CN107643854A - 一种阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

一种阵列基板、显示面板及显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明实施例公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置。其中阵列基板包括：衬底基板；形成在所述衬底基板上的至少一个压力传感器，所述压力传感器包括感应信号测量端，用于从所述压力传感器输出压感检测信号；放大电路，所述放大电路的输入端与所述感应信号测量端电连接，用于放大所述压感检测信号；感应信号输出走线，与所述放大电路的输出端电连接，用于将放大后的所述压感检测信号传输至压力检测电路。本发明实施例改善了压力传感器的信噪比。

Description

一种阵列基板、显示面板及显示装置
技术领域
本发明实施例涉及显示技术，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
目前，越来越多的电子设备配置有触控显示屏。为实现对用户在触摸触控显示屏过程中触控压力大小的检测，通常在触控显示屏中设置有压力传感器。其中，电桥式应变传感器便是一种可以检测触控压力大小的压力传感器，电桥式应变传感器通过检测z方向应变引发的面内形变，通过测量电桥式应变传感器的电阻变化来计算触控压力大小。
现有技术中，需要将压力传感器集成在显示面板内部，而布线时由于走线较长必然会引入邻近信号线的噪声。虽然后端集成电路可以对压感检测信号进行放大，但进入集成电路的噪声也会一起放大，信噪比并没有改善。
发明内容
本发明提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，以在阵列基板内改善压力传感器的信噪比。
第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：
衬底基板；
形成在所述衬底基板上的至少一个压力传感器，所述压力传感器包括感应信号测量端，用于从所述压力传感器输出压感检测信号；
放大电路，所述放大电路的输入端与所述感应信号测量端电连接，用于放大所述压感检测信号；
感应信号输出走线，与所述放大电路的输出端电连接，用于将放大后的所述压感检测信号传输至压力检测电路。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括上述第一方面所述的阵列基板。
第三方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述第二方面所述的显示面板。
本发明实施例通过将压力传感器的感应信号测量端直接电连接至放大电路，使得从感应信号测量端输出的压感检测信号先经放大电路放大后，再经感应信号输出走线传输至阵列基板周边的压力检测电路，即本发明实施例的放大电路集成在阵列基板内，先对压感检测信号放大，再对压力传感器布线，避免了先布线后放大时邻近信号线引入的噪声被放大，改善了压力传感器的信噪比。
附图说明
图1为现有的一种阵列基板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的压力传感器与放大电路的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的放大电路的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的压力传感器输出的压感检测信号经图4所示的放大电路时输入输出的波形示意图；
图6为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图7为沿图6中M-N方向的阵列基板的剖面结构示意图；
图8为本发明实施例提供的又一种压力传感器与放大电路的结构示意图；
图9为本发明实施例提供的又一种放大电路的结构示意图；
图10为本发明实施例提供的又一种压力传感器与放大电路的结构示意图；
图11为本发明实施例提供的又一种压力传感器与放大电路的结构示意图；
图12为本发明实施例提供的又一种放大电路的结构示意图；
图13为本发明实施例提供的又一种压力传感器与放大电路的结构示意图；
