CN108389885A - 散热结构及应用其的电子装置和显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种散热结构,其包括缓冲层和散热层,所述散热层包括层叠于所述缓冲层一侧的主体部和由主体部延伸的至少一个延伸部,每一个延伸部延伸贯穿所述缓冲层。本发明还提供一种应用上述散热结构的电子装置和显示装置。本发明通过在缓冲层上设置通孔,使所述散热层能够延伸到通孔中,进而使得所述散热层能够直接接触到发热的电子器件,从而利于热量的传导和散发。

Description

散热结构及应用其的电子装置和显示装置

技术领域

[0001] 本发明涉及一种散热结构及应用其的电子装置和显示装置。

背景技术

[0002] 发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)与有机发光二极管 (OrganicElectroluminesence Display,0ELD)是现在较为常用的两种发光器件。发光二极 管通过使用半导体的P-N结结构来产生注入的少数载流子(电子或空穴),并重新结合少数 载流子以发光。有机发光二极管通过在玻璃基板上设置非常薄的有机材料涂层,当有电流 通过时,这些有机材料涂层就会发光。现有的白光LED主要采用蓝色晶片外加封装黄色荧光 粉,从而混光产生白光,但LED基底层一般采用蓝宝石衬底,因其导热系数较低,从而使LED 散热较差,进而影响LED发光效率和寿命。同样,OLED的玻璃基板也不具备较高的导热系数, 同样存在散热问题。

发明内容

[0003] 鉴于此,有必要提供一种散热结构,其具有良好的散热效果。

[0004] —种散热结构,其包括缓冲层和散热层,所述散热层包括层叠于所述缓冲层一侧 的主体部和由主体部延伸的至少一个延伸部,每一个延伸部延伸贯穿所述缓冲层。

[0005] 进一步的,所述缓冲层对应开设有贯穿所述缓冲层的至少一个通孔,每一个延伸 部嵌设在对应的一个通孔中。

[0006] 进一步的,所述主体部和所述缓冲层之间设置有胶粘层以将所述缓冲层和所述散 热层结合,所述延伸部贯穿所述胶粘层。

[0007] 进一步的,每一个延伸部贴附/接触其对应通孔的孔壁。

[0008] 进一步的,每一个通孔的孔壁上设置有胶粘层,以将所述延伸部和所述缓冲层结 合。

[0009] 进一步的,所述至少一个通孔包括多个通孔,所述多个通孔为间隔排布。

[0010] 进一步的,所述延伸部远离主体部的端面与所述缓冲层的一表面为平齐的。

[0011] 还有必要提供一种应用该散热结构的电子装置。

[0012] —种电子装置,其包括可发热的电子器件和层叠在所述可发热的电子器件一侧的 散热结构,所述散热结构为上述的散热结构。

[0013] 进一步的,所述散热结构的缓冲层和延伸部直接贴附在所述可发热的电子器件 上。

[00M]进一步的,所述可发热的电子器件为主动矩阵有机发光二极管装置。

[0015] 本发明通过在缓冲层上设置通孔,使所述散热层能够延伸到通孔中,进而使得所 述散热层能够直接接触到发热的电子器件,从而利于热量的传导和散发。

附图说明

[0016] 图1本发明第一实施方式电子装置的剖面示意图。

[0017] 图2是本发明第一实施方式的散热结构的俯视示意图。

[0018] 图3是本发明第二实施方式的散热结构的俯视示意图。

[0019] 图4是本发明第三实施方式的散热结构的俯视示意图。

[0020] 图5本发明第二实施方式电子装置的剖面示意图。

[0021] 主要元件符号说明

[0022]

Figure CN108389885AD00041

[0023] 如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

[0024] 附图中示出了本发明的实施例,本发明可以通过多种不同形式实现,而并不应解 释为仅局限于这里所阐述的实施例。相反,提供这些实施例是为了使本发明更为全面和完 整的公开,并使本领域的技术人员更充分地了解本发明的范围。为了清晰可见,在图中,层 和区域的尺寸被放大了。

[0025] 可以理解,尽管第一、第二等这些术语可以在这里使用来描述各种元件、组件、区 域、层和/或部分,但这些元件、组件、区域、层和/或部分不应仅限于这些术语。这些术语只 是被用来区分元件、组件、区域、层和/或部分与另外的元件、组件、区域、层和/或部分。因 此,只要不脱离本发明的教导,下面所讨论的第一部分、组件、区域、层和/或部分可以被称 为第二元件、组件、区域、层和/或部分。

[0026] 这里所用的专有名词仅用于描述特定的实施例而并非意图限定本发明。如这里所 用的,单数形式“一”、“一个”和“该”也意图涵盖复数形式,除非上下文清楚指明是其它情 况。还应该理解,当在说明书中使用术语“包含”、“包括”时,指明了所述特征、整体、步骤、操 作、元件和/或部件的存在,但是不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件和/或 部件的存在。

