CN107393726A - 一种用于超级电容的CuCo2S4活性物质稀释液及其制备方法 - Google Patents

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赵玉媛
高延敏
陆君
左银泽
郭永春
黄翠萍
周真
张毅
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Abstract

本发明涉及一种用于超级电容的CuCo2S4活性物质稀释液及其制备方法,在合成活性物质的过程中先将铜源与钴源投入丙三醇中快速搅拌,等待铜源与钴源完全溶解后,加入用去离子水溶解的硫源,经过充分搅拌后转移至高压反应釜进行溶剂热反应。待反应结束后倒出含有纳米晶体的混合液,经过去离子水稀释并离心的过程后,进行干燥即可获得活性物质——CuCo2S4纳米晶体。然后将CuCo2S4活性物质投进乙醇溶剂中的,配以聚乙烯吡咯烷酮作为分散剂,即可获得活性物质稀释液。本发明的优点在于:本发明可克服现有技术的缺陷,获得一种具有高比电容活性、高分散性、稳定性良好、易于工业化制作超级电容的活性物质。

Description

一种用于超级电容的CuCo2S4活性物质稀释液及其制备方法
技术领域
[0001] 本发明属于储能材料领域,具涉及一种能够发生高度可逆氧化还原反应的电容活 性物质,特别涉及一种用于超级电容的CuCo2S4活性物质稀释液及其制备方法。
背景技术
[0002] 进入21世纪以来,随着科学技术的不断进步和经济社会的不断发展,人类对于煤 炭、燃油、天然气等不可再生资源的需求越来越大,随之而来的全球气候变暖和环境污染也 越来越严重。这触发了科学家们对于新一代能源物质的研究热潮,光伏电池、燃料电池、锂 离子电池等应运而生。为了更好的发挥新一代清洁能源的作用,设计出能够快速存储和释 放电能的设备显得十分重要。超级电容器就是为了满足在短时间内快速完成充放电过程, 达到超高输出功率密度的储能器件。超级电容器根据储能机理的不同,能够被分为双电层 超级电容和法拉第赝电容。双电层超级电容是利用活性物质表面的微孔吸附特性进行储能 的,本身并不会发生电化学反应。而法拉第赝电容是依靠表面活性物质发生高度可逆的氧 化还原反应进行能量存储的,使用寿命虽不及双电层超级电容,但是储能密度却能够达到 前者数十倍之多。
[0003] 对于法拉第赝电容的研究,学者们主要是将研究重点集中于过渡金属氧化物上。 目前比较常见的电容活性材料包括:氧化钌、氧化锰、氧化钒、氧化钴、氧化镍等一些含有多 价态金属离子的活性物质。近期研究人员发现,过渡金属的硫化物不仅比相应金属的氧化 物具备更好的导电性,此外过渡金属经过硫化之后储电量会得到显著提高。同时大量的研 究结果表明,双金属硫化物的电容活性要比单一金属硫化物的活性高。这就促使了研究者 们将目光集中到了新型活性物质 C11C02S4纳米晶体上。C11C02S4纳米晶体是一种尖晶石 结构的硫铜钴矿,不久前Tang等人首次利用溶剂热法制备出了CuCo2S4纳米晶体,并用作为 电容的活性物质[J H Tang, Y C Ge, J F Shen and M X Ye,Chem. Commun.,2016,52, 1509-1512 ] C3Moosavifard等人利用两步溶剂热法,首次在泡沫镍上直接生长出了空心的 C11C02S4纳米针[S E Moosavifard, S Fanib and M Rahmanian, Chem. Commun. , 2016, 52,4517—4520 ] Aie等人在合成步骤中加入了石墨烯,促使了花状C11C02S4纳米晶片的 出现[L Y Nie,H J Wang, Y Q Chai,S Liu and R Yuan,RSC Adv.,2016,6,3832卜 38327 ]〇
