CN108897105A - 应用于激光器器件的单透镜耦合方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种应用于激光器器件的单透镜耦合方法,激光器器件包括输出芯片组件和激光器芯片组件,输出芯片组件包括输出芯片基板和输出芯片,激光器芯片组件包括激光器芯片基板、激光器芯片以及透镜,单透镜耦合方法包括以下步骤:S1、提供至少一个所述激光器器件,先将输出芯片贴装在输出芯片基板上、激光器芯片贴装在激光器芯片基板上,再将透镜贴装在激光器芯片基板上;S2、将输出芯片组件与激光器芯片组件进行耦合,然后通过胶水固化来连接固定输出芯片组件和激光器芯片组件。该单透镜耦合方法能提高耦合过程中的容差,降低工艺耗时和对耦合机台的精度/稳定度要求,从而降低成本,还能有效改善光功率漂移现象,提高耦合容差和产品良品率。
Description
技术领域
本发明涉及一种应用于激光器器件的单透镜耦合方法。
背景技术
目前市面上常见的激光器发射器件,包含单通道激光器器件及多通道激光器器件。
单通道激光器器件中,激光器芯片一般与FA(FiberArray,光纤阵列)进行耦合,多通道激光器器件中,激光器芯片一般与TFF(Thin Film Filter,介质薄膜滤波器)芯片组件或者AWG(ArrayWaveguide Grating,阵列波导光栅)芯片组件进行耦合。耦合方法包括有直接耦合,单透镜耦合,双透镜耦合等。
直接耦合方法的耦合损耗大,难以应用在对输出功率有要求的器件中;双透镜耦合方法能够实现较高的耦合效率,但是双透镜工艺带来物料成本及工艺成本的较大提升,产品成本无法有效降低。
现有单透镜耦合的方案如图1所示,基板3上设有激光器芯片4和输出芯片5,其通过透镜夹取装置1吸附或抓持透镜2,然后进行耦合并将透镜2通过固化来固定在基板3上。在耦合透镜的过程中,光耦合效率与透镜位置极为敏感,因此需要非常高位置精确度,稳定度的耦合装置才能搜寻到理想功率值,同时在透镜2的固化过程中,因为胶水的收缩效应,透镜2将会沿垂直于光传输方向的方向移动,极易造成光功率漂移,良品率不高。随着高速光通讯的发展,在长距离光传输应用中需要尽可能提高激光器器件的出光功率,同时器件的大规模应用也势必对成本提出更高的要求,基于上述情况,特提出本发明。
发明内容
本发明的目的在于提供一种应用于激光器器件的单透镜耦合方法,能有效改善胶水固化过程中的光功率漂移现象,提高耦合容差和产品良品率。
为达到上述目的,本发明提供如下技术方案:一种应用于激光器器件的单透镜耦合方法,所述激光器器件包括输出芯片组件和激光器芯片组件,所述输出芯片组件包括输出芯片基板和输出芯片,所述激光器芯片组件包括激光器芯片基板、激光器芯片以及透镜,所述单透镜耦合方法包括以下步骤:
S1、提供至少一个所述激光器器件,先将所述输出芯片贴装在所述输出芯片基板上、所述激光器芯片贴装在所述激光器芯片基板上,再将所述透镜贴装在所述激光器芯片基板上;
S2、将所述输出芯片组件与所述激光器芯片组件进行耦合,然后通过胶水固化来连接固定所述输出芯片组件和激光器芯片组件。
进一步地,步骤S2中,在所述输出芯片组件与所述激光器芯片组件进行耦合后,定义所述输出芯片组件与所述激光器芯片组件之间的间隔为耦合位置,在所述耦合位置进行所述胶水固化。
进一步地,提供UV胶和UV灯进行所述胶水固化。
进一步地,在所述光固化过程中,所述UV灯设置在所述耦合位置的竖直高度方向上。
进一步地,在所述光固化过程中,提供有一个所述UV灯,所述UV灯设置在所述耦合位置的上方或下方。
进一步地,在所述光固化过程中,提供有两个所述UV灯,两个所述UV灯分别设置在所述耦合位置的上方和下方,且两个所述UV灯相对于所述耦合位置对称设置。
进一步地,步骤S2中,在所述耦合过程中,采用手动耦合或自动耦合机进行耦合。
进一步地,包括多个所述激光器器件,每个所述激光器器件采用所述单透镜耦合方法进行耦合。
与现有技术相比,本发明的应用于激光器器件的单透镜耦合方法通过设置独立的输出芯片组件和激光器芯片组件,然后将透镜贴装在激光器芯片组件上,再进行耦合并通过胶水固化进行连接固定。故,该单透镜耦合方法可以提高耦合过程中的容差,降低工艺耗时和对耦合机台的精度/稳定度要求,从而降低机台成本,并且,还能有效改善胶水固化过程中的光功率漂移现象,提高耦合容差和产品良品率。
上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
图1为现有技术的激光器器件透镜耦合装置的结构示意图;
图2为本发明所示的应用于激光器器件的单透镜耦合方法的流程步骤图;
图3至图6为本发明实施例一所示的单透镜耦合方法的各阶段装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
请参见图2,本发明所示的单透镜耦合方法应用于激光器器件,所述激光器器件包括输出芯片组件和激光器芯片组件,所述输出芯片组件包括输出芯片基板和输出芯片,所述激光器芯片组件包括激光器芯片基板、激光器芯片以及透镜,所述单透镜耦合方法包括以下步骤:
S1、提供至少一个所述激光器器件,先将所述输出芯片贴装在所述输出芯片基板上、所述激光器芯片贴装在所述激光器芯片基板上,再将所述透镜贴装在所述激光器芯片基板上;
S2、将所述输出芯片组件与所述激光器芯片组件进行耦合,然后通过胶水固化来连接固定所述输出芯片组件和激光器芯片组件。
具体的,步骤S2中,在所述输出芯片组件与所述激光器芯片组件进行耦合后,定义所述输出芯片组件与所述激光器芯片组件之间的间隔为耦合位置,在所述耦合位置进行所述胶水固化。优选的,提供UV胶和UV灯进行所述胶水固化。在所述光固化过程中,所述UV灯设置在所述耦合位置的竖直高度方向上可以提供一个所述UV灯,且所述UV灯设置在所述耦合位置的上方或下方;或者,提供两个所述UV灯,两个所述UV灯分别设置在所述耦合位置的上方和下方,且两个所述UV灯相对于所述耦合位置对称设置。步骤S2中,在所述耦合过程中,采用手动耦合或自动耦合机进行耦合。
当所述激光器器件为多通道器件时,还可以根据上述方法依次将其余通道激光器与输出芯片组件进行耦合。
下面将结合具体实施例来对本发明进行进一步详细地说明。
请参见图3至图6,本发明一实施例所示的单透镜耦合方法应用于激光器器件,所述激光器器件包括输出芯片组件10和激光器芯片组件20,所述输出芯片组件10包括输出芯片基板11和输出芯片12,所述激光器芯片组件20包括激光器芯片基板21、激光器芯片22以及透镜23。
如图3和图4所示,首先先将所述输出芯片12贴装在所述输出芯片基板11上、所述激光器芯片22贴装在所述激光器芯片基板21上,然后将所述透镜23贴装在所述激光器芯片基板21上,在本实施例中,采用贴片机进行贴装作业。
如图5和图6所示,将贴装完成后输出芯片组件10与激光器芯片组件20的通过手动或自动耦合机来进行耦合,定义所述输出芯片组件10与所述激光器芯片组件20之间的间隔为耦合位置30,在所述耦合位置30通过UV胶和UV灯40进行光固化,从而连接固定所述输出芯片组件10和激光器芯片组件20。
本实施例中,所述UV灯40的数目为两个,两个所述UV灯40设置分别在所述耦合位置30的上方和下方,且两个所述UV灯40相对于所述耦合位置对称设置。
本实施例所示的激光器器件为单通道器件,诚然,在其他实施例中,该激光器器件还可为多通道器件,则每个所述激光器器件采用本实施例所示的单透镜耦合方法进行耦合。
综上所述:本发明的应用于激光器器件的单透镜耦合方法通过设置独立的输出芯片组件和激光器芯片组件,然后将透镜贴装在激光器芯片组件上,再进行耦合并通过胶水固化进行连接固定。故,该单透镜耦合方法可以提高耦合过程中的容差,降低工艺耗时和对耦合机台的精度/稳定度要求,从而降低机台成本,并且,还能有效改善胶水固化过程中的光功率漂移现象,提高耦合容差和产品良品率。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (8)
1.一种应用于激光器器件的单透镜耦合方法,其特征在于,所述激光器器件包括输出芯片组件和激光器芯片组件,所述输出芯片组件包括输出芯片基板和输出芯片,所述激光器芯片组件包括激光器芯片基板、激光器芯片以及透镜,所述单透镜耦合方法包括以下步骤:
S1、提供至少一个所述激光器器件,先将所述输出芯片贴装在所述输出芯片基板上、所述激光器芯片贴装在所述激光器芯片基板上,再将所述透镜贴装在所述激光器芯片基板上;
S2、将所述输出芯片组件与所述激光器芯片组件进行耦合,然后通过胶水固化来连接固定所述输出芯片组件和激光器芯片组件。
2.如权利要求1所述的应用于激光器器件的单透镜耦合方法,其特征在于,步骤S2中,在所述输出芯片组件与所述激光器芯片组件进行耦合后,定义所述输出芯片组件与所述激光器芯片组件之间的间隔为耦合位置,在所述耦合位置进行所述胶水固化。
3.如权利要求2所述的应用于激光器器件的单透镜耦合方法,其特征在于,提供UV胶和UV灯进行所述胶水固化。
4.如权利要求3所述的应用于激光器器件的单透镜耦合方法,其特征在于,在所述光固化过程中,所述UV灯设置在所述耦合位置的竖直高度方向上。
5.如权利要求4所述的应用于激光器器件的单透镜耦合方法,其特征在于,在所述光固化过程中,提供有一个所述UV灯,所述UV灯设置在所述耦合位置的上方或下方。
6.如权利要求4所述的应用于激光器器件的单透镜耦合方法,其特征在于,在所述光固化过程中,提供有两个所述UV灯,两个所述UV灯分别设置在所述耦合位置的上方和下方,且两个所述UV灯相对于所述耦合位置对称设置。
7.如权利要求1所述的应用于激光器器件的单透镜耦合方法,其特征在于,步骤S2中,在所述耦合过程中,采用手动耦合或自动耦合机进行耦合。
8.如权利要求1至7中任一项所述的应用于激光器器件的单透镜耦合方法,其特征在于,包括多个所述激光器器件,每个所述激光器器件采用所述单透镜耦合方法进行耦合。
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