CN108235217A - 用于传声器的振动膜、传声器及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种用于传声器的振动膜、传声器及其制备方法，所述振动膜包括工作区域及锚点，所述锚点位于所述工作区域的四个顶角，且与所述工作区域为一体化结构；所述振动膜内形成有褶皱，且所述褶皱位于所述工作区域内。本发明通过在振动膜内设置褶皱，增大了振动膜的有效振动长度，使得振动膜更容易发生形变，在通过提高所述振动膜的厚度提高其声压测试性能的同时，提高了其柔软度及灵敏度。

Description

用于传声器的振动膜、传声器及其制备方法

技术领域

本发明属于半导体制造技术领域，特别涉及一种用于传声器的振动膜、传声器及其制备方法。

背景技术

麦克风是一种把声音能量转化为电信号的传感器件，电容MEMS麦克风原理是通过声压引起振动膜的振动，进而改变电容。请参阅图1，现有的麦克风包括：内部形成有通孔11的衬底10；通过锚点121固定于所述衬底10表面的振动膜12，所述振动膜12与所述衬底10相隔一定的间距，且为一个平整的没有褶皱的振动膜；位于所述振动膜12上方、且与所述振动膜12相隔一定间距的支撑板13，所述支撑板13内形成有声孔14，所述支撑板13固定于所述衬底10的表面；位于所述支撑板13下表面的上电极16。由于所述振动膜12的厚度比较薄，其形变能力有限，在声压测试中容易被较强的声压所破坏，从而导致产品的失效。

目前，为了提高麦克风中的所述振动膜12声压测试性能，一种常用的做法为增加所述振动膜12的厚度。虽然提高所述振动膜12的厚度可以提高其声压测试性能，但随着厚度的增加，所述振动膜12的柔软度(compliance)也会下降，而所述振动膜12的柔软度下降则会导致其灵敏度随着一起下降，从而影响了麦克风的性能。

发明内容

本发明针对现有技术存在的上述不足，提出了一种用于传声器的振动膜、传声器及其制备方法，用于解决现有技术中传声器存在的声压测试性能及柔软度无法同时兼顾的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种用于传声器的振动膜，所述振动膜包括工作区域及锚点，所述锚点位于所述工作区域的四个顶角，且与所述工作区域为一体化结构；所述振动膜内形成有褶皱，且所述褶皱位于所述工作区域内。

作为本发明的用于传声器的振动膜的一种优选方案，所述褶皱包括第一褶曲及第二褶曲，所述第二褶曲位于所述第一褶曲与所述锚点之间。

作为本发明的用于传声器的振动膜的一种优选方案，所述第一褶曲的形状为圆形或圆角矩形；所述第二褶曲的形状为弧形或线形。

作为本发明的用于传声器的振动膜的一种优选方案，所述第一褶曲的数量为多个，相邻所述第一褶曲之间的间距相等。

作为本发明的用于传声器的振动膜的一种优选方案，所述第一褶曲的数量为多个，相邻所述第一褶曲之间的间距自所述工作区域中心至外围逐渐减小。

作为本发明的用于传声器的振动膜的一种优选方案，所述第一褶曲及所述第二褶曲纵截面的形状为矩形。

作为本发明的用于传声器的振动膜的一种优选方案，所述第一褶曲及所述第二褶曲纵截面的形状为设有弧形倒角的矩形。

作为本发明的用于传声器的振动膜的一种优选方案，所述振动膜的下表面还设有第一阻挡结构，所述第一阻挡结构的厚度小于所述锚点的厚度。

本发明还提供一种传声器，所述传声器包括：衬底，所述衬底内形成有通孔；

如上述任一方案中所述的振动膜，所述振动膜通过所述锚点固定于所述衬底的表面，且与所述衬底相隔一定的间距；

支撑板，位于所述振动膜的上方，且与所述振动膜相隔一定的间距，所述支撑板固定于所述衬底表面；所述支撑板内形成有多个间隔分布的声孔及第二阻挡结构，所述第二阻挡结构的下表面与所述振动膜相隔一定的间距；

