CN107564938B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

公开了一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括像素区和外围区；像素，在像素区中设置为多个像素行和多个像素列；数据线，构造为提供数据信号；扫描线，构造为提供扫描信号；发射控制线，构造为向像素行提供发射控制信号；第一电源线，构造为向像素列提供电源；第二电源线，连接到第一电源线并且设置在外围区中。连接到第i像素行的扫描线可以向第i像素行施加扫描信号，从扫描线分支的分支线可以向第k像素行(k≠i)施加初始化信号。扫描线的分支点设置在最接近第i像素行的第二电源线的像素与第二电源线之间。

Description

显示装置
本申请要求于2016年7月1日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0083704号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种显示装置。
背景技术
通常，有机发光显示器包括阳极电极、阴极电极以及位于阳极电极与阴极电极之间的有机发光层。在有机发光显示器中，从阳极电极注入的空穴和从阴极电极注入的电子在有机发光层中结合，以形成发射作为光的能量的激子。
有机发光显示器包括多个像素，多个像素包括有机发光二极管，有机发光二极管是自发射器件。线和连接到线并且驱动有机发光二极管的一个或更多个薄膜晶体管形成在每个像素中。
有机发光显示器包括扫描驱动器、发光驱动器和用于驱动像素的数据驱动器。在此，驱动器可以被设置在像素区之外的外围区中(即，不设置在像素区中)，有机发光显示器的像素被设置在像素区中。当驱动器设置在外围区中时，有机发光显示器的无效区增大。
发明内容
本公开已经致力于解决上述的与现有技术有关的问题并且提供了一种可以使无效区最小化的显示装置。
本公开的示例性实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括像素区和外围区；像素，设置在基底的像素区中，并且设置为多个像素行和多个像素列；数据线，构造为向像素列提供数据信号；扫描线，构造为向像素行提供扫描信号；发射控制线，构造为向像素行提供发射控制信号；第一电源线，构造为向像素列提供电源；第二电源线，连接到第一电源线并且设置在外围区中。在此，连接到第i像素行(i是自然数)的扫描线可以向第i像素行施加扫描信号，从扫描线分支的分支线可以向第k像素行(k是自然数，并且k≠i)施加初始化信号。扫描线的分支点可以设置在最接近第i像素行的第二电源线的像素(在下文中，被称作“主像素”)与第二电源线之间。被扫描线施加初始化信号的第k像素行可以是第i+1像素行。
像素区可以包括第一像素区和设置在第一像素区的至少一侧上的第二像素区。
第二像素区的一部分的宽度随着第二像素区的该部分与第一像素区之间的距离增大而减小。
在第二像素区中，连接到第l像素行(l是自然数)的扫描线的分支点可以设置在连接到与第l像素行不同的像素行的主像素的数据线与第l像素行的主像素之间。所述不同像素行可以比第l像素行更接近第一像素区。
显示装置还可以包括：扫描驱动器，设置在外围区中并且连接到扫描线的端部；发射驱动器，设置在外围区中并且连接到发射控制线的端部。在此，扫描驱动器可以设置在发射驱动器与像素区之间。
显示装置还可以包括：第一初始化电源线，设置在外围区中并且构造为向像素行提供第一初始化电源；第二初始化电源线，设置在外围区中并且构造为向像素行提供第二初始化电源。第一初始化电源线和第二初始化电源线可以设置在扫描驱动器与像素区之间。
施加到第一初始化电源线的电源的电压可以比施加到第二初始化电源线的电源的电压高。
像素可以包括发射器件，该发射器件包括阳极电极、阴极电极和设置在阳极电极与阴极电极之间的发射层，施加到第二初始化电源线的电源的电压可以比施加到阴极电极的电源的电压高。
施加到第一初始化电源线的电源的电压可以比施加到数据线的数据信号的电压低。
在第一像素区中，从扫描线分支的分支线的长度可以相同。
在第二像素区中，从连接到像素行中的至少一部分像素行的扫描线分支的分支线的长度可以与从另一像素行的扫描线分支的分支线的长度不同。
在第二像素区中，当像素行与第一像素区之间的距离增大时，分支线的长度可以增大。
本公开的另一示例性实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括像素区和外围区；像素，设置在基底的像素区中，并且设置为多个像素行和多个像素列；数据线，构造为向像素列提供数据信号；扫描线，构造为向像素行提供从扫描驱动器施加的扫描信号；发射控制线，构造为向像素行提供从发射驱动器施加的发射控制信号；第一电源线，构造为分别向像素列提供电源；第二电源线，连接到第一电源线并且设置在外围区中；栅极绝缘层、第一层间绝缘层、第二层间绝缘层和第三层间绝缘层，顺序地叠置在基底上。扫描线可以包括：扫描驱动连接单元，设置在第一层间绝缘层上，并且连接到外围区中的扫描驱动器；第一像素连接单元，设置在栅极绝缘层上并且连接到一个像素行；扫描线连接单元，设置在第三层间绝缘层上并且构造为连接扫描驱动连接单元和第一像素连接单元；信号连接单元，设置在第二层间绝缘层上，通过接触孔连接到扫描驱动连接单元，并且在与第一像素连接单元交叉的方向上延伸。连接到第i像素行(i是自然数)的扫描线可以通过第一像素连接单元向第i像素行施加扫描信号，并且通过信号连接单元向第k像素行(k是自然数，并且k≠i)施加初始化信号。接触孔可以设置在最接近第i像素行的第二电源线的像素(在下文中，被称作“主像素”)与第二电源线之间。
显示装置还可以包括连接到信号连接单元和第k像素行的主像素的另一像素连接单元。另一像素连接单元可以设置在栅极绝缘层上。数据线可以设置在第一层间绝缘层上，第一电源线和第二电源线可以设置在第二层间绝缘层上。
发射控制线可以包括：发射驱动连接单元，设置在栅极绝缘层上，并且连接到发射驱动器；第二像素连接单元，设置在栅极绝缘层上，并且连接到像素；发射控制线连接单元，设置在第三层间绝缘层上，并且构造为连接发射驱动连接单元和第二像素连接单元。
第一初始化电源线和第二初始化电源线中的每条可以连接到线。所述线可以包括：第一连接线，设置在第一层间绝缘层上，并且连接到第一初始化电源线或第二初始化电源线；第二连接线，设置在第一层间绝缘层上并且连接到像素行；第三连接线，设置在第三层间绝缘层上，并且连接到第一连接线和第二连接线。
根据本公开的示例性实施例，能够减小设置在显示装置的外围区中的线的数量。因此，可以使显示装置的无效区最小化。
附图说明
现在将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例；然而，示例实施例可以以不同的形式实施并且不应解释为受限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例，向本领域的技术人员传达示例实施例的范围。
在附图中，为了清楚说明，可以夸大尺寸。将理解的是，当元件被称作“在”两个元件“之间”时，它可以是两个元件之间的唯一元件，或者也可以存在一个或更多个中间元件。同样的附图标记始终表示同样的元件。
图1是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的俯视平面图。
图2是示出根据本公开的示例性实施例的像素和驱动器的框图。
图3是概念性地示出与图1的P1对应的部分的俯视平面图。
图4是示出图3中示出的像素PXL的示例性实施例的图。
图5是示出图4中示出的像素电路的示例性实施例的图。
图6是详细地示出图4和图5中示出的像素的俯视平面图。
图7是沿图6的线I-I'截取的剖视图。
图8是沿图6的线II-II'截取的剖视图。
图9是概念性地示出与图3的P2对应的部分的俯视平面图。
图10是沿图9的线III-III'截取的剖视图。
图11是沿图9的线IV-IV'截取的剖视图。
图12是沿图9的线V-V'截取的剖视图。
图13是沿图9的线VI-VI'截取的剖视图。
图14是沿图9的线VII-VII'截取的剖视图。
具体实施方式
虽然在附图中示出并且在正文中详细地描述了具体的示例性实施例，但是本公开可以进行各种修改并且具有各种形式。因此，应该理解的是，发明不限于具体的实施例，而是包括被包括在本公开的精神和技术范围中的所有改变、等同物或替换物。
在各附图的描述中，相似的附图标记表示相似的元件。在附图中，为了本公开的清楚，与实际尺寸相比，结构的尺寸示出为放大的。术语“第一”、“第二”等可以用于描述各种构成元件，但是构成元件不应限于所述术语。所述术语仅用于将一个构成元件与另一构成元件区分开。例如，第一元件可以称为第二元件，相似地，在不脱离本公开的范围的情况下，第二元件也可以称为第一元件。如在此使用的，除非上下文另外明确地指出，否则单数形式也意图包括复数形式。
在本公开中，应理解的是，术语“包括”或“具有”表示存在说明书中描述的特征、数量、步骤、操作、组件、部分或它们的组合，但是前提是不排除存在或者附加一个或更多个其它特征、数量、步骤、操作、组件、部分或组合的可能性。将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称作“在”另一元件“上”时，它可以直接在其它元件上或也可以存在中间元件。此外，在本公开中，当层、膜、区域和板等的一部分形成在另一部分上时，形成所述部分的方向不仅限于上方向，并且包括侧方向或下方向。相反，将理解，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称作“在”另一元件“之下”时，它可以直接在其它元件之下，或者也可以存在中间元件。