[0027] 这里参考剖面图描述本发明的实施例,这些剖面图是本发明理想化的实施例(和 中间构造)的示意图。因而,由于制造工艺和/或公差而导致的图示的形状不同是可以预见 的。因此,本发明的实施例不应解释为限于这里图示的区域的特定形状,而应包括例如由于 制造而产生的形状的偏差。图中所示的区域本身仅是示意性的,它们的形状并非用于图示 装置的实际形状,并且并非用于限制本发明的范围。

[0028] 除非另外定义,这里所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所述 领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。还应当理解,比如在通用的辞典中所 定义的那些的术语,应解释为具有与它们在相关领域的环境中的含义相一致的含义,而不 应以过度理想化或过度正式的含义来解释,除非在本文中明确地定义。

[0029] 请参阅图1,本发明第一实施方式所提供的电子装置100为一 OLED显示装置,其包 括散热结构10和设置在所述散热结构10上的主动矩阵有机发光二极管装置20。所述散热结 构10作为主动矩阵有机发光二极管装置20的支撑基底。

[0030] 可以理解的,所述主动矩阵有机发光二极管装置20包括薄膜晶体管(TFT)层以及 层叠在所述TFT层上的发光二极管层。优选的,所述主动矩阵有机发光二极管装置20可为柔 性的,即所述OLED显示装置为柔性的OLED显示装置。

[0031] 可以理解的,所述电子装置100的主动矩阵有机发光二极管装置20也可替换为其 他的可产生热能的电子器件。

[0032] 所述散热结构10不仅能支撑所述主动矩阵有机发光二极管装置20还能将来自所 述主动矩阵有机发光二极管装置20的热量传导散出。所述散热结构10包括缓冲层11、散热 层13、以及设置在缓冲层11和散热层13之间的胶粘层15。所述胶粘层15形成于缓冲层11远 离主动矩阵有机发光二极管装置20的表面上,用以将所述缓冲层11和所述散热层13结合为 一体。

[0033] 所述缓冲层11可选用本领域常规使用的具有力缓冲功能的材质,例如泡棉、硅胶 等。所述散热层13可选用本领域常规使用的具有良好导热能力的材质,例如石墨烯。

[0034] 所述散热结构10的缓冲层11直接贴附在所述主动矩阵有机发光二极管装置20上, 由于所述缓冲层11的热传导功能较弱,为提高所述散热结构10的散热功能,所述缓冲层11 和所述胶粘层15中对应开设有贯穿所述缓冲层11和所述胶粘层15的至少一个通孔111,所 述散热层13延伸至所述至少一个通孔111内并相对所述缓冲层11露出而直接接触所述主动 矩阵有机发光二极管装置20,以更好的进行传导散热。即,所述散热层13延伸贯穿所述缓冲 层11和所述胶粘层15。

[0035] 所述散热层13包括主体部131和由主体部131延伸的至少一个延伸部133。本实施 例中,所述主体部131为一片层状,其层叠于所述缓冲层11远离所述主动矩阵有机发光二极 管装置20的一侧。所述延伸部133的数量与通孔111的数量一致,每一个通孔111内容置有一 个延伸部133。本实施例中,所述至少一个通孔111包括多个通孔111,所述多个通孔111为相 互间隔设置;对应所述至少一个延伸部133包括多个延伸部133,所述多个延伸部133为相互 间隔设置。

[0036] 本实施例中,所述延伸部133远离主体部131的端面与所述缓冲层11靠近所述主动 矩阵有机发光二极管装置20的表面为平齐的,如图1所示。

[0037] 请参阅图2至图4所示,所述多个通孔111的截面形状(俯视形状)可为圆形、矩形 等,但不限于图2所示的矩形和图3-4所示的矩形,还可其他任意的规则或不规则的形状,例 如三角形、椭圆等。所述多个通孔111可为图2-3所示的矩阵排布,也可为图4所示的多行/多 列排布。可以理解的,所述多个通孔111的排布不限于图2-4所示,还可为其他的任意的排 布。

[0038] 本实施例中,所述散热层13的每一个延伸部133为紧密嵌设在其对应的通孔111内 (延伸部133贴附/接触所述通孔111的孔壁),因此所述延伸部133的形状与通孔111的形状 相配合。例如,当通孔111的截面为圆形,则所述延伸部133的形状为圆柱状;当通孔111的截 面为矩形,则所述延伸部133的形状为矩形柱状。可以理解的,所述延伸部133也可设置为在 其对应的通孔111内,但不与通孔111的孔壁贴合(即不紧密嵌设)。

[0039] 如图1所示,所述散热结构10还包括电磁屏蔽层17。所述电磁屏蔽层17设置所述散 热层13远离所述缓冲层11的一侧。

[0040] 所述电磁屏蔽层17可选用本领域常规使用的具有电磁屏蔽功能的材质,例如金属 铜。

[0041] 可以理解的,所述电磁屏蔽层17与所述散热层13之间还可设置另外的一胶粘层 15,以将所述电磁屏蔽层17与所述散热层13结合为一体。

[0042] 所述主动矩阵有机发光二极管装置20包括形成在所述散热层13上的电子传输层 (图未示)、形成在所述电子传输层的发光层(图未示)、形成在所述发光层上的空穴传输层 (图未示)、形成在所述空穴传输层上的空穴注入层(图未示)。

