CN109023295A - 一种大面积二维的二硫化铼薄膜及其制备方法和应用 - Google Patents
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Abstract
本发明属于纳米材料技术领域，公开了一种大面积二维的二硫化铼薄膜及其制备方法和应用。所述二硫化铼薄膜是采用化学气相沉积法，将以Re‑Te共熔合金和硫粉作为原料，氟金云母为衬底，在惰性气氛下，将Re‑Te共熔合金置于内置石英管中，置于恒温区Ⅰ升温至600～650℃保温，将硫粉放置于石英管中，置于恒温区Ⅱ升温至130～150℃保温，使Re‑Te共熔合金和硫蒸汽反应，在衬底上淀积生长制得。本发明避免了反应源的相互污染，使气相反应持续进行以获得大面积连续薄膜。获得的ReS2薄膜和衬底面积等同，厚度均匀性好，相比过去获得的小尺寸ReS2纳米片有很大的优势，有望应用于电子器件、光电子器件和催化制氢领域。
Description
技术领域
本发明属于纳米材料技术领域，更具体地，涉及一种大面积二维的二硫化铼薄膜及其制备方法和应用。
背景技术
近年来，人们开始注意到过渡金属硫族化合物(TMDC)二维材料，这些材料由二维分子层通过微弱的层间相互作用堆叠而成，层间通过弱的范德华力进行相互作用，因此可以不考虑晶格匹配和热匹配问题，在任意光滑衬底上都可以生长这些材料。TMDC二维材料还具有高载流子迁移率，化学稳定性好，光敏感性和机械柔性等特点。此外，人们还发现TMDC材料具有在催化剂领域的应用潜能，如电化学催化制氢、光催化制氢等。二维ReS2作为TMDC材料家族的一员，有着宽直接带隙，且特殊的1T相结构减弱了层间耦合作用，使带隙随层数的变化非常不明显，且无论ReS2层数多少，都是直接带隙半导体，这和其他TMDC二维材料性质受层数调制相区别，且二维ReS2还表现出特殊的平面内各向异性。因此，二维ReS2是在电子器件，光电器件，光敏探测器、传感器，电催化和光催化领域的优良候选材料。但目前化学气相沉积法(CVD)制备出来的二维ReS2薄膜多是不连续的，单个尺寸只有10um，材料的各种应用也只能局限于这些微观纳米片，这对二维ReS2的应用是极其不利的，虽然有使用ReO3和硫作为原料制备出大面积二维ReS2，但是获得的薄膜结晶性不好，晶界密度高，制成的器件性能不如以往的二维ReS2。因此，有必要开发一种新工艺来制备高质量且大面积的连续超薄二维ReS2薄膜。
发明内容
为了解决上述现有技术存在的不足和缺点，本发明首要目的在于提供一种大面积二维的二硫化铼薄膜。
本发明的另一目的在于提供上述大面积二维的二硫化铼薄膜的制备方法。
本发明的再一目的在于提供上述的大面积二维的二硫化铼薄膜的应用。
本发明的目的通过下述技术方案来实现：
一种大面积二维的二硫化铼薄膜，所述二硫化铼薄膜是采用化学气相沉积法，将以Re-Te共熔合金和硫粉作为原料，氟金云母为衬底，在惰性气氛下，将Re-Te共熔合金置于内置石英管1中，置于恒温区Ⅰ升温至600～650℃保温，将硫粉放置于石英管2中，置于恒温区Ⅱ升温至130～150℃保温，使Re-Te共熔合金和硫蒸汽反应，在衬底上淀积生长制得。
优选地，所述惰性气氛为氩气、氮气或氦气。
优选地，所述恒温区Ⅰ升温的速率为10～20℃/min，所述恒温区Ⅱ升温的速率为30～40℃/min，所述恒温区Ⅰ和Ⅱ的保温的时间均为10～20min。
优选地，所述Re-Te共熔合金中Re：Te的质量比为1：(1～4)，所述Re-Te共熔合金与硫的摩尔比为1：(2.1～3)。
所述的大面积二维的二硫化铼薄膜的制备方法，包括如下具体步骤：
S1.称取Re和Te装入石英舟并均匀混合，放置在石英管1内，置放在CVD炉的中心恒温区Ⅰ；
S2.称取硫粉装入石英舟，放置在CVD炉上游端的石英管2内，置放在CVD炉的恒温区Ⅱ；
S3.将氟金云母片正面朝上放置在刚玉舟上，置于CVD炉中心恒温区Ⅰ的靠下游区域；
S4.通入惰性气氛以充分替代CVD炉管内的空气，然后调节载气流量；
S5.当恒温区Ⅰ达到600～650℃时开始加热恒温区Ⅱ，升温至130～150℃，恒温10～20min，随后自然冷却至室温，制得大面积二维的二硫化铼薄膜。