在下文中，将参照附图详细地描述本公开的示例性实施例。
图1是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的俯视平面图。
参照图1，根据本公开的示例性实施例的显示装置包括：基底SUB；像素PXL，设置在基底SUB上；驱动器，设置在基底SUB上并且驱动像素PXL；布线单元(未示出)，连接像素PXL和驱动器。
基底SUB可以具有像素区PXA和外围区PPA。像素区PXA是其中设置有显示图像的像素PXL的区域。下面将描述像素PXL。外围区PPA是未设置像素PXL并且不显示图像的区域。外围区PPA可以包括驱动像素PXL的驱动器和使像素PXL和驱动器相连接的布线的一部分。外围区PPA与显示装置中的边框对应，边框的宽度可以根据外围区PPA的宽度确定。
像素区PXA可以具有各种形状。例如，像素区PXA可以设置为各种形状，诸如具有包括直边的闭合形状的多边形、包括曲边的圆形或椭圆形以及包括由直线和曲线形成的边的半圆形或半椭圆形。如果像素区PXA包括多个区域，那么每个区域也可以设置为各种形状，诸如具有包括直边的闭合形状的多边形、包括曲边的圆形或椭圆形以及包括由直线和曲线形成的边的半圆形或半椭圆形。
在本公开的示例性实施例中，像素区PXA可以包括第一像素区PXA1和两个第二像素区PXA2。第二像素区PXA2可以设置在第一像素区PXA1的两个面对侧处。第二像素区PXA2可以具有如下形状：第二像素区PXA2的一部分离第一像素区PXA1越远，该部分具有越小的宽度。例如，第二像素区PXA2可以具有第二像素区PXA2的部分的宽度随着所述部分与第一像素区PXA1之间的距离增大而逐渐减小的梯形形状。
外围区PPA可以设置在像素区PXA的至少一侧上。在本公开的示例性实施例中，外围区PPA可以围绕像素区PXA的周边。在本公开的示例性实施例中，外围区PPA可以包括在宽度方向上延伸的水平部和在长度方向上延伸的竖直部。可以设置外围区PPA的一对竖直部，所述一对竖直部在像素区PXA的宽度方向上彼此分隔开。
像素PXL可以设置在基底SUB上的像素区PXA内，其中，每个像素PXL是显示图像的最小单元。像素PXL可以包括发射白光和/或彩色光的有机发光器件。每个像素PXL可以发射红色、绿色和蓝色之中的任何一种颜色的光，但是不限于此。例如，像素PXL也可以发射蓝绿色、品红色、黄色和白色之中的一种颜色的光。
多个像素PXL可以设置并且布置为沿在第一方向DR1上延伸的行和在第二方向DR2上延伸的列的矩阵形式。然而，不具体地限定像素PXL的布置形式，像素PXL可以布置为各种形式。例如，像素PXL中的一些像素可以沿第一方向DR1(例如，行方向)布置，其它像素PXL可以沿与第一方向DR1不同的另一方向布置，例如，沿相对于第一方向DR1倾斜(例如，不正交)的方向布置。
驱动器通过布线单元向每个像素PXL提供信号，因此控制像素PXL的驱动。为了便于描述，图1中省略了布线单元，下面将描述布线单元。
驱动器可以包括：扫描驱动器SDV，通过扫描线向像素PXL提供扫描信号；发射驱动器EDV，通过发射控制线向像素PXL提供发射控制信号；数据驱动器DDV，通过数据线向像素PXL提供数据信号；以及时序控制器(未示出)。时序控制器控制扫描驱动器SDV、发射驱动器EDV和数据驱动器DDV。
扫描驱动器SDV可以设置在外围区PPA的竖直部中。外围区PPA设置有在像素区PXA的宽度方向上彼此分隔开的一对竖直部，扫描驱动器SDV可以设置在外围区PPA的至少一个竖直部中。扫描驱动器SDV可以在外围区PPA的长度方向上伸长。
在本公开的示例性实施例中，扫描驱动器SDV可以直接安装在基底SUB上。当在基底SUB上直接安装扫描驱动器SDV时，可以在形成像素PXL的工艺期间与像素PXL一起形成扫描驱动器SDV。然而，设置有扫描驱动器SDV的位置以及设置扫描驱动器SDV的方法不限于此。例如，在其它实施例中，扫描驱动器SDV可以形成为单独的芯片并且作为玻璃上芯片设置在基底SUB上，或者可以安装在印刷电路板上并且通过连接构件连接到基底SUB。
与扫描驱动器SDV相似，发射驱动器EDV也可以设置在外围区PPA的竖直部中。发射驱动器EDV可以设置在外围区PPA的至少一个竖直部中。发射驱动器EDV可以在外围区PPA的长度方向上伸长。
在本公开的示例性实施例中，发射驱动器EDV可以直接安装在基底SUB上。当在基底SUB上直接安装发射驱动器EDV时，可以在形成像素PXL的工艺期间与像素PXL一起形成发射驱动器EDV。然而，设置有发射驱动器EDV的位置以及设置发射驱动器EDV的方法不限于此。例如，发射驱动器EDV可以形成为单独的芯片并且作为玻璃上芯片设置在基底SUB上，或者可以安装在印刷电路板上并且通过连接构件连接到基底SUB。
在本公开的示例性实施例中，示出如下示例：扫描驱动器SDV和发射驱动器EDV彼此相邻，并且仅形成在外围区PPA的一对竖直部中的一个竖直部处，但是本公开不限于此，可以以各种方案来改变扫描驱动器SDV和发射驱动器EDV的布置。例如，扫描驱动器SDV可以设置在外围区PPA的竖直部的一侧处，而发射驱动器EDV可以设置在外围区PPA的竖直部的另一侧处。作为另一示例，扫描驱动器SDV可以设置在外围区PPA的竖直部的两侧处，发射驱动器EDV可以仅设置在外围区PPA的竖直部的一侧处。
数据驱动器DDV可以设置在外围区PPA中。具体地，数据驱动器DDV可以设置在外围区PPA的水平部中。数据驱动器DDV可以在外围区PPA的宽度方向上伸长。
在本公开的示例性实施例中，可以改变扫描驱动器SDV、发射驱动器EDV和/或数据驱动器DDV的位置。
时序控制器(未示出)可以通过各种方案经由线而连接到扫描驱动器SDV、发射驱动器EDV和数据驱动器DDV。不具体限定时序控制器的布置位置。例如，时序控制器可以安装在印刷电路板上并通过柔性印刷电路板与扫描驱动器SDV、发射驱动器EDV和数据驱动器DDV连接，印刷电路板可以设置在各种位置处，诸如设置在基底SUB的一侧上或设置在基底SUB的后表面上。
图2是示出根据本公开的示例性实施例的像素和驱动器的框图。
参照图2，根据本公开的示例性实施例的显示装置可以包括像素PXL、驱动器和布线单元。
可以设置多个像素PXL。驱动器可以包括扫描驱动器SDV、发射驱动器EDV、数据驱动器DDV和时序控制器TC。在图2中，为了便于描述而设定扫描驱动器SDV、发射驱动器EDV、数据驱动器DDV和时序控制器TC的位置。在实际实现中，可以将扫描驱动器SDV、发射驱动器EDV、数据驱动器DDV和时序控制器TC设置在显示装置的其它位置处。
布线单元从驱动器向每个像素PXL提供信号，并且可以包括扫描线、数据线、发射控制线、电源线PL、第一初始化电源线IPL1和第二初始化电源线IPL2。扫描线可以包括多条扫描线S1至Sn，发射控制线可以包括多条发射控制线E1至En。数据线D1至Dm和电源线PL可以连接到每个像素PXL。
像素PXL可以设置在像素区PXA中。像素PXL可以连接到扫描线S1至Sn、发射控制线E1至En、数据线D1至Dm和电源线PL。当从扫描线S1至Sn供应扫描信号时，像素PXL可以从数据线D1至Dm接收数据信号。
此外，像素PXL可以接收第一电源ELVDD、第二电源ELVSS、第一初始化电源Vint1和第二初始化电源Vint2。在此，可以通过电源线PL施加第一电源ELVDD。
每个像素PXL可以包括未示出的驱动晶体管和有机发光二极管。驱动晶体管可以响应于数据信号而控制从第一电源ELVDD经由有机发光二极管流到第二电源ELVSS的电流量。在此，可以在供应数据信号之前通过第一初始化电源Vint1的电压使驱动晶体管的栅电极初始化。为此，第一初始化电源Vint1可以设置有比数据信号低的电压。
此外，当供应数据信号时，有机发光二极管的阳极电极可以由第二初始化电源Vint2初始化。在此，第二初始化电源Vint2可以设置有比第一初始化电源Vint1的电压低的电压。此外，第二初始化电源Vint2可以设置有比第二电源ELVSS的电压高的电压。
扫描驱动器SDV可以响应于来自时序控制器TC的第一栅极控制信号GCS1向扫描线S1至Sn供应扫描信号。例如，扫描驱动器SDV可以顺序地向扫描线S1至Sn供应扫描信号。当向扫描线S1至Sn顺序地供应扫描信号时，可以以水平线为单位顺序地选择像素PXL。
发射驱动器EDV可以响应于来自时序控制器TC的第二栅极控制信号GCS2向发射控制线E1至En供应发射控制信号。例如，发射驱动器EDV可以向发射控制线E1至En顺序地供应发射控制信号。
在此，发射控制信号的持续时间可以被设置为比扫描信号的持续时间更长。例如，可以供应向第i发射控制线Ei(i是自然数)供应的发射控制信号以使该发射控制信号与向第i-1扫描线Si-1供应的扫描信号和向第i扫描线Si供应的扫描信号在至少部分时间段重叠。
此外，发射控制信号可以设置有栅极截止电压(例如，具有高电平的电压)，从而可以使包括在像素PXL中的晶体管截止，扫描信号可以设置有栅极导通电压(例如，具有低电平的电压)，从而可以使包括在像素PXL中的晶体管导通。
