一种流体。干燥流体依次通过下供应管线494和下部供应口422供应给处理空间412。下阀门495安装在下供应管线494中。下阀门495打开和关闭下供应管线494。
根据一实施例，干燥流体可以从面向基板W的非处理表面的下部供应口422供应，干燥流体也可以从面向基板W的处理表面的上部供应口432供应。相应地，干燥流体可通过下供应管线494供应给处理空间412，也可通过上供应线492供应给处理空间412。这是因为最初提供的干燥流体未达到阈值压力和阈值温度时会被阻止供应给基板W。
转换单元500转换基板W的状态。转换单元500将基板W转换为水平状态和倾斜状态。在倾斜状态下，基板W以与图5所示的水平面成特定的角度倾斜。所述特定的角度可以为大于0度的角。根据一实施例，所述特定的角度可以为15度至90度。转换单元500通过驱动腔室410和改变腔室410的状态以转换基板W的状态。转换单元500包括多个支撑轴520和驱动构件540。支撑轴520支撑下部主体420。支撑轴520支撑下部主体420的不同区域。支撑轴520具有纵向朝向第三方向的圆柱形状。支撑轴520可以固定连接到下部主体420的底表面。一些支撑轴520连接到下部主体420的一个区域，而一些支撑轴520连接到下部主体420的另一相对区域。驱动构件540与一些支撑轴520相连接。根据一实施例，一些支撑轴520的长度可以通过驱动构件540改变，或者，一些支撑轴520可以垂直移动。相应地，腔室410的一个区域和另一相对区域可以有不同的高度，而位于腔室410中的基板W的状态则可以转换。例如，转换单元500可以铰接到腔室410。
控制器600控制转换单元500和流体供应单元490。控制器600控制转换单元500和流体供应单元490，以便气氛形成操作、第一液体去除操作和第二液体去除操作可以依次进行。
在气氛形成操作中，控制器600通过将干燥流体送入处理空间可以将处理空间转变到干燥气氛。例如，所述干燥气氛可以是超临界气氛。进一步地，在第一液体去除操作中，控制器600可以通过将基板W的状态转换为倾斜状态以将存留在基板W上的部分液体去除。进一步地，在第二液体去除操作中，控制器600可以通过向基板W上供应干燥流体让干燥流体直接除去残留在基板W上的液体。
下面，将描述通过使用上述基板处理装置400干燥基板W的过程。图6～9为采用图3的装置进行基板处理的过程示意图；参见图6～9，干燥基板W的方法包括：载入基板操作、气氛形成操作、第一液体去除操作和第二液体去除操作。所述载入基板操作、气氛形成操作、第一液体去除操作和第二液体去除操作依次进行。
在对各个操作进行描述之前，通过基板处理装置400干燥的基板W为在第一处理腔室410中已完全执行了液体处理过程的基板W，并在存留有机溶剂的情况下进行输送。基板W保持润湿状态。所述有机溶剂可以为异丙醇液体。根据一实施例，有机溶剂的量较大，并且，基板W是在保留有大量机溶剂的情况下进行输送。这防止随着有机溶剂在进行输送时自然干燥而发生图案倾斜现象(pattern leaning phenomenon)。
如果执行基板载入操作，下部主体420移动到打开位置以打开处理空间412。主机械手244将基板W从第一处理腔室410搬运到第二处理腔室410。基板W被放置到基板支撑单元440上。随后，下部主体420移动到关闭位置，同时，处理空间从外部封闭。然后，在第二处理腔室410中，基板W以水平状态提供。
在气氛形成操作中，干燥流体从下部供应口422提供给处理空间。干燥流体在超临界状态下被供应到处理空间412中，并在处理空间中形成超临界气氛。如果在处理空间412中形成了超临界气氛，则进行去除存留在基板W上的有机溶剂的第一液体去除操作。
在第一液体去除操作中，基板W的状态从水平状态转换为倾斜状态。在第一液体去除操作中，腔室410的状态变为倾斜状态，并且相应地，基板W的状态也转换为倾斜状态。随着基板W倾斜，存留在基板W上的一些有机溶剂从基板W的表面流下来。如果特定的时间经过后，基板W的状态转换为水平状态，并执行第二液体去除操作。
在第二液体去除操作中，干燥流体从上部供应口432提供给处理空间412。在处理空间412中，以超临界状态提供干燥流体，并且，超临界流体直接供应到基板W的上表面。存留在基板W上的有机溶剂通过超临界溶剂干燥。
根据现有实施例，通过倾斜基板W去除存留在基板上的一部分液体可以缩短干燥基板W的总时间。
根据本发明构思的另一实施例，如图10所示，多个基板W位于处理空间中，基板支撑单元440包括多个水平支撑件444。多个水平支撑件444从垂直支撑件442向内延伸，并且可以位于不同的高度。所述多个基板W可以通过位于不同高度的水平支撑件444支撑。
进一步地，根据本发明的另一实施例，当腔室410的位置固定时，可以转换基板W的状态。如图11和12所示，转换单元500可以包括引导部510、上磁性构件532和下磁性构件534。引导部510位于水平支撑件444的上表面上，在该上表面上放置基板W。引导部510只提供给彼此相对的两个水平支撑件444中的一个。相应地，基板W的一侧可以通过引导部510支撑，而基板W的另一相对侧可以通过水平支撑件444支撑。引导部510和水平支撑件444的被放置基板W的区域，可以具有相同的高度。在垂直支撑件442中，沿着垂直方向安装引导部510的导轨，并且，引导部510可以沿着引导部510的导轨的纵向提升。上磁性构件532设置在引导部510中。上磁性构件532可以为磁铁。下磁性构件534设置于上磁性构件532的下方以面向上磁性构件532。下磁性构件534可以设置在下部主体420中。下磁性构件534可以为电磁铁。如果给下磁性构件534提供电流，在下磁性构件534和上磁性构件532之间就会产生排斥力，同时，引导部510可以得到提升。相应地，基板W的一侧可以设置在高于基板W的另一侧的位置，并可转换为倾斜状态。