优选地，步骤S1中所述Re和Te的质量比为1：(1～4)。
优选地，步骤S1中所述恒温区Ⅰ的温度为600～650℃，步骤S2中所述恒温区Ⅱ的温度为130～150℃。
所述的大面积二维的二硫化铼薄膜在电子器件、光电子器件和催化制氢领域中的应用。
本发明耐高温的管道置于反应系统内，Re-Te共熔合金放置在管道中，位于反应系统中心的恒温区内；硫粉置于反应系统内的管道外部空间，且位置靠近载气的上游端；衬底放置在反应系统中心恒温区中靠近下游端的区域。所述Re-Te共熔合金、衬底处于同一个恒温区，以15℃/min的升温速率升到650℃，恒温15min；在Re-Te共熔合金、衬底所处的恒温区升温至600℃时，硫粉所在的恒温区开始加热，以30℃/min的升温速率升至130℃，恒温15min。
本发明的原理：Re-Te共熔合金降低了Re的熔点，在650℃下就可以熔化、蒸发出Re蒸汽，硫通过另一个恒温区控制升温到130℃熔化蒸发出S蒸汽，因Re-Te共熔合金在内置的管道内，硫在管道外，因此，在惰性载气的输运过程中两种反应源的熔融液体不会直接被另一种气相物质反应，避免了原料的“中毒”、污染，从而可以持续不断地向下游衬底位置提供气相反应物。在载气输运下，Re、S蒸汽通过了管道隔离区域后在下游端的衬底位置处相遇，并发生反应生成ReS2，淀积在衬底上形成连续大面积超薄ReS2薄膜。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
1.本发明提供的的ReS2薄膜为二维结构，ReS2薄膜均匀、面积大，薄膜尺寸和衬底尺寸相当，面积至少可以达到1cm×2cm左右，远大于已有ReS2薄膜的面积仅为10μm×10μm左右。
2.本发明获得的二维ReS2薄膜厚度只有1.3nm，即薄膜只有两层厚，且整个大面积薄膜的厚度均匀性非常好。
3.本发明制备的二维ReS2薄膜结晶性良好，质量高。
附图说明
图1为实施例1中制备大面积超薄二硫化铼薄膜所用的实验装置。
图2为实施例1中制备的大面积超薄二硫化铼薄膜的光学显微照片。
图3为实施例1中制备的大面积超薄二硫化铼薄膜的拉曼光谱图。
图4为实施例1中制备的大面积超薄二硫化铼薄膜的原子力显微镜谱图。
图5为实施例1中制备的大面积超薄二硫化铼薄膜的透射电子显微镜(TEM)照片、傅里叶变换花样和傅里叶过滤图像。
图6为使用传统基于PS转移法将实施例1中制备的大面积超薄二硫化铼薄膜转移到蓝宝石衬底上的摄像照片。
图7为实施例2中制备的大面积超薄二硫化铼薄膜的光学显微照片。
图8为实施例2中制备的大面积超薄二硫化铼薄膜的拉曼光谱图和拉曼Eg峰面扫描图。
图9为实施例2中制备的大面积超薄二硫化铼薄膜的原子力显微镜谱图。
图10为实施例2中制备的大面积超薄二硫化铼薄膜的透射电子显微镜(TEM)照片、傅里叶变换花样和傅里叶过滤图像。
具体实施方式
下面结合具体实施例进一步说明本发明的内容，但不应理解为对本发明的限制。若未特别指明，实施例中所用的技术手段为本领域技术人员所熟知的常规手段。除非特别说明，本发明采用的试剂、方法和设备为本技术领域常规试剂、方法和设备。
本发明的实施例使用氩气(广州英莱,99.999％)作为载气；使用Re粉末(阿拉丁,99.99％)，Te粉末(阿拉丁，99.99％)，升华硫(成都博瑞特化学技术有限公司，99.95％)作为反应剂。选用新鲜剥离的氟金云母片作为生长衬底。所用的化学气相淀积(CVD)系统为河南诺巴迪材料科技有限公司生产的NBD-01200-50IT高温管式炉。采用扫描电子显微镜(SEM,S-3400N,Hitachi)对样品进行形貌分析；采用显微共聚焦拉曼光谱仪(FinderVista，卓立汉光)对样品进行物相分析，拉曼光谱的激光波长为532nm，光功率为10W，积分时间3s。采用透射电子显微镜(Talos F200S,捷克FEI)表征样品微观组织形貌和晶格结构。
本发明的实验装置如图1所示，采用化学气相沉积系统，包括内置石英管1和石英管2，其中内置石英管1放置于石英管2中，还包括石英舟和刚玉舟，所述石英舟和刚玉舟放置于石英管2中。
实施例1
1.制备：