上电极，位于所述支撑板的下表面。

本发明还提供一种传声器的制备方法，所述传声器的制备方法至少包括以下步骤：

提供衬底，在所述衬底表面形成第一氧化硅层，在所述第一氧化硅层内对应于后续要形成第一阻挡结构的位置形成第一开口；

在所述第一氧化硅层表面及所述第一开口内形成第二氧化硅层，所述第二氧化硅层内形成有与所述第一开口相对应的第一凹槽；分别所述第二氧化硅层内对应于后需要形成振动膜的位置及后需要形成锚点的位置形成第二凹槽及第二开口，所述第二凹槽定义出振动膜内褶皱的形状；

在所述第二氧化硅层表面、所述第一凹槽、所述第二凹槽及所述第二开口内形成如上述任一方案中所述的振动膜；

在所述振动膜表面形成第三氧化硅层，刻蚀所述第三氧化硅层，在对应于后续要形成第二阻挡结构的位置形成第三开口；

在所述第三氧化硅层表面及所述第三开口内形成第四氧化硅层，所述第四氧化硅层内形成有与所述第三开口相对应的第三凹槽；

在所述第四氧化硅层表面依次形成第五氧化硅层及上电极；

在所述上电极表面及所述第三凹槽内形成具有声孔及第二阻挡结构的支撑板；

背面刻蚀所述衬底，形成贯穿所述衬底的通孔；去除所述第一氧化硅层、所述第二氧化硅层、所述第三氧化硅层、所述第四氧化硅层及所述第五氧化硅层。

作为本发明的传声器的制备方法的一种优选方案，在所述第二氧化硅层内对应于后需要形成振动膜的位置形成第二凹槽包括以下步骤：

在所述第二氧化硅层表面涂覆光刻胶；

图形化所述光刻胶，以在所述光刻胶内形成与振动膜内褶皱相对应的通孔；

依据所述图形化的光刻胶刻蚀所述第二氧化硅层，以在所述第二氧化硅层内形成所述第二凹槽。

作为本发明的传声器的制备方法的一种优选方案，图形化所述光刻胶之后，刻蚀所述第二氧化硅层之前，还包括采用回流工艺对所述图形化的光刻胶层进行处理的步骤。

作为本发明的传声器的制备方法的一种优选方案，在所述第二氧化硅层表面、所述第一凹槽、所述第二凹槽及所述第二开口内形成所述的振动膜包括以下步骤：

在所述第二氧化硅层表面、所述第一凹槽、所述第二凹槽及所述第二开口内沉积第一多晶硅层；

图形化所述第一多晶硅层以形成所述振动膜。

作为本发明的传声器的制备方法的一种优选方案，在所述第五氧化硅层表面形成所述上电极包括以下步骤：

在所述第五氧化硅层表面沉积第二多晶硅层；

图形化所述第二多晶硅层以形成所述上电极。

作为本发明的传声器的制备方法的一种优选方案，在所述上电极表面及所述第三凹槽内形成具有声孔及第二阻挡结构的支撑板包括以下步骤：

在所述上电极表面、所述衬底表面及所述第三凹槽内沉积氮化硅层；位于所述第三凹槽内的所述氮化硅层形成所述第二阻挡结构；

刻蚀位于所述上电极表面的所述氮化硅层形成声孔。

本发明的一种用于传声器的振动膜、传声器及其制备方法的有益效果为：本发明通过在振动膜内设置褶皱，增大了振动膜的有效振动长度，使得振动膜更容易发生形变，在通过提高所述振动膜的厚度提高其声压测试性能的同时，提高了其柔软度及灵敏度。