数据驱动器DDV可以响应于数据控制信号DCS向数据线D1至Dm供应数据信号。转而，数据线D1至Dm可以根据扫描信号向像素PXL供应数据信号。
时序控制器TC可以向扫描驱动器SDV和发射驱动器EDV供应基于从外部供应的时序信号产生的栅极控制信号GCS1和GCS2，并且向数据驱动器DDV供应数据控制信号DCS。
栅极控制信号GCS1和GCS2中的每个可以包括起始脉冲和时钟信号。起始脉冲可以控制第一扫描信号或第一发射控制信号的时序。时钟信号可以用于使起始脉冲移位。
数据控制信号DCS可以包括源起始脉冲和时钟信号。源起始脉冲可以控制数据的采样起始时间点。时钟信号可以用于控制采样操作。
图3是概念性地示出与图1的P1对应的部分的俯视平面图，并且示出了像素、布线单元和驱动器之间的连接关系。图1中的用P1表示的区域是像素区PXA的下端的一部分以及外围区PPA的下端的一部分。
在图3中，为了便于描述各条线之间的连接关系，作为示例示出了发射控制线E和多条扫描线S中的连接到一个像素PXL的一条扫描线。此外，仅示出了数据线和电源线的一部分。具体地，示出了数据线D，示出了第一电源线PL1，示出了第二电源线PL2。在此，仅示出了布线单元的一部分，但是未示出的扫描线、发射控制线、数据线、电源线和第一初始化电源线以及第二初始化电源线可以通过下面将描述的方案进一步设置。
参照图3，基底可以分成像素区PXA和外围区PPA，像素PXL可以设置在像素区PXA内。
像素PXL可以包括在第二方向DR2上一个接一个地布置以沿第二方向DR2彼此平行的多个像素行，每个像素行可以在第一方向DR1上延伸。像素PXL可以包括在第一方向DR1上一个接一个地布置以沿第一方向DR1彼此平行的多个像素列，每个像素列可以在第二方向DR2上延伸。即，像素PXL可以设置为预定的矩阵形式。下面将描述像素PXL。
像素区PXA的第一像素区PXA1可以具有各个像素行的数量相同的像素，并且可以具有与每个像素行在第一方向DR1上的长度相同的长度。
像素区PXA中的第二像素区PXA2可以具有在第二方向DR2上数量减少的构成每个像素行的像素。例如，第二像素区PXA2中的像素行离第一像素区PXA1越远，该像素行中的像素的数量可以越少。因此，设置在位于第二像素区PXA2中的每个像素行中的像素PXL的数量可以变化。在第二像素区PXA2中，更接近第一像素区PXA1的像素行可以具有更多数量的像素PXL。
为了便于描述，仅示出了像素区PXA的一个侧部，但是另一侧部也可以基本由相同的方案形成，使得像素区PXA的形状是双边对称的。在此，布置在每个像素区中的像素行的长度L在第二方向DR2上减小，但是该长度不需要以相同的比率减小(或者布置在像素行中的像素的数量不需要以相同的比率减小)，布置在第二像素区PXA2的每个像素行中的像素的数量可以进行各种改变。
驱动器可以设置在外围区PPA内，布线单元可以连接像素PXL和驱动器。
驱动器包括通过扫描线S与像素PXL连接的扫描驱动器SDV。扫描驱动器SDV可以设置为与像素区PXA相邻。
根据本公开的示例性实施例的扫描驱动器SDV可以包括多个扫描级SST。所述多个扫描级SST中的每个扫描级SST可以连接到扫描线S中的任何一条扫描线S。扫描线S可以连接扫描级SST的输出端子和像素行的最外像素的扫描信号输入端子，扫描级SST可以响应于时钟信号而被驱动。扫描级SST可以基本上使用相同的电路来实现。
扫描驱动器SDV可以具有与第一像素区PXA1和第二像素区PXA2的形状对应的形状。即，扫描驱动器SDV的与第二像素区PXA2对应的区域可以具有倾斜形状。扫描驱动器SDV可以沿像素区PXA的边界延伸。例如，扫描级SST可以沿像素区PXA的边界布置。因此，连接扫描级SST中的每个扫描级SST的一端的虚线可以以预定倾斜程度倾斜。
扫描级SST中的每个扫描级SST可以与包括在像素区PXA中的像素行对应，并且向布置在相应像素行中的像素PXL供应扫描信号。
设置在像素区PXA中的扫描线S可以相对于第一方向DR1平行。即，扫描级SST的输出端子和像素行的最外像素的扫描信号输入端子可以在第二方向DR2上具有相同的位置。
设置在外围区PPA中的扫描线S可以相对于第一方向DR1平行，或者可以相对于第一方向DR1倾斜。外围区PPA以围绕像素区PXA的形式设置使得外围区PPA的与第二像素区PXA2对应的部分可以具有倾斜的形状。因此，与第二像素区PXA2对应的扫描级SST可以沿外围区PPA的倾斜部分布置。作为结果，设置在与第二像素区PXA2对应的外围区PPA中的扫描线S可以在预定区域中弯曲，并且可以具有相对于第一方向DR1倾斜的角度。原因是扫描级SST的输出端子与像素行的最外像素的扫描信号输入端子沿第二方向DR2具有不同的位置。
驱动器可以包括与像素PXL连接的发射驱动器EDV，发射驱动器EDV可以设置为与扫描驱动器SDV相邻。扫描驱动器SDV可以位于发射驱动器EDV与像素区PXA之间，因此，发射驱动器EDV可以设置为离像素区PXA比扫描驱动器SDV离像素区PXA更远。
根据本公开的示例性实施例的发射驱动器EDV可以包括多个发射级EST。发射控制线E可以连接发射级EST的输出端子和像素行的最外像素的发射信号输入端子，发射级EST可以响应于时钟信号而被驱动。发射级EST可以使用相同的电路实现。
发射驱动器EDV可以具有与第一像素区PXA1和第二像素区PXA2的形状对应的形状。即，发射驱动器EDV的与第二像素区PXA2对应的区域可以具有倾斜的形状。
发射级EST中的每个发射级EST可以与包括在像素区PXA中的像素行对应，并且向布置在相应像素行中的像素PXL供应发射控制信号。
设置在像素区PXA中的发射控制线E可以相对于第一方向DR1平行。即，发射级EST的输出端子和像素行的最外像素的发射信号输入端子可以在第二方向DR2上具有相同的位置。
设置在外围区PPA中的发射控制线E可以相对于第一方向DR1平行，或者可以相对于第一方向DR1倾斜。设置在外围区PPA中的发射控制线E中的每条发射控制线E具有连接到像素PXL的一端和连接到发射级EST的另一端。
发射驱动器EDV的与第二像素区PXA2对应的区域具有倾斜的形状，使得与第二像素区PXA2对应的发射级EST也沿外围区PPA的倾斜部分布置。作为结果，设置在外围区PPA中的发射控制线E可以在预定区域中弯曲，并且可以具有相对于第一方向DR1倾斜的角度。原因是发射级EST的输出端子和像素行的最外像素的发射信号输入端子沿第二方向DR2具有不同的位置。
为了便于描述，图3示出了扫描线S仅连接到每个像素行的最外像素，但是扫描线S可以连接到设置在每个像素行中的所有像素PXL。同样地，发射控制线E可以连接到设置在每个像素行中的所有像素PXL。
接下来，数据驱动器DDV(见图1)可以设置在外围区PPA中。相应的数据线D可以连接到多个像素列中的每个像素列。数据线D连接到数据驱动器DDV。为了便于描述，图3示出了数据线D仅连接到每个像素列的最外像素，但是数据线D中的每条数据线D可以连接到设置在每个像素列中的所有像素PXL，同一列的像素PXL可以共享同一条数据线D。数据线D可以在像素区PXA内在第二方向DR2上延伸。数据线D通常可以在外围区PPA内在第二方向DR2上延伸。然而，数据线D可以在预定区域中弯曲，并且可以在相对于第二方向DR2倾斜的方向上延伸。数据线D可以延伸为在数据驱动器DDV的方向上聚集，并且可以在像素方向上构成具有从数据驱动器DDV扩展的形状的数据线扇出单元。
布线单元从驱动器向每个像素PXL提供信号，并且包括扫描线S、数据线D、发射控制线E、电源线PL、第一初始化电源线IPL1和第二初始化电源线IPL2。
相应的电源线可以连接到像素列中的每个像素列。电源线PL可以包括第一电源线PL1和第二电源线PL2，第一电源线PL1设置在像素区PXA中而第二电源线PL2与第一电源线PL1连接并且设置在外围区PPA中。
第二电源线PL2可以具有比第一电源线PL1的宽度大的宽度。第二电源线PL2可以沿像素区PXA的边界延伸。第一电源线PL1可以从第二电源线PL2分支并且可以分别连接到像素列。第二电源线PL2可以向像素PXL提供第一电源ELVDD(见图3)。为了便于描述，图3示出了第一电源线PL1连接到像素列中的最外像素，但是第一电源线PL1中的每条第一电源线PL1可以连接到设置在每个像素列中的所有像素PXL，同一列中的像素PXL可以共享同一条第一电源线PL1。
虽然未示出，但根据本公开的示例性实施例，施加第二电源ELVSS(见图2)的线可以设置于发射驱动器EDV的外侧。
第一初始化电源线IPL1和第二初始化电源线IPL2可以连接到像素行中的每个像素行。
第一初始化电源线IPL1和第二初始化电源线IPL2可以在外围区PPA中沿像素区PXA的边界延伸。此外，第一初始化电源线IPL1和第二初始化电源线IPL2可以设置在第二电源线PL2与扫描驱动器SDV之间。
连接到每个像素行的扫描线S可以延伸到像素区PXA。此外，扫描线S可以在连接到像素行的最外像素PXL之前分支成两条线，所述两条线中的一条线可以连接到与所述像素行不同的另一像素行。连接到所述另一像素行的线可以向所述另一像素行施加初始化信号。即，可以通过一条扫描线S向所述像素行施加扫描信号并向所述另一像素行施加初始化信号。例如，连接到第i像素行(i是自然数)的扫描线S可以在连接到第i像素行中的最接近扫描驱动器SDV的像素PXL之前分支成两条线。所述两条线中的一条线可以向第i像素行供应扫描信号，另一条线(在下文中，被称作“分支线”)可以连接到第i+1像素行中的最接近扫描驱动器SDV的像素PXL，以向第i+1像素行供应初始化信号。
