CN107493114A - 射频电路、天线装置及电子设备 - Google Patents

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CN107493114A CN201710614400.5A CN201710614400A CN107493114A CN 107493114 A CN107493114 A CN 107493114A CN 201710614400 A CN201710614400 A CN 201710614400A CN 107493114 A CN107493114 A CN 107493114A
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丛明
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    • HELECTRICITY
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    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
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    • H04L5/0007Time-frequency the frequencies being orthogonal, e.g. OFDM(A), DMT
    • H04L5/001Time-frequency the frequencies being orthogonal, e.g. OFDM(A), DMT the frequencies being arranged in component carriers

Abstract

本发明实施例提供一种射频电路、天线装置及电子设备。该射频电路包括射频收发器、射频电路开关芯片、合路器以及天线,该射频电路开关芯片包括第一相位偏移组件、第二相位偏移组件、第一开关、第二开关、第三开关;该第一相位偏移组件的输入端连接该射频收发器的高频发射端口,该第一相位偏移组件的输出端连接该第一开关的输入端;该第二相位偏移组件的输入端连接该射频收发器的中频发射端口,该第二相位偏移组件的输出端连接该第二开关的输入端;该第三开关的输入端连接该射频收发器的低频发射端口。本发明实施例提供的射频电路,能够控制不同频段的射频信号进行载波聚合,从而可以提高电子设备对射频信号进行载波聚合的多样性。

Description

射频电路、天线装置及电子设备
技术领域
[0001]本发明涉及通信技术领域,尤其涉及一种射频电路、天线装置及电子设备。
背景技术
[0002]随着通信技术的发展,移动终端能够支持的通信频段越来越多。例如,LTE (Long Term Evolution,长期演进)通信信号可以包括频率在7〇〇MHz至2700MHz之间的信号。
[0003]移动终端能够支持的射频信号可以分为低频信号、中频信号和高频信号。其中,低 频信号、中频信号以及高频信号各自又包括多个子频段信号。每个子频段信号都需要通过 天线发射到外界。
[0004]由此,产生了载波聚合(Carrier Aggregation,简称CA)技术。通过载波聚合,可以 将多个子频段信号聚合在一起,以提高网络上下行传输速率。
[0005]目前,全球各个通信市场的频率资源互不相同。不同区域的通信运营商拥有不同 的通信频谱分配,因此也就存在不同的载波聚合的频段组合需求,也存在不需要进行载波 聚合的频段需求。然而,当前的移动终端能够收发的射频信号或载波聚合信号的频段单一, 缺乏多样性,无法满足上述需求。
发明内容
[0006] 本发明实施例提供一种射频电路、天线装置及电子设备,可以提高电子设备进行 载波聚合的多样性。
[0007] 本发明实施例提供一种射频电路,包括射频收发器、射频电路开关芯片、合路器以 及天线,所述射频收发器、射频电路开关芯片、合路器以及天线依次连接;
[0008] 所述射频电路开关芯片包括第一相位偏移组件、第二相位偏移组件、第一开关、第 二开关、第三开关;
[0009] 所述第一相位偏移组件的输入端连接所述射频收发器的高频发射端口,所述第一 相位偏移组件的输出端连接所述第一开关的输入端;
[0010] 所述第二相位偏移组件的输入端连接所述射频收发器的中频发射端口,所述第二 相位偏移组件的输出端连接所述第二开关的输入端;
[0011] 所述第三开关的输入端连接所述射频收发器的低频发射端口;
[0012] 所述第一开关和第二开关的输出端连接形成开关输出端口,所述开关输出端口位 于所述射频电路开关芯片的内部,所述开关输出端口和所述第三开关的输出端连接至所述 合路器的输入端; 、&
[0013] 当所述第一开关和所述第二开关将所述第一相位偏移组件以及所述桌一相位偏 移组件均与所述合路器接通,且所述第三开关接通所述低频发射端口和所述合路器时,所 述第一相位偏移组件将所述高频发射端口输出的高频射频信号的相位偏移量调整至第厂 预设值,所述第二相位偏移组件将所述中频发射端口输出的中频射频信号的相位偏移裏^周 整至第二预设值,以使所述高频射频信号的传输通路相对于所述中频射频彳目号截止,所述 中频射频信号的传输通路相对于所述高频射频信号截止,从而使得所述高频射频信号以及 所述中频射频信号实现载波聚合以得到聚合信号,所述合路器将所述聚合信号以及所述低 频发射端口输出的低频射频信号载波聚合。
[0014] 本发明实施例还提供一种天线装置,包括上述射频电路。
[0015] 本发明实施例还提供一种电子设备,包括壳体和电路板,所述电路板安装在所述 壳体内部,所述电路板上设置有射频电路,所述射频电路为上述射频电路。
[0016] 本发明实施例提供的射频电路,能够控制不同频段的射频信号进行载波聚合,从 而可以提高电子设备对射频信号进行载波聚合的多样性。
附图说明
[0017] 为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使 用的附图作简单地介绍。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于 本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附 图。
[0018] 图1是本发明实施例提供的电子设备的结构示意图。
[0019] 图2是本发明实施例提供的射频电路的第一种结构示意图。
[0020] 图3是本发明实施例提供的射频电路的第二种结构示意图。
[0021]图4是本发明实施例提供的射频电路的第三种结构示意图。
[0022]图5是本发明实施例提供的射频电路的第四种结构示意图。
[0023]图6是本发明实施例提供的射频电路开关芯片的第一种结构示意图。
[0024] 图7是本发明实施例提供的射频电路开关芯片的第二种结构示意图。
[0025] 图8是本发明实施例提供的射频电路开关芯片的第三种结构示意图。
[0026] 图9是本发明实施例提供的射频电路开关芯片的第四种结构示意图。
[0027] 图10是本发明实施例提供的射频电路的第五种结构示意图。
[0028] 图11是本发明实施例提供的电子设备的另一结构示意图。
具体实施方式
[0029]下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施 例,都属于本发明保护的范围。
[0030] 在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、 “厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时 针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于 描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特 定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于 描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。 由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在 本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
[0031]在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相 连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可 以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间 接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术 人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
[0032] 在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下” 可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它 们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特 征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在 第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示 第一特征水平高度小于第二特征。
[0033] 下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了 简化本发明的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并 且目的不在于限制本发明。此外,本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母, 这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的 关系。此外,本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以 意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
[0034]本发明实施例提供一种电子设备。该电子设备可以是智能手机、平板电脑等设备。 参考图1,电子设备100包括盖板101、显示屏102、电路板103以及壳体104。
[0035] 其中,盖板101安装到显示屏102上,以覆盖显示屏102。盖板101可以为透明玻璃盖 板。在一些实施例中,盖板101可以是用诸如蓝宝石等材料制成的玻璃盖板。
[0036]显示屏102安装在壳体104上,以形成电子设备100的显示面。显示屏102可以包括 显示区域102A和非显示区域102B。显示区域102A用于显示图像、文本等信息。非显示区域 102B不显示信息。非显示区域102B的底部可以设置指纹模组、触控电路等功能组件。
[0037] 电路板103安装在壳体104内部。电路板103可以为电子设备100的主板。电路板103 上可以集成有摄像头、接近传感器以及处理器等功能组件。同时,显示屏102可以电连接至 电路板103。
[0038] 在一些实施例中,电路板103上设置有射频(RF,Radio Frequency)电路。射频电路 可以通过无线网络与网络设备(例如,服务器、基站等)或其他电子设备(例如,智能手机等) 通信,以完成与网络设备或其他电子设备之间的信息收发。
[0039] 在一些实施例中,如图2所示,射频电路200包括射频收发器21、功率放大单元22、 滤波单元23、射频电路开关芯片24、合路器25以及天线26。其中,功率放大单元22、滤波单元 23、射频电路开关芯片24、合路器25以及天线26依次连接。
[0040]射频收发器21具有发射端口 TX和接收端口 RX。发射端口 TX用于发射射频信号(上 行信号),接收端口RX用于接收射频信号(下行信号)。射频收发器21的发射端口TX与功率放 大单元22连接,接收端口 RX与滤波单元23连接。
[0041]功率放大单元22用于对射频收发器21发射的上行信号进行放大,并将放大后的上 行信号发送到滤波单元23。
[0042]滤波单元23用于对射频收发器21发射的上行信号进行滤波,并将滤波后的上行信 号发送到天线26。滤波单元23还用于对天线26接收的下行信号进行滤波,并将滤波后的下 行信号发送到射频收发器21。
[0043] 射频电路开关芯片24用于选择性接通射频收发器21与天线26之间的通信频段。射 频电路开关芯片24的详细结构和功能将在下文进行描述。
[0044] 合路器25可以为双频合路器。合路器25的输出端连接到天线26。
[0045]天线26用于将射频收发器21发送的上行信号发射到外界,或者从外界接收射频信 号,并将接收到的下行信号发送到射频收发器21。
[0046] 在一些实施例中,如图3所示,射频电路200还包括控制电路27。其中,控制电路27 与射频电路开关芯片24连接。控制电路27还可以与电子设备100中的处理器连接,以根据处 理器的指令控制射频电路开关芯片24的状态。
[0047] 在一些实施例中,如图4所示,射频收发器21包括高频端口 21H、中频端口 21M以及 低频端口 21L。其中,高频端口 21H、中频端口 21M、低频端口 21L可以分别包括多个射频发射 端口和多个射频接收端口。高频端口 21H用于收发高频射频信号,中频端口 21M用于收发中 频射频信号,低频端口 21L用于收发低频射频信号。
[0048]需要说明的是,上述高频射频信号、中频射频信号、低频射频信号只是相对概念, 并无绝对的频率范围区分。
[0049] 例如,射频收发器21包括9个射频发射端口 al、a2、a3、a4、a5、a6、a7、a8、a9,&&9 个射频接收端口 bl、b2、b3、b4、b5、b6、b7、b8、b9。
[0050] 其中,al、a2、a3为高频发射端口,用于发射高频射频信号(例如,band7、band40、 匕&11(141等频段的射频信号)。1314243为高频接收端口,用于接收高频射频信号。&4、&5、&6 为中频发射端口,用于发射中频射频信号(例如,bandl、band2、band3等频段的射频信号)。 b4、b5、b6为中频接收端口,用于接收中频射频信号。a7、a8、a9为低频发射端口,用于发射低 频射频信号(例如,band8、bandl2、band20等频段的射频信号)上7士8士9为低频接收端口, 用于接收低频射频信号。
[0051] 需要说明的是,上述实施例仅以射频收发器21的高频端口 21H、中频端口 21M、低频 端口 21L分别包括3个射频发射端口和3个射频接收端口为例进行说明。在其他一些实施例 中,高频端口 21H、中频端口 21M、低频端口 21L还可以分别包括其他数量的射频发射端口和 射频接收端口。只需满足高频端口 21H、中频端口 21M、低频端口 21L各自所包括的射频发射 端口和射频接收端口的数量相同并且大于1即可。
[0052] 功率放大单元 22 包括 9 个放大器 221、222、223、224、225、226、227、228、229。其中, 放大器221、222、223、224、225、226、227、228、229分别与射频收发器21的射频发射端口 al、 a2、a3、a4、a5、a6、a7、a8、a9 连接。
[0053] 滤波单元23包括9个双工器231、232、233、234、235、236、237、238、239。其中,双工 器 231、232、233、234、235、236、237、238、239分别与放大器221、222、223、224、225、226、227、 228、229连接。并且,双工器 231、232、233、234、235、236、237、238、239分别与射频收发器21 的射频接收端口 13142、匕34445、匕6474849连接。
[0054] 射频电路开关芯片24的输入端包括9个子输入端口 cl、c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、 c9。其中,子输入端口〇1、〇2、〇3、〇4、〇5、〇6、。7、〇8、〇9分别与双工器231、232、233、234、235、 236、237、238、239连接。
[0055] 在一些实施例中,如图5所示,滤波单元23包括滤波器231、滤波器232以及7个双工 器233、234、235、236、237、238、239。其中,滤波器231、滤波器232以及7个双工器233、234、 235、236、237、238、239分别与放大器221、222、223、224、225、226、227、228、229连接。并且, 滤波器231、滤波器232以及7个双工器233、234、235、236、237、238、239分别与射频收发器21 的射频接收端口 bl、12、匕344、匕5、匕647、匕8、匕9连接。
[0056] 射频电路开关芯片24的输入端包括9个子输入端口 cl、c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、 c9。其中,子输入端口〇1、〇2<3、〇4、〇5、〇6、〇7、〇8、〇9分别与滤波器231、滤波器232以及7个 双工器233、234、235、236、237、238、239连接。
[0057] 需要说明的是,上述实施例仅以滤波单元23包括2个滤波器以及7个双工器为例进 行说明。在其他一些实施例中,滤波单元23还可以包括其他数量的滤波器和双工器。
[0058] 在长期演进(Long Term Evolution,简称LTE)通讯网络中,根据双工方式的不同, LTE的通讯频段分为频分双工(Frequency Division Duplex,简称FDD)和时分双工(Time Division Duplex,简称TDD)两种类型。处在FDD模式下的通讯频段,上下行通讯链路使用不 同的频率,此时射频电路中需要双工器对上下行通讯信号进行滤波处理。处在TDD模式下的 通讯频段,上下行通讯链路使用相同的频率,在不同的时隙进行射频信号的传输,此时射频 电路中需要滤波器对上下行通讯信号进行滤波处理。
[0059]因此,实际应用中,滤波单元23中包括的滤波器数量和双工器数量取决于射频收 发器21发射的各个频段的射频信号所处的双工模式。处于FDD模式的频段,射频发射端口和 射频接收端口连接的是双工器;处于TDD模式的频段,射频发射端口和射频接收端口连接的 是滤波器。例如,bandl、band2频段工作在FDD模式,bandl、band2射频信号的发射端口和接 收端口连接的是双工器;而band40、band41频段工作在TDD模式,band40、band41射频信号的 发射端口和接收端口连接的是滤波器。
[0060]请参阅图6,在一些实施方式中,射频电路开关芯片24可以包括第一开关241、第二 开关2犯、第三开关243、第一相位偏移组件245、第二相位偏移组件246。
[0061]其中,第一开关241可以为单刀多掷开关。第一开关241包括多个子输入端口。例 如,第一开关241包括3个子输入端口 〇1、£;2、〇3。第一开关241的输出端可以连接至(;1、£;2、£;3 中的任意一个子输入端口。
[0062]第二开关242可以为单刀多掷开关。第一开关242包括多个子输入端口。例如,第二 开关242包括3个子输入端口 c4、c5、c6。第二开关242的输出端可以连接至c4、c5、c6中的任 意一个子输入端口。
[0063]第三开关2似也可以为单刀多掷开关。第三开关料3包括多个子输入端口。例如,第 二开关243包括3个子输入端口 〇7、(:8、(:9。第三开关243的输出端可以连接至(:7、(38、(:9中的 任意一个子输入端口。
[OOM]第一相位偏移组件2妨的输入端可以连接射频收发器21的高频发射端口,第一相 位偏移组件245的输出端可以连接第一开关241的输入端。
[0065]第二相位偏移组件246的输入端可以连接射频收发器21的中频发射端口,第二相 位偏移组件246的输出端可以连接第二开关242的输入端。
[0066]第三开关2幻的输入端可以连接射频收发器21的低频发射端口。
[0067]第一开关241和第二开关242的输出端可以连接形成开关输出端口,该开关输出端 口可以位于射频电路开关芯片24的内部,该开关输出端口和第三开关243的输出端可以连 接至合路器25的输入端。
[0068] 在一种实施方式中,当第一开关241和第二开关242将第一相位偏移组件245以及 第二相位偏移组件2邮均与合路器25接通,且第三开关243接通射频收发器21的低频发射端 口和合路器25时,第一相位偏移组件245可以将射频收发器21的高频发射端口输出的高频 射频信号的相位偏移量调整至第一预设值,第二相位偏移组件246可以将射频收发器21的 中频发射端口输出的中频射频信号的相位偏移量调整至第二预设值,以使高频射频信号的 传输通路相对于中频射频信号截止,中频射频信号的传输通路相对于高频射频信号截止, 从而使得高频射频信号以及中频射频信号实现载波聚合以得到聚合信号,合路器25还可以 将该聚合信号以及射频收发器21的低频发射端口输出的低频射频信号进行载波聚合。
[0069] 在另一些实施方式中,当第一开关241的输出端连接至cl、c2、c3中的任意一个子 输入端口,且第二开关242断开连接、第三开关243断开连接时,射频电路可以发射高频射频 信号。
[0070] 当第二开关242的输出端连接至C4、c5、c6中的任意一个子输入端口,且第一开关 241断开连接、第三开关243断开连接时,射频电路可以发射中频射频信号。
[0071]当第三开关243的输出端连接至c7、c8、c9中的任意一个子输入端口,且第一开关 241断开连接、第二开关242断开连接时,射频电路可以发射低频频射频信号。
[0072]当第一开关241的输出端连接至cl、c2、c3中的任意一个子输入端口,第二开关242 的输出端连接至C4、c5、c6中的任意一个子输入端口,且第三开关243断开连接时,射频电路 可以实现对高频射频信号和中频射频信号的载波聚合。
[0073]当第一开关241的输出端连接至cl、c2、c3中的任意一个子输入端口,第三开关243 的输出端连接至c7、c8、c9中的任意一个子输入端口,且第二开关242断开连接时,射频电路 可以实现对高频射频信号和低频射频信号的载波聚合。
[0074]当第二开关242的输出端连接至c4、c5、c6中的任意一个子输入端口,第三开关243 的输出端连接至c7、c8、c9中的任意一个子输入端口,且第一开关241断开连接时,射频电路 可以实现对中频射频信号和低频射频信号的载波聚合。
[0075]当第一开关241的输出端连接至cl、c2、c3中的任意一个子输入端口,第二开关242 的输出端连接至c4、c5、c6中的任意一个子输入端口,且第三开关243的输出端连接至C7、 c8、c9中的任意一个子输入端口时,射频电路可以实现对高频射频信号、中频射频信号和低 频射频信号的载波聚合。
[0076] 请参阅图7,在一种实施方式中,射频开关芯片24可以包括第一输出端口 247和第 二输出端口 248。第一开关241和第二开关242的输出端连接形成的开关输出端口可以和第 一输出端口 247连接,第三开关243的输出端可以和第二输出端口 248连接,第一输出端口 247和第二输出端口 248连接至合路器25的输入端。
[0077]在一些实施方式中,射频收发器21的高频发射端口的数量至少为两个,第一相位 偏移组件245可以至少包括两个第一相位偏移器。每一高频发射端口可以分别通过一个第 一相位偏移器与第一开关241连接,第一开关241用于将每一个第一相位偏移器与合路器25 接通。
[0078] 例如,如图7所示,第一相位偏移组件245可以包括3个相位偏移器2451、2452、 2453。这3个相位偏移器2451、2452、2453分别与第一开关241的3个子输入端口 cl、c2、c3连 接。
[0079]在一些实施方式中,射频收发器21的中频发射端口的数量可以至少为两个,第二 相位偏移组件246可以至少包括两个第二相位偏移器,每一个中频发射端口可以分别通过 一个第二相位偏移器与第二开关242连接,第二开关242用于将每一个第二相位偏移器与合 路器25接通。
[0080] 例如,如图7所示,第二相位偏移组件246可以包括3个相位偏移器2461、2462、 2463。这3个相位偏移器2461、2462、2463分别与第二开关242的3个子输入端口 c4、c5、c6连 接。
[0081]在一些实施方式中,一个相位偏移器的输入端可以与射频收发器中的一个射频端 口(高频发射端口或中频发射端口)连接。而在另一些实施方式中,一个相位偏移器的输入 端可以与射频收发器中的至少两个射频端口(如两个高频发射端口,或两个中频发射端口) 连接。
[0082] 请参阅图8,例如相位偏移器2451的输入端与射频收发器21中Band40频段对应的 端口连接,相位偏移器2461的输入端与射频收发器21中的Bandl和Band3频段对应的端口连 接。
[0083]当第一开关241的输出端连接cl端口,第二开关242的输出端连接c4端口,且第三 开关243断开连接时,通过相位偏移(Phase Shift),第一相位偏移组件245中的相位偏移器 2451可以将射频收发器21的高频发射端口输出的Band40信号的相位偏移量调整至第一预 设值,第二相位偏移组件246中的相位偏移器2461可以将射频收发器21的中频发射端口输 出的Bandl和Band3信号的相位偏移量调整至第二预设值,以使Bandl和Band3信号的传输通 路相对于Band4(H目号截止,Band40信号的传输通路相对于Bandl和Band3信号截止,从而使 得高频射频信号以及中频射频信号实现载波聚合以得到聚合信号。
[0084]可以理解的是,通过相位偏移,在实现载波聚合的同时,还可以使射频通路的频率 插入损耗变小。
[0085]请参阅图9,在另一种实施方式中,射频电路还可以为双天线设计。例如,射频开关 芯片24可以包括第一输出端口 247和第二输出端口 248。第一开关241和第二开关242的输出 端连接形成的开关输出端口可以和第一输出端口 247连接,第一输出端口 247可以和天线 261连接。第三开关2似的输出端可以和第二输出端口 248连接,第二输出端口 248可以和天 线262连接。
[0086]请参阅图10,射频电路200可以包括射频收发器21、功率放大单元22、滤波单元23、 射频电路开关芯片24、合路器25以及天线26。其中,功率放大单元22、滤波单元23、射频电路 开关芯片24、合路器25以及天线26依次连接。
[0087] 射频电路开关芯片24可以包括第一开关241、第二开关242、第三开关料3、第一相 位偏移组件245、第二相位偏移组件246。
[0088]其中,第一开关241可以为单刀多掷开关。第一开关241包括多个子输入端口。例 如,第一开关241包括3个子输入端口 (:1、〇2、(:3。第一开关241的输出端可以连接至(:1、(;2、(:3 中的任意一个子输入端口。
[0089] 第二开关242可以为单刀多掷开关。第一开关对2包括多个子输入端口。例如,第二 开关242包括3个子输入端口 〇4、(;5、(:6。第二开关242的输出端可以连接至(;4、〇5、(;6中的任 意一个子输入端口。
[0090]第三开关243也可以为单刀多掷开关。第三开关243包括多个子输入端口。例如,第 二开关243包括3个子输入端口 (^、(^、(^。第三开关料加勺输出端可以连接至以^心⑸中的 任意一个子输入端口。
[0091]第一相位偏移组件2妨的输入端可以连接射频收发器21的高频发射端口,第一相 位偏移组件24f5的输出端可以连接第一开关241的输入端。
[0092]第二相位偏移组件246的输入端可以连接射频收发器21的中频发射端口,第二相 位偏移组件246的输出端可以连接第二开关242的输入端。
[0093]第三开关243的输入端可以连接射频收发器21的低频发射端口。
[0094]第一开关241和第二开关2似的输出端可以连接形成开关输出端口,该开关输出端 口可以位于射频电路开关芯片24的内部,该开关输出端口和第三开关243的输出端可以连 接至合路器25的输入端。
[0095]在一种实施方式中,当第一开关241和第二开关242将第一相位偏移组件245以及 第二相位偏移组件246均与合路器25接通,且第三开关243接通射频收发器21的低频发射端 口和合路器25时,第一相位偏移组件2妨可以将射频收发器21的高频发射端口输出的高频 射频信号的相位偏移量调整至第一预设值,第二相位偏移组件246可以将射频收发器21的 中频发射端口输出的中频射频信号的相位偏移量调整至第二预设值,以使高频射频信号的 传输通路相对于中频射频信号截止,中频射频信号的传输通路相对于高频射频信号截止, 从而使得高频射频信号以及中频射频信号实现载波聚合以得到聚合信号,合路器25还可以 将该聚合信号以及射频收发器21的低频发射端口输出的低频射频信号进行载波聚合。 t〇〇96] 在另一些实施方式中,当第一开关241的输出端连接至cl、c2、c3中的任意一个子 输入端口,且第二开关242断开连接、第三开关243断开连接时,射频电路可以发射高频射频 信号。
[0097]当第二开关242的输出端连接至C4、c5、c6中的任意一个子输入端口,且第一开关 241断开连接、第三开关M3断开连接时,射频电路可以发射中频射频信号。
[0098] 当第三开关243的输出端连接至C7、c8、c9中的任意一个子输入端口,且第一开关 241断开连接、第二开关242断开连接时,射频电路可以发射低频频射频信号。
[0099] 当第一开关241的输出端连接至cl、c2、c3中的任意一个子输入端口,第二开关242 的输出端连接至c4、c5、c6中的任意一个子输入端口,且第三开关243断开连接时,射频电路 可以实现对高频射频信号和中频射频信号的载波聚合。
[0100] 当第一开关241的输出端连接至cl、c2、c3中的任意一个子输入端口,第三开关243 的输出端连接至c7、c8、c9中的任意一个子输入端口,且第二开关242断开连接时,射频电路 可以实现对高频射频信号和低频射频信号的载波聚合。
[0101]当第二开关242的输出端连接至c4、c5、c6中的任意一个子输入端口,第三开关243 的输出端连接至c7、c8、c9中的任意一个子输入端口,且第一开关241断开连接时,射频电路 可以实现对中频射频信号和低频射频信号的载波聚合。
[0102]当第一开关241的输出端连接至cl、c2、c3中的任意一个子输入端口,第二开关242 的输出端连接至c4、c5、c6中的任意一个子输入端口,且第三开关243的输出端连接至c7、 c8、c9中的任意一个子输入端口时,射频电路可以实现对高频射频信号、中频射频信号和低 频射频信号的载波聚合。
[0103]继续参考图1。其中,壳体104用于形成电子设备1〇〇的外部轮廓。壳体104的材质可 以为塑料或金属。壳体104可以一体成型。
[0104] 参考图11,图11为本发明实施例提供的电子设备100的另一结构示意图。电子设备 100包括天线装置10、存储器20、显示单元30、电源40以及处理器50。本领域技术人员可以理 解,图11中示出的电子设备100的结构并不构成对电子设备100的限定。电子设备100可以包 括比图示更多或更少的部件,或者组合某些部件,或者不同的部件布置。
[0105] 其中,天线装置10包括上述任一实施例中所描述的射频电路200。天线装置10可以 通过无线网络与网络设备(例如,服务器)或其他电子设备(例如,智能手机)通信,完成与网 络设备或其他电子设备之间的信息收发。
[0106] 存储器20可用于存储应用程序和数据。存储器20存储的应用程序中包含有可执行 程序代码。应用程序可以组成各种功能模块。处理器50通过运行存储在存储器20的应用程 序,从而执行各种功能应用以及数据处理。
[0107] 显示单元30可用于显示由用户输入到电子设备100的信息或提供给用户的信息以 及电子设备100的各种图形用户接口。这些图形用户接口可以由图形、文本、图标、视频和其 任意组合来构成。显示单元30可包括显不面板。
[0108] 电源40用于给电子设备100的各个部件供电。在一些实施例中,电源40可以通过电 源管理系统与处理器50逻辑相连,从而通过电源管理系统实现管理充电、放电、以及功耗管 理等功能。
[0109] 处理器50是电子设备100的控制中心。处理器50利用各种接口和线路连接整个电 子设备100的各个部分,通过运行或执行存储在存储器20内的应用程序,以及调用存储在存 储器20内的数据,执行电子设备100的各种功能和处理数据,从而对电子设备1〇〇进行整体 监控。
[0110] 此外,电子设备100还可以包括摄像头模块、蓝牙模块等,在此不再赘述。
[0111] 以上对本发明实施例提供的射频电路开关芯片、射频电路、天线装置及电子设备 进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实 施例的说明只是用于帮助理解本发明。同时,对于本领域的技术人员,依据本发明的思想, 在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本 发明的限制。

Claims (10)

1. 一种射频电路,其特征在于,包括射频收发器、射频电路开关芯片、合路器以及天线, 所述射频收发器、射频电路开关芯片、合路器以及天线依次连接; 所述射频电路开关芯片包括第一相位偏移组件、第二相位偏移组件、第一开关、第二开 关、第二开关; 所述第一相位偏移组件的输入端连接所述射频收发器的高频发射端口,所述第一相位 偏移组件的输出端连接所述第一开关的输入端; _ 所述第二相位偏移组件的输入端连接所述射频收发器的中频发射端口,所述第二相位 偏移组件的输出端连接所述第二开关的输入端; 所述第三开关的输入端连接所述射频收发器的低频发射端口; 所述第一开关和第二开关的输出端连接形成开关输出端口,所述开关输出端口位于所 述射频电路开关芯片的内部,所述开关输出端口和所述第三开关的输出端连接至所述合路 器的输入端; 当所述第一开关和所述第二开关将所述第一相位偏移组件以及所述第二相位偏移组 件均与所述合路器接通,且所述第三开关接通所述低频发射端口和所述合路器时,所述第 一相位偏移组件将所述高频发射端口输出的高频射频信号的相位偏移量调整至第一预设 值,所述第二相位偏移组件将所述中频发射端口输出的中频射频信号的相位偏移量调整至 第二预设值,以使所述高频射频信号的传输通路相对于所述中频射频信号截止,所述中频 射频信号的传输通路相对于所述高频射频信号截止,从而使得所述高频射频信号以及所述 中频射频信号实现载波聚合以得到聚合信号,所述合路器将所述聚合信号以及所述低频发 射端口输出的低频射频信号载波聚合。
2. 根据权利要求1所述的射频电路,其特征在于,所述射频开关芯片包括第一输出端口 和第二输出端口,所述开关输出端口和所述第一输出端口连接,所述第三开关的输出端和 所述第二输出端口连接,所述第一输出端口和所述第二输出端口连接至所述合路器的输入
3. 根据权利要求1所述的射频电路,其特征在于,所述第一开关、所述第二开关和所述 第三开关均为单刀多掷开关。
4. 根据权利要求1所述的射频电路,其特征在于,所述高频发射端口的数量至少为两 个,所述第一相位偏移组件至少包括两个第一相位偏移器,每一所述闻频发射端口分别通 过一所述第一相位偏移器与所述第一开关连接,所述第一开关用于将每一所述第一相位偏 移器与所述合路器接通。
5. 根据权利要求1所述的射频电路,其特征在于,所述中频发射端口的数量至少为两 个,所述第二相位偏移组件至少包括两个第二相位偏移器,每一所述中频发射端口分别通 过一所述第二相位偏移器与所述第二开关连接,所述第二开关用于将每一所述第二相位偏 移器与所述合路器接通。 _
6. 根据权利要求1所述的射频电路,其特征在于,所述高频发射端口包括Nl个不同频段 的子发射端口,所述第一开关的输入端包括Ni个高频子输入端口,所述Ni个子发射端口与所 述Nr个高频子输入端口一一连接; 、 ^ 所述中频端口包括N2个不同频段的子发射端口,所述第二开关的输入纟而包括N2个中步义 子输入端口,所述N2个子发射端口与所述N2个中频子输入端口 连接; 所述低频端口包括N3个不同频段的子发射端口,所述第三开关的输入端包括N3个低频 子输入端口,所述N3个子发射端口与所述N3个低频子输入端口 连接; 其中,阶、他、他均为大于1的自然数。 、
7. 根据权利要求6所述的射频电路,其特征在于,所述高频发射端口的每一个子发射端 口与所述第一开关的每一个对应高频子输入端口之间、所述中频发射端口的每一个子发射 端口与所述第二开关的每一个对应中频子输入端口之间、所述低频端口的每一个子发射端 口与所述第三开关的每一个对应低频子输入端口之间均连接有功率放大器。
8. 根据权利要求6所述的射频电路,其特征在于,所述高频发射端口的每一个子发射端 口与所述第一开关的每一个对应高频子输入端口之间、所述中频端口的每一个子发射端口 与所述第二开关的每一个对应中频子输入端口之间、所述低频端口的每一个子发射端口与 所述第三开关的每一个对应低频子输入端口之间均连接有双工器或滤波器。
9. 一种天线装置,其特征在于,所述天线装置包括权利要求1至8任一项所述的射频电 路。
10. —种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括壳体和电路板,所述电路板安装在 所述壳体内部,所述电路板上设置有射频电路,所述射频电路为权利要求1至8任一项所述 的射频电路。
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