图14为本发明实施例提供的一种压力传感器的结构示意图；
图15为本发明实施例提供的又一种压力传感器的结构示意图；
图16为本发明实施例提供的又一种压力传感器的结构示意图；
图17为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1为现有的一种阵列基板的结构示意图。如图1所示，该阵列基板包括多个压力传感器10和和位于阵列基板周边的压力检测电路30(或驱动IC)；压力传感器10输出的压感检测信号直接通过较长的感应信号输出走线20传输至压力检测电路30。通常，为了获得较强的压感检测信号，压力检测电路30中集成有放大器件(图中未示出)，传输至压力检测电路30的压感检测信号先经放大器件放大后再被检测。然而，由于感应信号输出走线20较长必然会引入邻近信号线的噪声，虽然后端压力检测电路30可以对压感检测信号进行放大，但进入压力检测电路30的噪声也会一起放大，信噪比并没有改善。例如，压力传感器10输出的压感检测信号的大小为S，感应信号输出走线20上引入的噪声的大小为N，放大器件的增益为A，经放大器件后压感检测信号的大小变为AS，噪声的大小变为AN，即到达压力检测电路30的信噪比仍为AS/AN＝S/N，信噪比并没有被改善，而且噪声也被放大，干扰了对压感检测信号的检测。其中，信噪比就是指有用信号功率和噪声功率的比值；噪声是在处理过程中设备自行产生的信号，这些信号与输入信号无关。信噪比数值越高，噪声的影响越小。
为解决上述问题，本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置。
图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。如图2所示，本实施例提供的阵列基板可包括：
衬底基板1；
形成在衬底基板1上的至少一个压力传感器10，压力传感器10包括感应信号测量端(图2中未示出)，用于从压力传感器10输出压感检测信号；
放大电路40，放大电路40的输入端与感应信号测量端电连接，用于放大压感检测信号；
感应信号输出走线20，与放大电路40的输出端电连接，用于将放大后的压感检测信号传输至压力检测电路30。
本实施例中，放大电路40并非集成于压力检测电路中，而是与对应的压力传感器10做在一起，即在对压力传感器10的感应信号测量端进行布线前，将放大电路40直接电连接到感应信号测量端，先对压感检测信号进行放大，再使放大后的压感检测信号经后续的布线(感应信号输出走线20)传输至压力检测电路30，有效避免了对邻近的感应信号输出走线20引入的噪声的放大，提高了在压力检测电路30处的信噪比。例如，压力传感器10输出的压感检测信号的大小为S，放大电路40的增益为A，经放大电路40后压感检测信号的大小变为AS，感应信号输出走线20上引入的噪声的大小近似为N，传输至压力检测电路30时噪声大小不变，因此，到达压力检测电路30的信噪比为AS/N，由此可以看出，相对于现有的信噪比S/N，本实施例的信噪比有了明显的改善。
需要说明的是，上述放大电路40可以包括适用于阵列基板的任意放大器件，且本实施例对放大器件的选择及放大电路的设置不作限制，只要可以实现对压感检测信号的放大即可。
本发明实施例通过将压力传感器的感应信号测量端直接电连接至放大电路，使得从感应信号测量端输出的压感检测信号先经放大电路放大后，再经感应信号输出走线传输至阵列基板周边的压力检测电路，即本发明实施例的放大电路集成在阵列基板内，先对压感检测信号放大，再对压力传感器布线，避免了先布线后放大时邻近信号线引入的噪声被放大，改善了压力传感器的信噪比。
可选的，图3为本发明实施例提供的压力传感器与放大电路的结构示意图。如图3所示，感应信号测量端包括第一感应信号测量端101和第二感应信号测量端102，第一感应信号测量端101用于从压力传感器10输出第一压感检测信号，第二感应信号测量端102用于从压力传感器10输出第二压感检测信号；
放大电路包括第一放大电路401和第二放大电路402，第一放大电路401的输入端与第一感应信号测量端101电连接，第二放大电路402的输入端与第二感应信号测量端102电连接；