[0004] 虽然近期CuCo2S4纳米晶体的溶剂热制备方法已经有了一些研究成果,但是目前合 成出来的纳米晶体颗粒任然较大,或者是分散不均;其次如何与集流体有效的结合、活性物 质在制备出来之后又要如何保证原有电容活性与形貌特征,都是迫切需要解决的问题。
发明内容
[0005] 本发明要解决的技术问题是提供一种用于超级电容的CuCo2S4活 性物质稀释液及其制备方法,可克服现有技术的缺陷,获得一种具有高比电容活性、高 分散性、稳定性良好、易于工业化制作超级电容的活性物质。
[0006] 为解决上述技术问题,本发明的技术方案为:一种用于超级电容的CuCo2S4活性物 质稀释液,其创新点在于:所述CuCo2S4活性物质稀释液是由铜源、钴源、丙三醇、硫源、乙醇 溶剂以及分散剂聚乙烯吡咯烷酮制备而成,其中,铜源、钴源、丙三醇以及硫源反应形成活 性物质,再将活性物质投进乙醇溶剂中,形成混合液,并向该混合液中加入分散剂聚乙烯吡 咯烷酮;且铜源、钴源以及硫源的摩尔比1:2:4,丙三醇的用量是铜源与钴源总质量的20〜 25倍,乙醇溶剂的用量是活性物质质量的20〜25倍,分散剂聚乙烯吡咯烷酮的加入量为混 合液总质量的10%。
[0007] 进一步地,所述铜源为氯化铜、硫酸铜或醋酸铜中的任一种。
[0008] 进一步地,所述钴源为氯化钴、硝酸钴或醋酸钴中的任一种。
[0009] 进一步地,所述硫源为硫脲或硫化钠中的任一种。
[0010] 进一步地,所述聚乙烯吡咯烷酮,其K值为30。
[0011] —种上述用于超级电容的CuCo2S4活性物质稀释液的制备方法,其创新点在于:所 述制备方法包含以下步骤: (1) 将铜源与钴源按照摩尔比为1:2加入进丙三醇中,丙三醇的用量是铜源与钴源总质 量的20〜25倍,快速搅拌直到铜源与钴源完全溶解在丙三醇里为止; (2) 按照铜源、钴源、硫源摩尔比为1:2:4称取硫源,并在硫源中缓慢滴加去离子水,边 滴加边搅拌直到硫源完全溶解; (3) 将上两步所获得的溶液进行混合,并搅拌10〜20min使离子分散均匀,然后倒入进 高压反应釜中密封; (4) 将高压反应釜放置在175〜190°C的烘箱中保温10〜15h后取出,待完全冷却后倒出 含有纳米晶体的混合液,经过3〜5次去离子水稀释并离心的过程后,在60〜75°C的真空干 燥箱中保温12〜20h,即可获得纯化的活性物质 C11C02S4纳米晶体; (5) 然后将纯化的CuCo2S4活性物质投进乙醇溶剂中的,乙醇的用量是活性物质质量的 15〜20倍,为确保活性物质在溶液中的分散性,还需要加入混合溶液总质量10%的聚乙烯吡 咯烷酮作为分散剂。
[0012] 本发明的优点在于:本发明用于超级电容的CuCo2S4活性物质稀释液的制备方法, 通过该制备方法制备出来的活性物质颗粒较小,粒径小于Ιμπι;并将制备出来的活性物质保 存在乙醇中,形成了 CuCo2S4活性物质稀释液,进而保证了活性物质的长期有效,在使用时只 需离心出来即可;此外,电容容量作为超级电容最重要的参数,目前用常规溶剂热法制备出 的活性物质容量在600F/g左右;本专利所介绍的活性物质容量在800F/g以上,超出常规活 性物质容量33%;且在经过2000次充放电循环之后,容量能够保持在原有的80%以上。