附图说明

图1显示为现有技术中的传声器的结构示意图。

图2显示为本发明实施例一中提供的用于传声器的振动膜的俯视结构示意图。

图3及图5显示为不同示例中图2沿AA’方向的截面结构示意图。

图4显示为图3中B区域的放大示意图。

图6显示为图5中C区域的放大示意图。

图7显示为本发明实施例二中提供的传声器的结构示意图。

图8显示为本发明实施例三中提供的的传声器的制备方法的流程图。

图9至图20显示为本发明实施例三中提供的传声器的制备方法在各步骤中的结构示意图。

元件标号说明

10 衬底

11 通孔

12 振动膜

121 锚点

13 支撑板

14 声孔

16 上电极

2 振动膜

21 工作区域

22 锚点

23 褶皱

231 第一褶曲

232 第二褶曲

24 第一阻挡结构

31 衬底

32 通孔

33 支撑板

34 声孔

35 第二阻挡结构

36 上电极

41 第一氧化硅层

411 第一开口

42 第二氧化硅层

421 第一凹槽

422 第二凹槽

423 第二开口

43 第三氧化硅层

431 第三开口

44 第四氧化硅层

441 第三凹槽

45 第五氧化硅层

51 光刻胶

52 通孔

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图2至图20。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，虽图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

实施例一

请参阅图2至图6，本发明提供一种用于传声器的振动膜2，所述振动膜2包括工作区域21及锚点22，所述锚点22位于所述工作区域21的四个顶角，且与所述工作区域21为一体化结构；所述振动膜2内形成有褶皱23，且所述褶皱23位于所述工作区域21内。所述褶皱23是指在所述振动膜2的上下两表面形成对应起伏的凹槽或凸起，一表面形成凹槽时，另一表面形成与所述凹槽相对应的凸起，以确保所述振动膜2各处均具有相同的厚度。通过在所述振动膜2内设置褶皱23，增大了振动膜2的有效振动长度，使得振动膜2更容易发生形变，在通过增加所述振动膜2的厚度提高其声压测试性能的同时，提高了其柔软度及灵敏度。

作为示例，所述振动膜2的工作区域21的形状可以根据实际需要进行设定，可以为圆形或矩形，图2中以所述工作区域21为正方形作为示例。

作为示例，所述褶皱23包括第一褶曲231及第二褶曲232，所述第二褶曲232位于所述第一褶曲231与所述锚点22之间。所述褶曲231是指所述褶皱23中的一个凹槽或凸起。

作为示例，所述第一褶曲231及所述第二褶曲232的形状可以根据实际需要进行设定，本实施例中，所述第一褶曲231的形状可以为圆形或圆角矩形(即所述矩形的顶角为弧形圆角)；所述第二褶曲232的形状为弧形或线形，线形包括直线形或折线形；图2中，以所述第一褶曲231的形状为圆形，所述第二褶曲232的形状为弧形作为示例。

作为示例，所述第一褶曲231及所述第二褶曲232的数量及分布情况可以根据实际需要设定，优选地，本实施例中，所述第一褶曲231的数量为多个，相邻所述第一褶曲231之间的间距相等，即所述第一褶曲231在所述振动膜2的工作区域21内均匀分布。

作为示例，所述第一褶曲231的数量为多个，相邻所述第一褶曲231之间的间距自所述工作区域21中心至外围逐渐减小。由于所述振动膜2在工作时，其中心的最容易发生形变，其柔软度最好，而越往外围其越难以发生形变，将所述第一褶曲231自所述工作区域21至外围进行不等间距排布，且位于所述工作区域21外围的分布密度大于靠近所述工作区域21中心的分布密度，可以提高位于所述振动膜2的工作区域21外围的形变能力。

在一示例中，所述第一褶曲231及所述第二褶曲232纵截面的形状为矩形，如图3及图4所示。

在另一示例中，所述第一褶曲231及所述第二褶曲232纵截面的形状为设有弧形倒角的矩形，如图5及图6所示。将所述第一褶曲231及所述第二褶曲232纵截面的形状设为有弧形倒角的矩形，使得所述振动膜2与所述褶皱23交界处的过渡更趋于缓和，可以进一步提高所述振动膜2的柔软度，从而降低了在声压测试中该处破裂的几率。