感应信号输出走线包括第一感应信号输出走线201和第二感应信号输出走线202，第一感应信号输出走线201与第一放大电路401的输出端电连接，用于将放大后的第一压感检测信号Vout1传输至压力检测电路的第一检测端，第二感应信号输出走线202与第二放大电路402的输出端电连接，用于将放大后的第二压感检测信号Vout2传输至压力检测电路的第二检测端。
本实施例中，第一放大电路401和第二放大电路402的结构可以相同，即第一放大电路401和第二放大电路402的增益相同，第一压感检测信号与第二压感检测信号被放大相同的倍数。放大后的第一压感检测信号Vout1通过第一感应信号输出走线201传输至压力检测电路的第一检测端，放大后的第二压感检测信号Vout2通过第二感应信号输出走线202传输至压力检测电路的第二检测端，此时，由第一感应信号输出走线201和第二感应信号输出走线202引入的噪声均不会被放大，因此，各信号线上的信噪比均被提高；之后，压力检测电路根据Vout1和Vout2的差值计算触控压力，显著提高了压力检测的精度。
可选的，第一放大电路和第二放大电路均包括串联的两个薄膜晶体管，两个薄膜晶体管包括P型薄膜晶体管和/或N型薄膜晶体管。
示例性的，图4为本实施例提供的放大电路的结构示意图。如图4所示，两个薄膜晶体管包括第一N型薄膜晶体管A和第二N型薄膜晶体管B；
第一N型薄膜晶体管A的栅极连接放大电路的输入端Vin，源极接地，漏极与第二N型薄膜晶体管B的源极电连接后连接放大电路的输出端；第二N型薄膜晶体管B的栅极与漏极电连接参考电压VDD；
第一N型薄膜晶体管A的沟道宽长比大于第二N型薄膜晶体管B的沟道宽长比。
其中，第一N型薄膜晶体管A和第二N型薄膜晶体管B均工作于饱和区；阵列基板还可包括电源信号线，用于为压力传感器提供基准电压信号，同时提高上述参考电压VDD，以简化布线。
示例性的，对于本实施例的第一放大电路和第二放大电路中的两个薄膜晶体管包括第一N型薄膜晶体管和第二N型薄膜晶体管时，第一N型薄膜晶体管的漏电流第二N型薄膜晶体管的漏电流因为第一N型薄膜晶体管和第二N型薄膜晶体管串联，所以两个N型薄膜晶体管漏电流相等，即：
两边同时对Vin微分可得到：
因此第一放大电路和第二放大电路的增益其中，为第一N型薄膜晶体管的沟道宽长比，为第二N型薄膜晶体管的沟道宽长比，μn为N型薄膜晶体管的沟道电子迁移率，Cox为N型薄膜晶体管中栅极与有源层之间的电容，因此，当设置第一N型薄膜晶体管的沟道宽长比大于第二N型薄膜晶体管的沟道宽长比时，可实现信号放大功能。此时，由图5可以看出，从第一放大电路和第二放大电路输出端输出的信号幅值增大，即输出信号Vout变大，对应第一压感检测信号和第二压感检测信号被放大。
可选的，上述第一放大电路和第二放大电路中的P型薄膜晶体管和N型薄膜晶体管可与阵列基板上显示区的开关薄膜晶体管同层制备。示例性的，图6为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；图7为沿图6中M-N方向的阵列基板的剖面结构示意图。如图6和图7所示，阵列基板包括多个像素单元50，像素单元50包括开关薄膜晶体管51和像素电极52，开关薄膜晶体管51包括栅极511、源极513和漏极514，其中，像素单元50是由扫描线M1和数据线M2交叉限定出的，漏极514和像素电极52电连接，栅极511和扫描线M1电连接，源极513和数据线M2电连接。
第一N型薄膜晶体管A的栅极和第二N型薄膜晶体管B的栅极与开关薄膜晶体管51的栅极511同层设置，第一N型薄膜晶体管A的源极/漏极和第二N型薄膜晶体管B的源极/漏极与开关薄膜晶体管51的源极513/漏极514同层设置，由此，可节省制备工艺。
可选的，像素单元50还包括位于开关薄膜晶体管51和像素电极52之间的公共电极53，开关薄膜晶体管51还包括与源极513和漏极514电连接的有源层512。此时，在制备压力传感器10和放大电路时，压力传感器10可与有源层512同层设置，压力传感器10与第一N型薄膜晶体管A的栅极通过跨桥54电连接，跨桥54可与公共电极53同层设置。由此，可进一步节省制备工艺。
本发明实施例还提供了一种压力传感器与放大电路的结构，图8为本发明实施例提供的又一种压力传感器与放大电路的结构示意图。如图8所示，感应信号测量端包括第一感应信号测量端101和第二感应信号测量端102，第一感应信号测量端101用于从压力传感器10输出第一压感检测信号，第二感应信号测量端102用于从压力传感器10输出第二压感检测信号；