此外，扫描线S在连接到像素行中的最接近扫描驱动器SDV的像素PXL之前分支，使得扫描线S的分支点BP可以接近像素区PXA或者可以设置在像素区PXA内。例如，扫描线S的分支点BP可以设置在像素行中的最接近第二电源线PL2的像素PXL与第二电源线PL2之间。
当扫描线S的分支点BP设置在扫描驱动器SDV与第一初始化电源线IPL1之间或者扫描驱动器SDV与第二初始化电源线IPL2之间时，设置在外围区PPA中的扫描线S的数量会是两条。因此，在外围区PPA中增加了扫描线S的数量，并且会增大外围区PPA的宽度。
然而，在本示例性实施例中，因为扫描线S的分支点BP接近像素区PXA或者设置在像素区PXA内，所以可以防止外围区PPA的宽度增大，或者可以减小外围区PPA的宽度。
第一像素区PXA1的宽度不根据第一像素区PXA1的位置而改变，并且可以均匀地保持。因此，在第一像素区PXA1中，扫描线S的分支线的所有长度可以是相同的。
第二像素区PXA2的宽度可以根据第二像素区PXA2的位置而改变。因此，在第二像素区PXA2中，从连接到像素行中的至少一部分像素行的扫描线S分支的分支线的长度可以与从另一像素行的扫描线分支的分支线的长度不同。例如，与相邻的像素行对应的分支线的长度可以不同。
接下来，将描述图3中示出的像素PXL。
图4是示出图3中示出的像素PXL的示例性实施例的图。
为了便于描述，图4示出了连接到第j数据线Dj和第i扫描线Si的像素PXL。
参照图4，根据本公开的示例性实施例的像素PXL可以包括像素电路PXC、有机发光器件OLED、第一晶体管T1和第二晶体管T2。
有机发光器件OLED的阳极电极可以连接到像素电路PXC，有机发光器件OLED的阴极电极可以连接到第二电源ELVSS。有机发光器件OLED可以响应于从像素电路PXC供应的电流量而产生具有预定亮度的光。
当向第i-1扫描线Si-1供应扫描信号时，像素电路PXC可以利用第一初始化电源Vint1的电压使驱动晶体管的栅电极初始化。此外，当向第i扫描线Si供应扫描信号时，像素电路PXC可以经由第二晶体管T2从数据线Dj接收数据信号。当停止向第i发射控制线Ei供应发射控制信号时，接收数据信号的像素电路PXC可以控制从第一电源ELVDD经由有机发光器件OLED流向第二电源ELVSS的电流量。像素电路PXC可以利用接收第一初始化电源Vint1的各种形式的电路来实现。
第一晶体管T1可以连接在有机发光器件OLED的阳极电极与第二初始化电源Vint2之间。此外，第一晶体管T1的栅电极连接到第i扫描线Si。当向第i扫描线Si供应扫描信号时，第一晶体管T1可以导通以向有机发光器件OLED的阳极电极供应第二初始化电源Vint2的电压。
当向有机发光器件OLED的阳极电极供应第二初始化电源Vint2的电压时，有机发光器件OLED的寄生电容器(在下文中，被称作“有机电容器Coled”)可以放电。当有机电容器Coled放电时，可以改善黑色表现能力。
详细地描述，有机电容器Coled会在前一帧时间段期间响应于从像素电路PXC供应的电压而充入预定电压。当有机电容器Coled被充电时，有机发光器件OLED即使在低电流的情况下也会容易发光。
可以在当前帧时间段期间向像素电路PXC供应黑色数据信号。当供应黑色数据信号时，像素电路PXC在理想情况下不会向有机发光器件OLED供应电流。然而，即使供应黑色数据信号，由晶体管形成的像素电路PXC也会向有机发光器件OLED供应预定的漏电流。在这种情况下，当有机电容器Coled处于充电状态下时，有机发光器件OLED会微小地发光，因此会使黑色表现能力劣化。
相比之下，根据本公开的示例性实施例，有机电容器Coled通过第二初始化电源Vint2放电，尽管存在漏电流，但是有机发光器件OLED被设置为非发射状态。即，在本公开中，当供应黑色数据信号时，像素电路PXC可以通过使用第二初始化电源Vint2向有机发光器件OLED的阳极电极供应第二初始化电源Vint2的电压，从而改善黑色表现能力。
第二初始化电源Vint2可以设置有比第一初始化电源Vint1低并且比第二电源ELVSS高的电压，使得有机电容器Coled可以稳定地放电。例如，第二初始化电源Vint2可以适当地设置有通过使第二电源ELVSS的电压与有机发光器件OLED的阈值电压相加而获得的电压。
此外，在本公开中，当把第一初始化电源Vint1和第二初始化电源Vint2分离时，可以使来自像素电路PXC的漏电流最小化。
根据示例性实施例，可以减小施加到有机发光器件OLED的阴极电极的第二电源ELVSS的电压以实现高亮度。当减小第二电源ELVSS的电压时，从像素电路PXC向有机发光器件OLED供应的电流量增大，因此可以提高有机发光器件OLED的亮度。
在此，当减小第二电源ELVSS的电压时，也可以减小第二初始化电源Vint2的电压。因此，在不把第一初始化电源Vint1和第二初始化电源Vint2分离的情况下，当减小第二电源ELVSS的电压时，从像素电路PXC流向初始化电源的漏电流增大。
另一方面，当第一初始化电源Vint1和第二初始化电源Vint2分离时，与本公开的实施例相同，可以与第二电源ELVSS无关地设置第一初始化电源Vint1的电压。具体地，在本公开的示例性实施例中，以比第二电源ELVSS和第二初始化电源Vint2高的电压来设置第一初始化电源Vint1，从而使从像素电路PXC至第一初始化电源Vint1的漏电流最小化。
此外，当把第二初始化电源Vint2设置成具有比第二电源ELVSS高的电压时，能够使在有机发光器件OLED的发射时间段期间从像素电路PXC流向第二初始化电源Vint2的漏电流最小化，因此，能够提高有机发光器件OLED的亮度。
第二晶体管T2连接在数据线Dj与像素电路PXC(即，图5中示出的第一节点N1)之间。此外，第二晶体管T2的栅电极连接到第i扫描线Si。当向第i扫描线Si供应扫描信号时，第二晶体管T2导通以从数据线Dj向第一节点N1供应数据信号。
图5是示出图4中示出的像素电路的示例性实施例的图。
参照图5，根据本公开的示例性实施例的像素电路PXC可以包括第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7和存储电容器Cst。
第七晶体管T7的第一电极可以连接到第一节点N1，第七晶体管T7的第二电极可以连接到第六晶体管T6的第一电极。第七晶体管T7的栅电极可以连接到第二节点N2。第七晶体管T7可以响应于充入存储电容器Cst中的电压控制经由OLED从第一电源ELVDD流向第二电源ELVSS的电流量。
第三晶体管T3的第一电极可以连接到第二节点N2，第三晶体管T3的第二电极可以连接到第一初始化电源Vint1。此外，第三晶体管T3的栅电极可以连接到第i-1扫描线Si-1。当向第i-1扫描线Si-1供应扫描信号时，第三晶体管T3可以导通以向第二节点N2供应第一初始化电源Vint1的电压。
第四晶体管T4的第一电极可以连接到第七晶体管T7的第二电极，第四晶体管T4的第二电极可以连接到第二节点N2。此外，第四晶体管T4的栅电极连接到第i扫描线Si。当向第i扫描线Si供应扫描信号时，第四晶体管T4可以导通以使第七晶体管T7以二极管形式连接。
第五晶体管T5的第一电极可以连接到第一电源ELVDD，第五晶体管T5的第二电极可以连接到第一节点N1。此外，第五晶体管T5的栅电极可以连接到发射控制线Ei。当向发射控制线Ei供应发射控制信号时，第五晶体管T5可以截止，当不供应发射控制信号时，第五晶体管T5可以导通。
第六晶体管T6的第一电极可以连接到第七晶体管T7的第二电极，并且第六晶体管T6的第二电极可以连接到有机发光器件OLED的阳极电极。此外，第六晶体管T6的栅电极可以连接到发射控制线Ei。当向发射控制线Ei供应发射控制信号时，第六晶体管T6可以截止，当不供应发射控制信号时，第六晶体管T6可以导通。
存储电容器Cst可以连接在第一电源ELVDD与第二节点N2之间。存储电容器Cst可以充入与数据信号和第七晶体管T7的阈值电压对应的电压。
图6是详细地示出图4和图5中示出的像素的俯视平面图，图7是沿图6的线I-I'截取的剖视图，图8是沿图6的线II-II'截取的剖视图。
图6至图8示出了连接到设置在像素区PXA中的第i行和第j列中的一个像素PXL的扫描线Si-1和Si、发射控制线Ei、电源线PL和数据线Dj。在图7和图8中，为了便于描述，第i-1行中的扫描线标记为“Si-1”，第i行中的扫描线标记为“Si”，第i行中的发射控制线标记为“Ei”，第j列中的数据线标记为“Dj”，第j电源线标记为“PL”。
参照图4至图8，显示装置可以包括基底SUB、布线单元和像素PXL。
基底SUB包括透明绝缘材料以允许光穿过。基底SUB可以是刚性的基底。例如，基底SUB可以是玻璃基底、石英基底、玻璃陶瓷基底和结晶玻璃基底中的一种。
此外，基底SUB也可以是柔性基底。在此，基底SUB可以是包括聚合物有机材料的膜基底和塑料基底中的一种。例如，基底SUB可以包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素、乙酸丙酸纤维素中的至少一种。然而，基底SUB的材料可以进行各种改变，并且可以包括纤维增强塑料(FRP)。
布线单元可以向像素PXL中的每个像素PXL提供信号，并且可以包括扫描线Si-1和Si、数据线Dj、发射控制线Ei、电源线PL、第一初始化电源线IPL1以及第二初始化电源线IPL2。