作为示例，所述振动膜2的下表面还设有第一阻挡结构24，所述第一阻挡结构24的厚度小于所述锚点22的厚度；所述第一阻挡结构24可以确保所述振动膜2在工作时不会粘附在位于其下方的器件上。

作为示例，所述振动膜2的材料可以为但不仅限于多晶硅。

实施例二

请参阅图7，本发明还提供一种传声器，所述传声器包括：衬底31，所述衬底31内形成有贯通其上下表面的通孔32；如实施例一中所述的振动膜2，所述振动膜2通过所述锚点22固定于所述衬底31的表面，且与所述衬底31相隔一定的间距，所述振动膜2与所述衬底31之间的间距大于所述第一阻挡结构24的厚度，所述振动膜2的具体结构请参阅实施例一，此处不再累述；支撑板33，所述支撑板33位于所述振动膜2的上方，且与所述振动膜2相隔一定的间距，所述支撑板33固定于所述衬底31表面；所述支撑板33内形成有多个间隔分布的声孔34及第二阻挡结构35，所述第二阻挡结构35的下表面与所述振动膜2相隔一定的间距，在所述传声器工作时，所述第二阻挡结构35可以防止所述振动膜2不会粘附在所述支撑板33的下表面；上电极36，所述上电极36位于所述支撑板33的下表面。

作为示例，在所述传声器中，所述振动膜2作为下电极。所述上电极36的材料可以为但不仅限于多晶硅，所述支撑板33的材料可以为但不仅限于氮化硅。

本发明通过在所述振动膜2内设置褶皱，增大了所述振动膜2的有效振动长度，使得所述振动膜2更容易发生形变，在提高了其声压测试性能的同时，提高了其柔软度及灵敏度。

实施例三

请参阅图8至图20，本发明还提供一种传声器的制备方法，所述传声器的制备方法至少包括以下步骤：

S1：提供衬底，在所述衬底表面形成第一氧化硅层，在所述第一氧化硅层内对应于后续要形成第一阻挡结构的位置形成第一开口；

S2：在所述第一氧化硅层表面及所述第一开口内形成第二氧化硅层，所述第二氧化硅层内形成有与所述第一开口相对应的第一凹槽；分别所述第二氧化硅层内对应于后需要形成振动膜的位置及后需要形成锚点的位置形成第二凹槽及第二开口，所述第二凹槽定义出振动膜内褶皱的形状；

S3：在所述第二氧化硅层表面、所述第一凹槽、所述第二凹槽及所述第二开口内形成如实施例一中所述的振动膜；

S4：在所述振动膜表面形成第三氧化硅层，刻蚀所述第三氧化硅层，在对应于后续要形成第二阻挡结构的位置形成第三开口；

S5：在所述第三氧化硅层表面及所述第三开口内形成第四氧化硅层，所述第四氧化硅层内形成有与所述第三开口相对应的第三凹槽；

S6：在所述第四氧化硅层表面依次形成第五氧化硅层及上电极；

S7：在所述上电极表面及所述第三凹槽内形成具有声孔及第二阻挡结构的支撑板；

S8：背面刻蚀所述衬底，形成贯穿所述衬底的通孔；去除所述第一氧化硅层、所述第二氧化硅层、所述第三氧化硅层、所述第四氧化硅层及所述第五氧化硅层。

在步骤S1中，请参阅图8中的S1步骤及图9，提供衬底31，在所述衬底31表面形成第一氧化硅层41，在所述第一氧化硅层41内对应于后续要形成第一阻挡结构的位置形成第一开口411。