放大电路40包括第一输入端、第二输入端和第一输出端，第一输入端与第一感应信号测量端101电连接，第二输入端与第二感应信号测量端102电连接；
感应信号输出走线包括第三感应信号输出走线203，第三感应信号输出走线203与第一输出端电连接，用于将放大后的压感检测信号Vout1传输至压力检测电路(图中未示出)的第一检测端，压力检测电路的第二检测端接地。
本实施例中，放大后的第一压感检测信号Vout1通过第三感应信号输出走线203传输至压力检测电路的第一检测端，此时，由第三感应信号输出走线203引入的噪声不会被放大，因此，各信号线上的信噪比均被提高；之后，压力检测电路根据Vout1和接地信号(即Vout2为0V)的差值计算触控压力，显著提高了压力检测的精度。另外，压力传感器电连接双端输入单端输出的放大电路，在保证压感检测信号强度的情况下，可降低工作电压，减少压力传感器的功耗，进而减小发热。
可选的，图9为本实施例提供的放大电路的结构示意图。如图9所示，放大电路包括N型薄膜晶体管D、P型薄膜晶体管C和第一电阻R0；
N型薄膜晶体管D的栅极和P型薄膜晶体管C的栅极电连接至第一输入端，N型薄膜晶体管D的源极和P型薄膜晶体管C的源极电连接至第二输入端，N型薄膜晶体管D的漏极和P型薄膜晶体管C的漏极电连接至第一输出端，第一电阻R0的第一端与N型薄膜晶体管D的漏极电连接，第一电阻R0的第二端连接参考电压VDD。
可选的，图10为本发明实施例提供的又一种压力传感器与放大电路的结构示意图。如图10所示，阵列基板还包括第一电源信号线204和第二电源信号线205，用于为压力传感器10提供基准电压信号；
同时，第一电源信号线204与第一电阻R0的第二端电连接，提供参考电压VDD，第二电源信号线205与压力检测电路的第二检测端电连接，其中第二电源信号线205提供基准电压信号为0V，以简化布线。
可选的，阵列基板包括多个像素单元，像素单元包括开关薄膜晶体管，开关薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，以及与源极和漏极电连接、与栅极绝缘的有源层；
P型薄膜晶体管的栅极和N型薄膜晶体管的栅极与开关薄膜晶体管的栅极同层设置，P型薄膜晶体管的源极/漏极和N型薄膜晶体管的源极/漏极与开关薄膜晶体管的源极/漏极同层设置，压力传感器与有源层同层设置。由此，可节省制备工艺。
对于本实施例的放大电路，P型薄膜晶体管和N型薄膜晶体管构成共源放大器，N型薄膜晶体管的跨导为：
进而可得到该放大电路的增益为：
其中，μn为N型薄膜晶体管的沟道电子迁移率，Cox为N型薄膜晶体管中栅极与有源层之间的电容，为N型薄膜晶体管的沟道宽长比，Vout1_sensor为第一压感检测信号，Vout2_sensor为第二压感检测信号，VTH1为N型薄膜晶体管的阈值电压，VGS1为N型薄膜晶体管栅源间的电压。
本实施例中，为了对压力传感器输出的压感检测信号进行放大，只要通过设置N型薄膜晶体管的上述各参数及第一电阻R0的阻值，使增益A＞1即可。
本发明实施例还提供了一种压力传感器与放大电路的结构，图11为本发明实施例提供的又一种压力传感器与放大电路的结构示意图。如图11所示，感应信号测量端包括第一感应信号测量端101和第二感应信号测量端102，第一感应信号测量端101用于从压力传感器10输出第一压感检测信号，第二感应信号测量端102用于从压力传感器输出第二压感检测信号；
放大电路40包括第三输入端、第四输入端、第二输出端和第三输出端，第三输入端与第一感应信号测量端101电连接，第四输入端与第二感应信号测量端102电连接；
感应信号输出走线包括第四感应信号输出走线206和第五感应信号输出走线207，第四感应信号输出走线206与第二输出端电连接，用于将放大后的第一压感检测信号Vout1传输至压力检测电路的第一检测端，第五感应信号输出走线207与第三输出端电连接，用于将放大后的第二压感检测信号Vout2传输至压力检测电路的第二检测端。
