CN108352338A - 颗粒监控装置 - Google Patents

颗粒监控装置 Download PDF

Info

Publication number
CN108352338A
CN108352338A CN201680063593.3A CN201680063593A CN108352338A CN 108352338 A CN108352338 A CN 108352338A CN 201680063593 A CN201680063593 A CN 201680063593A CN 108352338 A CN108352338 A CN 108352338A
Authority
CN
China
Prior art keywords
particle
monitoring device
microsensor
micro
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201680063593.3A
Other languages
English (en)
Inventor
L·泰德斯奇
K·拉马斯瓦米
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of CN108352338A publication Critical patent/CN108352338A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H01L22/34—Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e. g. whole test die, wafers filled with test structures, on-board-devices incorporated on each die, process control monitors or pad structures thereof, devices in scribe line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Abstract

实施例包含用于检测晶片处理工具中的颗粒的装置及方法。在实施例中，具有晶片形状因素的颗粒监控装置包含多个微传感器，该多个微传感器能够在所有压力方案中(例如，在真空条件下)操作。颗粒监控装置可包含时钟，以当微传感器的参数响应于接收晶片处理工具的腔室内的颗粒而改变时输出时间值。可使用微传感器的位置或时间值以确定颗粒的来源。同样描述且要求保护其他实施例。