(1)称量50mg的Re和200mg的Te装入石英舟并均匀混合，放置在内置石英管内，位于CVD炉的中心恒温区Ⅰ(图1中温区2)。
(2)称量0.6g的硫粉装入石英舟，放置在CVD炉上游端的内置石英管外，在硫粉的位置，即恒温区Ⅱ(图1中温区1)安装加热带以单独对硫进行控温。
(3)将新鲜剥离的氟金云母片正面朝上放置在刚玉舟上，置于CVD炉中心恒温区Ⅰ的靠下游区域。
(4)通入200sccm高纯氩气4h以充分替代CVD炉管内的空气，然后调节载气流量为50sccm。
(5)CVD炉中心恒温区Ⅰ以15℃/min的速率升温至650℃，恒温15min，硫以加热带控温，当恒温区Ⅰ达到600℃时开始加热，以30℃/min的速率升温至130℃(恒温区Ⅱ)，恒温15min，随后自然冷却至室温，反应结束，制得二硫化铼薄膜。
2.性能测试：图2为本实施例中制备的大面积超薄二硫化铼薄膜的光学显微照片。从图2中可知，薄膜表面光滑，均匀性很好，没有颗粒污染物。样品的拉曼光谱结果如图3所示。可以明显观察到ReS2的特征峰，说明生成了高度结晶的ReS2，拉曼光谱中还可以观察到氟金云母衬底的特征峰。图4为本实施例中制备的大面积超薄二硫化铼薄膜的原子力显微镜(AFM)谱图。通过可以引入划痕，可以在薄膜上形成台阶，在任意位置上进行多次测试，其中，(a)和(b)分别是薄膜上任意两个不同位置的AFM测试结果，测得薄膜厚度在1.3nm左右，可以判断为2层ReS2。图5为本实施例中制备的大面积超薄二硫化铼薄膜的透射电子显微镜(TEM)照片、傅里叶变换花样和傅里叶过滤图像。其中，(a)和(b)分别为低倍TEM和高倍TEM，(c)和(d)分别为快速傅里叶变换(FFT)和傅里叶过滤像(FFI)。图5中(a)和(b)表明薄膜是由许多单晶连接形成的多晶。图5中(c)和(d)与ReS2三斜晶系晶格结构相对应，从测得图5中(d)中清晰晶格条纹的间距，得到b轴间距为0.34nm，a轴间距0.31nm，表明了制备的薄膜是结晶性良好的ReS2。图6为使用传统基于PS转移法将实施例1中制备的大面积超薄二硫化铼薄膜转移到蓝宝石衬底上的摄像照片。通过衬度对比观测出薄膜的面积有1cmx1cm大小。同时图2的光显图片也可证明该薄膜是连续均匀的。测试结果表明，本实施例获得了高质量大面积连续两层ReS2薄膜，薄膜厚度为1.3nm，厚度均匀性好，且高度结晶。
实施例2
1.制备：
(1)称量50mg的Re和100mg的Te装入石英舟并均匀混合，放置在内置石英管内，位于CVD炉的中心恒温区Ⅰ(图1中温区2)。
(2)称量1g的硫粉装入石英舟，放置在CVD炉上游端的内置石英管外，在硫粉的位置，即恒温区Ⅱ(图1中温区1)安装加热带以单独对硫进行控温。
(3)将新鲜剥离的氟金云母片正面朝上放置在刚玉舟上，置于CVD炉中心恒温区Ⅰ的靠下游区域。
(4)通入200sccm高纯氩气4h以充分替代CVD炉管内的空气，然后调节载气流量为50sccm。
(5)CVD炉中心恒温区Ⅰ以20℃/min的速率升温至650℃，恒温20min，硫以加热带控温，在中心恒温区Ⅰ达到600℃时开始加热，以40℃/min的速率升温至150℃，恒温20min，随后自然冷却至室温，反应结束，制得二硫化铼薄膜。
2.性能测试：图7为本实施例中制备的大面积超薄二硫化铼薄膜的光学显微照片。图7表明，薄膜表面光滑，均匀性很好，有少量颗粒污染物。使用传统的基于PS的转移法将ReS2薄膜转移到硅衬底上，测得的拉曼光谱结果如图8所示。可以明显观察到ReS2的特征峰，说明生成了高度结晶的ReS2，拉曼面扫描结果显示薄膜中ReS2的分布是均匀连续的，和光学显微图像相对应。图9为本实施例中被转移到硅衬底上的大面积超薄二硫化铼薄膜的原子力显微镜(AFM)谱图。转移后的薄膜在边缘自然形成台阶，由此测得薄膜厚度，厚度在4.1nm左右。图10为本实施例中制备的大面积超薄二硫化铼薄膜的透射电子显微镜(TEM)结果。其中，(a)和(b)分别为低倍TEM和高倍TEM，(c)和(d)分别为快速傅里叶变换(FFT)和傅里叶过滤像(FFI)。从图中(a)和(b)可知清晰的晶格条纹表明薄膜结晶性良好。图10中(c)和(d)的表征结果与ReS2三斜晶系晶格结构相对应，测得图10中(d)中清晰晶格条纹的间距，得到b轴间距为0.34nm，a轴间距0.31nm，表明了制备的薄膜是结晶性良好的ReS2。测试结果表明，本实施例获得了高质量大面积连续超薄ReS2薄膜，薄膜厚度为4.1nm，厚度均匀性好，且高度结晶。