作为示例，所述衬底31可以为但不仅限于蓝宝石衬底、GaN衬底、硅衬底或碳化硅衬底等等。

作为示例，可以采用物理气相沉积法、化学气相沉积法或热氧化法在所述衬底31表面形成所述第一氧化硅层41，所述第一氧化硅层41的厚度可以根据实际需要进行设定。

作为示例，可以采用干法刻蚀工艺、湿法刻蚀工艺或干法与湿法相结合的刻蚀工艺在所述第一氧化硅层41内形成所述第一开口411。

在步骤S2中，请参阅图8中的S2步骤及图10至图14，在所述第一氧化硅层41表面及所述第一开口411内形成第二氧化硅层42，所述第二氧化硅层42内形成有与所述第一开口411相对应的第一凹槽421；分别所述第二氧化硅层42内对应于后需要形成振动膜的位置及后需要形成锚点的位置形成第二凹槽422及第二开口423，所述第二凹槽422定义出振动膜内褶皱的形状。

作为示例，可以采用物理气相沉积法、化学气相沉积法或热氧化法在所述第一氧化硅层41表面及所述第一开口411内形成第二氧化硅层42。

作为示例，在所述第二氧化硅层42内对应于后需要形成振动膜的位置形成第二凹槽422包括以下步骤：

S21：在所述第二氧化硅层42表面涂覆光刻胶51；

S22：图形化所述光刻胶51，以在所述光刻胶51内形成与振动膜内褶皱相对应的通孔52，所述通孔52纵截面的形状为矩形，如图10所示；

S23：依据所述图形化的光刻胶51刻蚀所述第二氧化硅层42，以在所述第二氧化硅层42内形成所述第二凹槽422，所述第二凹槽422的形状为矩形，如图11所示；对应于该方案后续形成的所述振动膜内褶皱纵截面的形状为矩形，具体可参阅实施例一中的图3及图4。

作为示例，步骤S22与步骤S23之间，还包括采用回流工艺对所述图形化的光刻胶层51进行处理的步骤，以在所述光刻胶层51内形成具有弧形倒角的矩形的通孔52，如图12所示；该步骤之后，在所述步骤S23中形成的所述第二凹槽422的形状为具有弧形倒角的矩形，如图13所示；对应于该方案后续形成的所述振动膜内褶皱纵截面的形状为具有弧形倒角的矩形，具体可参阅实施例一中的图5及图6。

作为示例，可以采用干法刻蚀工艺、湿法刻蚀工艺或干法与湿法相结合的刻蚀工艺在所述第二氧化硅层42内形成所述第二开口423，如图14所示。

需要说明的是，图15及后续各步骤均以所述第二二氧化硅层42内形成的所述第二凹槽422纵截面的形状为矩形作为示例。。

在步骤S3中，请参阅图8中的S3步骤及图15，在所述第二氧化硅层42表面、所述第一凹槽421、所述第二凹槽422及所述第二开口423内形成如实施例一中所述的振动膜2。

作为示例，在所述第二氧化硅层42表面、所述第一凹槽421、所述第二凹槽422及所述第二开口423内形成所述的振动膜2包括以下步骤：

S31：在所述第二氧化硅层42表面、所述第一凹槽421、所述第二凹槽422及所述第二开口423内沉积第一多晶硅层(未示出)；

S32：采用光刻刻蚀工艺图形化所述第一多晶硅层以形成所述振动膜2。形成的所述振动膜2的具体结构请参阅实施例一，此次不再累述。

在步骤S4中，请参阅图8中的S4步骤及图16，在所述振动膜2表面形成第三氧化硅层43，刻蚀所述第三氧化硅层43，在对应于后续要形成第二阻挡结构的位置形成第三开口431。

作为示例，可以采用物理气相沉积法、化学气相沉积法或热氧化法，在所述振动膜2表面形成第三氧化硅层43。

作为示例，可以采用干法刻蚀工艺、湿法刻蚀工艺或干法与湿法相结合的刻蚀工艺在所述第三氧化硅层43内形成所述第三开口431。

在步骤S5中，请参阅图8中的S5步骤及图17，在所述第三氧化硅,43表面及所述第三开口431内形成第四氧化硅层44，所述第四氧化硅层44内形成有与所述第三开口431相对应的第三凹槽441。