Description

颗粒监控装置
相关申请的交叉引用
本申请主张2015年11月6日提交的美国专利申请号14/935,186的权益，该美国专利申请的完整内容通过引用而并入本文中。
技术领域
实施例涉及半导体处理的领域，并且更具体地涉及用于检测晶片处理工具中的颗粒的装置及方法。
背景技术
在半导体器件的制造中主要关注的是半导体晶片的颗粒污染。此类污染典型地发生于半导体器件制造期间内由晶片处理工具执行一个或多个操作期间。例如，晶片处理工具包含多个接口，例如，由负载锁所互连的多个腔室及这些系统组件的任何一者的致动或操作可产生金属或非金属颗粒，如铝、不锈钢、锆或其他可污染工具中的半导体晶片的颗粒。
为了辨识颗粒污染的来源和/或根本原因，通过晶片处理工具的一个或多个腔室来周期性地处理半导体晶片，且这些半导体晶片稍后经受颗粒检查操作。颗粒检查操作要求经处理的晶片排队等待以由光学检查设备来检查，以辨识颗粒的位置及一般大小，及之后要求该经处理的晶片排队等待以由扫描电子显微镜、能量散射光谱或其他检查技术来进行检查，以确定晶片上的颗粒的存在和/或组成。在检测到颗粒的存在及组成后，可要求额外的故障排除以辨识哪一个晶片处理工具所执行的操作实际导致了颗粒污染。
发明内容
实施例包含颗粒监控装置，以检测晶片处理工具内的颗粒。在实施例中，颗粒监控装置包含具有支撑表面的基板及经安装在支撑表面上的预定位置处的微传感器。微传感器可具有参数，且当微传感器接收晶片处理工具的腔室内的颗粒时，该参数可改变。时钟及处理器也可安装在基板上。时钟可经配置以输出时间值。此外，处理器可操作地连接至微传感器及时钟，及处理器可经配置以当微传感器的参数改变时(例如，当颗粒接触到微传感器时)记录微传感器的预定位置及由时钟所输出的时间值。
颗粒监控装置可包含额外组件。例如，存储器可经安装在基板上，且处理器可被可操作地连接至存储器以在存储器中记录预定位置及时间值。相似地，电源可经安装在基板上，且该电源可电连接至多个其他组件(如微传感器、时钟、处理器或存储器)的一者或多者以对组件供电。
颗粒监控装置可经配置以在晶片处理工具的腔室间移动。例如，颗粒监控装置的基板可包含具有晶片形状因素的半导体材料。在实施例中，晶片形状因素包含95至455mm间(例如，300mm)的直径。
颗粒监控装置可包含多个微传感器，该多个微传感器跨基板的支撑表面分布，且每个微传感器可以是相应的传感器类型。在实施例中，微传感器包含MOSFET及收集器。微传感器的参数可以是MOSFET的阈值电压。此外，收集器可电耦合至MOSFET，使得阈值电压响应于颗粒接触到收集器而改变。
微传感器可检测除了颗粒及传感器间的接触外的颗粒行为。例如，微传感器可包含具有光学路径的光学传感器。在实施例中，微传感器的参数响应于干扰光学路径的颗粒而改变。
在实施例中，微共振器可经安装在颗粒监控装置的支撑表面上。微共振器可具有特征频率，且当该微共振器接收晶片处理工具的腔室内的颗粒时，该特征频率可偏移。特征频率可与微共振器的质量成反比。因此，当微共振器接收颗粒时(例如，当颗粒落在宏共振器上时)，微共振器的质量及特征频率改变。处理器可经配置以当特征频率偏移时记录微共振器的预定位置及由时钟所输出的时间值。
具有微共振器的颗粒监控装置可包含额外组件以助于微共振器功能。例如，宽频率源可经安装在基板上以激发微共振器。此外，检测器可经安装在基板上以检测特征频率的偏移。因此，颗粒监控装置的电子电路可适配于跨基板分布的微传感器的类型。
实施例也包含用于确定晶片处理工具中的颗粒的来源的方法。在实施例中，方法包含以下步骤：将颗粒监控装置自晶片处理工具的第一腔室移动至该晶片处理工具的第二腔室。颗粒监控装置可包含如上所述的结构。例如，颗粒监控装置可具有经安装在基板的支撑表面上的预定位置处的微传感器及经安装在基板上的时钟。微传感器可具有参数，且时钟可经配置以输出时间值。方法可包含以下步骤：当微传感器接收第二腔室内的颗粒时，检测参数的改变。检测参数的改变的步骤可包含以下步骤：如上所述地检测MOSFET、光学传感器或微共振器的参数的改变。在实施例中，在微传感器接收第二腔室内的颗粒前，将第二腔室的腔室压力减小至真空条件。因此，可在所有压力方案中实现使用颗粒监控装置来确定颗粒来源的方法。方法也可包含以下步骤：响应于检测到参数的改变而记录微传感器的预定位置及由时钟所输出的时间值。之后可基于经记录的预定位置或经记录的时间值的一者或多者来确定颗粒的来源。
上述发明内容不包含所有方面的详尽(exhausive)列表。可设想包含所有可自上文所总结的各种方面的所有合适结合来实践的系统及方法，以及于下文具体实施方式所公开的且特别由与本申请一起提交的权利要求书所指出的那些系统及方法。此类结合具有并未于上述发明内容中具体描述的特定优势。
附图说明
图1为根据实施例的晶片处理工具的示图。
图2为根据实施例的晶片处理工具的腔室中的半导体晶片的剖面图。
图3为根据实施例的颗粒监控装置的示图示。
图4为根据实施例的颗粒监控装置的电子电路的框图的示图。
图5为根据实施例的颗粒监控装置的微传感器的晶体管传感器类型的示意图。
图6为根据实施例的颗粒监控装置的微传感器的光学传感器类型的示意图。
图7A至图7B为根据实施例的颗粒监控装置的微传感器的微共振器类型的示意图。
图8为呈现根据实施例的用于确定晶片处理工具中的颗粒来源的方法中的操作的流程图的示图。
图9为根据实施例的晶片处理工具的示例性计算机系统的框图。
具体实施方式
根据各种实施例来描述用于检测晶片处理工具中的颗粒的装置及方法。在下列描述中，记载了数种特定细节以提供对实施例的透彻了解。将对所属技术领域技术人员显而易见的是：可在没有这些特定细节的情况下来实践实施例。在其他实例中，不详细描述众所皆知的方面以不会不必要地模糊实施例。此外，要了解的是：展示于附图中的各种实施例为说明性表示，并且未必按比例绘制。
用于辨识半导体晶片中的颗粒污染的存在、组成或来源的现有技术为耗时的、昂贵的及困难的。晶片处理工具与缺陷检查设备间的、及与用于检查设备的工作队列间的距离可意味检查处理要花费一小时或更多个小时，延迟修复晶片处理工具的平均时间。检查设备也是昂贵的，购买花费在几百万美元的范围内，且需要制造设施空间以用于非增值晶片检查设备。此外，用来辨识导致颗粒污染的确切操作的故障排除处理的执行是繁琐的，且该处理使用每者超过一百元的大量的晶片成本。
在一方面中，颗粒监控装置允许在所有压力方案下的晶片处理工具中的系统层级的颗粒检测。颗粒监控装置可包含多个微传感器，该等多个微传感器内建在晶片形状因素中，使得可在晶片处理工具的腔室间移动该颗粒监控装置，及该颗粒监控装置可经受与半导体晶片相同的处理操作。因此，颗粒监控装置可以收集关于在晶片制造处理期间(包含在在真空条件下执行的处理操作期间)颗粒落在晶片状器件上时的精确时间(以及颗粒落在晶片状器件上的精确位置)的实时信息。因此，可快速确定颗粒污染的来源及根本原因，且不需昂贵的检查设备或繁琐的故障排除。这可减少修复晶片处理工具的时间或可减少使晶片处理工具有资格用于生产的时间。此外，颗粒监控装置可取代昂贵的缺陷检查设备且释放制造设施空间以用于增值的晶片处理设备。
将要了解的是：可在其中颗粒是产量限制的任何形状因素或处理中使用下文中所描述的颗粒监控装置及方法。更确切地说，尽管相关于用于集成电路的制造的晶片处理来描述颗粒监控装置及方法，但这些装置及方法也可经调适来用于其他技术(如电子工业中的显示器和/或太阳工业中的光伏电池)。相似地，这些装置及方法除了(或取代)检测颗粒外还可适用于确定处理均匀性。例如，如下描述的颗粒监控装置可经调适以在晶片制造处理期间确定等离子体、沉积或照明均匀性。
现在参考图1，根据实施例来描绘晶片处理工具的示图。晶片处理工具100可包含缓冲腔室102，该缓冲腔室102通过一个或多个负载锁106而物理连接至工厂接口104。此外，一个或多个处理腔室108可通过一个或多个相应的负载锁106而物理连接至缓冲腔室102。缓冲腔室102基本上可充当中间容积，该中间容积大于处理腔室108的各自容积，及该中间容积保持为低压力(然而，该低压力仍高于处理腔室108内的处理压力)。因此，可在半导体器件制造期间，于真空条件下在晶片处理工具100的腔室间移动半导体晶片(例如，硅晶片)。可通过包含于晶片处理工具100中的各种装置(例如，机器手臂及搬运梭等)来实现此移动。
可在处理腔室108中执行各种制造操作。例如，处理腔室108的至少一者可以是等离子体蚀刻腔室、沉积腔室、半导体光刻工具的腔室或任何其他半导体处理工具腔室。因此，可使用处理腔室108以在真空条件、大气条件或任何其他压力状态下执行制造处理。