上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合和简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种大面积二维的二硫化铼薄膜，其特征在于，所述二硫化铼薄膜是采用化学气相沉积法，将以Re-Te共熔合金和硫粉作为原料，氟金云母为衬底，在惰性气氛下，将Re-Te共熔合金置于内置石英管1中，置于恒温区Ⅰ升温至600～650℃保温，将硫粉放置于石英管2中，置于恒温区Ⅱ升温至130～150℃保温，使Re-Te共熔合金和硫蒸汽反应，在衬底上淀积生长制得。
2.根据权利要求1所述的大面积二维的二硫化铼薄膜，其特征在于，所述惰性气氛为氩气、氮气或氦气。
3.根据权利要求1所述的大面积二维的二硫化铼薄膜，其特征在于，所述恒温区Ⅰ升温的速率为10～20℃/min，所述恒温区Ⅱ升温的速率为30～40℃/min，所述恒温区Ⅰ和Ⅱ的保温的时间均为10～20min。
4.根据权利要求1所述的大面积二维的二硫化铼薄膜，其特征在于，所述Re-Te共熔合金中Re：Te的质量比为1：(1～4)。
5.根据权利要求1所述的大面积二维的二硫化铼薄膜，其特征在于，所述Re-Te共熔合金与硫的摩尔比为1：(2.1～3)。
6.根据权利要求1所述的大面积二维的二硫化铼薄膜，其特征在于，所述面积为1cm×1cm～1cm×2cm。
7.根据权利要求1-6任一项所述的大面积二维的二硫化铼薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下具体步骤：
S1.称取Re和Te装入石英舟并均匀混合，放置在石英管1内，置放在CVD炉的中心恒温区Ⅰ；
S2.称取硫粉装入石英舟，放置在CVD炉上游端的石英管2内，置放在CVD炉的恒温区Ⅱ；
S3.将氟金云母片正面朝上放置在刚玉舟上，置于CVD炉中心恒温区Ⅰ的靠下游区域；
S4.通入惰性气氛以充分替代CVD炉管内的空气，然后调节载气流量；
S5.当恒温区Ⅰ达到600～650℃时开始加热恒温区Ⅱ，升温至130～150℃，恒温10～20min，随后自然冷却至室温，制得大面积二维的二硫化铼薄膜。
8.根据权利要求7所述的大面积二维的二硫化铼薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述Re和Te的质量比为1：(1～4)。
9.根据权利要求7所述的大面积二维的二硫化铼薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述恒温区Ⅰ的温度为600～650℃，步骤S2中所述恒温区Ⅱ的温度为130～150℃。
10.权利要求1-6任一项所述的大面积二维的二硫化铼薄膜在电子器件、光电子器件和催化制氢领域中的应用。
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|---|---|
| CN (1) | CN109023295A (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110467358A (zh) * | 2019-07-09 | 2019-11-19 | 广东工业大学 | 一种用于析氢反应的二硫化铼纳米片及其制备方法和应用 |
| CN113265647A (zh) * | 2021-05-28 | 2021-08-17 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种二维材料制备方法 |
| CN114182230A (zh) * | 2021-11-26 | 2022-03-15 | 香港理工大学深圳研究院 | 一种制备二维碲烯薄膜的化学气相沉积方法 |