作为示例，可以采用物理气相沉积法、化学气相沉积法或热氧化法，在所述第三氧化硅,43表面及所述第三开口431内形成第四氧化硅层44。

在步骤S6中，请参阅图8中的S6步骤及图18，在所述第四氧化硅层44表面依次形成第五氧化硅层45及上电极36。

作为示例，可以采用物理气相沉积法、化学气相沉积法或热氧化法，在所述第四氧化硅层44表面形成所述第五氧化硅层45。

作为示例，在所述第五氧化硅层45表面形成所述上电极36包括以下步骤：

S61：在所述第五氧化硅层45表面沉积第二多晶硅层(未示出)；

S62：采用光刻刻蚀工艺图形化所述第二多晶硅层以形成所述上电极36。

在步骤S7中，请参阅图8中的S7步骤及图19，在所述上电极36表面及所述第三凹槽内441形成具有声孔34及第二阻挡结构35的支撑板33。

作为示例，在所述上电极36表面及所述第三凹槽441内形成具有声孔34及第二阻挡结构35的支撑板33包括以下步骤：

S71：在所述上电极36表面、所述衬底31表面及所述第三凹槽441内沉积氮化硅层(未示出)；位于所述第三凹槽441内的所述氮化硅层形成所述第二阻挡结构35；

S72：刻蚀位于所述上电极36表面的所述氮化硅层形成所述声孔34。

在步骤S8中，请参阅图8中的S8步骤及图20，背面刻蚀所述衬底31，形成贯穿所述衬底31的通孔32；去除所述第一氧化硅层41、所述第二氧化硅层42、所述第三氧化硅层43、所述第四氧化硅层44及所述第五氧化硅层45。

作为示例，可以采用干法刻蚀工艺、湿法刻蚀工艺或干法与湿法相结合的工艺背面刻蚀所述衬底31，以形成贯穿所述衬底31的通孔32。

作为示例，可以采用干法刻蚀工艺、湿法刻蚀工艺或干法与湿法相结合的工艺去除所述第一氧化硅层41、所述第二氧化硅层42、所述第三氧化硅层43、所述第四氧化硅层44及所述第五氧化硅层45。

综上所述，本发明提供一种用于传声器的振动膜、传声器及其制备方法，所述振动膜包括工作区域及锚点，所述锚点位于所述工作区域的四个顶角，且与所述工作区域为一体化结构；所述振动膜内形成有褶皱，且所述褶皱位于所述工作区域内。本发明通过在振动膜内设置褶皱，增大了振动膜的有效振动长度，使得振动膜更容易发生形变，在通过提高所述振动膜的厚度提高其声压测试性能的同时，提高了其柔软度及灵敏度。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (15)

1.一种用于传声器的振动膜，其特征在于，所述振动膜包括工作区域及锚点，所述锚点位于所述工作区域的四个顶角，且与所述工作区域为一体化结构；所述振动膜内形成有褶皱，且所述褶皱位于所述工作区域内。

