CN108878408A - 薄型化双芯片的叠接封装结构 - Google Patents
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- 230000009977 dual effect Effects 0.000 title claims abstract description 17
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 claims abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 230000019491 signal transduction Effects 0.000 description 2
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/492—Bases or plates or solder therefor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06551—Conductive connections on the side of the device
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06582—Housing for the assembly, e.g. chip scale package [CSP]
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
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Abstract
一种薄型化双芯片的叠接封装结构,包括一第一芯片,其一第一侧边包括多个焊垫;一第二芯片应用黏胶附着在该第一芯片上方,其一第一侧边包括多个焊垫;一电路板,其形成一中央镂空孔及一第一侧边镂空孔;该中央镂空孔及该第一侧边镂空孔之间的电路板上方部位形成第一侧边焊垫;在组装状态下该第一芯片上方附着在该电路板下方,使得该第二芯片位于该中央镂空孔内部;该第一芯片的第一侧边的焊垫位于该电路板的该第一侧边镂空孔内部且外露在该第一侧边镂空孔内;连接时应用第一导线连接该第一芯片的第一侧边的焊垫及该电路板上方部位的第一侧边焊垫,再应用第二导线连接该电路板上方部位的第一侧边焊垫及该第二芯片的第一侧边的焊垫。
Description
技术领域
本发明涉及半导体封装结构,尤其是一种薄型化双芯片的叠接封装结构。
背景技术
现有技术中(如图5所示)一般对于DSP(数字处理器)的芯片组结构为将一DRAM10’置于一电路板30’上,再将DSP 20’置于DRAM 10’上,而应用导线51’连通DRAM 10’及电路板30’,且应用另一组导线52’连通DSP 20’及DRAM 10’。
此一结构的厚度方向包括电路板30’、DRAM 10’、DSP 20’及连接的导线52’的高度。而且必须在上述结构的外围加上一封装结构60’。所以整体厚度除了必要的DRAM 10’及DSP 20’外,还包括电路板30’及导线52’高度的厚度。所以整体的芯片组结构形成一定的高度。
在电子装置的应用中,一般要求越来越薄,相对地里面的组件的厚度也必须大量的缩减。因此在许多的应用中,电子装置的厚度往往受限于上述芯片组的厚度。发明人基于长久对于封装的了解,所以希望提出一种崭新的封装形式,应用封装的技术减少整个芯片组的厚度,相对的可减少安装该芯片组的电子装置的厚度。
发明内容
所以本发明的目的在于,解决上述现有技术上的问题,本发明中提出一种薄型化双芯片的叠接封装结构,将位于第一芯片上方的第二芯片置于电路板的中央镂空孔内,所以减少整体芯片组封装结构的厚度,并且信号传导的导线的高度也大幅地降低。所以应用本发明的技术所形成的芯片组整体厚度已大大的降低,而在许多半导体芯片的应用上亟需要减少整体的厚度,而本发明中同时减少第二芯片的厚度及接点接线高度所呈现的厚度,此为现有技术中所未能达成的。
为达到上述目的,本发明中提出一种薄型化双芯片的叠接封装结构,包括:一第一芯片,其一第一侧边包括多个焊垫,用于输入或输出信号或电力;一第二芯片,应用黏胶附着在该第一芯片的上方,其一第一侧边包括多个焊垫,用于输入或输出信号或电力;一电路板,其中该电路板形成一中央镂空孔及一第一侧边镂空孔;在该中央镂空孔及该第一侧边镂空孔之间的电路板上方部位形成第一侧边焊垫;其中在组装状态下该第一芯片的上方附着在该电路板的下方,而使得该第二芯片位于该中央镂空孔的内部;且该第一芯片的第一侧边的焊垫位于该电路板的该第一侧边镂空孔内部,且外露在该第一侧边镂空孔内;连接时,应用第一导线将该第一芯片的第一侧边的焊垫连接到该电路板上方部位的第一侧边焊垫,再应用第二导线将该电路板上方部位的第一侧边焊垫连接到该第二芯片的第一侧边的焊垫,而使得该第一芯片的信号或电力可以通过此一连接而连接到该第二芯片。