CN108173552A - 射频电路开关芯片、射频电路及电子设备 - Google Patents

射频电路开关芯片、射频电路及电子设备 Download PDF

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CN108173552A CN201810023869.6A CN201810023869A CN108173552A CN 108173552 A CN108173552 A CN 108173552A CN 201810023869 A CN201810023869 A CN 201810023869A CN 108173552 A CN108173552 A CN 108173552A
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Abstract

本申请实施例提供一种射频电路开关芯片、射频电路及电子设备,所述射频电路开关芯片包括第一输入端口、第二输入端口、第三输入端口、合路器以及一输出端口;当所述第一输入端口、第二输入端口、第三输入端口中的至少两个接通所述合路器,所述合路器接通所述输出端口时,实现载波聚合信号的输出;当所述第一输入端口或第二输入端口或第三输入端口接通所述输出端口时,实现非载波聚合信号的输出。所述射频电路开关芯片可以通过控制不同信号通路的接通,来实现不同频率范围的载波聚合信号的输出,或者实现不同频率范围的非载波聚合信号的输出,从而可以提高电子设备收发载波聚合信号或非载波聚合信号的多样性。

Description

射频电路开关芯片、射频电路及电子设备
技术领域
本申请涉及通信技术领域,特别涉及一种射频电路开关芯片、射频电路及电子设备。
背景技术
随着通信技术的发展,移动终端能够支持的通信频段越来越多。例如,LTE(LongTerm Evolution,长期演进)通信信号可以包括频率在700MHz至2700MHz之间的信号。
移动终端能够支持的射频信号可以分为低频信号、中频信号和高频信号。其中,低频信号、中频信号以及高频信号各自又包括多个子频段信号。每个子频段信号都需要通过天线发射到外界。
由此,产生了载波聚合(Carrier Aggregation,简称CA)技术。通过载波聚合,可以将多个子频段信号聚合在一起,以提高网络上下行传输速率。
目前,全球各个通信市场的频率资源互不相同。不同区域的通信运营商拥有不同的通信频谱分配,因此也就存在不同的载波聚合以及非载波聚合的频段需求。
发明内容
本申请实施例提供一种射频电路开关芯片、射频电路及电子设备,可以提高电子设备收发载波聚合信号或非载波聚合信号的多样性。
本申请实施例提供一种射频电路开关芯片,包括第一输入端口、第二输入端口、第三输入端口、合路器以及一输出端口;
所述第一输入端口用于输入第一频率范围的射频信号,所述第二输入端口用于输入第二频率范围的射频信号,所述第三输入端口用于输入第三频率范围的射频信号;
当所述第一输入端口、第二输入端口、第三输入端口中的至少两个接通所述合路器,所述合路器接通所述输出端口时,实现载波聚合信号的输出;
当所述第一输入端口或第二输入端口或第三输入端口接通所述输出端口时,实现非载波聚合信号的输出。
本申请实施例还提供一种射频电路,包括射频收发器、射频电路开关芯片以及天线,所述射频收发器、射频电路开关芯片以及天线依次耦合,所述射频电路开关芯片为上述射频电路开关芯片。
本申请实施例还提供一种电子设备,包括电路板和后盖,所述电路板安装在所述后盖内部,所述电路板上设置有射频电路,所述射频电路为上述射频电路。
本申请实施例提供的射频电路开关芯片,可以通过控制不同信号通路的接通,来实现不同频率范围的载波聚合信号的输出,或者实现不同频率范围的非载波聚合信号的输出,从而可以提高电子设备收发载波聚合信号或非载波聚合信号的多样性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。
图2为本申请实施例提供的电子设备的另一结构示意图。
图3为本申请实施例提供的射频电路的第一种结构示意图。
图4为本申请实施例提供的射频电路的第二种结构示意图。
图5为本申请实施例提供的射频电路的第三种结构示意图。
图6为本申请实施例提供的射频电路的第四种结构示意图。
图7为本申请实施例提供的射频电路开关芯片的结构示意图。
图8为本申请实施例提供的射频电路的第五种结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本申请。此外,本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本申请实施例提供一种电子设备。所述电子设备可以是智能手机、平板电脑等设备。在一些实施例中,参考图1,电子设备100包括显示屏10、中框20、电路板30、电池40以及后盖50。
其中,显示屏10安装在后盖50上,以形成电子设备100的显示面。显示屏10作为电子设备100的前壳,与后盖50形成一收容空间,用于容纳电子设备100的其他电子元件或功能组件。同时,显示屏10形成电子设备100的显示面,用于显示图像、文本等信息。显示屏10可以为液晶显示屏(Liquid Crystal Display,LCD)或有机发光二极管显示屏(OrganicLight-Emitting Diode,OLED)等类型的显示屏。在一些实施例中,显示屏10为触控显示屏。
在一些实施例中,显示屏10上可以设置有玻璃盖板。其中,玻璃盖板可以覆盖显示屏10,以对显示屏10进行保护,防止显示屏10被刮伤或者被水损坏。
在一些实施例中,如图1所示,显示屏10可以包括显示区域11以及非显示区域12。其中,显示区域11执行显示屏10的显示功能,用于显示图像、文本等信息。非显示区域12不显示信息。非显示区域12可以用于设置摄像头、受话器、显示屏触控电极等功能组件。在一些实施例中,非显示区域12可以包括位于显示区域11上部和下部的至少一个区域。
在一些实施例中,如图2所示,显示屏10可以为全面屏。此时,显示屏10可以全屏显示信息,从而电子设备100具有较大的屏占比。显示屏10只包括显示区域11,而不包括非显示区域。此时,电子设备100中的摄像头、接近传感器等功能组件可以隐藏在显示屏10下方,而电子设备100的指纹识别模组可以设置在电子设备100的背面。
中框20可以为薄板状或薄片状的结构,也可以为中空的框体结构。其中,中框20可以收容在上述显示屏10与后盖50形成的收容空间中。中框20用于为电子设备100中的电子元件或功能组件提供支撑作用,以将电子设备中的电子元件、功能组件安装到一起。例如,电子设备中的摄像头、受话器、电路板、电池等功能组件都可以安装到中框20上以进行固定。在一些实施例中,中框20的材质可以包括金属或塑胶。
电路板30安装在上述收容空间内部。例如,电路板30可以安装在所述后盖50内部,并收容在上述收容空间中。电路板30可以为电子设备100的主板。电路板30上设置有接地点,以实现电路板30的接地。电路板30上可以集成有马达、麦克风、扬声器、受话器、耳机接口、通用串行总线接口(USB接口)、摄像头、距离传感器、环境光传感器、陀螺仪以及处理器等功能组件中的一个、两个或多个。
电池40安装在上述收容空间内部。例如,电池40可以安装在所述中框20上,并随中框20一同收容在上述收容空间中。电池40可以与所述电路板30耦合,以实现电池40为电子设备100供电。其中,电路板30上可以设置有电源管理电路。所述电源管理电路用于将电池40提供的电压分配到电子设备100中的各个电子元件。
后盖50用于形成电子设备100的外部轮廓。后盖50可以一体成型。在后盖50的成型过程中,可以在后盖50上形成后置摄像头孔、指纹识别模组安装孔等结构。
在一些实施例中,后盖50可以为金属后盖,比如镁合金、不锈钢等金属。需要说明的是,本申请实施例的后盖50的材料并不限于此,还可以采用其它方式,例如后盖50可以为塑胶后盖,还例如后盖50可以为陶瓷后盖。再例如,后盖50可以包括塑胶部分和金属部分,后盖50可以为金属和塑胶相互配合的后盖结构。具体的,可以先成型金属部分,比如采用注塑的方式形成镁合金基板,在镁合金基板上再注塑塑胶,形成塑胶基板,以形成完整的后盖结构。
在一些实施例中,电路板30上设置有射频(RF,Radio Frequency)电路。所述射频电路可以通过无线网络与网络设备(例如,服务器、基站等)或其他电子设备(例如,智能手机等)通信,以完成与网络设备或其他电子设备之间的信息收发。
在一些实施例中,如图3所示,射频电路200包括射频收发器21、功率放大单元22、滤波单元23、射频电路开关芯片24以及天线25。其中,功率放大单元22、滤波单元23、射频电路开关芯片24以及天线25依次耦合。从而,射频收发器21可以通过功率放大单元22以及滤波单元23实现与射频电路开关芯片24耦合。
射频收发器21具有发射端口TX和接收端口RX。发射端口TX用于发射射频信号(上行信号),接收端口RX用于接收射频信号(下行信号)。射频收发器21的发射端口TX与功率放大单元22耦合,接收端口RX与滤波单元23耦合。
功率放大单元22用于对射频收发器21发射的上行信号进行放大,并将放大后的上行信号发送到滤波单元23。在一些实施例中,功率放大单元22可以包括功率放大器。
滤波单元23用于对射频收发器21发射的上行信号进行滤波,并将滤波后的上行信号发送到天线25。滤波单元23还用于对天线25接收的下行信号进行滤波,并将滤波后的下行信号发送到射频收发器21。在一些实施例中,滤波单元23可以包括双工器或四工器等。
射频电路开关芯片24用于选择性接通射频收发器21与天线25之间的信号通路。射频电路开关芯片24的详细结构和功能将在下文进行描述。
天线25用于将射频收发器21发送的上行信号发射到外界,或者从外界接收射频信号,并将接收到的下行信号发送到射频收发器21。
在一些实施例中,如图4所示,射频电路200还包括控制电路26。其中,控制电路26与射频电路开关芯片24耦合。控制电路26用于控制所述射频电路开关芯片24选择性接通射频收发器21与天线25之间的信号通路。此外,控制电路26还可以与电子设备100中的处理器连接,以根据处理器的指令控制射频电路开关芯片24的状态。
在一些实施例中,如图5所示,射频电路200包括射频收发器21、射频电路开关芯片24以及天线25。所述射频收发器21、射频电路开关芯片24以及天线25依次耦合。
其中,射频收发器21包括第一发射端口TX1、第二发射端口TX2以及第三发射端口TX3。所述第一发射端口TX1用于产生第一频率范围的射频信号,第二发射端口TX2用于产生第二频率范围的射频信号,第三发射端口TX3用于产生第三频率范围的射频信号。
需要说明的是,电子设备100支持的射频信号可以分为低频信号(Low band,简称LB)、中频信号(Middle band,简称MB)以及高频信号(High band,简称HB)。其中,LB包括的频率范围为699MHz(兆赫兹)至960MHz,MB包括的频率范围为1427MHz至2170MHz,HB包括的频率范围为2300MHz至2690MHz。
在一些实施例中,所述第一频率范围的射频信号为低频信号(LB),所述第一频率范围包括699MHz至960MHz。所述第二频率范围的射频信号为中频信号(MB),所述第二频率范围包括1427MHz至2170MHz。所述第三频率范围的射频信号为高频信号(HB),所述第三频率范围包括2300MHz至2690MHz。
射频电路开关芯片24包括第一输入端口241、第二输入端口242、第三输入端口243以及一输出端口244。其中,所述第一输入端口241与所述射频收发器21的第一发射端口TX1耦合。所述第二输入端口242与所述射频收发器21的第二发射端口TX2耦合。所述第三输入端口243与所述射频收发器21的第三发射端口TX3耦合。所述输出端口244与所述天线25耦合。
从而,所述第一输入端口241可用于输入所述第一频率范围的射频信号。所述第二输入端口242可用于输入所述第二频率范围的射频信号。所述第三输入端口243可用于输入所述第三频率范围的射频信号。
在一些实施例中,如图6所示,射频电路200还包括功率放大单元22以及滤波单元23。其中,所述功率放大单元22包括第一功率放大器221、第二功率放大器222以及第三功率放大器223。所述滤波单元23包括第一双工器231、第二双工器232以及第三双工器233。
其中,所述射频收发器21的第一发射端口TX1与所述射频电路开关芯片24的第一输入端口241之间设置有所述第一功率放大器221、第一双工器231。所述第二发射端口TX2与所述射频电路开关芯片24的第二输入端口242之间设置有所述第二功率放大器222、第二双工器232。所述第三发射端口TX3与所述射频电路开关芯片24的第三输入端口243之间设置有所述第三功率放大器223、第三双工器233。
所述第一发射端口TX1、第一功率放大器221、第一双工器231、第一输入端口241依次耦合。所述第二发射端口TX2、第二功率放大器222、第二双工器232、第二输入端口242依次耦合。所述第三发射端口TX3、第三功率放大器223、第三双工器233、第三输入端口243依次耦合。
其中,所述第一功率放大器221用于对所述第一发射端口TX1产生的射频信号进行功率放大。所述第二功率放大器222用于对所述第二发射端口TX2产生的射频信号进行功率放大。所述第三功率放大器223用于对所述第三发射端口TX3产生的射频信号进行功率放大。
所述第一双工器241用于对所述第一发射端口TX1产生的射频信号进行滤波,以及对天线25接收到的下行信号进行滤波。所述第二双工器242用于对所述第二发射端口TX2产生的射频信号进行滤波,以及对天线25接收到的下行信号进行滤波。所述第三双工器243用于对所述第三发射端口TX3产生的射频信号进行滤波,以及对天线25接收到的下行信号进行滤波。
在一些实施例中,所述射频收发器21还包括第一接收端口RX1、第二接收端口RX2、第三接收端口RX3。所述第一接收端口RX1与所述第一双工器231耦合。所述第二接收端口RX2与所述第二双工器232耦合。所述第三接收端口RX3与所述第三双工器233耦合。
与所述发射端口TX1、TX2、TX3相对应的,所述第一接收端口RX1用于接收所述第一频率范围的射频信号,第二接收端口RX2用于接收所述第二频率范围的射频信号,第三接收端口RX3用于接收所述第三频率范围的射频信号。
在一些实施例中,如图7所示,射频电路开关芯片24包括第一输入端口241、第二输入端口242、第三输入端口243、合路器248以及一输出端口244。
其中,所述第一输入端口241用于输入所述第一频率范围的射频信号。所述第二输入端口242用于输入所述第二频率范围的射频信号。所述第三输入端口243用于输入所述第三频率范围的射频信号。
在一些实施例中,所述射频电路开关芯片24包括第一开关245、第二开关246、第三开关247以及第四开关249。
其中,所述第一开关245与所述第一输入端口241耦合。所述第二开关246与所述第二输入端口242耦合。所述第三开关247与所述第三输入端口243耦合。所述第四开关249与所述输出端口244耦合。所述合路器248分别与所述第一开关245、第二开关246、第三开关247以及第四开关249耦合。此外,所述第一开关245、第二开关246、第三开关247还分别与所述第四开关249耦合。
具体地,所述第一开关245包括第一端口P1、第二端口P2、第三端口P3。所述第二开关246包括第四端口P4、第五端口P5、第六端口P6。所述第三开关247包括第七端口P7、第八端口P8、第九端口P9。所述第四开关249包括第十端口P10、第十一端口P11、第十二端口P12、第十三端口P13、第十四端口P14。所述合路器248包括输入端248A和输出端248B。
所述第一开关245中,第一端口P1可以选择性接通第二端口P2或第三端口P3。所述第二开关246中,第四端口P4可以选择性接通第五端口P5或第六端口P6。所述第三开关247中,第七端口P7可以选择性接通第八端口P8或第九端口P9。所述第四开关249中,第十四端口P14可以选择性接通第十端口P10、第十一端口P11、第十二端口P12、第十三端口P13中的任意一个。
其中,所述第一端口P1与所述第一输入端口241耦合,所述第二端口P2与所述第十端口P10耦合,所述第三端口P3与所述合路器248的输入端248A耦合。
所述第四端口P4与所述第二输入端口242耦合,所述第五端口P5与所述第十一端口P11耦合,所述第六端口P6与所述合路器248的输入端248A耦合。
所述第七端口P7与所述第三输入端口243耦合,所述第八端口P8与所述第十三端口P13耦合,所述第九端口P9与所述合路器248的输入端248A耦合。
所述第十二端口P12与所述合路器248的输出端248B耦合,所述第十四端口P14与所述输出端口244耦合。
在一些实施例中,所述第一开关245、第二开关246、第三开关247均为单刀双掷开关。
在一些实施例中,所述第四开关249为单刀四掷开关。
在一些实施例中,所述合路器248为三频合路器。
在一些实施例中,参考图8,图8为射频电路200的连接关系示意图。其中,当所述射频电路开关芯片24的第一输入端口241、第二输入端口242、第三输入端口243中的至少两个接通所述合路器248,所述合路器248接通所述输出端口244时,实现载波聚合信号的输出。
具体地,当所述第一输入端口241、第二输入端口242接通所述合路器248,所述合路器248接通所述输出端口244时,实现所述第一频率范围与第二频率范围的射频信号的载波聚合信号的输出,也即低频信号(LB)与中频信号(MB)的载波聚合信号的输出。
当所述第一输入端口241、第三输入端口243接通所述合路器248,所述合路器248接通所述输出端口244时,实现所述第一频率范围与第三频率范围的射频信号的载波聚合信号的输出,也即低频信号(LB)与高频信号(HB)的载波聚合信号的输出。
当所述第二输入端口242、第三输入端口243接通所述合路器248,所述合路器248接通所述输出端口244时,实现所述第二频率范围与第三频率范围的射频信号的载波聚合信号的输出,也即中频信号(MB)与高频信号(HB)的载波聚合信号的输出。
当所述第一输入端口241、第二输入端口242、第三输入端口243均接通所述合路器248,所述合路器248接通所述输出端口244时,实现所述第一频率范围、第二频率范围以及第三频率范围射频信号的载波聚合信号的输出,也即低频信号(LB)、中频信号(MB)、高频信号(HB)的载波聚合信号的输出。
当所述射频电路开关芯片24的第一输入端口241或第二输入端口242或第三输入端口243接通所述输出端口244时,实现非载波聚合信号的输出。
具体地,当所述第一输入端口241接通所述输出端口244时,实现所述第一频率范围的射频信号的输出,也即低频信号(LB)的输出。
当所述第二输入端口242接通所述输出端口244时,实现所述第二频率范围的射频信号的输出,也即中频信号(MB)的输出。
当所述第三输入端口243接通所述输出端口244时,实现所述第三频率范围的射频信号的输出,也即高频信号(HB)的输出。
由上可知,本申请实施例提供的射频电路开关芯片24,可以通过控制不同信号通路的接通,来实现不同频率范围的载波聚合信号的输出,或者实现不同频率范围的非载波聚合信号的输出,从而可以提高电子设备收发载波聚合信号或非载波聚合信号的多样性。
以上对本申请实施例提供的射频电路开关芯片、射频电路及电子设备进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请。同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (12)

1.一种射频电路开关芯片,其特征在于,包括第一输入端口、第二输入端口、第三输入端口、合路器以及一输出端口;
所述第一输入端口用于输入第一频率范围的射频信号,所述第二输入端口用于输入第二频率范围的射频信号,所述第三输入端口用于输入第三频率范围的射频信号;
当所述第一输入端口、第二输入端口、第三输入端口中的至少两个接通所述合路器,所述合路器接通所述输出端口时,实现载波聚合信号的输出;
当所述第一输入端口或第二输入端口或第三输入端口接通所述输出端口时,实现非载波聚合信号的输出。
2.根据权利要求1所述的射频电路开关芯片,其特征在于,当所述第一输入端口、第二输入端口、第三输入端口均接通所述合路器,所述合路器接通所述输出端口时,实现所述第一频率范围、第二频率范围以及第三频率范围射频信号的载波聚合信号的输出。
3.根据权利要求1或2所述的射频电路开关芯片,其特征在于,包括第一开关、第二开关、第三开关以及第四开关;
所述第一开关与所述第一输入端口耦合,所述第二开关与所述第二输入端口耦合,所述第三开关与所述第三输入端口耦合,所述第四开关与所述输出端口耦合;
所述合路器分别与所述第一开关、第二开关、第三开关以及第四开关耦合;
所述第一开关、第二开关、第三开关还分别与所述第四开关耦合。
4.根据权利要求3所述的射频电路开关芯片,其特征在于,所述第一开关包括第一端口、第二端口、第三端口,所述第二开关包括第四端口、第五端口、第六端口,所述第三开关包括第七端口、第八端口、第九端口,所述第四开关包括第十端口、第十一端口、第十二端口、第十三端口、第十四端口;
所述第一端口与所述第一输入端口耦合,所述第二端口与所述第十端口耦合,所述第三端口与所述合路器的输入端耦合;
所述第四端口与所述第二输入端口耦合,所述第五端口与所述第十一端口耦合,所述第六端口与所述合路器的输入端耦合;
所述第七端口与所述第三输入端口耦合,所述第八端口与所述第十三端口耦合,所述第九端口与所述合路器的输入端耦合;
所述第十二端口与所述合路器的输出端耦合,所述第十四端口与所述输出端口耦合。
5.根据权利要求4所述的射频电路开关芯片,其特征在于,所述第一开关、第二开关、第三开关均为单刀双掷开关。
6.根据权利要求4所述的射频电路开关芯片,其特征在于,所述第四开关为单刀四掷开关。
7.根据权利要求4所述的射频电路开关芯片,其特征在于,所述合路器为三频合路器。
8.根据权利要求1或2所述的射频电路开关芯片,其特征在于,所述第一频率范围包括699MHz至960MHz,所述第二频率范围包括1427MHz至2170MHz,所述第三频率范围包括2300MHz至2690MHz。
9.一种射频电路,其特征在于,包括射频收发器、射频电路开关芯片以及天线,所述射频收发器、射频电路开关芯片以及天线依次耦合,所述射频电路开关芯片为权利要求1至8任一项所述的射频电路开关芯片。
10.根据权利要求9所述的射频电路,其特征在于,所述射频收发器包括第一发射端口、第二发射端口以及第三发射端口;
所述第一发射端口与所述射频电路开关芯片的第一输入端口耦合,所述第二发射端口与所述射频电路开关芯片的第二输入端口耦合,所述第三发射端口与所述射频电路开关芯片的第三输入端口耦合;
所述第一发射端口用于产生第一频率范围的射频信号,所述第二发射端口用于产生第二频率范围的射频信号,所述第三发射端口用于产生第三频率范围的射频信号。
11.根据权利要求10所述的射频电路,其特征在于,所述第一发射端口与所述射频电路开关芯片的第一输入端口之间设置有第一双工器,所述第二发射端口与所述射频电路开关芯片的第二输入端口之间设置有第二双工器,所述第三发射端口与所述射频电路开关芯片的第三输入端口之间设置有第三双工器。
12.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括电路板和后盖,所述电路板安装在所述后盖内部,所述电路板上设置有射频电路,所述射频电路为权利要求9至11任一项所述的射频电路。
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