2.根据权利要求1所述的用于传声器的振动膜，其特征在于：所述褶皱包括第一褶曲及第二褶曲，所述第二褶曲位于所述第一褶曲与所述锚点之间。

3.根据权利要求2所述的用于传声器的振动膜，其特征在于：所述第一褶曲的形状为圆形或圆角矩形；所述第二褶曲的形状为弧形或线形。

4.根据权利要求2所述的用于传声器的振动膜，其特征在于：所述第一褶曲的数量为多个，相邻所述第一褶曲之间的间距相等。

5.根据权利要求2所述的用于传声器的振动膜，其特征在于：所述第一褶曲的数量为多个，相邻所述第一褶曲之间的间距自所述工作区域中心至外围逐渐减小。

6.根据权利要求2所述的用于传声器的振动膜，其特征在于：所述第一褶曲及所述第二褶曲纵截面的形状为矩形。

7.根据权利要求2所述的用于传声器的振动膜，其特征在于：所述第一褶曲及所述第二褶曲纵截面的形状为设有弧形倒角的矩形。

8.根据权利要求2所述的用于传声器的振动膜，其特征在于：所述振动膜的下表面还设有第一阻挡结构，所述第一阻挡结构的厚度小于所述锚点的厚度。

9.一种用于传声器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底内形成有通孔；

如权利要求1至8中任一项所述的振动膜，所述振动膜通过所述锚点固定于所述衬底的表面，且与所述衬底相隔一定的间距；

支撑板，位于所述振动膜的上方，且与所述振动膜相隔一定的间距，所述支撑板固定于所述衬底表面；所述支撑板内形成有多个间隔分布的声孔及第二阻挡结构，所述第二阻挡结构的下表面与所述振动膜相隔一定的间距；

上电极，位于所述支撑板的下表面。

10.一种传声器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底，在所述衬底表面形成第一氧化硅层，在所述第一氧化硅层内对应于后续要形成第一阻挡结构的位置形成第一开口；

在所述第一氧化硅层表面及所述第一开口内形成第二氧化硅层，所述第二氧化硅层内形成有与所述第一开口相对应的第一凹槽；分别在所述第二氧化硅层内对应于后需要形成振动膜的位置及后需要形成锚点的位置形成第二凹槽及第二开口，所述第二凹槽定义出振动膜内褶皱的形状；

在所述第二氧化硅层表面、所述第一凹槽、所述第二凹槽及所述第二开口内形成如权利要求1至8中任一项所述的振动膜；

在所述振动膜表面形成第三氧化硅层，刻蚀所述第三氧化硅层，在对应于后续要形成第二阻挡结构的位置形成第三开口；

在所述第三氧化硅层表面及所述第三开口内形成第四氧化硅层，所述第四氧化硅层内形成有与所述第三开口相对应的第三凹槽；

在所述第四氧化硅层表面依次形成第五氧化硅层及上电极；

在所述上电极表面及所述第三凹槽内形成具有声孔及第二阻挡结构的支撑板；

背面刻蚀所述衬底，形成贯穿所述衬底的通孔；去除所述第一氧化硅层、所述第二氧化硅层、所述第三氧化硅层、所述第四氧化硅层及所述第五氧化硅层。

11.根据权利要求10所述的传声器的制备方法，其特征在于：在所述第二氧化硅层内对应于后需要形成振动膜的位置形成第二凹槽包括以下步骤：

在所述第二氧化硅层表面涂覆光刻胶；

图形化所述光刻胶，以在所述光刻胶内形成与振动膜内褶皱相对应的通孔；

依据所述图形化的光刻胶刻蚀所述第二氧化硅层，以在所述第二氧化硅层内形成所述第二凹槽。

12.根据权利要求11所述的传声器的制备方法，其特征在于：图形化所述光刻胶之后，

刻蚀所述第二氧化硅层之前，还包括采用回流工艺对所述图形化的光刻胶层进行处理的步骤。

13.根据权利要求10所述的传声器的制备方法，其特征在于：在所述第二氧化硅层表面、所述第一凹槽、所述第二凹槽及所述第二开口内形成所述的振动膜包括以下步骤：

在所述第二氧化硅层表面、所述第一凹槽、所述第二凹槽及所述第二开口内沉积第一多晶硅层；

图形化所述第一多晶硅层以形成所述振动膜。

14.根据权利要求10所述的传声器的制备方法，其特征在于：在所述第五氧化硅层表面形成所述上电极包括以下步骤：

在所述第五氧化硅层表面沉积第二多晶硅层；

图形化所述第二多晶硅层以形成所述上电极。

15.根据权利要求10所述的传声器的制备方法，其特征在于，在所述上电极表面及所述第三凹槽内形成具有声孔及第二阻挡结构的支撑板包括以下步骤：

在所述上电极表面、所述衬底表面及所述第三凹槽内沉积氮化硅层；位于所述第三凹槽内的所述氮化硅层形成所述第二阻挡结构；

刻蚀位于所述上电极表面的所述氮化硅层形成声孔。