当晶片移动通过晶片处理工具100时，半导体晶片可经受不同的压力条件。例如，可在大气条件下将半导体晶片插入至工厂接口104。之后，当半导体晶片进入工厂接口104与缓冲腔室102间的负载锁106时，负载锁106可达到120毫托的真空条件。之后半导体晶片可自负载锁106传递至缓冲腔室102，该缓冲腔室具有100毫托的缓冲腔室压力。
现在参考图2，根据实施例来描绘晶片处理工具的腔室中的半导体晶片的剖面图。可自缓冲腔室102通过负载锁106来传输半导体晶片202至处理腔室108的一者中。处理腔室108可具有(例如，使用真空泵和/或涡轮泵来)降低至真空条件的腔室压力。在此描述背景中，真空条件可以是任何低于0.5atm的压力。在实施例中，当处理腔室108具有低于缓冲腔室102的压力(例如，低于100毫托)的腔室压力时，处理腔室108中的真空条件存在。因此，处理腔室108中所执行的制造操作可在真空条件下实施。
在处理腔室108中所执行的制造操作期间可产生一个或多个颗粒204。例如，颗粒204可以是当特定操作发生时(例如，当开启负载锁106的阀时、当锁住负载锁门时、当升举销正移动时或当任何其他工具操作发生时)发射至处理腔室108内的金属或非金属颗粒。经发射的颗粒204可落在半导体晶片202上，及颗粒204的降落位置及时间可对应于颗粒污染的来源。例如，经展示在图2的半导体晶片202的上方边缘附近的颗粒204可落在更接近负载锁106的半导体晶片202上且在负载锁106关闭时的时间时落下，从而指示负载锁106的组件和/或负载锁106的致动为颗粒204的来源。因此，可以看到，提供关于颗粒204落在半导体晶片202上的位置及时间的信息的颗粒监控对确定颗粒污染的来源可以是有用的。
现在参考图3，根据实施例来描绘颗粒监控装置的示图。颗粒监控装置300可经配置以在腔室(例如，晶片处理工具100的缓冲腔室102和/或处理腔室108)间移动。例如，颗粒监控装置300可包含基板302，该基板302具有整体形状因素和/或与半导体晶片202相同的材料及形状。即，基板302至少部分可由半导体材料(例如，结晶硅材料)组成。此外，基板302可具有基本上是盘形的晶片形状因素，及该基板302包含具有直径306的支撑表面304。支撑表面304可以是盘的上表面，及基板302的下表面(未示出)可通过厚度309与支撑表面304间隔开来。在实施例中，基板302的晶片形状因素包含95至455mm的直径306；例如，直径306可名义上为100mm、300mm或450mm。此外，基板302的晶片形状因素可包含小于1mm(例如，525μm、775μm或925μm)的厚度309。厚度309也可大于1mm(例如，最多到10mm的多个毫米)。因此，可使用容易获得的晶片材料及典型的晶片制造处理及设备来制造颗粒监控装置300，及当通过晶片处理工具100处理时，该颗粒监控装置300可基本上仿真半导体晶片202。
颗粒监控装置300可包含多个微传感器308，该多个微传感器308经安装在支撑表面304上的预定位置处。例如，多个微传感器308(例如，数千到数百万的微传感器308)可经内建在支撑表面304上。每个微传感器308可具有已知位置。例如，第一微传感器可位于第一位置310处，及第二微传感器可位于第二位置312处。第二位置312可具有相对于第一位置310(或相对于在颗粒监控装置300上的一些其他参考点)的已知位置。
微传感器308可跨支撑表面304随机分布或可经排列在预定图案中。例如，即使展示于图3中的微传感器308的绝对位置或相对位置可以是预定地及已知的，微传感器308看起来是跨基板304随机分布的。在实施例中，微传感器308经排列在预定图案(例如，网格图案、同心圆图案及螺旋图案等)中。可使用已知蚀刻处理来完成此类图案，以将微传感器308内建在颗粒监控装置300的支撑表面304上的准确位置处。
在实施例中，微传感器308经散布在支撑表面304的大部分表面区域上。例如，通过微传感器阵列的最外部的微传感器308所绘制的外部轮廓可描绘阵列区域，该阵列区域至少为支撑表面304的表面区域的一半。在实施例中，阵列区域至少为支撑表面的75％；例如，大于支撑表面304的表面区域的90％。
颗粒监控装置300的微传感器308可通过一个或多个电子连接器来与每个其他电路或其他电路互连。例如，微传感器308可通过运行在支撑表面304上的电迹线314串联连接。作为替代地或额外地，多个微传感器308可通过各自的电迹线315来并联电连接。因此，可使用电迹线、电气导线、通孔及其他已知类型的电连接器来在微传感器308间建立电连接和/或可使用电迹线、电气导线、通孔及其他已知类型的电连接器来将微传感器308连接至电子电路316。
颗粒监控装置300的每个微传感器308可经配置以当颗粒204与传感器相互作用时感测给定参数的改变。更确切地说，微传感器308可具有参数；当微传感器308接收腔室(例如，晶片处理工具100的处理腔室108)内的颗粒204时，该参数可改变。此处，术语“接收”指示影响给定参数的颗粒204及微传感器308间的相互作用。例如，参数可以是电压、电流或微传感器308的另一物理特征或电特征，该另一物理特征或电特征是当颗粒204落在微传感器308上时会变化、是当颗粒204通过微传感器308附近或通过微传感器308时会变化或是当颗粒204影响微传感器308时会变化(如下文所描述)。当所属技术领域技术人员阅读本说明书时，其将了解其他的颗粒传感器相互作用。
现在参考图4，将根据实施例来描绘颗粒监控装置的电子电路的框图的示图。可将颗粒监控装置300的电子电路316封在外壳402中或该外壳402中可支撑该电子电路316，或该电子电路可暴露于处理腔室108。电子电路316的外壳402和/或电子组件可经安装在基板302的支撑表面304上。在实施例中，电子电路316的一个或多个组件经安装在基板302的与支撑表面304相对的下表面(未示出)上。然而，即使当电子电路316经安装在基板302的相对侧上，该电子电路316仍可通过一个或多个电迹线、电气导线或通孔而经放置成与微传感器308电连接。
颗粒监控装置300的电子电路316可包含经安装在基板302上的时钟404。如先前技术已知的，时钟可以是具有电子震荡器(例如，石英晶体)的电子电路，以输出具有准确频率的电子信号。因此，时钟404可经配置以输出对应于电子信号的时间值。时间值可以是独立于其他操作的绝对时间值，或时间值可与晶片处理工具100中的其他时钟同步。例如，时钟404可与晶片处理工具100的系统时钟404同步，使得由时钟404输出的时间值对应至由系统时钟所输出或控制的系统时间值和/或系统操作。时钟404可经配置以当特定处理操作发生时初始时间值的输出。例如，电子电路316可包含加速度计405，该加速度计405触发时钟404以当颗粒监控装置300离开工厂接口104时开始输出时间值。因此，时间值可提供关于颗粒监控装置300何时进入及离开晶片处理工具100的特定腔室或负载锁的信息。
颗粒监控装置300的电子电路316可包含经安装在基板302上的处理器406。处理器406可操作地耦合(例如，通过总线407和/或迹线314电连接)至一个或多个微传感器308及至时钟404。处理器406表示一个或多个通用处理装置，如微处理器、中央处理单元或诸如此类。更确切地说，处理器406可以是复杂指令集计算(CISC)微处理器、精简指令集计算(RISC)微处理器、超长指令字(VLIW)微处理器、实施其他指令集的处理器或实施指令集的集合的处理器。处理器406也可以是一个或多个专用处理装置，如特定应用集成电路(ASIC)、现场可程序化门阵列(FPGA)、数字信号处理器(DSP)、网络处理器或诸如此类。
处理器406经配置以执行处理逻辑，该处理逻辑用于执行本文所描述的操作。例如，处理器406可经配置以当微传感器308的相应参数改变时记录微传感器308的预定位置及由时钟404所输出的时间值。因此，处理器406可经配置以当颗粒204接触颗粒监控装置300时监控及记录该颗粒204接触该颗粒监控装置300的准确时间及准确位置。处理器406可经配置以基于自微传感器308所接收到的信号来确定其他类型的信息。例如，除了知道颗粒何时以及在何处接触到颗粒监控装置300外，处理器406可经配置以分析自经触发的微传感器308所接收到的信号，以确定颗粒204的尺寸、颗粒监控装置300上的颗粒204的总数量及颗粒204的类型(金属或非金属)等。
可通过处理器406在个体基础或群组基础上执行微传感器308的监控。即，处理器406可监控及记录用于每个微传感器308的个别数据。因此，可(例如，通过与位置或与其他传感器特定数据相关的唯一的传感器辨识编号来)单独识别每个微传感器308。在实施例中，可在群组中监控传感器。例如，处理器406可监控及记录用于一个或多个微传感器308的群组的一组数据。因此，微传感器308的群组可作为整体地相关于对应至传感器群组的位置或其他群组特定数据。