本实施例中，放大后的第一压感检测信号Vout1通过第四感应信号输出走线206传输至压力检测电路的第一检测端，放大后的第二压感检测信号Vout2通过第五感应信号输出走线207传输至压力检测电路的第二检测端，此时，由第四感应信号输出走线206和第五感应信号输出走线207引入的噪声均不会被放大，因此，各信号线上的信噪比均被提高；之后，压力检测电路根据Vout1和Vout2的差值计算触控压力，显著提高了压力检测的精度。另外，压力传感器电连接双端输入双端输出的放大电路，在保证压感检测信号强度的情况下，可降低工作电压，减少压力传感器的功耗，进而减小发热。
可选的，放大电路为差分放大电路，包括两个薄膜晶体管、两个第二电阻和一个第三电阻，两个薄膜晶体管、两个第二电阻关于第三电阻呈镜像对称，两个薄膜晶体管包括两个P型薄膜晶体管或两个N型薄膜晶体管。
示例性的，图12为本实施例提供的放大电路的结构示意图。如图12所示，两个薄膜晶体管包括第一P型薄膜晶体管E和第二P型薄膜晶体管F；
第一P型薄膜晶体管E和第二P型薄膜晶体管F的栅极分别与第三输入端和第四输入端电连接，第一P型薄膜晶体管E和第二P型薄膜晶体管F的漏极与第三电阻R3的第一端电连接，第一P型薄膜晶体管E和第二P型薄膜晶体管F的源极分别与第二输出端和第三输出端电连接，两个第二电阻(R1和R2)的第一端分别与对应的P型薄膜晶体管的源极电连接，两个第二电阻的第二端连接参考电压Vcc，第三电阻R3的第二端接地。
可选的，图13为本发明实施例提供的又一种压力传感器与放大电路的结构示意图。如图13所示，阵列基板还包括第三电源信号线208和第四电源信号线209，用于为压力传感器提供基准电压信号；
第三电源信号线208与第二电阻的第二端电连接，提供参考电压Vcc，第四电源信号线209与第三电阻R3的第二端电连接，提供接地信号，以简化布线。
可选的，阵列基板包括多个像素单元，像素单元包括开关薄膜晶体管，开关薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极；
P型薄膜晶体管的栅极和N型薄膜晶体管的栅极与开关薄膜晶体管的栅极同层设置，P型薄膜晶体管的源极/漏极和N型薄膜晶体管的源极/漏极与开关薄膜晶体管的源极/漏极同层设置。由此，可节省制备工艺。
对于本实施例的放大电路，当两个薄膜晶体管均为相同的P型薄膜晶体管时，左右两条支路都构成一个包含源极负反馈电阻R3的放大器，忽略P型薄膜晶体管的背栅效应和输出电阻，其中，背栅效应为由于薄膜晶体管的衬底电压不为0而引起阈值电压变化的效应，在共模信号输入下，可得到:
进而可得：
即
其中，gm为P型薄膜晶体管的跨导，Vout1_sensor为第一压感检测信号，Vout2_sensor为第二压感检测信号。
本实施例中，为了对压力传感器输出的压感检测信号进行放大，只要通过设置参数gm、R1和R3，使gm、R1和R3满足即可。
可选的，阵列基板还包括显示区和围绕显示区的非显示区；压力传感器和放大电路位于显示区和/或非显示区。
可选的，压力传感器的材料包含金属材料或半导体材料。
本发明各实施例中，压力传感器可以为电桥式压力传感器或半导体压力传感器等。
可选的，如图14所示，压力传感器可包括第一压感电阻Ra、第二压感电阻Rb、第三压感电阻Rc和第四压感电阻Rd；
第一压感电阻Ra的第一端及第四压感电阻Rd的第一端与第一电源输入端Vin1电连接，第一压感电阻Ra的第二端及第二压感电阻Rb的第一端与第一感应信号测量端101电连接，第四压感电阻Rd的第二端及第三压感电阻Rc的第一端与第二感应信号测量端102电连接，第二压感电阻Rb的第二端及第三压感电阻Rc的第二端与第二电源输入端Vin2电连接；该压力传感器为惠斯通电桥结构，各压感电阻可由金属材料或半导体材料制成。
可选的，如图15所示，可将上述四个压感电阻集中设置，使得各压感电阻受到的温度变化相同，消除温度效应的影响。具体的，压力传感器还包括第一延伸方向a和第二延伸方向b，第一延伸方向a和第二延伸方向b相交；
第一压感电阻Ra由第一端到第二端的延伸长度在第一延伸方向a上的分量大于在第二延伸方向b上的分量，第二压感电阻Rb由第一端到第二端的延伸长度在第二延伸方向b上的分量大于在第一延伸方向a上的分量，第三压感电阻Rc由第一端到第二端的延伸长度在第一延伸方向a上的分量大于在第二延伸方向b上的分量，第四压感电阻Rd由第一端到第二端的延伸长度在第二延伸方向b上的分量大于在第一延伸方向a上的分量。