扫描线Si-1和Si可以在第一方向DR1上延伸。扫描线Si-1和Si可以包括在第二方向DR2上顺序地布置的第i-1扫描线Si-1和第i扫描线Si。扫描线Si-1和Si可以接收扫描信号。例如，第i-1扫描线Si-1可以接收第i-1扫描信号，第i扫描线Si可以接收第i扫描信号。像素PXL可以由第i-1扫描线Si-1的第i-1扫描信号初始化。
第i扫描线Si可以分支成两条线，被分支的第i扫描线Si可以连接到不同的晶体管。例如，第i扫描线Si可以包括第i上扫描线SiU和第i下扫描线SiL，第i上扫描线SiU与第i-1扫描线Si-1相邻，第i下扫描线SiL离第i-1扫描线Si-1比第i上扫描线SiU离第i-1扫描线Si-1远。
发射控制线Ei可以在第一方向DR1上延伸。发射控制线Ei可以设置为在第i扫描线Si之间与第i扫描线Si分隔开。发射控制线Ei可以接收发射控制信号。
数据线Dj可以在第二方向DR2上延伸，并且可以顺序地布置在第一方向DR1上。数据线Dj可以接收数据信号。
电源线PL可以在第二方向DR2上延伸。电源线PL可以被设置为与数据线Dj分隔开。电源线PL可以接收第一电源ELVDD。
第一初始化电源线IPL1和第二初始化电源线IPL2可以在第一方向DR1上延伸。
第一初始化电源线IPL1可以设置在第i下扫描线SiL与第i+1像素行中的像素的第二初始化电源线(未示出)之间。第一初始化电源线IPL1可以接收第一初始化电源Vint1。
第二初始化电源线IPL2可以设置在第i-1像素行中的像素的第一初始化电源线(未示出)与第i-1像素行中的像素的第i-1扫描线Si-1之间。第二初始化电源线IPL2可以接收第二初始化电源Vint2。
像素PXL中的每个像素PXL可以包括第一晶体管T1至第七晶体管T7、存储电容器Cst和OLED。
第七晶体管T7可以包括第七栅电极GE7、第七有源图案ACT7、第七源电极SE7、第七漏电极DE7和连接线CNL。
第七栅电极GE7可以与第三晶体管T3的第三漏电极DE3以及第四晶体管T4的第四漏电极DE4连接。连接线CNL可以连接第七栅电极GE7和在第三漏电极DE3与第四漏电极DE4之间的空间。连接线CNL的一端可以通过第一接触孔CH1与第七栅电极GE7连接，连接线CNL的另一端可以通过第二接触孔CH2与第三漏电极DE3和第四漏电极DE4连接。
在本公开的示例性实施例中，第七有源图案ACT7、第七源电极SE7和第七漏电极DE7可以由半导体层形成，该半导体层可以掺杂有杂质或者可以不掺杂有杂质。例如，第七源电极SE7和第七漏电极DE7可以由掺杂杂质的半导体层形成，第七有源图案ACT7可以由未掺杂杂质的半导体层形成。
第七有源图案ACT7具有在预定方向上延伸的条形形状，并且可以具有在延伸的长度方向上弯曲若干次的形状。当在平面上观察时，第七有源图案ACT7可以与第七栅电极GE7叠置。形成第七有源图案ACT7使得第七晶体管T7的沟道区可以被形成为是长的。因此，施加到第七晶体管T7的栅极电压的驱动范围变宽。因此，能够精细地控制从有机发光器件OLED发射的光的灰度级。
第七源电极SE7可以连接到第七有源图案ACT7的一端。第七源电极SE7可以与第二晶体管T2的第二漏电极DE2以及第五晶体管T5的第五漏电极DE5连接。第七漏电极DE7可以连接到第七有源图案ACT7的另一端。第七漏电极DE7可以与第四晶体管T4的第四源电极SE4以及第六晶体管T6的第六源电极SE6连接。
第二晶体管T2可以包括第二栅电极GE2、第二有源图案ACT2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。
第二栅电极GE2可以连接到第i上扫描线SiU。第二栅电极GE2可以被设置为第i上扫描线SiU的一部分，或者被设置为从第i上扫描线SiU突出的形状。在本公开的示例性实施例中，第二有源图案ACT2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2可以由可以掺杂或者可以不掺杂杂质的半导体层形成。例如，第二源电极SE2和第二漏电极DE2可以由掺杂杂质的半导体层形成，第二有源图案ACT2可以由未掺杂杂质的半导体层形成。第二有源图案ACT2对应于与第二栅电极GE2叠置的部分。第二源电极SE2的一端可以连接到第二有源图案ACT2。第二源电极SE2的另一端可以通过第六接触孔CH6连接到数据线Dj。第二漏电极DE2的一端可以连接到第二有源图案ACT2。第二漏电极DE2的另一端可以与第七晶体管T7的第七源电极SE7以及第五晶体管T5的第五漏电极DE5连接。
第三晶体管T3可以设置为双栅极结构以防止漏电流。即，第三晶体管T3可以包括第3a晶体管T3a和第3b晶体管T3b。第3a晶体管T3a可以包括第3a栅电极GE3a、第3a有源图案ACT3a、第3a源电极SE3a和第3a漏电极DE3a，第3b晶体管T3b可以包括第3b栅电极GE3b、第3b有源图案ACT3b、第3b源电极SE3b和第3b漏电极DE3b。在下文中，将第3a栅电极GE3a和第3b栅电极GE3b称作第三栅电极GE3，将第3a有源图案ACT3a和第3b有源图案ACT3b称作第三有源图案ACT3，将第3a源电极SE3a和第3b源电极SE3b称作第三源电极SE3，将第3a漏电极DE3a和第3b漏电极DE3b称作第三漏电极DE3。
第三栅电极GE3可以连接到第i-1扫描线Si-1。第三栅电极GE3可以设置为第i-1扫描线Si-1的一部分，或者可以设置为从第i-1扫描线Si-1突出的形状。例如，第3a栅电极GE3a可以设置为第i-1扫描线Si-1的一部分，第3b栅电极GE3b可以设置为从第i-1扫描线Si-1突出的形状。
第三有源图案ACT3、第三源电极SE3和第三漏电极DE3可以由掺杂或者未掺杂杂质的半导体层形成。例如，第三源电极SE3和第三漏电极DE3可以由掺杂杂质的半导体层形成，第三有源图案ACT3可以由未掺杂杂质的半导体层形成。第三有源图案ACT3对应于与第三栅电极GE3叠置的部分。
第三源电极SE3的一端可以连接到第三有源图案ACT3。第三源电极SE3的另一端可以连接到第i-1像素行中的像素的第一初始化电源线IPL1和第一晶体管T1的第一漏电极DE1。第三源电极SE3的另一端可以通过第十三接触孔CH13与第二初始化电源线IPL2连接。辅助连接线AUX可以设置在第三源电极SE3与前一行(即，第i-1像素行)中的像素的第一晶体管T1的第一漏电极DE1之间。辅助连接线AUX的一端可以通过第九接触孔CH9与第三源电极SE3连接。辅助连接线AUX的另一端可以通过第i-1像素行中的第八接触孔CH8与第i-1像素行中的第一初始化电源线IPL1连接。此外，辅助连接线AUX的一部分可以通过第十三接触孔CH13与第二初始化电源线IPL2连接。第三漏电极DE3的一端可以连接到第三有源图案ACT3。第三漏电极DE3的另一端连接到第四晶体管T4的第四漏电极DE4。第三漏电极DE3也通过连接线CNL、第二接触孔CH2和第一接触孔CH1连接到第七晶体管T7的第七栅电极GE7。
第四晶体管T4可以设置为双栅极结构以防止漏电流。即，第四晶体管T4可以包括第4a晶体管T4a和第4b晶体管T4b。第4a晶体管T4a可以包括第4a栅电极GE4a、第4a有源图案ACT4a、第4a源电极SE4a和第4a漏电极DE4a。第4b晶体管T4b可以包括第4b栅电极GE4b、第4b有源图案ACT4b、第4b源电极SE4b和第4b漏电极DE4b。在下文中，将第4a栅电极GE4a和第4b栅电极GE4b称作第四栅电极GE4，将第4a有源图案ACT4a和第4b有源图案ACT4b称作第四有源图案ACT4，将第4a源电极SE4a和第4b源电极SE4b称作第四源电极SE4，将第4a漏电极DE4a和第4b漏电极DE4b称作第四漏电极DE4。
第四栅电极GE4可以连接到第i上扫描线SiU。第四栅电极GE4可以设置为第i上扫描线SiU的一部分，或者可以设置为从第i上扫描线SiU突出的形状。例如，第4a栅电极GE4a可以被设置为从第i上扫描线SiU突出的形状，第4b栅电极GE4b可以被设置为第i上扫描线SiU的一部分。
第四有源图案ACT4、第四源电极SE4和第四漏电极DE4可以由掺杂或者未掺杂杂质的半导体层形成。例如，第四源电极SE4和第四漏电极DE4可以由掺杂杂质的半导体层形成，第四有源图案ACT4可以由未掺杂杂质的半导体层形成。第四有源图案ACT4对应于与第四栅电极GE4叠置的部分。第四源电极SE4的一端可以连接到第四有源图案ACT4。第四源电极SE4的另一端可以与第七晶体管T7的第七漏电极DE7以及第六晶体管T6的第六源电极SE6连接。第四漏电极DE4的一端可以连接到第四有源图案ACT4。第四漏电极DE4的另一端可以连接到第三晶体管T3的第三漏电极DE3。此外，第四漏电极DE4可以通过连接线CNL、第二接触孔CH2和第一接触孔CH1连接到第七晶体管T7的第七栅电极GE7。
第五晶体管T5可以包括第五栅电极GE5、第五有源图案ACT5、第五源电极SE5和第五漏电极DE5。
第五栅电极GE5可以连接到发射控制线Ei。第五栅电极GE5可以设置为发射控制线Ei的一部分或者设置为从发射控制线Ei突出的形状。第五有源图案ACT5、第五源电极SE5和第五漏电极DE5可以由掺杂或者未掺杂有杂质的半导体层形成。例如，第五源电极SE5和第五漏电极DE5可以由掺杂杂质的半导体层形成，第五有源图案ACT5可以由未掺杂杂质的半导体层形成。第五有源图案ACT5对应于与第五栅电极GE5叠置的部分。第五源电极SE5的一端可以连接到第五有源图案ACT5。第五源电极SE5的另一端可以通过第五接触孔CH5连接到电源线PL。第五漏电极DE5的一端可以连接到第五有源图案ACT5。第五漏电极DE5的另一端可以与第七晶体管T7的第七源电极SE7以及第二晶体管T2的第二漏电极DE2连接。
第六晶体管T6可以包括第六栅电极GE6、第六有源图案ACT6、第六源电极SE6和第六漏电极DE6。
第六栅电极GE6可以连接到发射控制线Ei。第六栅电极GE6可以设置为发射控制线Ei的一部分或者设置为从发射控制线Ei突出的形状。第六有源图案ACT6、第六源电极SE6和第六漏电极DE6可以由掺杂或者未掺杂有杂质的半导体层形成。例如，第六源电极SE6和第六漏电极DE6可以由掺杂杂质的半导体层形成，第六有源图案ACT6可以由未掺杂杂质的半导体层形成。第六有源图案ACT6对应于与第六栅电极GE6叠置的部分。第六源电极SE6的一端可以连接到第六有源图案ACT6。第六源电极SE6的另一端可以与第七晶体管T7的第七漏电极DE7以及第四晶体管T4的第四源电极SE4连接。第六漏电极DE6的一端可以连接到第六有源图案ACT6。第六漏电极DE6的另一端可以连接到第一晶体管T1的第一源电极SE1。
第一晶体管T1可以包括第一栅电极GE1、第一有源图案ACT1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1。
第一栅电极GE1可以连接到第i下扫描线SiL。第一栅电极GE1可以设置为第i下扫描线SiL的一部分或者可以设置为从第i下扫描线SiL突出的形状。第一有源图案ACT1、第一源电极SE1、第一漏电极DE1可以由掺杂或者未掺杂杂质的半导体层形成。例如，第一源电极SE1和第一漏电极DE1可以由掺杂杂质的半导体层形成，第一有源图案ACT1可以由未掺杂杂质的半导体层形成。第一有源图案ACT1对应于与第一栅电极GE1叠置的部分。第一源电极SE1的一端可以连接到第一有源图案ACT1。第一源电极SE1的另一端可以连接到第六晶体管T6的第六漏电极DE6。第一漏电极DE1的一端可以连接到第一有源图案ACT1。第一漏电极DE1的另一端可以连接到第二初始化电源线IPL2。此外，第一漏电极DE1可以连接到后一行(即，第i+1像素行)的像素的第三晶体管T3的第三源电极SE3。第一漏电极DE1和第i+1像素行中的像素的第三晶体管T3的第三源电极SE3可以连接。
存储电容器Cst可以包括下电极LE和上电极UE。下电极LE可以由第七晶体管T7的第七栅电极GE7形成。
当在平面上观察时，上电极UE可以与第七栅电极GE7叠置，并且可以覆盖下电极LE。可以通过增大上电极UE和下电极LE的叠置面积来增大存储电容器Cst的电容。上电极UE可以在第一方向DR1上延伸。在本公开的示例性实施例中，可以向上电极UE施加具有与第一电源ELVDD的电平相同的电平的电压。上电极UE可以具有开口OPN，该开口OPN位于其中形成有第一接触孔CH1的区域中，第七栅电极GE7通过第一接触孔CH1与连接线CNL接触。
有机发光器件OLED可以包括第一电极AD、第二电极CD和设置在第一电极AD与第二电极CD之间的发射层EML。
第一电极AD可以设置在与每个像素PXL对应的发射区内。第一电极AD可以通过第七接触孔CH7、第十接触孔CH10和第十二通孔CH12连接到第一晶体管T1的第一源电极SE1和第六晶体管T6的第六漏电极DE6。第一桥接图案BRP1可以设置在第七接触孔CH7与第十接触孔CH10之间。第一桥接图案BRP1可以电连接第六漏电极DE6、第一源电极SE1和第一电极AD。
在下文中，将参照图6至图8以层叠顺序来描述根据本公开的示例性实施例的显示装置的结构。
有源图案ACT1至ACT7(在下文中，被称作“ACT”)可以设置在基底SUB上。有源图案可以包括第一有源图案ACT1至第七有源图案ACT7。第一有源图案ACT1至第七有源图案ACT7可以由半导体材料形成。
缓冲层(未示出)可以设置在基底SUB与第一有源图案ACT1至第七有源图案ACT7之间。
栅极绝缘层GI可以设置在其上形成有第一有源图案ACT1和第七有源图案ACT7的基底SUB上。
第i-1扫描线Si-1、第i扫描线Si、发射控制线Ei、第一栅电极GE1和第七栅电极GE7可以设置在栅极绝缘层GI上。第七栅电极GE7可以是存储电容器Cst的下电极LE。第二栅电极GE2和第四栅电极GE4可以与第i上扫描线SiU一体地形成。第三栅电极GE3可以与第i-1扫描线Si-1一体地形成。第五栅电极GE5和第六栅电极GE6可以与发射控制线Ei一体地形成。第一栅电极GE1可以与第i下扫描线SiL一体地形成。
第一层间绝缘层IL1可以设置在其上形成有第i-1扫描线Si-1等的基底SUB上。
存储电容器Cst的上电极UE、第一初始化电源线IPL1和第二初始化电源线IPL2可以设置在第一层间绝缘层IL1上。上电极UE可以覆盖下电极LE或者与下电极LE叠置。上电极UE可以与下电极LE一起形成存储电容器Cst并且第一层间绝缘层IL1置于上电极UE与下电极LE之间。
第二层间绝缘层IL2可以设置在基底SUB上以覆盖上电极UE、第一初始化电源线IPL1和第二初始化电源线IPL2。
数据线Dj、连接线CNL、辅助连接线AUX和第一桥接图案BRP1可以设置在第二层间绝缘层IL2上。
数据线Dj可以通过穿过第一层间绝缘层IL1、第二层间绝缘层IL2和栅极绝缘层GI的第六接触孔CH6连接到第二源电极SE2。
连接线CNL可以通过穿过第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第一接触孔CH1连接到第七栅电极GE7。此外，连接线CNL可以通过穿过栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第二接触孔CH2连接到第三漏电极DE3和第四漏电极DE4。
辅助连接线AUX可以通过穿过第二层间绝缘层IL2的第八接触孔CH8连接到第二初始化电源线IPL2。此外，辅助连接线AUX可以通过穿过栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第九接触孔CH9连接到前一像素行的第三源电极SE3和第一漏电极DE1。
第一桥接图案BRP1可以是设置在第六漏电极DE6与第一电极AD之间作为连接第六漏电极DE6和第一电极AD的媒介的图案。第一桥接图案BRP1通过穿过栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第七接触孔CH7连接到第六漏电极DE6和第一源电极SE1。
第三层间绝缘层IL3可以设置在基底SUB上以覆盖第j数据线Dj等。
电源线PL和第二桥接图案BRP2可以设置在第三层间绝缘层IL3上。第二桥接图案BRP2可以通过第十接触孔CH10连接到第一桥接图案BRP1。
钝化层PSV可以设置在其上设置有电源线PL和第二桥接图案BRP2的第三层间绝缘层IL3上。
有机发光器件OLED可以设置在钝化层PSV上。有机发光器件OLED可以包括第一电极AD、第二电极CD和设置在第一电极AD与第二电极CD之间的发射层EML。
第一电极AD可以设置在钝化层PSV上。第一电极AD可以通过穿过第三层间绝缘层IL3和钝化层PSV的第十二接触孔CH12连接到第二桥接图案BRP2。因此，第一电极AD可以电连接到第一桥接图案BRP1。第一桥接图案BRP1通过第七接触孔CH7连接到第六漏电极DE6和第一源电极SE1，从而第一电极AD可以电连接到第六漏电极DE6和第一源电极SE1。
划分与每个像素PXL对应的发射区的像素限定层PDL设置在其上形成有第一电极AD等的基底SUB上。像素限定层PDL在暴露第一电极AD的上表面的同时沿像素PXL的周边从基底SUB突出。
发射层EML可以设置在由像素限定层PDL围绕的发射区中，第二电极CD可以设置在发射层EML上。覆盖第二电极CD的密封层SLM设置在第二电极CD上。
第一电极AD和第二电极CD中的一个可以是阳极电极，另一个可以是阴极电极。例如，第一电极AD可以是阳极电极，第二电极CD可以是阴极电极。
此外，第一电极AD和第二电极CD中的至少一个可以是透射电极。例如，当有机发光器件OLED是底发射有机发光器件时，第一电极AD可以是透射电极，第二电极CD可以是反射电极。例如，当有机发光器件OLED是顶发射有机发光器件时，第一电极AD可以是反射电极，第二电极CD可以是透射电极。例如，当有机发光器件OLED是双型有机发光器件时，第一电极AD和第二电极CD两者可以是透射电极。在本示例性实施例中，将作为示例描述有机发光器件OLED是顶发射有机发光器件并且第一电极AD是阳极电极的情况。
第一电极AD可以包括能够反射光的反射层(未示出)和设置在反射层上方或下方的透明导电层(未示出)。透明导电层和反射层中的至少一个可以与第一源电极SE1连接。
反射层可以包括能够反射光的材料。例如，反射层可以包括铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钼(Mo)、铂(Pt)、镍(Ni)和它们的合金中的至少一种。
透明导电层可以包括透明导电氧化物。例如，透明导电层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、掺镓氧化锌(GZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锡(GTO)和掺氟氧化锡(FTO)之中的至少一种透明导电氧化物。
像素限定层PDL可以包括有机绝缘材料。例如，像素限定层PDL可以包括聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯腈(PAN)、聚酰胺(PA)、聚酰亚胺(PI)、聚芳醚(PAE)、杂环聚合物、聚对二甲苯、环氧树脂、苯并环丁烯(BCB)、硅氧类树脂和硅类树脂中的至少一种。
发射层EML可以设置在第一电极AD的暴露表面上。发射层EML可以具有包括光产生层的多层薄膜结构。例如，发射层EML可以包括用于注入空穴的空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、光产生层、空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL和电子注入层EIL。空穴传输层HTL具有优异的空穴传输性质并且抑制未能在发射层EML中结合的电子的移动，以增加空穴和电子重新结合的机会。光产生层通过注入的电子和空穴的重新结合来发光。空穴阻挡层HBL抑制未能在光产生层中结合的空穴的移动。电子传输层ETL顺利地向光产生层传输电子。电子注入层EIL注入电子。
光产生层中产生的光的颜色可以是红色、绿色、蓝色和白色中的一种颜色，但是本示例性实施例不限于此。例如，发射层EML的光产生层中产生的光的颜色可以是品红色、蓝绿色和黄色中的一种颜色。
空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层可以是在相邻的发射区中连接的公共层。
第二电极CD可以是半透明反射层。例如，第二电极CD可以是具有使从发射层EML发射的光可以穿过的厚度的薄金属层。第二电极CD可以使从发射层EML发射的光的一部分能够穿过，并且可以反射从发射层EML发射的剩余的光。
第二电极CD可以包括具有比透明导电层的逸出功低的逸出功的材料。例如，第二电极CD可以包括钼(Mo)、钨(W)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)和它们的合金中的至少一种。
从发射层EML发射的光的一部分可以未穿过第二电极CD，从第二电极CD反射的光可以再次从反射层被反射。即，从发射层EML发射的光可以在反射层与第二电极CD之间共振。可以通过光的共振来改善显示器件OLED的光提取效率。
反射层与第二电极CD之间的距离可以根据从发射层EML发射的光的颜色而不同。即，可以根据从发射层EML发射的光的颜色来调节反射层与第二电极CD之间的距离以实现被发射的光的共振。
密封层SLM可以防止氧和湿气渗透到有机发光器件OLED中。密封层SLM可以包括多个无机层(未示出)和多个有机层(未示出)。例如，密封层SLM可以包括多个单元密封层，其中，多个单元密封层包括无机层和设置在无机层上的有机层。此外，无机层可以设置在密封层SLM的最上部分中。无机层可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锆和氧化锡中的至少一种。
图9是概念性地示出与图3的P2对应的部分的俯视平面图，图10是沿图9的线III-III'截取的剖视图，图11是沿图9的线IV-IV'截取的剖视图。图12是沿图9的线V-V'截取的剖视图。图13是沿图9的线VI-VI'截取的剖视图，图14是沿图9的线VII-VII'截取的剖视图。
图9至图14详细示出各条线之间的连接关系。为了便于描述，图9至图14主要示出了连接到第二像素区的一个像素行的扫描线、发射控制线、第一初始化电源线和第二初始化电源线。
参照图9至图14，扫描线可以在像素区PXA中在第一方向DR1上延伸并且甚至可以在外围区PPA中在第一方向DR1上延伸。然而，扫描线可以根据与第二像素区PXA2对应的外围区PPA中的位置在相对于第一方向DR1倾斜的方向上弯曲，然后在第一方向DR1上延伸。图9示出了扫描线在外围区PPA中在相对于第一方向DR1倾斜的方向上弯曲的情况作为示例。
扫描线可以包括扫描驱动连接单元SP、第一像素连接单元SAU、扫描线连接单元SCL、另一像素连接单元SAL和信号连接单元SRL，扫描驱动连接单元SP连接到扫描驱动器，第一像素连接单元SAU连接到像素行并且向该像素行提供扫描信号，扫描线连接单元SCL连接扫描驱动连接单元SP和第一像素连接单元SAU，另一像素连接单元SAL与第一像素连接单元SAU连接并且向该另一像素行提供初始化信号，信号连接单元SRL连接第一像素连接单元SAU和另一像素连接单元SAL。
扫描驱动连接单元SP可以设置在第一层间绝缘层IL1上，并可以电连接到扫描线连接单元SCL。即，扫描驱动连接单元SP可以设置在与图6至图8中示出的像素PXL的存储电容器的上电极UE的层相同的层上，并可以包括与存储电容器的材料相同的材料。在此，扫描驱动器SP可以通过设置在第二层间绝缘层IL2上的第一接触焊盘CNP1电连接到扫描线连接单元SCL。
第一像素连接单元SAU和另一像素连接单元SAL可以设置在栅极绝缘层GI上，并且可以通过信号连接单元SRL电连接到扫描线连接单元SCL。即，第一像素连接单元SAU和另一像素连接单元SAL可以设置在与图6至图8中示出的像素的发射控制线Ei以及扫描线Si-1、SiU和SiL的层相同的层上，并且可以具有与发射控制线Ei、存储电容器的上电极UE以及扫描线Si-1、SiU和SiL的材料相同的材料。
扫描线连接单元SCL可以设置在第三层间绝缘层IL3上。即，扫描线连接单元SCL可以设置在与第二桥接图案BRP2和电源线PL的层相同的层上，并且可以包括与第二桥接图案BRP2的材料相同的材料。
信号连接单元SRL可以设置在第二层间绝缘层IL2上。即，信号连接单元SRL可以设置在与图6至图8中示出的数据线Dj、第一桥接图案BRP1和辅助连接线AUX的层相同的层上，并且可以包括与数据线Dj、第一桥接图案BRP1和辅助连接线AUX的材料相同的材料。
发射控制线可以包括发射驱动连接单元EP、第二像素连接单元EA和发射控制线连接单元ECL，发射驱动连接单元EP连接到发射驱动器，第二像素连接单元EA连接到像素行并且提供发射控制信号，发射控制线连接单元ECL连接发射驱动连接单元EP和第二像素连接单元EA。
发射驱动连接单元EP可以设置在栅极绝缘层GI上，并且可以通过设置在第二层间绝缘层IL2上的第二接触焊盘CNP2电连接到发射控制线连接单元ECL。即，发射驱动连接单元EP可以设置在与第一像素连接单元SAU和另一像素连接单元SAL的层相同的层上，并且可以包括与第一像素连接单元SAU和另一像素连接单元SAL的材料相同的材料。
第二像素连接单元EA可以设置在栅极绝缘层GI上，并且可以通过设置在第二层间绝缘层IL2上的第三接触焊盘CNP3电连接到发射控制线连接单元ECL。即，第二像素连接单元EA可以设置在与发射驱动连接单元EP的层相同的层上并且可以包括与发射驱动连接单元EP的材料相同的材料。
发射控制线连接单元ECL可以设置在第三层间绝缘层IL3上。即，发射控制线连接单元ECL可以设置在与扫描线连接单元SCL的层相同的层上，并且可以包括与扫描线连接单元SCL的材料相同的材料。
第一初始化电源线IPL1和第二初始化电源线IPL2可以设置在第二层间绝缘层IL2上。第一初始化电源线IPL1和第二初始化电源线IPL2可以通过多条线分别向像素提供第一初始化电源和第二初始化电源。例如，第一初始化电源线IPL1和第二初始化电源线IPL2可以通过第一连接线CNL11和CNL21、第二连接线CNL12和CNL22以及第三连接线CNL13和CNL23分别向像素提供第一初始化电源和第二初始化电源，第一连接线CNL11和CNL21连接到第一初始化电源线IPL1和第二初始化电源线IPL2，第二连接线CNL12和CNL22连接到像素，第三连接线CNL13和CNL23使第一连接线CNL11和CNL21与第二连接线CNL12和CNL22连接。
第一连接线CNL11和CNL21可以设置在第一层间绝缘层IL1上，并且可以通过设置在第二层间绝缘层IL2上的第四接触焊盘CNP4和第五接触焊盘CNP5电连接到第三连接线CNL13和CNL23。此外，第二连接线CNL12和CNL22可以设置在第一层间绝缘层IL1上，并且可以通过设置在第二层间绝缘层IL2上的第六接触焊盘CNP6和第七接触焊盘CNP7电连接到第三连接线CNL13和CNL23。即，第一连接线CNL11和CNL21以及第二连接线CNL12和CNL22可以设置在与扫描驱动连接单元SP的层相同的层上，并且可以包括与扫描驱动连接单元SP的材料相同的材料。
第三连接线CNL13和CNL23可以设置在第三层间绝缘层IL3上。即，第三连接线CNL13和CNL23可以设置在与扫描线连接单元SCL的层相同的层上，并且可以包括与扫描线连接单元SCL的材料相同的材料。
在本公开的示例性实施例中，扫描线连接单元SCL、发射控制线连接单元ECL以及第三连接线CNL13和CNL23可以与像素(在下文中，被称作“主像素”)的数据线D和第一电源线PL1交叉，其中，被称作主像素的所述像素是与像素行(例如，比第i像素行更接近第一像素区的第i-1像素行)的第二电源线PL2最接近的像素。
因此，使扫描线的扫描线连接单元SCL和另一像素连接单元SAL相连接的接触孔可以设置在连接到该扫描线的像素与第i-1像素行的主像素的数据线D之间。在此，使扫描线的扫描线连接单元SCL和另一像素连接单元SAL相连接的接触孔可以是该扫描线的像素连接单元SAU与另一像素连接单元SAL的分支点BP。
上面的详细描述例示并描述了本发明。此外，前述的内容仅代表并描述本公开的示例性实施例。如上所述，本公开可以用于各种其它组合、变化和环境中，并且可以在本说明书中公开的发明构思的范围、与公开的内容等同的范围和/或本领域的技术或知识的范围内改变或者修改。因此，发明的详细描述不意图将本公开局限于公开的示例性实施例。此外，应解释的是，所附权利要求包括其它示例性实施例。

Claims (27)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括像素区和外围区；
多个像素，设置在所述基底的所述像素区中，并且设置为多个像素行和多个像素列；
数据线，构造为向所述像素列提供数据信号；
扫描线，构造为向所述像素行提供扫描信号；
发射控制线，构造为向所述像素行提供发射控制信号；
第一电源线，构造为向所述像素列提供电源；以及
第二电源线，连接到所述第一电源线并且设置在所述外围区中，
其中，连接到第i像素行的扫描线向第i像素行施加扫描信号，从所述扫描线分支的分支线向第i+1像素行施加初始化信号，i是自然数，
所述扫描线的分支点设置在所述第i像素行的主像素与所述第二电源线之间，并且
所述第i像素行的所述主像素在所述第i像素行的像素之中最接近所述第二电源线。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素区包括第一像素区和设置在所述第一像素区的至少一侧上的第二像素区。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第二像素区的一部分的宽度随着所述第二像素区的所述部分与所述第一像素区之间的距离增大而减小。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，在所述第二像素区中，连接到第l像素行的扫描线的分支点设置在连接到与所述第l像素行不同的像素行的主像素的数据线与所述第l像素行的主像素之间，l是自然数。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述不同像素行比所述第l像素行更接近所述第一像素区。
6.根据权利要求4所述的显示装置，所述显示装置还包括：
扫描驱动器，设置在所述外围区中并连接到所述扫描线的端部；以及
发射驱动器，设置在所述外围区中并连接到所述发射控制线的端部，
其中，所述扫描驱动器设置在所述发射驱动器与所述像素区之间。
7.根据权利要求6所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一初始化电源线，设置在所述外围区中并且构造为向所述像素行提供第一初始化电源；以及
第二初始化电源线，设置在所述外围区中并且构造为向所述像素行提供第二初始化电源。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一初始化电源线和所述第二初始化电源线设置在所述扫描驱动器与所述像素区之间。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，施加到所述第一初始化电源线的电源的电压比施加到所述第二初始化电源线的电源的电压高。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述像素包括发射器件，所述发射器件包括阳极电极、阴极电极和设置在所述阳极电极与所述阴极电极之间的发射层，
施加到所述第二初始化电源线的所述电源的所述电压比施加到所述阴极电极的电源的电压高。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其中，施加到所述第一初始化电源线的所述电源的所述电压比施加到所述数据线的所述数据信号的电压低。
12.根据权利要求2所述的显示装置，其中，在所述第一像素区中，从所述扫描线分支的分支线的长度相同。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，在所述第二像素区中，从连接到所述像素行中的至少一部分像素行的所述扫描线分支的分支线的长度与从另一像素行的扫描线分支的分支线的长度不同。
14.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括像素区和外围区；
多个像素，设置在所述基底的所述像素区中，并且设置为多个像素行和多个像素列；
数据线，构造为向所述像素列提供数据信号；
扫描线，构造为向所述像素行提供从扫描驱动器施加的扫描信号；
发射控制线，构造为向所述像素行提供从发射驱动器施加的发射控制信号；
第一电源线，构造为分别向所述像素列提供电源；
第二电源线，连接到所述第一电源线并且设置在所述外围区中；以及
栅极绝缘层、第一层间绝缘层、第二层间绝缘层和第三层间绝缘层，顺序地叠置在所述基底上，
其中，所述扫描线包括：
扫描驱动连接单元，设置在所述第一层间绝缘层上，并且连接到所述外围区中的所述扫描驱动器；
第一像素连接单元，设置在所述栅极绝缘层上并且连接到一个像素行；
扫描线连接单元，设置在所述第三层间绝缘层上并且构造为连接所述扫描驱动连接单元和所述第一像素连接单元；以及
信号连接单元，设置在所述第二层间绝缘层上，通过接触孔连接到所述扫描驱动连接单元，并且在与所述第一像素连接单元交叉的方向上延伸，
连接到第i像素行的扫描线通过所述第一像素连接单元向所述第i像素行施加扫描信号，并且通过所述信号连接单元向第i+1像素行施加初始化信号，i是自然数，
所述接触孔设置在所述第i像素行的主像素与所述第二电源线之间，并且
所述第i像素行的所述主像素在所述第i像素行的像素之中最接近所述第二电源线。
15.根据权利要求14所述的显示装置，所述显示装置还包括：
另一像素连接单元，连接到所述信号连接单元和所述第i+1像素行的主像素。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述另一像素连接单元设置在所述栅极绝缘层上。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述数据线设置在所述第一层间绝缘层上，所述第一电源线和所述第二电源线设置在所述第二层间绝缘层上。
18.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述发射控制线包括：
发射驱动连接单元，设置在所述栅极绝缘层上，并且连接到所述发射驱动器；
第二像素连接单元，设置在所述栅极绝缘层上并且连接到所述多个像素；以及
发射控制线连接单元，设置在所述第三层间绝缘层上，并且构造为连接所述发射驱动连接单元和所述第二像素连接单元。
19.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述像素区包括第一像素区和设置在所述第一像素区的至少一侧上的第二像素区。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述第二像素区的一部分的宽度随着所述第二像素区的所述部分与所述第一像素区之间的距离增大而减小。
21.根据权利要求20所述的显示装置，其中，在所述第二像素区中，连接到第l像素行的扫描线的接触孔设置在连接到与所述第l像素行不同的像素行的主像素的数据线与所述第l像素行的主像素之间，l是自然数。
22.根据权利要求21所述的显示装置，其中，所述不同像素行比所述第l像素行更接近所述第一像素区。
23.根据权利要求22所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一初始化电源线，设置在所述外围区中并且构造为向所述多个像素提供第一初始化电源；以及
第二初始化电源线，设置在所述外围区中并且构造为向所述多个像素提供第二初始化电源，
所述第一初始化电源线和所述第二初始化电源线设置在所述扫描驱动器与所述像素区之间。
24.根据权利要求23所述的显示装置，其中，所述第一初始化电源线和所述第二初始化电源线中的每条连接到线，
所述线包括：
第一连接线，设置在所述第一层间绝缘层上，并且连接到所述第一初始化电源线或所述第二初始化电源线；
第二连接线，设置在所述第一层间绝缘层上并且连接到所述像素行；以及
第三连接线，设置在所述第三层间绝缘层上，并且连接到所述第一连接线和所述第二连接线。
25.根据权利要求23所述的显示装置，其中，施加到所述第一初始化电源线的电源的电压比施加到所述第二初始化电源线的电源的电压高。
26.根据权利要求25所述的显示装置，其中，所述像素包括发射器件，所述发射器件包括阳极电极、阴极电极和设置在所述阳极电极与所述阴极电极之间的发射层，
施加到所述第二初始化电源线的所述电源的所述电压比施加到所述阴极电极的电源的电压高。
27.根据权利要求26所述的显示装置，其中，施加到所述第一初始化电源线的所述电源的所述电压比施加到所述数据线的所述数据信号的电压低。
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