颗粒监控装置300的电子电路316可包含经安装在基板302上的存储器408。存储器408可包含一个或多个主存储器(例如，只读存储器(ROM)、闪存、动态随机存取存储器(DRAM；如同步DRAM(SDRAM)或Rambus DRAM(RDRAM))等)、静态存储器(例如，闪存、静态随机存取存储器(SRAM)等)或次级存储器(例如，数据存储装置)。处理器406可经由总线407或其他电连接来与存储器408进行通信。因此，处理器406可操作地耦合至存储器408以记录经触发微传感器308的预定位置及由时钟404所输出的时间值至该存储器408中。即，存储器408可记录微传感器308何时与颗粒204相互作用。更确切地说，存储器408可记录微传感器308接收颗粒204的时间及位置。
颗粒监控装置300的电子电路316可包含经安装在基板302上的电源410。电源410可包含电池、电容组或另一已知的电源。电源410可通过总线407电连接至颗粒监控装置300的一个或多个组件，以对经连接组件供电。例如，电源410可电连接至微传感器308、时钟404、处理器406或存储器408中的一者或多者，以对微传感器308、时钟404、处理器406或存储器408中的该一者或多者供电。
颗粒监控装置300的电子电路316可包含经电连接至如上所述的颗粒监控装置300的组件的额外组件。更确切地说，电子电路316可包含频率源412(例如，宽频率源)或检测器414。频率源412和/或检测器414可经安装在基板302上。频率源412及检测器414可具有与颗粒监控装置300的微传感器308的特定实施例相关的特定应用。因此，为下文相应的传感器论述保留频率源412及检测器414的进一步描述。现在描述微传感器308的各种实施例。
现在参考图5，根据实施例来描绘颗粒监控装置的微传感器的晶体管传感器类型的示意性图示说明。在实施例中，颗粒监控装置300的一个或多个传感器308包含晶体管传感器500。晶体管传感器500可包含一个或多个晶体管(例如，MOSFET 502)。MOSFET 502可包含源极504、漏极506与栅极508。晶体管传感器500也可包含收集器510以接收颗粒204。在实施例中，收集器510电连接至MOSFET 502。例如，收集器510通过电迹线314电连接至MOSFET502的栅极508。收集器510可自MOSFET 502物理分离；然而，子组件可彼此电连接。因此，即使当收集器510位于与MOSFET 502间隔开的预定位置处，MOSFET 502仍可经配置来检测颗粒已落在收集器510上。
收集器510可经尺寸设定且经配置以接收颗粒204。例如，颗粒204的典型尺寸可在45纳米至1微米的范围中；因此，收集器510可包含具有外缘512的外部轮廓，该外缘512具有至少一微米直径。当从往下方向检视时的外缘512的形状可以是圆形、矩形或任何其他形状。此外，收集器510可以是平面的；即，收集器510可具有基本上平坦的上表面，或收集器510可具有如图5所示的锥形上表面。在实施例中，收集器510不是与MOSFET 502分离的结构；替代的是，该收集器510经整合至MOSFET 502中。例如，收集器510可以是MOSFET 502的栅极508上的收集区域。栅极508可经尺寸设定且图案化以接收颗粒204。
在实施例中，晶体管传感器500的参数对应于MOSFET 502。更确切地说，晶体管传感器500的参数可以是MOSFET 502跨栅极508两端测量的阈值电压。阈值电压可直接对应于收集器510上的颗粒204的存在或不存在。例如，当颗粒204不在收集器510上时，阈值电压可具有第一值，及当颗粒204在收集器510上时，阈值电压可具有(不同于该第一值的)第二值。因此，经收集在收集器510的收集器区域上的颗粒204可改变晶体管传感器500的阈值电压；即，阈值电压可响应于颗粒204接触收集器510而改变。处理器406可经配置以检测阈值电压的改变；因此，当检测到阈值电压改变时，颗粒监控装置300可将改变注记为颗粒接触及记录检测到事件的晶体管传感器500的时间及位置。将认识到，因晶体管传感器500基于独立于外部压力的电参数来运作，故具有一个或多个微传感器308(如晶体管传感器500)的颗粒监控装置300可在任何压力方案下(包含在真空条件下)运作。
现在参考图6，根据实施例来描绘颗粒监控装置的微传感器的光学传感器类型的示意图。在实施例中，颗粒监控装置300的一个或多个传感器308包含光学传感器600。光学传感器600可以是作为已知技术的微光机电系统(MOEMS)，及可使用已知半导体处理操作而直接在基板302上形成该光学传感器600。为了简洁及易于了解的目的，本文不描述MOEMS的复杂性及变化以利于简化描述。光学传感器600可包含跨越基板302分布的大量的微镜或透镜。在未深入细节的情况下，光学传感器600可包含自光源604发出的光学路径602。光学路径602可位在光源604与光检测器606间。在实施例中，光学传感器600的参数对应于是否是在光检测器606处从光源604接收光。例如，参数可响应于干扰光学路径602的颗粒204而改变。即，当颗粒204通过光学路径602或在该光学路径602中停留且阻挡光源604与光检测器606间的光时，参数可改变。在实施例中，当颗粒204通过光学传感器600时，沿着不同的光学路径602而朝向另一光检测器606来反射来自光源604的光。通过其他光检测器606检测经反射的光可导致光学传感器600的参数改变。例如，参数可以是对应于光检测的光学传感器600的输出电压。处理器406可经配置以检测输出电压的改变；因此，当检测到输出电压的改变和/或当检测到光学路径602中的干扰时，颗粒监控装置300可将变化注记为颗粒接触及记录检测到事件的光学传感器600的时间及位置。
现在参考图7A，根据实施例来描绘颗粒监控装置的微传感器的微共振器类型的示意图。在实施例中，颗粒监控装置300的一个或多个微传感器308包含微共振器700。微共振器700可以是合适的共振质量传感器，如石英晶体微天秤法(QCM)、表面声波(SAW)或膜体声波共振器(FBAR)，这些共振质量传感器为众所周知用来量化沉积在该等共振质量传感器的表面上的悬浮颗粒的累积质量。为了简洁及易于了解的目的，本文不描述微共振器的复杂性及变化以利于简化描述。可跨基板302的支撑表面304的预定位置处分布(多个)微共振器。每个微共振器700可具有如先前技术已知的特征频率(例如，共振频率)。例如，在没有深入细节的情况下，可通过如图7A中所展示的简单质量弹簧系统表示微共振器700。微共振器700的特征频率可与微共振器系统的质量702成反比。例如，特征频率可与微共振器系统的sqrt(k/M)成正比，其中“M”对应于质量702及“k”对应于微共振器系统的比例常数。因此，将了解当微共振器700接收到颗粒204时，特征频率偏移。更确切地说，当颗粒204落在晶片处理工具100的处理腔室108内的微共振器700上时，微共振器700的质量702改变，因而特征频率偏移。
现在参考图7B，根据实施例来描绘颗粒监控装置的微传感器的微共振器类型的示意图。可被作为微传感器308的微共振器700的特定类型为MEMS共振质量传感器，如热致动的高频单晶硅共振器。可使用单一掩模处理来将此类微共振器700制造为独立的装置或阵列。微共振器可包含在对称平面752的两侧的两个垫750。波动电流可在两个垫750间通过，以导致电流路径中的交流电(AC)欧姆损耗分量。在实施例中，大部分的欧姆损耗发生在与垫750互连的薄柱756中。薄柱756可位在垫750中心及在垫750间以与对称平面752正交的方向延伸。柱756中所产生的波动温度可导致AC力及柱756中的交变热应力以面内共振模式致动微共振器700。在面内共振模式中，具有质量“M”的垫750在相反方向中振动。因此，在共振处，微共振器700包含振动垫750的特征频率，及通过归因于压阻效应的交替机械应力来调制柱756的电阻。因此，在微共振器700中有对应于特征频率的可检测的小信号运动电流。
为了检测微共振器700的特征频率的偏移，频率源412及检测器414可被整合至颗粒监控装置300的电子电路316中。频率源412可以是用于激发微共振器700的宽频率源。检测器414可监控微共振器700的特征频率且检测特征频率的偏移。例如，检测器414可输出对应于特征频率的信号(例如，输出电压或电流)至处理器406。处理器406可经配置以接收输出电压且辨识特征频率的偏移。因此，当输出电压改变和/或当微共振器700的特征频率改变时，颗粒监控装置300可将改变注记为颗粒接触且记录检测到事件的微共振器700的时间及位置。当微共振器700的质量702增加时(例如，当颗粒204堆积在微共振器700上时)，特征频率将往下偏移，以允许颗粒监控装置300除了个别的颗粒接触事件外还捕捉颗粒204堆积的历史。