可选的，各压感电阻均呈折线形，一方面可以保证各压感电阻具有较大的基准阻值的同时，缩小各压感电阻的尺寸，使各压感电阻可以分布在较小的区域，消除温度差异的影响；另一方面可以增大各压感电阻与基板的接触面积，使各压感电阻可以更精确地感应显示面板的应变，提高压力感测精度。
可选的，如图16所示，压力传感器呈四边形，为半导体材料，包括相对设置的第一边和第二边，以及相对设置的第三边和第四边；
压力传感器包括位于第一边的第一电源输入端Vin1、位于第二边的第二电源输入端Vin2、位于第三边的第一感应信号测量端101和位于第四边的第二感应信号测量端102；该压力传感器可以做得比较小，有利于更窄边框的设计。
本发明实施例还提供了一种显示面板，包括上述任一实施例所述的阵列基板。
本发明实施例还提供了一种显示装置，如图17所示，该显示装置60包括上述实施例的显示面板601。
其中，显示装置60可以为手机、电脑、电视机和智能穿戴显示设备等，本实施例对此不作特殊限定。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (16)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
形成在所述衬底基板上的至少一个压力传感器，所述压力传感器包括感应信号测量端，用于从所述压力传感器输出压感检测信号；
放大电路，所述放大电路的输入端与所述感应信号测量端电连接，用于放大所述压感检测信号；
感应信号输出走线，与所述放大电路的输出端电连接，用于将放大后的所述压感检测信号传输至压力检测电路。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述感应信号测量端包括第一感应信号测量端和第二感应信号测量端，所述第一感应信号测量端用于从所述压力传感器输出第一压感检测信号，所述第二感应信号测量端用于从所述压力传感器输出第二压感检测信号；
所述放大电路包括第一放大电路和第二放大电路，所述第一放大电路的输入端与所述第一感应信号测量端电连接，所述第二放大电路的输入端与所述第二感应信号测量端电连接；
所述感应信号输出走线包括第一感应信号输出走线和第二感应信号输出走线，所述第一感应信号输出走线与所述第一放大电路的输出端电连接，用于将放大后的第一压感检测信号传输至所述压力检测电路的第一检测端，所述第二感应信号输出走线与所述第二放大电路的输出端电连接，用于将放大后的第二压感检测信号传输至所述压力检测电路的第二检测端。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一放大电路和所述第二放大电路均包括串联的两个薄膜晶体管，所述两个薄膜晶体管包括P型薄膜晶体管和/或N型薄膜晶体管。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述两个薄膜晶体管包括第一N型薄膜晶体管和第二N型薄膜晶体管；
所述第一N型薄膜晶体管的栅极连接所述放大电路的输入端，源极接地，漏极与所述第二N型薄膜晶体管的源极电连接后连接所述放大电路的输出端；所述第二N型薄膜晶体管的栅极与漏极电连接参考电压；
所述第一N型薄膜晶体管的沟道宽长比大于所述第二N型薄膜晶体管的沟道宽长比。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述感应信号测量端包括第一感应信号测量端和第二感应信号测量端，所述第一感应信号测量端用于从所述压力传感器输出第一压感检测信号，所述第二感应信号测量端用于从所述压力传感器输出第二压感检测信号；
所述放大电路包括第一输入端、第二输入端和第一输出端，所述第一输入端与所述第一感应信号测量端电连接，所述第二输入端与所述第二感应信号测量端电连接；
所述感应信号输出走线包括第三感应信号输出走线，所述第三感应信号输出走线与所述第一输出端电连接，用于将放大后的压感检测信号传输至所述压力检测电路的第一检测端，所述压力检测电路的第二检测端接地。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述放大电路包括N型薄膜晶体管、P型薄膜晶体管和第一电阻；
