CN108879641A - 一种apb全相自脱离过电压保护器 - Google Patents

一种apb全相自脱离过电压保护器 Download PDF

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郭道胜
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    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H02H9/04Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage

Abstract

本发明公开了一种APB全相自脱离过电压保护器,包括:半导体开关电路,第一端与被保护器件的第一端连接,第二端与所述被保护器件的第二端连接,用于控制控制过电压保护器的开闭;触发电路,与所述半导体开关电路的控制端连接,用于触发所述半导体开关电路,所述半导体开关电路包括第一晶闸管和第二晶闸管,所述第一晶闸管的负极与所述第二晶闸管的正E极连接,所述第一晶闸管的正极与所述第二晶闸管的负极连接,所述第一晶闸管的门极和所述第二晶闸管的门极作为所述半导体开关电路的所述控制端,所述触发电路包括:第一TVS管,第一端与所述第一晶闸管的门极连接:第一电阻,第一端与所述第一TVS管的第二端连接,第二端与所述第二晶闸管的门极连接。

Description

一种APB全相自脱离过电压保护器
技术领域
[0001] 本发明涉及过电压保护技术领域,具体涉及一种APB全相自脱离过电压保护器。
背景技术
[0002]电力系统正常运行及操作过程中所产生的各种过电压,分为雷电过电压、操作过 电压和正常过电压,过电压对电气设备的危害是众所周知的,导致电气设备的绝缘加速老 化和击穿,扩大故障危害,造成停电,甚至火灾等恶性事故,同时过电压的产生是不可避免 的,但是过电压的危害可以降低到最小程度。
[0003] APB大容量组合式过电压保护器是针对传统无间隙结构容易老化,其他组合式过 压保护器存在结构设计不合理研宄开发的。还因的泄漏电流较大,自身通流量小,阀片容易 老化,品质相对脆弱不能限制操作过电压。其他组合式保护器有的工作不够稳定,有的通流 量小,有的密封性能差,时有爆炸现象出现,甚至酿成较大事故。
发明内容
[0004] 本发明旨在提供了一种APB全相自脱离过电压保护器。
[0005] 本发明提供如下技术方案:
[0006] 一种APB全相自脱离过电压保护器,包括:半导体开关电路,第一端与被保护器件 的第一端连接,第二端与所述被保护器件的第二端连接,用于控制控制过电压保护器的开 闭;触发电路,与所述半导体开关电路的控制端连接,用于触发所述半导体开关电路,所述 半导体开关电路包括第一晶闸管和第二晶闸管,所述第一晶闸管的负极与所述第二晶闸管 的正E极连接,所述第一晶闸管的正极与所述第二晶闸管的负极连接,所述第一晶闸管的门 极和所述第二晶闸管的门极作为所述半导体开关电路的所述控制端,所述触发电路包括: 第一 TVS管,第一端与所述第一晶闸管的门极连接:第一电阻,第一端与所述第一 TVS管的第 二端连接,第二端与所述第二晶闸管的门极连接。
[0007] 所述半导体开关电路包括:双向晶闸管,所述双向晶闸管的第一端作为所述半导 体开关电路的第一端,所述双向晶闸管的第二端作为所述半导体开关电路的第二端,所述 双向晶闸管的控制端作为所述半导体开关电路的控制端;所述触发电路包括固体放电器 件,第一端与所述双向晶闸管的第一端连接,第二端与所述双向晶闸管的控制端连接。
[0008] 所述第一晶闸管和第二晶闸管制成环状,放电间隙的上、下电极分别置于电阻器 的上、下端面,在环状电阻器的轴线处构成通流电阻抗。
[0009] 与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明使用半导体开关电路和触发电路 相结合作为过电压保护器,在半导体开关电路中的使用的半导体开关器件可以大幅减少漏 电流,同时半导体开关器件自身能够为被保护设备或电路提供钳位电压,用于保护被保护 设备或电路,触发电路用于触发半导体开关电路,触发电路所提供的触发电压可根据实际 需求做调整,同时触发电路产生的电流较小,避免了对半导体开关电路的损害,实现了对被 保护器件有效且安全的保护。
附图说明
[0010]图1为本发明的结构示意图。
具体实施方式
[0011]下面将结合本发明实施例,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述, 显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的 实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都 属于本发明保护的范围。
[0012]实施例参考附图1,一种APB全相自脱离过电压保护器,包括:半导体开关电路,第 一端与被保护器件的第一端连接,第二端与所述被保护器件的第二端连接,用于控制控制 过电压保护器的开闭;触发电路,与所述半导体开关电路的控制端连接,用于触发所述半导 体开关电路,所述半导体开关电路包括第一晶闸管和第二晶闸管,所述第一晶闸管的负极 与所述第二晶闸管的正E极连接,所述第一晶闸管的正极与所述第二晶闸管的负极连接,所 述第一晶闸管的门极和所述第二晶闸管的门极作为所述半导体开关电路的所述控制端,所 述触发电路包括:第一 TVS管,第一端与所述第一晶闸管的门极连接:第一电阻,第一端与所 述第一 TVS管的第二端连接,第二端与所述第二晶闸管的门极连接。
[0013] 所述半导体开关电路包括:双向晶闸管,所述双向晶闸管的第一端作为所述半导 体开关电路的第一端,所述双向晶闸管的第二端作为所述半导体开关电路的第二端,所述 双向晶闸管的控制端作为所述半导体开关电路的控制端;所述触发电路包括固体放电器 件,第一端与所述双向晶闸管的第一端连接,第二端与所述双向晶闸管的控制端连接。
[0014]所述第一晶闸管和第二晶闸管制成环状,放电间隙的上、下电极分别置于电阻器 的上、下端面,在环状电阻器的轴线处构成通流电阻抗。
[0015]与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明使用半导体开关电路和触发电路 相结合作为过电压保护器,在半导体开关电路中的使用的半导体开关器件可以大幅减少漏 电流,同时半导体开关器件自身能够为被保护设备或电路提供钳位电压,用于保护被保护 设备或电路,触发电路用于触发半导体开关电路,触发电路所提供的触发电压可根据实际 需求做调整,同时触发电路产生的电流较小,避免了对半导体开关电路的损害,实现了对被 保护器件有效且安全的保护。
[0016]对于本领域技术人员而言,显然本发明不限于所述示范性实施例的细节,而且在 不背离本发明的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本发明。因此,无论 从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本发明的范围由所附权 利要求而不是所述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有 变化囊括在本发明内。此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个 实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域 技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本 领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (3)

1. 一种APB全相自脱离过电压保护器,其特征在于,包括:半导体开关电路,第一端与被 保护器件的第一端连接,第二端与所述被保护器件的第二端连接,用于控制控制过电压保 护器的开闭;触发电路,与所述半导体开关电路的控制端连接,用于触发所述半导体开关电 路,所述半导体开关电路包括第一晶闸管和第二晶闸管,所述第一晶闸管的负极与所述第 二晶闸管的正E极连接,所述第一晶闸管的正极与所述第二晶闸管的负极连接,所述第一晶 闸管的门极和所述第二晶闸管的门极作为所述半导体开关电路的所述控制端,所述触发电 路包括:第一TVS管,第一端与所述第一晶闸管的门极连接:第一电阻,第一端与所述第一 TVS管的第二端连接,第二端与所述第二晶闸管的门极连接。
2. 根据权利要求1所述的一种APB全相自脱离过电压保护器,其特征在于:所述半导体 开关电路包括:双向晶闸管,所述双向晶闸管的第一端作为所述半导体开关电路的第一端, 所述双向晶闸管的第二端作为所述半导体开关电路的第二端,所述双向晶闸管的控制端作 为所述半导体开关电路的控制端;所述触发电路包括固体放电器件,第一端与所述双向晶 闸管的第一端连接,第二端与所述双向晶闸管的控制端连接。
3.根据权利要求1所述的一种APB全相自脱离过电压保护器,其特征在于:所述第一晶 闸管和第二晶闸管制成环状,放电间隙的上、下电极分别置于电阻器的上、下端面,在环状 电阻器的轴线处构成通流电阻抗。
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