现在参考图8，根据实施例来描绘表示用于确定晶片处理工具中的颗粒来源的方法中的操作的流程图的示图。在操作802处，将颗粒监控装置300自晶片处理工具100的第一腔室(例如，缓冲腔室102)移动至晶片处理工具100的第二腔室(例如，处理腔室108)。颗粒监控装置300可具有如上所述的结构及组件；例如，微传感器308可经安装在支撑表面304上的预定位置处，及时钟404可经安装在基板302上。微传感器308可具有参数，及时钟404可经配置以输出时间值。
在操作804处，将第二腔室(例如，处理腔室108)的腔室压力降低至真空条件。更确切地说，腔室压力可低于0.5atm。如上文所描述地，颗粒监控装置300能在所有压力状态下检测颗粒；因此，可使用该颗粒监控装置300以在正常可由晶片处理工具100中的半导体晶片202看到的条件下实时颗粒监控。
在操作806处，检测微传感器308的参数的改变。更确切地说，当微传感器308接收第二腔室(例如，处理腔室108)内的颗粒204时，可检测参数的改变。在实施例中，检测参数的改变的步骤包含以下步骤：检测晶体管传感器500中的MOSFET 502的阈值电压的改变。在实施例中，检测参数的改变的步骤包含以下步骤：检测光学传感器600的光学路径602中的干扰。在实施例中，检测参数的改变的步骤包含以下步骤：检测微共振器700的特征频率的偏移。因此，当微传感器308检测参数的改变时，提供对应信号。
在操作808处，通过处理器406来使用对应信号以响应于检测参数的改变记录关于颗粒事件的信息。例如，处理器406可记录支撑表面304上的微传感器308的预定位置。因此，可记录颗粒204与基板302相互作用的准确位置。处理器406可记录由时钟404所输出的时间值。因此，可记录颗粒204与基板302相互作用的准确时间。
在操作810处，可使用经记录信息以确定颗粒204的来源。例如，可使用接收颗粒204的微传感器308的经记录预定位置和/或对应于颗粒事件的经记录时间值以确定导致颗粒污染的组件和/或由晶片处理工具100所执行的处理操作。
在实施例中，经记录时间值充当可与晶片处理工具100的记录档案同步的时间戳。例如，晶片处理工具100可维持指示每个处理操作开始和/或结束的时间的记录档案。因此，通过比较(当由微传感器308检测到颗粒204时)由时钟404所输出的时间值与记录档案，可确定与颗粒事件同时发生的处理操作。例如，若时间值输出指示颗粒事件发生在晶片制造处理5分钟后，且系统记录档案指示门锁的狭缝阀门在5分钟标记处开启，则可合理地对此做出结论：门锁的狭缝阀门和/或开启的门锁的动作为导致颗粒污染的来源504。
以与时间戳信息相同的方式，可使用关于颗粒接触的位置的信息来确定颗粒来源。例如，当多个处理操作同时发生时(例如，当狭缝阀门关闭时，升举销升起)，可使用颗粒位置及活动组件间的相对距离，以推断哪个组件是颗粒来源。即，若经记录位置相较于狭缝阀门而言更接近升举销，则可推断升举销是颗粒的来源。
可在晶片制造处理期间持续记录关于颗粒污染的信息；因此，可实时或接近实时地得到用于分析的信息。即，颗粒监控装置300可使用无线网络接口装置而无线连接至网络中的其他机器，以使用位于颗粒监控装置300远程的计算机系统来实时监控及分析颗粒污染数据。作为替代地，一旦颗粒监控装置300完成晶片处理工具100的晶片制造处理，颗粒监控装置300就可经由数据传输电缆来连接至其他机器，以接近实时地分析经存储信息。因此，可在晶片制造处理期间或在晶片制造处理期间后快速辨识颗粒污染的来源，且可做适当修复。在通过晶片处理工具100的晶片制造程序运行批次半导体晶片202之前，可将颗粒监控装置300用作处理合格操作。替代地，可将颗粒监控装置300用作处理故障排除工具，以助于当在一批半导体晶片202内辨识到颗粒污染时的晶片处理工具100的及时修复。因此，颗粒监控装置300提供快速的、便宜的及简单的方式来辨识及消除晶片处理工具100中的颗粒污染的来源。
现在参考图9，根据实施例来描绘晶片处理工具的示例性计算机系统的框图。可在颗粒监控装置300的电子电路316中使用描绘的计算机系统900的一个或多个组件。此外，晶片处理工具100可整合计算机系统900。在实施例中，计算机系统900经耦合至机器人、负载锁、处理腔室及晶片处理工具100的其他组件及控制该等机器人、该等负载锁、该等处理腔室及该晶片处理工具100的该等其他组件。计算机系统900也可提供如上所述的用于晶片处理工具100的系统记录档案。计算机系统900也可接收及分析由颗粒监控装置300所提供的颗粒事件信息。即，可在晶片处理工具100中实施计算机系统900，以控制晶片制造处理的处理操作及产生记录档案以记录与处理相关的时间及动作，及将记录档案数据与由颗粒监控装置300所记录的数据做比较以确定颗粒污染的来源504。
计算机系统900可经连接(例如经网络连接)至局域网络(LAN)、内部网络、外部网络或因特网中的其他机器。计算机系统900可在客户─服务器网络环境中于服务器或客户端机器中运作或在对等(或分布式)网络环境中作为对等机器运作。计算机系统900可以是个人计算机(PC)、平板PC、机顶盒(STB)、个人数字助理(PDA)、蜂窝式电话、网络设备、服务器、网络路由器、交换器或网桥或任何能(循序地或以其他方式)执行一组指令来具体指定要由此机器采取的动作的机器。此外，尽管仅为计算机系统900绘制单一机器，但术语“机器”也应被视为包含任何个别地或共同地执行一组(或多组)指令以执行一个或多个本文所描述的方法的机器的组合(例如，计算机)。
计算机系统900可包含具有非瞬时机器可读取介质的计算机程序产品或软件922，该非瞬时机器可读取介质具有存储于其上的指令，该等指令可用来程序化计算机系统900(或其他电子装置)以根据实施例执行处理。机器可读取介质包含任何用于存储或传送机器(例如，计算机)可读取形式的信息的介质。例如，机器可读取(例如，计算机可读取)介质包含机器(例如，计算机)可读取存储介质(例如，只读存储器(“ROM”)、随机随取存储器(“RAM”)、磁盘存储介质、光学存储介质、闪存装置等)、机器(例如，计算机)可读取传输介质(电、光、声或其他形式的传播信号(例如，红外线信号及数字信号等))等。
在实施例中，计算机系统900包含系统处理器902、主存储器904(例如，只读存储器(ROM)、闪存、动态随机存取存储器(DRAM；如同步DRAM(SDRAM)或Rambus DRAM(RDRAM))等)、静态存储器906(例如，闪存、静态随机存取存储器(SRAM)等)及次级存储器918(例如，数据存储装置)，该等处理器及存储器可通过总线930来彼此通信。
系统处理器902表示一个或多个通用处理装置，如微系统处理器、中央处理单元或诸如此类。更确切地说，系统处理器可以是复杂指令集计算(CISC)微系统处理器、精简指令集计算(RISC)微系统处理器、超长指令字(VLIW)微系统处理器、实施其他指令集的系统处理器或实施指令集的集合的系统处理器。系统处理器902也可以是一个或多个专用处理装置，如特定应用集成电路(ASIC)、现场可程序化门阵列(FPGA)、数字信号处理器(DSP)、网络系统处理器或诸如此类。系统处理器902经配置以执行用于执行本文所描述的操作的处理逻辑。
计算机系统900可进一步包含用于与其他装置或机器(例如，颗粒监控装置300)通信的系统网络接口装置908。计算机系统900也可包含视频显示单元910(例如，液晶显示器(LCD)、发光二极管显示器(LED)、或阴极射线管(CRT))、字母数字输入设备912(例如，键盘)、游标控制装置914(例如，鼠标)及信号生成装置916(例如，扬声器)。
次级存储器918可包含机器可存取存储介质931(或更具体来说为计算机可读取存储介质)，在其上存储一个或多个指令集(例如，软件922)，该一个或多个指令集是体现一个或多个本文所描述的方法或功能。软件922也可在计算机系统900执行该软件922期间完全或至少部分地驻留在主存储器904内和/或在系统处理器902内，主存储器904及系统处理器902也组成机器可读取存储介质。可在网络920上进一步通过系统网络接口装置908来传送或接收软件922。
尽管经展示于示例性实施例中的机器可读取存储介质931为单一介质，但术语“机器可读取存储介质”应被视为包含存储一个或多个指令集的单一介质或多个介质(例如，集中式或分布式数据库和/或相关快取及服务器)。术语“机器可读取存储介质”也应被视为包含任何能存储或编码一组用于机器执行及使该机器执行任何一个或多个方法的指令的介质。术语“机器可读取存储介质”因而应被视为包含(但不限于)固态存储器、光学及磁性介质。
在上述说明书中，已描述特定的示例性实施例。可在没有背离所附权利要求的范围的情况下做出各种修改将是显而易见的。因此，说明书及附图将被视为说明性意义，而非视为限制性意义。