[0043] 请参阅图5,本发明第二实施方式所提供的电子装置200为一 OLED显示装置,其包 括散热结构10和设置在所述散热结构10上的主动矩阵有机发光二极管装置20。所述散热结 构10作为主动矩阵有机发光二极管装置20的支撑基底。

[0044] 可以理解的,所述主动矩阵有机发光二极管装置20包括薄膜晶体管(TFT)层以及 层叠在所述TFT层上的发光二极管层。优选的,所述主动矩阵有机发光二极管装置20可为柔 性的,即所述OLED显示装置为柔性的OLED显示装置。

[0045] 可以理解的,所述电子装置100的主动矩阵有机发光二极管装置20也可替换为其 他的可产生热能的电子器件。

[0046] 所述散热结构10不仅能支撑所述主动矩阵有机发光二极管装置20还可将来自所 述主动矩阵有机发光二极管装置20的热量传导散出。本实施例的所述散热结构10也包括缓 冲层11、散热层13和胶粘层15;不同于图1所示的散热结构10,本实施例的胶粘层15的设置 位置不同。

[0047] 所述缓冲层11中对应开设有贯穿所述缓冲层11的至少一个通孔111。每一个通孔 111的孔壁上设置有胶粘层15。所述散热层13延伸至所述至少一个通孔111内以使所述散热 层13能够相对所述缓冲层11露出,进而所述散热层13可直接接触所述主动矩阵有机发光二 极管装置20以更好的进行传导散热。即,所述散热层13延伸贯穿所述缓冲层11。

[0048] 所述散热层13包括主体部131和由主体部131延伸的至少一个延伸部133。所述主 体部131为一片层状,其层叠于所述缓冲层11远离所述主动矩阵有机发光二极管装置20的 一侧。所述延伸部133的数量与通孔111的数量一致,每一个通孔111内嵌设有一个延伸部 133。所述主体部131和所述缓冲层11之间并未设置胶粘层15,所述胶粘层15设置在通孔111 的孔壁上,位于缓冲层11和延伸部133之间,以将所述缓冲层11和所述散热层13结合为一 体。本实施例中,所述至少一个通孔111包括多个通孔111,所述多个通孔111为相互间隔设 置。所述胶粘层15形成在所述每个通孔111的孔壁上,用以将所述缓冲层11和所述散热层13 结合为一体。

[0049] 本实施例中,所述延伸部133远离主体部131的端面与所述缓冲层11靠近所述主动 矩阵有机发光二极管装置20的表面为平齐的,如图5所示。

[0050] 如图5所示,所述散热结构10还包括电磁屏蔽层17。所述电磁屏蔽层17设置所述散 热层13远离所述缓冲层11的一侧。所述电磁屏蔽层17可选用本领域常规使用的具有电磁屏 蔽功能的材质,例如金属铜。可以理解的,所述电磁屏蔽层17与所述散热层13之间还可设置 另外的一胶粘层15,以将所述电磁屏蔽层17与所述散热层13结合为一体。

[0051] 以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制,图示中出现的上、下、左及右 方向仅为了方便理解,尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明,本领域的普通技术 人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或等同替换,而不脱离本发明技术方案 的精神和范围。

Claims (10)

1. 一种散热结构,其包括缓冲层和散热层,其特征在于:所述散热层包括层叠于所述缓 冲层一侧的主体部和由主体部延伸的至少一个延伸部,每一个延伸部延伸贯穿所述缓冲 层。
2. 如权利要求1所述的散热结构,其特征在于,所述缓冲层对应开设有贯穿所述缓冲层 的至少一个通孔,每一个延伸部嵌设在对应的一个通孔中。
3. 如权利要求2所述的散热结构,其特征在于,所述主体部和所述缓冲层之间设置有胶 粘层以将所述缓冲层和所述散热层结合,所述延伸部贯穿所述胶粘层。
4. 如权利要求2所述的散热结构,其特征在于,每一个延伸部贴附/接触其对应通孔的 孔壁。
5. 如权利要求2所述的散热结构,其特征在于,每一个通孔的孔壁上设置有胶粘层,以 将所述延伸部和所述缓冲层结合。
6. 如权利要求2所述的散热结构,其特征在于,所述至少一个通孔包括多个通孔,所述 多个通孔为间隔排布。
7. 如权利要求1所述的散热结构,其特征在于,所述延伸部远离主体部的端面与所述缓 冲层的一表面为平齐的。
8. —种电子装置,其包括可发热的电子器件和层叠在所述可发热的电子器件一侧的散 热结构,所述散热结构为权利要求1-7中任意一项所述的散热结构。
9. 如权利要求8所述的电子装置,其特征在于,所述散热结构的缓冲层和延伸部直接贴 附在所述可发热的电子器件上。
10. —种显示装置,其包括基底及形成在基底上的主动矩阵有机发光二极管装置,所述 基底为权利要求1-7中任意一项所述的散热结构。
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