CN109192873A - 有机电致发光器件和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种有机电致发光器件和显示装置，其中所述有机电致发光器件包括有机发光层、设置在所述有机发光层上的阴极层，以及设置在所述阴极层上的金属层；所述有机发光层包括多个子像素，相邻子像素之间具有间隙，所述有机发光层用于朝所述阴极层发射光；所述金属层，与相应的子像素之间的间隙相对设置，所述金属层与所述阴极层电性连接。该方案通过设置与阴极层电性连接的金属层，可以提高有机电致发光器件的发光效率。

Description

有机电致发光器件和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种有机电致发光器件和显示装置。
背景技术
有机电致发光显示器件(Organic Light-Emitting Diode，OLED)具有色域宽、功耗低、可视角度大和可主动发光等优点，在显示领域占主导地位。
其中，在顶发光型的OLED中，有机发光层发出的光线，依次经阴极层、薄膜封装层、偏光片，从顶部发射出。为了确保光线在阴极层中具有足够大的透过率，一般镀一层仅10-20纳米厚的镁/银合金，形成该阴极层。阴极层厚度过小，会导致其阻抗较高。而较高的阴极层阻抗，会造成VSS电压在柔性OLED的显示区分布不均衡，进而造成OLED不能均匀发光。
发明内容
本发明的目的在于提供一种有机电致发光器件和显示装置，提高了有机电致发光器件的发光效率。
本发明实施例提供了一种有机电致发光器件，包括：
有机发光层、设置在所述有机发光层上的阴极层，以及设置在所述阴极层上的金属层；
所述有机发光层包括多个子像素，相邻子像素之间具有间隙，所述有机发光层用于朝所述阴极层发射光；
所述金属层，与相应的子像素之间的间隙相对设置，所述金属层与所述阴极层电性连接。
在一些实施例中，所述有机电致发光器件还包括绝缘层以及通孔；
所述绝缘层，设置在所述阴极层上；
所述金属层，设置在所述绝缘层上；
所述通孔，设置在所述绝缘层上，所述通孔与所述金属层相对设置，所述金属层通过所述通孔与所述阴极层电性连接。
在一些实施例中，所述金属层包括交叉排列的多条金属走线，所述多条金属走线的交点通过所述通孔与所述阴极层电性连接。
在一些实施例中，所述金属走线的宽度范围为1-3微米。
在一些实施例中，所述金属层的组成材料包括镁、银、铜、钛、铝或钼中的一种或多种。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括：
有机发光层、设置在所述有机发光层上的阴极层，以及设置在所述阴极层上的金属层；
所述有机发光层包括多个子像素，相邻子像素之间具有间隙，所述有机发光层用于朝所述阴极层发射光；
所述金属层，与相应的子像素之间的间隙相对设置，所述金属层与所述阴极层电性连接。
在一些实施例中，所述有机电致发光器件还包括绝缘层以及通孔；
所述绝缘层，设置在所述阴极层上；
所述金属层，设置在所述绝缘层上；
所述通孔，设置在所述绝缘层上，所述通孔与所述金属层相对设置，所述金属层通过所述通孔与所述阴极层电性连接。
在一些实施例中，所述金属层包括交叉排列的多条金属走线，所述多条金属走线的交点通过所述通孔与所述阴极层电性连接。
在一些实施例中，所述金属走线的宽度范围为1-3微米。
在一些实施例中，所述金属层的组成材料包括镁、银、铜、钛、铝或钼中的一种或多种。
本发明实施例的有机电致发光器件和显示装置，通过设置与阴极层电性连接的金属层，并使金属层与相应的子像素之间的间隙相对设置，可以提高有机电致发光器件的效率。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
附图说明
图1为本发明实施例提供的有机电致发光器件的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的有机电致发光器件的另一结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本发明的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
本发明实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括有机电致发光器件。请参照图1，图1为本发明实施例提供的有机电致发光器件的结构示意图。如图1所示，该有机电致发光器件100包括有机发光层101、阴极层102以及金属层103。
该有机发光层101包括多个子像素，相邻子像素之间具有如图1所示的间隙A。其中该子像素可以为红色子像素、蓝色子像素或绿色子像素等类型的子像素，在此不做具体限定。具体的，有机发光层101由电子传输层(ETL)、发光层(EL)和空穴传输层(HTL)等结构组成。其中，发光层由发光材料制成，可以向阴极层102发射光。
阴极层102的组成材料可以包括锂、钙、锂、铝以及银等金属中的一种或多种。优选的，为了有效地注入电子，需要阴极层102中的金属材料具备低功函数的特点，因此可以使用镁制作阴极层102。为了保证阴极层102的光线透过率，可以将阴极层102的厚度设置为10-20纳米之间。
金属层103可以直接设置在阴极层102上，与金属层103电性连接。其中，金属层103由金属或合金制备而成，优选的，由镁、银、铜、钛、铝或钼中的一种或多种制备而成。具体的，可以采用狭缝(slit)蒸镀的工艺，将该金属层103制备在阴极层102上。也可以在阴极层102上直接沉积金属或合金，再进行图案化，形成该金属层103。
在一些实施例中，金属层103的形状可以为金属网格形状。金属层103包括交叉排列的多条金属走线，该金属走线的宽度范围为1-3微米。将金属层103设置成金属网格形状，不仅可以降低阻抗，还可以使VSS电压在显示区均匀分布。