Claims (15)

1.一种颗粒监控装置，包含：
基板，所述基板具有支撑表面；
微传感器，所述微传感器经安装在所述支撑表面上的预定位置处，其中所述传感器具有参数，且其中当所述微传感器接收在晶片处理工具的腔室内的颗粒时，所述参数改变；
时钟，所述时钟经安装在所述基板上，其中所述时钟经配置以输出时间值；以及
处理器，所述处理器经安装在所述基板上，其中所述处理器可操作地耦合至微传感器及所述时钟，且其中所述处理器经配置以当所述微传感器的所述参数改变时记录所述预定位置及所述时间值。
2.如权利要求1所述的颗粒监控装置，进一步包含存储器，所述存储器经安装在所述基板上，其中所述处理器可操作地耦合至所述存储器，以在所述存储器中记录所述预定位置及所述时间值。
3.如权利要求2所述的颗粒监控装置，进一步包含电源，所述电源经安装在所述基板上，其中所述电源经电耦合至所述微传感器、所述时钟、所述处理器或所述存储器中的一者或多者，以对所述微传感器、所述时钟、所述处理器或所述存储器中的所述一者或多者供电。
4.如权利要求1所述的颗粒监控装置，其中所述基板包含半导体材料，所述半导体材料具有晶片形状因素，且其中所述晶片形状因素包含95至455mm间的直径。
5.如权利要求1所述的颗粒监控装置，其中所述微传感器包含:
MOSFET，其中所述参数为所述MOSFET的阈值电压，及
收集器，所述收集器电耦合至所述MOSFET，其中所述阈值电压响应于所述颗粒接触到所述收集器而改变。
6.一种颗粒监控装置，包含：
基板，所述基板具有支撑表面；
微共振器，所述微共振器经安装在所述支撑表面上的预定位置处，其中所述微共振器具有特征频率，且其中当所述微共振器接收晶片处理工具的腔室内的颗粒时，所述特征频率偏移；
时钟，所述时钟经安装在所述基板上，其中所述时钟经配置以输出时间值；以及
处理器，所述处理器经安装在所述基板上，其中所述处理器可操作地耦合至所述微共振器及所述时钟，且其中所述处理器经配置以当所述微共振器的所述特征频率偏移时记录所述预定位置及所述时间值。
7.如权利要求6所述的颗粒监控装置，其中所述特征频率与所述微共振器的质量成反比，且其中当所述微共振器接收所述颗粒时，所述微共振器的所述质量改变。
8.如权利要求7所述的颗粒监控装置，进一步包含：
宽频率源，所述宽频率源经安装在所述基板上以激发所述微共振器；以及
检测器，所述检测器经安装在所述基板上以检测所述特征频率的所述偏移。
9.如权利要求8所述的颗粒监控装置，进一步包含存储器，所述存储器经安装在所述基板上，其中所述处理器可操作地耦合至所述存储器以在所述存储器中记录所述预定位置及所述时间值。
10.如权利要求9所述的颗粒监控装置，进一步包含电源，所述电源经安装在所述基板上，其中所述电源电耦合至所述微共振器、所述时钟、所述处理器或所述存储器中的一者或多者，以对所述微共振器、所述时钟、所述处理器或所述存储器中的所述一者或多者供电。
11.如权利要求6所述的颗粒监控装置，其中所述基板包含半导体材料，所述半导体材料具有晶片形状因素，其中所述晶片形状因素包含95至455mm间的直径。
12.一种方法，包含：
将颗粒监控装置从晶片处理工具的第一腔室移动至所述晶片处理工具的第二腔室，其中所述颗粒监控装置包含具有支撑表面的基板、经安装在所述支撑表面上的预定位置处的微传感器及经安装在所述基板上的时钟，其中所述微传感器具有参数，且其中所述时钟经配置以输出时间值；
当所述微传感器接收所述第二腔室内的颗粒时，检测所述参数的改变；
响应于检测所述参数的所述改变而记录所述预定位置及所述时间值；以及
基于经记录的预定位置或经记录的时间值中的一者或多者来确定所述颗粒的来源。
13.如权利要求12所述的方法，进一步包含：在所述微传感器接收所述第二腔室内的所述颗粒前，将所述第二腔室的腔室压力减小至真空条件。
14.如权利要求13所述的方法，其中检测所述参数的所述改变包含：检测MOSFET的阈值电压的改变。
15.如权利要求13所述的方法，其中检测所述参数的所述改变包含：检测微共振器的特征频率的偏移。
CN201680063593.3A 2015-11-06 2016-10-13 颗粒监控装置 Pending CN108352338A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/935,186 2015-11-06
US14/935,186 US10067070B2 (en) 2015-11-06 2015-11-06 Particle monitoring device
PCT/US2016/056846 WO2017078914A1 (en) 2015-11-06 2016-10-13 Particle monitoring device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108352338A true CN108352338A (zh) 2018-07-31