与此不同的是，如果供应给下磁性构件534的电流供应中断，引导部510通过重力向下移动，基板W可以转换成水平状态。
在上面的例子中已经描述了通过超临界流体进行基板W的干燥处理过程。然而，与此不同的是，除了超临界流体之外，还可以使用干燥气体来进行基板W的干燥处理。
进一步地，正如一示例已经描述的，在不同腔室410中进行基板W的液体处理和基板W的干燥处理。然而，根据本发明构思，液体处理和干燥处理可以在同一个单独的腔室410中进行。
根据本发明构思的实施例，由于存留在基板上的一部分液体可以通过转换基板状态为倾斜状态使其流下来，随后，基板上的残留液体通过使用干燥流体清除，因此，可以缩短基板干燥时间。
此外，根据本发明构思的实施例，基板进入倾斜状态是在超临界气氛中进行的。相应地，当存留的液体流下来时，可以防止图案倾斜。

Claims (17)

1.一种用于干燥基板的装置，所述装置包括：
腔室，所述腔室内部具有处理空间；
基板支撑单元，所述基板支撑单元配置为在所述处理空间内支撑基板；
转换单元，所述转换单元配置为将由所述基板支撑单元支撑的基板的状态在水平状态和倾斜状态之间进行转换；
流体供应单元，所述流体供应单元配置为向所述处理空间供应干燥流体；以及
控制器，所述控制器配置为控制所述转换单元和所述流体供应单元。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述控制器控制所述转换单元和所述流体供应单元执行：
第一液体去除操作，如果基板被载入到所述处理空间内的基板支撑单元上，则通过将所述基板的状态转换为倾斜状态使存留在所述基板上的一部分液体从所述基板上流下来；以及
第二液体去除操作，通过向所述处理空间供应干燥流体，使残留在所述基板上的剩余液体被去除。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，在所述第二液体去除操作中，所述干燥流体在所述处理空间内以超临界状态供应。
4.根据权利要求2所述的装置，其中，在所述第二液体去除操作中，所述基板以水平状态提供。
5.根据权利要求3所述的装置，其中，所述控制器控制所述流体供应单元进一步执行：
气氛形成操作，在第一液体去除操作前，通过向所述处理空间供应干燥流体，使所述处理空间形成超临界气氛；以及
其中，在所述气氛形成操作中，所述干燥流体在所述处理空间内为超临界状态。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的装置，其中，所述转换单元通过在水平状态和倾斜状态之间改变所述腔室的状态来转换所述基板的状态。
7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述基板支撑单元包括多个基板，以及
其中，所述基板支撑单元包括：
多个垂直支撑件，多个所述垂直支撑件从所述腔室的内顶表面向下延伸；和
多个水平支撑件，多个所述水平支撑件从所述垂直支撑件向内延伸，并分别位于不同的高度以支撑所述基板。
8.根据权利要求1～5中任一项所述的装置，其中，所述转换单元通过产生磁力在水平状态和倾斜状态之间转换所述基板的状态。
9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述转换单元包括：
引导部，所述引导部位于所述基板支撑单元中，并配置为支撑所述基板的一侧；
上磁性构件，所述上磁性构件设置在所述引导部中；
下磁性构件，所述下磁性构件设置在所述腔室中，并位于所述上磁性构件的下方；以及
其中，通过所述上磁性构件和所述下磁性构件之间产生的磁力提升所述引导部。
10.一种基板干燥方法，所述方法包括：
将基板载入形成于腔室内的处理空间的操作；和
在处理空间被封闭的状态下干燥基板的操作，
其中，所述干燥基板的操作包括：
第一液体去除操作，通过将所述基板的状态转换为倾斜状态使存留在所述基板上的一部分液体从所述基板上流下来；以及
第二液体去除操作，通过向所述处理空间供应干燥流体使残留在所述基板上的剩余液体得以去除。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，在所述第二液体去除操作中，所述基板以水平状态提供。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，在所述第二液体去除操作中，所述干燥流体在所述处理空间内为超临界状态。
13.根据权利要求12所述的方法，还包括：
气氛形成操作，在第一液体去除操作前，通过向所述处理空间供应干燥流体，使所述处理空间形成超临界气氛；
其中，在所述气氛形成操作中，在所述处理空间内所述干燥流体以超临界状态提供。
14.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：
液体处理操作，在载入基板的操作之前，在液体处理腔室中提供液体到所述基板上。
15.根据权利要求11～14中任一项所述的方法，其中，通过将所述腔室的状态改变为水平状态和倾斜状态来转换所述基板的状态。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，多个基板位于所述处理空间中。
17.根据权利要求11～14中任一项所述的方法，其中，所述基板的状态在倾斜状态和水平状态之间转换。
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