| CN114715948A (zh) * | 2022-06-10 | 2022-07-08 | 中国人民解放军国防科技大学 | 一种化学气相沉积制备单层二硫化铼的方法 |
| CN114892277A (zh) * | 2022-04-20 | 2022-08-12 | 苏州科技大学 | 具有强室温铁磁性二维材料的制备方法 |
| CN115323350A (zh) * | 2022-08-18 | 2022-11-11 | 中南大学 | 一种超小气流调控生长厘米级二维硫化铬薄膜的方法 |
| CN116169012A (zh) * | 2023-04-26 | 2023-05-26 | 南京理工大学 | 具有室温铁磁和铁电性的二维层状半导体材料的制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20010036509A1 (en) * | 2000-03-31 | 2001-11-01 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K | CVD Process for forming a thin film |
| CN105154849A (zh) * | 2015-09-25 | 2015-12-16 | 南京航空航天大学 | 一种在金属基底上可控生长二维硫属化合物原子级薄膜的方法 |
| CN105839072A (zh) * | 2016-04-19 | 2016-08-10 | 陕西师范大学 | 一种化学气相沉积制备二硫化铼薄膜的方法 |
-
2018
- 2018-07-16 CN CN201810779094.5A patent/CN109023295A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20010036509A1 (en) * | 2000-03-31 | 2001-11-01 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K | CVD Process for forming a thin film |
| CN105154849A (zh) * | 2015-09-25 | 2015-12-16 | 南京航空航天大学 | 一种在金属基底上可控生长二维硫属化合物原子级薄膜的方法 |
| CN105839072A (zh) * | 2016-04-19 | 2016-08-10 | 陕西师范大学 | 一种化学气相沉积制备二硫化铼薄膜的方法 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110467358A (zh) * | 2019-07-09 | 2019-11-19 | 广东工业大学 | 一种用于析氢反应的二硫化铼纳米片及其制备方法和应用 |
| CN113265647A (zh) * | 2021-05-28 | 2021-08-17 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种二维材料制备方法 |
| CN114182230A (zh) * | 2021-11-26 | 2022-03-15 | 香港理工大学深圳研究院 | 一种制备二维碲烯薄膜的化学气相沉积方法 |
| CN114892277A (zh) * | 2022-04-20 | 2022-08-12 | 苏州科技大学 | 具有强室温铁磁性二维材料的制备方法 |
| CN114892277B (zh) * | 2022-04-20 | 2023-11-14 | 苏州科技大学 | 具有强室温铁磁性二维材料的制备方法 |
| CN114715948A (zh) * | 2022-06-10 | 2022-07-08 | 中国人民解放军国防科技大学 | 一种化学气相沉积制备单层二硫化铼的方法 |
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