CN107958802A - 星载火工品的vmos驱动电路及其控制方法 - Google Patents

星载火工品的vmos驱动电路及其控制方法 Download PDF

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张威
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陶震宇
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    • H01H9/00Details of switching devices, not covered by groups H01H1/00 - H01H7/00
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    • H01H9/547Combinations of mechanical switches and static switches, the latter being controlled by the former

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Abstract

本发明提供了一种星载火工品的VMOS驱动电路及其控制方法,该电路包括第一继电器等,第一继电器与第一三极管的漏极连接,第一电阻与第二电阻串联,第一电阻、第二电阻都与第一三极管的栅极连接,第六电阻与第七电阻串联,第六电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻都与第一三极管的源极连接,第一电阻、第十二电阻、第十三电阻都与第二继电器连接,第七电阻与第二三极管的漏极连接,第三继电器与第二三极管的源极连接。本发明应用灵活,响应速度快,可靠性高,支持集成化设计。

Description

星载火工品的VMOS驱动电路及其控制方法
技术领域
本发明涉及一种VMOS(V-groove Metal-Oxide Semiconductor。V型槽MOS场三极管)驱动电路及其控制方法,具体地,涉及一种星载火工品的VMOS驱动电路及其控制方法。
背景技术
火工品是卫星平台的重要组成部分,用以实现帆板、天线等机构的展开。目前,卫星火工品采用继电器进行单端控制。该控制方式电路占用空间大、质量重、集成度低。
随着卫星应用的快速扩展,用户对卫星功能需求更加多样,卫星结构、载荷的设计愈加复杂,星载火工品呈现出数量多、控制精度高、控制方式复杂、可靠性要求高等特点,传统火工品控制技术难以适应新的应用需求。
发明内容
针对现有技术中的缺陷,本发明的目的是提供一种星载火工品的VMOS驱动电路及其控制方法,其应用灵活,响应速度快,可靠性高,支持集成化设计。
根据本发明的一个方面,提供一种星载火工品的VMOS驱动电路,其包括第一继电器、第二继电器、第三继电器、第四继电器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第十五电阻、第一个二极管、第一三极管、第二三极管、第三三极管,第一继电器与第一三极管的漏极连接,第一电阻与第二电阻串联,第一电阻、第二电阻都与第一三极管的栅极连接,第六电阻与第七电阻串联,第六电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻都与第一三极管的源极连接,第一电阻、第十二电阻、第十三电阻都与第二继电器连接,第七电阻与第二三极管的漏极连接,第三继电器与第二三极管的源极连接,第五电阻、第十五电阻、第四继电器都与第二三极管的栅极连接,第三电阻与第五电阻并联,第三电阻与第四电阻串联,第一个二极管与第三电阻串联,第二电阻与第三三极管的集电极连接,第三三极管的发射极接地,第三电阻、第四电阻都与第三三极管的基极连接,第十四电阻、第十五电阻都与第四继电器连接。
优选地,所述第一三极管是N型MOSFET,第二三极管是P型MOSFET。
本发明还提供一种星载火工品的VMOS驱动电路的控制方法,其包括以下步骤:
步骤一,第一继电器、第二继电器、第三继电器、第四继电器接通或断开实现火工品供电母线的通断控制,第十二电阻、第十三、第十四电阻、第十五电阻实现对母线正端和负端通断状态的采集;
步骤二,当控制指令输入十到十二伏特电压时,第三个三级管工作于饱和区,第一电阻、第二电阻以及第三三极管形成通路,第一电阻上的压降施加到第一三极管的栅极和源极,使得第一三极管导通,实现火工品正端输出的控制输出;同时,十到十二电压通过第五电阻施加到第二三极管的栅极,使得第二三极管导通,实现火工品负端输出的控制输出;第六电阻,第七电阻用于第一三极管、第二三极管的静电泄放,泻放通路连接到单机电源地;控制指令回线接指令地线;
步骤三,共有四路火工品输出以及一路公共检测;第八电阻,第九电阻,第十电阻,第十一电阻分别串联在四路火工品正端输出电路,用以保护火工品输出电路,串联电阻阻值为二点二欧姆;共用检测端用来对第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻状态检测。
与现有技术相比,本发明具有如下的有益效果:
一、采样MOSFET同时控制火工品的正、负端,电路响应速度快、控制精度高,占用空间小,质量轻,可支持高集成度设计;
二、火工品母线供电正、负端设置继电器独立控制接通及断开,防止火工品误触发,增加电路可靠性,同时对供电母线状态进行采集;
三、一个火工品驱动电路可对四路火工品进行同时控制,增加了电路应用的灵活性,支持集成化设计。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述,本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1为本发明星载火工品的VMOS驱动电路的电路图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明,但不以任何形式限制本发明。应当指出的是,对本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进。这些都属于本发明的保护范围。
如图1所示,本发明星载火工品的VMOS驱动电路包括第一继电器K1-1、第二继电器K1-2、第三继电器K2-2、第四继电器K2-1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻R13、第十四电阻R14、第十五电阻R15、第一个二极管D1、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3,第一继电器K1-1与第一三极管Q1的漏极连接,第一电阻R1与第二电阻R2串联,第一电阻R1、第二电阻R2都与第一三极管Q1的栅极连接,第六电阻R6与第七电阻R7串联,第六电阻R6、第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11都与第一三极管Q1的源极连接,第一电阻R1、第十二电阻R12、第十三电阻R13都与第二继电器K1-2连接,第七电阻R7与第二三极管Q2的漏极连接,第三继电器K2-2与第二三极管Q2的源极连接,第五电阻R5、第十五电阻R15、第四继电器K2-1都与第二三极管Q2的栅极连接,第三电阻R3与第五电阻R5并联,第三电阻R3与第四电阻R4串联,第一个二极管D1与第三电阻R3串联,第二电阻R2与第三三极管Q3的集电极连接,第三三极管Q3的发射极接地,第三电阻R3、第四电阻R4都与第三三极管Q3的基极连接,第十四电阻R14、第十五电阻R15都与第四继电器K2-1连接。
第一三极管Q1可以是N型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor,金氧半场效晶体管),第二三极管Q2可以是P型MOSFET,这样方便进行采样。
本发明星载火工品的VMOS驱动电路的控制方法包括如下步骤:
步骤一,第一继电器K1-1、第二继电器K1-2、第三继电器K2-2、第四继电器K2-1接通或断开实现火工品供电母线的通断控制,第十二电阻R12、第十三R13、第十四电阻R14、第十五电阻R15实现对母线正端和负端通断状态的采集;
步骤二,当控制指令输入十到十二伏特电压时,第三个三级管Q3工作于饱和区,第一电阻R1、第二电阻R2以及第三三极管Q3形成通路,第一电阻R1上的压降施加到第一三极管Q1的栅极和源极,使得第一三极管Q1导通,实现火工品正端输出的控制输出;同时,十到十二电压通过第五电阻R5施加到第二三极管Q2的栅极,使得第二三极管Q2导通,实现火工品负端输出的控制输出;第六电阻R6,第七电阻R7用于第一三极管Q1、第二三极管Q2的静电泄放,泻放通路连接到单机电源地;控制指令回线接指令地线;
步骤三,共有四路火工品输出以及一路公共检测;第八电阻R8,第九电阻R9,第十电阻R10,第十一电阻R11分别串联在四路火工品正端输出电路,用以保护火工品输出电路,串联电阻阻值为二点二欧姆;共用检测端用来对第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11状态检测。
本发明的采用P型MOSFET及N型MOSFET同时控制火工品的正、负供电导通及断开,实现火工品的快速响应;采用三级管及电阻分压对MOSFET的栅源极进行控制,实现用弱电精确控制强电;火工品母线供电正、负端设置继电器独立控制接通及断开,同时对供电母线状态进行采集;采用串接电阻对火工品控制输出进行保护。在卫星火工品领域应用VMOS器件,通过弱电驱动实现对强电的精确控制,并对输出电路进行保护,提高了火工品控制电路的集成度。
综上所述,本发明能进一步提高电路应用的灵活性,加快电路反应速度,保护电路。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是,本发明并不局限于上述特定实施方式,本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改,这并不影响本发明的实质内容。

Claims (3)

1.一种星载火工品的VMOS驱动电路,其特征在于,其包括第一继电器、第二继电器、第三继电器、第四继电器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第十五电阻、第一个二极管、第一三极管、第二三极管、第三三极管,第一继电器与第一三极管的漏极连接,第一电阻与第二电阻串联,第一电阻、第二电阻都与第一三极管的栅极连接,第六电阻与第七电阻串联,第六电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻都与第一三极管的源极连接,第一电阻、第十二电阻、第十三电阻都与第二继电器连接,第七电阻与第二三极管的漏极连接,第三继电器与第二三极管的源极连接,第五电阻、第十五电阻、第四继电器都与第二三极管的栅极连接,第三电阻与第五电阻并联,第三电阻与第四电阻串联,第一个二极管与第三电阻串联,第二电阻与第三三极管的集电极连接,第三三极管的发射极接地,第三电阻、第四电阻都与第三三极管的基极连接,第十四电阻、第十五电阻都与第四继电器连接。
2.根据权利要求1所述的星载火工品的VMOS驱动电路,其特征在于,所述第一三极管是N型MOSFET,第二三极管是P型MOSFET。
3.一种星载火工品的VMOS驱动电路的控制方法,其特征在于,其包括以下步骤:
步骤一,第一继电器、第二继电器、第三继电器、第四继电器接通或断开实现火工品供电母线的通断控制,第十二电阻、第十三、第十四电阻、第十五电阻实现对母线正端和负端通断状态的采集;
步骤二,当控制指令输入十到十二伏特电压时,第三个三级管工作于饱和区,第一电阻、第二电阻以及第三三极管形成通路,第一电阻上的压降施加到第一三极管的栅极和源极,使得第一三极管导通,实现火工品正端输出的控制输出;同时,十到十二电压通过第五电阻施加到第二三极管的栅极,使得第二三极管导通,实现火工品负端输出的控制输出;第六电阻,第七电阻用于第一三极管、第二三极管的静电泄放,泻放通路连接到单机电源地;控制指令回线接指令地线;
步骤三,共有四路火工品输出以及一路公共检测;第八电阻,第九电阻,第十电阻,第十一电阻分别串联在四路火工品正端输出电路,用以保护火工品输出电路,串联电阻阻值为二点二欧姆;共用检测端用来对第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻状态检测。
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