优选的，金属层103与相应的子像素之间的间隙A相对设置。这样当子像素向阴极层1020发射光时，金属层103不会阻挡光线，即可以确保有机电致发光器件100具有较强的光线透过率。
在一些实施例中，如图2所示，有机电致发光器件100还包括绝缘层104和通孔105。其中绝缘层104设置在阴极层102上，金属层103设置在绝缘层104上，通孔105设置在绝缘层104上。优选的，可以将通孔105与金属层103相对设置，如图2所示，可以将通孔105设置在金属层103的正下方。当金属层103包括交叉排列的多条金属走线时，可以通过通孔105，使阴极层102与金属走线交叉的节点连接。
在一些实施例中，如图1或2所示，该有机电致发光器件100还包括基板106、缓冲层107、掺杂层108、第一栅极绝缘层109、第一栅极层110、第二栅极绝缘层111、第二栅极层112、间绝缘层113、源漏极层114、平坦层115、阳极层116、像素定义层117、薄膜封装层118和偏光片119。
其中，基板106可以采用柔性材料制成，也可以采用刚性材料制成。具体的，基板106可以为玻璃基板。缓冲层107设置在基板106上，该缓冲层107可以由硅氧化物组成。掺杂层108设置在缓冲层107上，该掺杂层108包括第一掺杂区域、第二掺杂区域，以及设置在该第一掺杂区域和该第二掺杂区域之间的有源层。其中，有源层可以采用非晶硅材料制成。
第一栅极绝缘层109设置在掺杂层108上，并覆盖缓冲层107。该第一栅极绝缘层109可以包括多层非金属膜，比如SiO2/SiNx叠层。该第一栅极绝缘层109用于隔绝掺杂层108和第一栅极层110。第一栅极层110设置在第一栅极绝缘层109上。第一栅极层110上设有扫描线。第二栅极绝缘层111设置在第一栅极层110上，并覆盖第一栅极绝缘层109。该第二栅极绝缘层111可以包括多层非金属膜，比如SiO2/SiNx叠层。第二栅极绝缘层111用于隔绝第一栅极层110和第二栅极层112。第二栅极层112设置在第二栅极绝缘层111上，该第二栅极层112上设有扫描线。间绝缘层113设置在第二栅极层112上，用于隔绝第二栅极层和源漏极层114。源漏极层114设置在间绝缘层113上，该源漏极层114上设有源漏极走线。
平坦层115设置在源漏极层114上，用于使表面平整。阳极层116设置在平坦层115上，该阳极层116的组成材料可以为金属氧化物。优选的，阳极层116采用不透光的金属制备，例如铝。像素定义层117设置在阳极层116上。薄膜封装层118设置在金属层103上，用于隔绝水氧的腐蚀。偏光片119设置在薄膜封装层118上，用于使有机发光层101射出的光中，按特定方向振动的光通过。
本发明实施例的有机电致发光器件，通过设置与阴极层电性连接的金属层，并使金属层与相应的子像素之间的间隙相对设置，可以提高有机电致发光器件的效率。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括：有机发光层、设置在所述有机发光层上的阴极层，以及设置在所述阴极层上的金属层；
所述有机发光层包括多个子像素，相邻子像素之间具有间隙，所述有机发光层用于朝所述阴极层发射光；
所述金属层，与相应的子像素之间的间隙相对设置，所述金属层与所述阴极层电性连接。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件还包括绝缘层以及通孔；
所述绝缘层，设置在所述阴极层上；
所述金属层，设置在所述绝缘层上；
所述通孔，设置在所述绝缘层上，所述通孔与所述金属层相对设置，所述金属层通过所述通孔与所述阴极层电性连接。
3.根据权利要求2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属层包括交叉排列的多条金属走线，所述多条金属走线的交点通过所述通孔与所述阴极层电性连接。
4.根据权利要求3所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属走线的宽度范围为1-3微米。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属层的组成材料包括镁、银、铜、钛、铝或钼中的一种或多种。
6.一种显示装置，其特征在于，包括有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括：有机发光层、设置在所述有机发光层上的阴极层，以及设置在所述阴极层上的金属层；
所述有机发光层包括多个子像素，相邻子像素之间具有间隙，所述有机发光层用于朝所述阴极层发射光；
所述金属层，与相应的子像素之间的间隙相对设置，所述金属层与所述阴极层电性连接。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述有机电致发光器件还包括绝缘层以及通孔；
所述绝缘层，设置在所述阴极层上；
所述金属层，设置在所述绝缘层上；
所述通孔，设置在所述绝缘层上，所述通孔与所述金属层相对设置，所述金属层通过所述通孔与所述阴极层电性连接。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述金属层包括交叉排列的多条金属走线，所述多条金属走线的交点通过所述通孔与所述阴极层电性连接。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述金属走线的宽度范围为1-3微米。
10.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述金属层的组成材料包括镁、银、铜、钛、铝或钼中的一种或多种。
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