Family

ID=58662592

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680063593.3A Pending CN108352338A (zh) 2015-11-06 2016-10-13 颗粒监控装置

Country Status (6)

Country Link
US (2) US10067070B2 (zh)
JP (1) JP2018538518A (zh)
KR (1) KR20180071371A (zh)
CN (1) CN108352338A (zh)
TW (1) TW201719793A (zh)
WO (1) WO2017078914A1 (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170221783A1 (en) * 2016-01-28 2017-08-03 Leonard TEDESCHI Self-aware production wafers
US10818561B2 (en) * 2016-01-28 2020-10-27 Applied Materials, Inc. Process monitor device having a plurality of sensors arranged in concentric circles
WO2018073826A1 (en) * 2016-10-22 2018-04-26 Lapidot Matan Mobile inspection system for the detection of defect occurrence and location
US10794681B2 (en) 2018-09-04 2020-10-06 Applied Materials, Inc. Long range capacitive gap measurement in a wafer form sensor system
US11342210B2 (en) * 2018-09-04 2022-05-24 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring wafer movement and placement using vibration data
US11521872B2 (en) 2018-09-04 2022-12-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring erosion and calibrating position for a moving process kit
US11404296B2 (en) 2018-09-04 2022-08-02 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring placement of a substrate on a heater pedestal
US10847393B2 (en) 2018-09-04 2020-11-24 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring process kit centering
CN113496912B (zh) * 2020-04-02 2023-10-17 长鑫存储技术有限公司 监测晶圆及监测系统
TW202213596A (zh) * 2020-06-04 2022-04-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置之運用方法
TW202212812A (zh) * 2020-06-04 2022-04-01 日商東京威力科創股份有限公司 檢查基板、其再生方法及基板處理裝置
US12074074B2 (en) * 2021-06-07 2024-08-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Method and system for processing wafer