其中该第一芯片的一第二侧边包括多个焊垫,用于输入或输出信号或电力;该第二芯片的一第二侧边包括多个焊垫,用于输入或输出信号或电力;该电路板形成一第二侧边镂空孔;在该中央镂空孔及该第二侧边镂空孔之间的电路板上方部位形成第二侧边焊垫;其中在组装状态下,该第一芯片的第二侧边的焊垫位于该电路板的该第二侧边镂空孔内部,且外露在该第二侧边镂空孔内;连接时,应用第三导线将该第一芯片的第二侧边的焊垫连接到该电路板上方部位的第二侧边焊垫,再应用第四导线将该电路板上方部位的第二侧边焊垫连接到该第二芯片的第二侧边的焊垫,而使得该第一芯片的信号或电力可以通过此一连接而连接到该第二芯片。其中在该第二芯片的前方或后方另外配置焊垫,且该电路板的前方或后方也配置焊垫;应用第五导线将该第二芯片前方的焊垫连接该电路板前方的焊垫,或应用第六导线将该第二芯片后方的焊垫连接该电路板后方的焊垫。一封装层,用于将该中央镂空孔、第一侧边镂空孔填充封装材料,而使得整体形成一芯片组,便利于其他电子电路的使用。
其中,该第一芯片为一DRAM,而该第二芯片为一DSP芯片。
其中,该DRAM的尺寸为7.7mm × 7.4mm,而该DSP芯片的尺寸为5.2mm × 5.2mm,该电路板的尺寸为8mm × 8mm。
附图说明
图1显示本发明组件组合示意图。
图2显示本发明组件组合截面图。
图3显示本发明的第一芯片、第二芯片及电路板的组合示意图。
图4显示本发明另一组件组合示意图。
图5显示现有技术的芯片组结构的截面示意图。
附图标记说明
10-第一芯片
10’-DRAM
15-焊垫
20-第二芯片
20’-DSP
25-焊垫
26-焊垫
30-电路板
30’-电路板
32-左侧焊垫
34-右侧焊垫
36-焊垫
40-中央镂空孔
42-左侧镂空孔
44-右侧镂空孔
51-第一导线
51’-应用导线
52-第二导线
52’-导线
53-第三导线
54-第四导线
55-第五导线
56-第六导线
60-封装层
70-黏胶。
具体实施方式
由下文的说明可更进一步了解本发明的特征及其优点,阅读时并请参考附图。
现就本发明的结构组成,及所能产生的功效与优点,配合附图,举本发明的一较佳实施例详细说明如下。
请参考图1至图4所示,显示本发明的薄型化双芯片的叠接封装结构,包括下列组件:
一第一芯片10,其左右两侧边包括多个焊垫15(如图3所示),用于输入或输出信号或电力。
一第二芯片20,应用黏胶70附着在该第一芯片10的上方(如图2所示),其左右两侧边包括多个焊垫25(如图3所示),用于输入或输出信号或电力。
一电路板30,其中该电路板30形成一中央镂空孔40、一左侧镂空孔42、及一右侧镂空孔44。在该中央镂空孔40及该左侧镂空孔42之间的电路板30上方部位形成左侧焊垫32;且在该中央镂空孔40及该右侧镂空孔44之间的电路板30上方部位形成右侧焊垫34。
其中在组装状态下该第一芯片10的上方附着在该电路板30的下方,而使得该第二芯片20位于该中央镂空孔40的内部。且该第一芯片10左侧的焊垫15位于该电路板30的该左侧镂空孔42内部,且外露在该左侧镂空孔42内;而该第一芯片10右侧的焊垫15位于该电路板30的该右侧镂空孔44内部,且外露在该右侧镂空孔44内。
连接时,应用第一导线51将该第一芯片10左侧的焊垫15连接到该电路板30上方部位的左侧焊垫32,再应用第二导线52将该电路板30上方部位的左侧焊垫32连接到该第二芯片20左侧的焊垫25,而使得该第一芯片10的信号或电力可以通过此一连接而连接到该第二芯片20。
同样的,应用第三导线53将该第一芯片10右侧的焊垫15连接到该电路板30上方部位的右侧焊垫34,再应用第四导线54将该电路板30上方部位的右侧焊垫34连接到该第二芯片20右侧的焊垫25,而使得该第一芯片10的信号或电力可以通过此一连接而连接到该第二芯片20。
如图4所示,本发明也可以在该第二芯片20的前方及后方另外配置焊垫26,且该电路板30的前方及后方也配置焊垫36。应用第五导线55将该第二芯片20前方的焊垫26连接该电路板30前方的焊垫36,且应用第六导线56将该第二芯片20后方的焊垫连接该电路板30后方的焊垫36,因此可以将该第二芯片20的信号通过该电路板30的前方及后方所配置的焊垫36往外传送或由外部输入。而该第一芯片10的电力或信号也可以应用此路径进行传输。
如图1及图4所示,本发明还包括一封装层60,用于将该中央镂空孔40、左侧镂空孔42及右侧镂空孔44填充封装材料,而使得整体形成一芯片组,便利于其他电子电路的使用。
本发明的较佳实施例中,其结构同于上一说明例,其中该第一芯片10为一DRAM(如LPDDRDRAM),而该第二芯片20为一DSP芯片。因此整体组合成一可实际使用的芯片组。其中该DRAM的尺寸为7.7mm × 7.4mm,而该DSP芯片的尺寸为5.2mm ×5.2mm,该电路板30的尺寸为8mm × 8mm。适当的切割该中央镂空孔40、左侧镂空孔42及右侧镂空孔44的部位则可配置成上述说明的结构。
本发明的优点为,将位于第一芯片上方的第二芯片置于电路板的中央镂空孔内,所以减少整体芯片组封装结构的厚度,并且信号传导的导线的高度也大幅地降低。所以应用本发明的技术所形成的芯片组整体厚度已大大的降低,而在许多半导体芯片的应用上亟需要减少整体的厚度,而本发明中同时减少第二芯片的厚度及接点接线高度所呈现的厚度,此为现有技术中所未能达成的。
综上所述,本发明人性化的体贴设计,相当符合实际需求。其具体改进现有技术的缺陷,相较于现有技术明显具有突破性的进步优点,确实具有功效的增进,且非易于达成。本发明未曾公开或揭露于国内与国外的文献与市场上,已符合专利法的规定。
上述详细说明是针对本发明的一可行实施例的具体说明,但该实施例并非用以限制本发明的保护范围,凡未脱离本发明技艺精神所为的等效实施或变更,均应包含于本发明的保护范围中。
Claims (6)
1.一种薄型化双芯片的叠接封装结构,其特征在于,包括:
一第一芯片,其一第一侧边包括多个焊垫,用于输入或输出信号或电力;
一第二芯片,应用黏胶附着在该第一芯片的上方,其一第一侧边包括多个焊垫,用于输入或输出信号或电力;
一电路板,其中,该电路板形成一中央镂空孔及一第一侧边镂空孔;在该中央镂空孔及该第一侧边镂空孔之间的电路板上方部位形成第一侧边焊垫;
其中,在组装状态下该第一芯片的上方附着在该电路板的下方,而使得该第二芯片位于该中央镂空孔的内部;且该第一芯片的第一侧边的焊垫位于该电路板的该第一侧边镂空孔内部,且外露在该第一侧边镂空孔内;
连接时,应用第一导线将该第一芯片的第一侧边的焊垫连接到该电路板上方部位的第一侧边焊垫,再应用第二导线将该电路板上方部位的第一侧边焊垫连接到该第二芯片的第一侧边的焊垫,而使得该第一芯片的信号或电力能够通过此一连接而连接到该第二芯片。
2.如权利要求1所述的薄型化双芯片的叠接封装结构,其特征在于,该第一芯片的一第二侧边包括多个焊垫,用于输入或输出信号或电力;
其中,该第二芯片的一第二侧边包括多个焊垫,用于输入或输出信号或电力;
其中,该电路板形成一第二侧边镂空孔;在该中央镂空孔及该第二侧边镂空孔之间的电路板上方部位形成第二侧边焊垫;
其中,在组装状态下,该第一芯片的第二侧边的焊垫位于该电路板的该第二侧边镂空孔内部,且外露在该第二侧边镂空孔内;
连接时,应用第三导线将该第一芯片的第二侧边的焊垫连接到该电路板上方部位的第二侧边焊垫,再应用第四导线将该电路板上方部位的第二侧边焊垫连接到该第二芯片的第二侧边的焊垫,而使得该第一芯片的信号或电力能够通过此一连接而连接到该第二芯片。
3.如权利要求1所述的薄型化双芯片的叠接封装结构,其特征在于,在该第二芯片的前方或后方另外配置焊垫,且该电路板的前方或后方也配置焊垫;应用第五导线将该第二芯片前方的焊垫连接该电路板前方的焊垫,或应用第六导线将该第二芯片后方的焊垫连接该电路板后方的焊垫。
4.如权利要求1所述的薄型化双芯片的叠接封装结构,其特征在于,还包括一封装层,用于将该中央镂空孔、第一侧边镂空孔填充封装材料,而使得整体形成一芯片组,便利于其他电子电路的使用。
5.如权利要求1或2或3或4所述的薄型化双芯片的叠接封装结构,其特征在于,该第一芯片为一DRAM,而该第二芯片为一DSP芯片。
6.如权利要求5所述的薄型化双芯片的叠接封装结构,其特征在于,该DRAM的尺寸为7.7mm × 7.4mm,而该DSP芯片的尺寸为5.2mm × 5.2mm,该电路板的尺寸为8mm × 8mm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710324179.XA CN108878408A (zh) | 2017-05-10 | 2017-05-10 | 薄型化双芯片的叠接封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|
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Family
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---|---|---|---|
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Country Status (1)
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WW01 | Invention patent application withdrawn after publication | ||
WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |
Application publication date: 20181123 |