所述N型薄膜晶体管的栅极和所述P型薄膜晶体管的栅极电连接至所述第一输入端，所述N型薄膜晶体管的源极和所述P型薄膜晶体管的源极电连接至所述第二输入端，所述N型薄膜晶体管的漏极和所述P型薄膜晶体管的漏极电连接至所述第一输出端，所述第一电阻的第一端与所述N型薄膜晶体管的漏极电连接，所述第一电阻的第二端连接参考电压。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，还包括第一电源信号线和第二电源信号线，用于为所述压力传感器提供基准电压信号；
所述第一电源信号线与所述第一电阻的第二端电连接，所述第二电源信号线与所述压力检测电路的第二检测端电连接。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述感应信号测量端包括第一感应信号测量端和第二感应信号测量端，所述第一感应信号测量端用于从所述压力传感器输出第一压感检测信号，所述第二感应信号测量端用于从所述压力传感器输出第二压感检测信号；
所述放大电路包括第三输入端、第四输入端、第二输出端和第三输出端，所述第三输入端与所述第一感应信号测量端电连接，所述第四输入端与所述第二感应信号测量端电连接；
所述感应信号输出走线包括第四感应信号输出走线和第五感应信号输出走线，所述第四感应信号输出走线与所述第二输出端电连接，用于将放大后的第一压感检测信号传输至所述压力检测电路的第一检测端，所述第五感应信号输出走线与所述第三输出端电连接，用于将放大后的第二压感检测信号传输至所述压力检测电路的第二检测端。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述放大电路为差分放大电路，包括两个薄膜晶体管、两个第二电阻和一个第三电阻，所述两个薄膜晶体管、所述两个第二电阻关于所述第三电阻呈镜像对称，所述两个薄膜晶体管包括两个P型薄膜晶体管或两个N型薄膜晶体管。
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述两个薄膜晶体管包括第一P型薄膜晶体管和第二P型薄膜晶体管；
所述第一P型薄膜晶体管和所述第二P型薄膜晶体管的栅极分别与所述第三输入端和所述第四输入端电连接，所述第一P型薄膜晶体管和所述第二P型薄膜晶体管的漏极与所述第三电阻的第一端电连接，所述第一P型薄膜晶体管和所述第二P型薄膜晶体管的源极分别与所述第二输出端和所述第三输出端电连接，两个第二电阻的第一端分别与对应的P型薄膜晶体管的源极电连接，两个第二电阻的第二端连接参考电压，所述第三电阻的第二端接地。
11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，还包括第三电源信号线和第四电源信号线，用于为所述压力传感器提供基准电压信号；
所述第三电源信号线与所述第二电阻的第二端电连接，所述第四电源信号线与所述第三电阻的第二端电连接。
12.根据权利要求3、6或9所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括多个像素单元，所述像素单元包括开关薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极；
所述P型薄膜晶体管的栅极和所述N型薄膜晶体管的栅极与所述开关薄膜晶体管的栅极同层设置，所述P型薄膜晶体管的源极/漏极和所述N型薄膜晶体管的源极/漏极与所述开关薄膜晶体管的源极/漏极同层设置。
13.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括显示区和围绕所述显示区的非显示区；
所述压力传感器和所述放大电路位于所述显示区和/或所述非显示区。
14.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述压力传感器的材料包含金属材料或半导体材料。
15.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-14任一项所述的阵列基板。
16.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求15所述的显示面板。
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