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002365200A (ja) * 2001-06-05 2002-12-18 Denso Corp 帯電粒子検出装置
US20030115978A1 (en) * 2001-12-20 2003-06-26 Moehnke Stephanie J. Apparatus and method for monitoring environment within a container
US20040031340A1 (en) * 2002-01-24 2004-02-19 Renken Wayne G. Process condition sensing wafer and data analysis system
US20070013883A1 (en) * 2005-07-15 2007-01-18 Park Il-Jung Semiconductor manufacturing device and particle monitoring method
CN101517701A (zh) * 2006-09-29 2009-08-26 赛博光学半导体公司 衬底形的粒子传感器
CN101526482A (zh) * 2008-03-06 2009-09-09 东京毅力科创株式会社 颗粒发生原因判别系统、和颗粒发生原因判别方法
JP2015018845A (ja) * 2013-07-09 2015-01-29 株式会社ニューフレアテクノロジー パーティクル測定装置、パーティクル測定方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5880593A (en) * 1995-08-30 1999-03-09 Micron Technology, Inc. On-chip substrate regulator test mode
JP2982720B2 (ja) * 1996-04-26 1999-11-29 日本電気株式会社 パーティクルモニター装置およびこれを具備した無塵化プロセス装置
US5943130A (en) * 1996-10-21 1999-08-24 Insitec, Inc. In situ sensor for near wafer particle monitoring in semiconductor device manufacturing equipment
US6244121B1 (en) * 1998-03-06 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Sensor device for non-intrusive diagnosis of a semiconductor processing system
US6696362B2 (en) 2001-02-08 2004-02-24 Applied Materials Inc. Method for using an in situ particle sensor for monitoring particle performance in plasma deposition processes
US20030037801A1 (en) * 2001-08-27 2003-02-27 Applied Materials, Inc. Method for increasing the efficiency of substrate processing chamber contamination detection
US6830650B2 (en) * 2002-07-12 2004-12-14 Advanced Energy Industries, Inc. Wafer probe for measuring plasma and surface characteristics in plasma processing environments
JP4363860B2 (ja) 2003-02-04 2009-11-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置の異物管理装置及び異物管理方法
JP2005157946A (ja) 2003-11-28 2005-06-16 Ibm Japan Ltd 同期方法、コンピュータシステム及びプログラム
US20050225308A1 (en) 2004-03-31 2005-10-13 Orvek Kevin J Real-time monitoring of particles in semiconductor vacuum environment
JP2006261539A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
US7521915B2 (en) 2006-04-25 2009-04-21 Sokudo Co., Ltd. Wafer bevel particle detection
US7557345B2 (en) 2007-04-18 2009-07-07 Micron Technology, Inc. Integrated circuit chips, apparatuses for obtaining backscatter data from samples, methods of backscatter analysis, and methods of forming alpha particle emission and detection systems
JP2010009736A (ja) * 2008-05-27 2010-01-14 Toshiba Storage Device Corp 情報記録装置
JP5399730B2 (ja) 2009-02-12 2014-01-29 株式会社Ｋｅｌｋ センサ付き基板およびセンサ付き基板の製造方法
US8886270B2 (en) * 2010-04-20 2014-11-11 Polytechnic Institute Of New York University Syringe-based whispering gallery mode microresonator microfluidic biochem sensor
US8806915B2 (en) * 2011-08-08 2014-08-19 University Of California Microfabricated particulate matter monitor
BR112015008211B1 (pt) * 2012-10-16 2020-05-19 Koninklijke Philips Nv circuito integrado, aparelho sensível, e, método de medição de um analito de interesse em um meio
US10009581B2 (en) * 2015-01-02 2018-06-26 Fitbit, Inc. Room monitoring device

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002365200A (ja) * 2001-06-05 2002-12-18 Denso Corp 帯電粒子検出装置
US20030115978A1 (en) * 2001-12-20 2003-06-26 Moehnke Stephanie J. Apparatus and method for monitoring environment within a container
US20040031340A1 (en) * 2002-01-24 2004-02-19 Renken Wayne G. Process condition sensing wafer and data analysis system
US20080228419A1 (en) * 2002-01-24 2008-09-18 Sensarray Corporation Process condition sensing wafer and data analysis system
US20070013883A1 (en) * 2005-07-15 2007-01-18 Park Il-Jung Semiconductor manufacturing device and particle monitoring method
CN101517701A (zh) * 2006-09-29 2009-08-26 赛博光学半导体公司 衬底形的粒子传感器
CN101526482A (zh) * 2008-03-06 2009-09-09 东京毅力科创株式会社 颗粒发生原因判别系统、和颗粒发生原因判别方法
JP2015018845A (ja) * 2013-07-09 2015-01-29 株式会社ニューフレアテクノロジー パーティクル測定装置、パーティクル測定方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20180335393A1 (en) 2018-11-22
KR20180071371A (ko) 2018-06-27
US10718719B2 (en) 2020-07-21
JP2018538518A (ja) 2018-12-27
US10067070B2 (en) 2018-09-04
TW201719793A (zh) 2017-06-01
WO2017078914A1 (en) 2017-05-11
US20170131217A1 (en) 2017-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108352338A (zh) 颗粒监控装置
JP7170099B2 (ja) リアルタイムのプロセス評価
CN109417039A (zh) 具有电容式微传感器的晶片处理设备
JP7288493B2 (ja) マイクロセンサを有するウエハ処理ツール
JP6865760B2 (ja) 自己認識生産ウエハ

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20180731

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication