CN107445245B - 一种用于污水处理的中压紫外线处理系统 - Google Patents
一种用于污水处理的中压紫外线处理系统 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种用于污水处理的中压紫外线处理系统，包括支撑架、紫外线处理装置和固定在所述支撑架上的输水管和供电电源，在所述输水管的两端截面上分别设置有入水口和出水口，在输水管的顶端设有多个放置所述紫外线处理装置的容器腔体，该容器腔体的一端设有伸入所述输水管内的透明辐射窗，所述容器腔体的另一端置于输水管之外且设置有固定所述紫外线处理装置的支撑座，所述容器腔体的外壁与所述输水管顶端的管壁通过螺纹密封连接，所述供电电源与所述紫外线处理装置电气连接。本发明的中压紫外线处理系统可以快速地进行杀毒灭菌操作，杀毒灭菌能力强，该系统清洗或更换时都比较方便。
Description
技术领域
本发明涉及污水净化处理技术领域，尤其涉及一种用于污水处理的中压紫外线处理系统。
背景技术
中压紫外线处理系统是利用中高强度的紫外线杀菌灯照射，破坏细菌和病毒的DNA等内部结构，从而达到杀灭水中病原微生物的消毒设备。目前为止我国绝大多数自来水厂均采用单一的氯法消毒。氯法消毒具有一定的局限性和不稳定性，而且氯法消毒还会对水产生二次污染，从而危害人体或污染水环境；而紫外线杀毒处理系统不仅可以杀灭各类原生单细胞细菌和病毒，而且没有化学副产物，绿色环保，占用空间小，安装操作简单，运行费用低，工作寿命长等优势，然而，由于污水容易使污水处理设备脏污，维护起来麻烦，压紫外线处理系统清洗或更换都需要停止污水设备运行，维护成本高，而且不能防水，杀菌能力也不够强。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于污水处理的中压紫外线处理系统，根据本发明的中压紫外线处理系统可以快速地进行杀毒灭菌操作，杀毒灭菌能力强，该系统清洗或更换时都比较方便，安装和拆卸时可以有效地保证紫外线处理装置不受损伤，而且可以不需要停止运行，输水管而且不能防水，为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
根据本发发明的一个方面，提供了一种用于污水处理的中压紫外线处理系统，其特征在于：包括支撑架、紫外线处理装置和固定在所述支撑架上的输水管和供电电源，在所述输水管的两端截面上分别设置有入水口和出水口，在输水管的顶端设有多个放置所述紫外线处理装置的容器腔体，该容器腔体的一端设有伸入所述输水管内的透明辐射窗，所述容器腔体的另一端置于输水管之外且设置有固定所述紫外线处理装置的支撑座，所述容器腔体的外壁与所述输水管顶端的管壁通过螺纹密封连接，所述供电电源与所述紫外线处理装置电气连接。
所述紫外线处理装置包括紫外线灯管、紫光灯和紫光灯电压转换接头，该紫光灯的一端伸入至紫外线灯管的底部，该紫光灯的另一端通过所述紫光灯电压转换接头固定连接在所述紫外线灯管的开口处，从而使所述紫光灯通过所述紫光灯电压转换接头密封设置在所述紫外线灯管内，在所述紫外线灯管的底端外壁上设置有金属栅网和工作腔体，所述工作腔体包覆在所述紫外线灯管的底端外壁与所述金属栅网之间，在所述工作腔体内充有汞和惰性气体。
所述紫外线灯管为圆柱形或球形的透明石英管，其直径为60mm-80mm。
在所述紫外线灯管外部的侧壁上设置有防覆层，该防覆层由介质层和硅胶层组成，所述介质层由氧化硅、氧化铝、氧化镁中的一种或多种混合而成。
所述紫光灯的数量不少于两个且呈串联或并联连接，其功率不小于400w，所述紫光灯输出光线波长为185nm-285nm之间。
在所述透明辐射窗处设置有储存腔室，在所述储存腔室内充有汞和惰性气体。
本发明采用了上述技术方案，本发明具有以下技术效果：
本发明的中压紫外线处理系统是通过在输水管上安装紫外线处理装置，对流过输水管内的水进行杀毒消毒，该系统的清洗或更换时都比较方便，安装和拆卸时可以有效地保证紫外线处理装置不受损伤，而且可以不需要停止运行，输水管而且不能防水，杀菌能强。
附图说明
图1是本发明一种用于污水处理的中压紫外线处理系统的结构示意图；
图2是本发明的紫外线处理装置的结构示意图；
附图中，1-支撑架，2-输水管，3-入水口，4-出水口，5-容器腔体，6-紫外线处理装置，7-供电电源，50-透明辐射窗，51-储存腔室，60-紫外线灯管，61-紫光灯，62-紫光灯电压转换接头，63-金属栅网，64-工作腔体，65-防覆层。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下参照附图并举出优选实施例，对本发明进一步详细说明。然而，需要说明的是，说明书中列出的许多细节仅仅是为了使读者对本发明的一个或多个方面有一个透彻的理解，即便没有这些特定的细节也可以实现本发明的这些方面。
如图1所示，根据本发明的一种用于污水处理的中压紫外线处理系统，包括支撑架1、紫外线处理装置6和固定在所述支撑架1上的输水管2和供电电源7，在所述输水管2的两端截面上分别设置有入水口3和出水口4，在输水管2的顶端设有多个放置所述紫外线处理装置6的容器腔体5，该容器腔体5的一端设有伸入所述输水管2内的透明辐射窗50，所述容器腔体5的另一端置于输水管2之外且设置有固定所述紫外线处理装置6的支撑座51，所述容器腔体5的外壁与所述输水管2顶端的管壁通过螺纹密封连接，从而可以方便拆卸进行清洗，所述供电电源7与所述紫外线处理装置电气连接，所述供电电源7的电压大小为380V，当水从入水口3进入输水管2然后流过紫外线处理装置6时，紫外线处理装置6发射出的紫外线对水进行杀毒灭菌处理，杀毒灭菌处理之后的水从出水口4排出，控制入水口3和出水口的流速可以较好地控制杀毒效果。
如图2所示，所述紫外线处理装置6包括紫外线灯管60、紫光灯61和紫光灯电压转换接头62，所述紫光灯电压转换接头62用于与所述供电电源7之间通过电源线进行活动连接，并对紫光灯61的照射强度进行调节，该紫光灯61的一端伸入至紫外线灯管60的底部，紫光灯61的另一端通过所述紫光灯电压转换接头62固定连接在所述紫外线灯管60的开口处，从而使所述紫光灯61通过所述紫光灯电压转换接头62密封设置在所述紫外线灯管60内，所述紫光灯电压转换接头62与所述支撑座51固定连接，使这个紫外线处理装置6固定密封在所述容器腔体5内，在所述紫外线灯管60的底端外壁上设置有金属栅网63和存储气体的工作腔体64，所述工作腔体64包覆在所述紫外线灯管60的底端外壁与所述金属栅网63之间，从而形成电场强度增强区域使紫外线得到近一步增强和激发，加快形成高能的紫外线。为增强的功率，所述紫光灯61的数量不少于两个且呈串联或并联连接，其功率不小于400w，述紫外线杀菌灯输出光线波长为185nm-285nm之间，所述紫外线灯管60为圆柱形或球形的透明石英管，其直径为60mm-80mm，在所述紫外线灯管60外部的侧壁上设置有防覆层65，该防覆层65由介质层和硅胶层组成，所述介质层由氧化硅、氧化铝、氧化镁中的一种或多种混合而成，介质层所述可降低对紫光灯61的衰减程度从而起到了很好的隔离作用，硅胶层为外层可以很好保护紫外线灯管60的外壁和介质层在安装和拆卸时不受损伤。
在本发明中，结合图1和图2，在所述透明辐射窗50处设置有向输水管2凹陷的储存腔室51，该透明辐射窗50为透明石英窗，可以在透明辐射窗50表面粘贴一层透明薄膜以防止透明辐射窗50被污染难以清洗的目的，在所述储存腔室51和工作腔体64内充有汞和惰性气体(氪气或氙气)，有助于提高辐射效率和辐射更稳定，所述储存腔室51与所述工作腔体64之间形成相互匹配圆弧过度部，在储存腔室51与所述工作腔体64之间形成间隙，从工作腔体64激发出来的紫外线经过储存腔室51进一步弧光放电，从而使紫外线被进一步激发，从而使紫光灯61照射出来的紫外线对输水管2内的水进行杀毒灭菌操作。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (3)
1.一种用于污水处理的中压紫外线处理系统，其特征在于：包括支撑架、紫外线处理装置和固定在所述支撑架上的输水管和供电电源，在所述输水管的两端截面上分别设置有入水口和出水口，在输水管的顶端设有多个放置所述紫外线处理装置的容器腔体，该容器腔体的一端设有伸入所述输水管内的透明辐射窗，所述容器腔体的另一端置于输水管之外且设置有固定所述紫外线处理装置的支撑座，所述容器腔体的外壁与所述输水管顶端的管壁通过螺纹密封连接，所述供电电源与所述紫外线处理装置电气连接；所述紫外线处理装置包括紫外线灯管、紫光灯和紫光灯电压转换接头，该紫光灯的一端伸入至紫外线灯管的底部，该紫光灯的另一端通过所述紫光灯电压转换接头固定连接在所述紫外线灯管的开口处，从而使所述紫光灯通过所述紫光灯电压转换接头密封设置在所述紫外线灯管内，在所述紫外线灯管的底端外壁上设置有金属栅网和工作腔体，所述工作腔体包覆在所述紫外线灯管的底端外壁与所述金属栅网之间，在所述紫外线灯管外部的侧壁上设置有防覆层，该防覆层由介质层和硅胶层组成，所述介质层由氧化硅、氧化铝、氧化镁中的一种或多种混合而成，在所述透明辐射窗处设置有储存腔室，在所述储存腔室内充有汞和惰性气体，该惰性气体为氪气或氙气，所述储存腔室与所述工作腔体之间形成相互匹配圆弧过度部，且在储存腔室与所述工作腔体之间形成间隙，从而使紫光灯照射出来的紫外线对输水管内的水进行杀毒灭菌操作。
2.根据权利要求1所述的一种用于污水处理的中压紫外线处理系统，其特征在于：所述紫外线灯管为圆柱形或球形的透明石英管，其直径为60mm-80mm。
3.根据权利要求1所述的一种用于污水处理的中压紫外线处理系统，其特征在于：所述紫光灯的数量不少于两个且呈串联或并联连接，其功率不小于400w，所述紫光灯输出光线波长为185nm-285nm之间。
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