附图说明
[0013] 下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
[0014] 图1为本发明专利制备的CuCo2S4活性物质的电子显微镜照片。
[0015] 图2为实施例1〜6制备出的活性物质电容容量与循环寿命的对比图。
具体实施方式
[0016] 下面的实施例可以使本专业的技术人员更全面地理解本发明,但并不因此将本发 明限制在所述的实施例范围之中。
[0017] 本发明用于超级电容的CuCo2S4活性物质稀释液,该CuCo2S4活性物质稀释液是由 铜源、钴源、丙三醇、硫源、乙醇溶剂以及分散剂聚乙烯吡咯烷酮制备而成,其中,铜源、钴 源、丙三醇以及硫源反应形成活性物质,再将活性物质投进乙醇溶剂中,形成混合液,并向 该混合液中加入分散剂聚乙烯吡咯烷酮;且铜源、钴源以及硫源的摩尔比1:2:4,丙三醇的 用量是铜源与钴源总质量的20〜25倍,乙醇溶剂的用量是活性物质质量的20〜25倍,分散 剂聚乙烯吡咯烷酮的加入量为混合液总质量的10%。
[0018] 实施例中,具体的实施方式为铜源为氯化铜、硫酸铜或醋酸铜中的任一种,钴源为 氯化钴、硝酸钴或醋酸钴中的任一种,硫源为硫脲或硫化钠中的任一种,聚乙烯吡咯烷酮, 其K值为30。
[0019] 本发明用于超级电容的CuCo2S4活性物质稀释液的制备方法,该制备方法包含以下 步骤: (1) 将铜源与钴源按照摩尔比为1:2加入进丙三醇中,丙三醇的用量是铜源与钴源总质 量的20〜25倍,快速搅拌直到铜源与钴源完全溶解在丙三醇里为止; (2) 按照铜源、钴源、硫源摩尔比为1:2:4称取硫源,并在硫源中缓慢滴加去离子水,边 滴加边搅拌直到硫源完全溶解; (3) 将上两步所获得的溶液进行混合,并搅拌10〜20min使离子分散均匀,然后倒入进 高压反应釜中密封; (4) 将高压反应釜放置在175〜190°C的烘箱中保温10〜15h后取出,待完全冷却后倒出 含有纳米晶体的混合液,经过3〜5次去离子水稀释并离心的过程后,在60〜75°C的真空干 燥箱中保温12〜20h,即可获得纯化的活性物质 C11C02S4纳米晶体; (5) 然后将纯化的CuCo2S4活性物质投进乙醇溶剂中的,乙醇的用量是活性物质质量的 15〜20倍,为确保活性物质在溶液中的分散性,还需要加入混合溶液总质量10%的聚乙烯吡 咯烷酮作为分散剂。
[0020] 将本发明获得纯化的活性物质一一CuCo2S4纳米晶体通过电子显微镜观察,由图1 可以看出,活性物质均为粒径小于Iym的颗粒。
[0021] 下面由以下实施例对该种用于超级电容的CuCo2S4活性物质稀释液的制备方法进 行详细举例和说明: 实施例1 本实施例用于制备CuCo2S4活性物质的铜源、钴源、硫源分别为:氯化铜、氯化钴、硫脲; 用于超级电容的CuCo2S4活性物质稀释液的制备方法,包含以下步骤: 第1步,将铜源与钴源按照摩尔比为1:2加入进丙三醇中,丙三醇的用量是铜源与钴源 总质量的20倍,快速搅拌直到铜源与钴源完全溶解在丙三醇里为止; 第2步,按照铜源、钴源、硫源摩尔比为1:2:4称取硫源,在硫源中缓慢滴加去离子水,边 滴加边搅拌直到硫源完全溶解; 第3步,将上两步所获得的溶液进行混合,并搅拌15min使离子分散均匀,然后倒入进高 压反应釜中密封; 第4步,将高压反应釜放置在175°C的烘箱中保温15h后取出,待完全冷却后倒出含有纳 米晶体的混合液,经过3次去离子水稀释并离心的过程后,在65°C的真空干燥箱中保温12h, 即可获得活性物质 C11C02S4纳米晶体; 第5步,然后将纯化的CuCo2S4活性物质投进乙醇溶剂中的,乙醇的用量是活性物质质 量的20倍,为确保活性物质在溶液中的分散性,还需要加入混合溶液总质量10%的聚乙烯吡 咯烷酮作为分散剂。
[0022] 实施例2 本实施例用于制备CuCo2S4活性物质的铜源、钴源、硫源分别为:硫酸铜、硝酸钴、硫脲, 用于超级电容的CuCo2S4活性物质稀释液的制备方法,包含以下步骤: 第1步,将铜源与钴源按照摩尔比为1:2加入进丙三醇中,丙三醇的用量是铜源与钴源 总质量的23倍,快速搅拌直到铜源与钴源完全溶解在丙三醇里为止; 第2步,按照铜源、钴源、硫源摩尔比为1:2:4称取硫源,在硫源中缓慢滴加去离子水,边 滴加边搅拌直到硫源完全溶解; 第3步,将上两步所获得的溶液进行混合,并搅拌IOmin使离子分散均匀,然后倒入进高 压反应釜中密封; 第4步,将高压反应釜放置在180Γ的烘箱中保温13h后取出,待完全冷却后倒出含有纳 米晶体的混合液,经过4次去离子水稀释并离心的过程后,在60°C的真空干燥箱中保温20h, 即可获得活性物质 C11C02S4纳米晶体。
[0023] 第5步,然后将纯化的CuCo2S4活性物质投进乙醇溶剂中的,乙醇的用量是活性物质 质量的15倍,为确保活性物质在溶液中的分散性,还需要加入混合溶液总质量10%的聚乙烯 吡咯烷酮作为分散剂。
[0024] 实施例3 本实施例用于制备CuCo2S4活性物质的铜源、钴源、硫源分别为:醋酸铜、醋酸钴、硫脲, 用于超级电容的CuCo2S4活性物质稀释液的制备方法,包含以下步骤: 第1步,将铜源与钴源按照摩尔比为1:2加入进丙三醇中,丙三醇的用量是铜源与钴源 总质量的25倍,快速搅拌直到铜源与钴源完全溶解在丙三醇里为止; 第2步,按照铜源、钴源、硫源摩尔比为1:2:4称取硫源,在硫源中缓慢滴加去离子水,边 滴加边搅拌直到硫源完全溶解; 第3步,将上两步所获得的溶液进行混合,并搅拌20min使离子分散均匀,然后倒入进高 压反应釜中密封; 第4步,将高压反应釜放置在190°C的烘箱中保温IOh后取出,待完全冷却后倒出含有纳 米晶体的混合液,经过5次去离子水稀释并离心的过程后,在70°C的真空干燥箱中保温15h, 即可获得活性物质 C11C02S4纳米晶体。
[0025] 第5步,然后将纯化的CuCo2S4活性物质投进乙醇溶剂中的,乙醇的用量是活性物质 质量的18倍,为确保活性物质在溶液中的分散性,还需要加入混合溶液总质量10%的聚乙烯 吡咯烷酮作为分散剂。
[0026] 实施例4 本实施例用于制备CuCo2S4活性物质的铜源、钴源、硫源分别为:氯化铜、氯化钴、硫化 钠,用于超级电容的CuCo2S4活性物质稀释液的制备方法,包含以下步骤: 第1步,将铜源与钴源按照摩尔比为1:2加入进丙三醇中,丙三醇的用量是铜源与钴源 总质量的20倍,快速搅拌直到铜源与钴源完全溶解在丙三醇里为止; 第2步,按照铜源、钴源、硫源摩尔比为1:2:4称取硫源,在硫源中缓慢滴加去离子水,边 滴加边搅拌直到硫源完全溶解; 第3步,将上两步所获得的溶液进行混合,并搅拌IOmin使离子分散均匀,然后倒入进高 压反应釜中密封; 第4步,将高压反应釜放置在180°C的烘箱中保温12h后取出,待完全冷却后倒出含有纳 米晶体的混合液,经过4次去离子水稀释并离心的过程后,在65°C的真空干燥箱中保温18h, 即可获得活性物质 C11C02S4纳米晶体。
[0027] 第5步,然后将纯化的CuCo2S4活性物质投进乙醇溶剂中的,乙醇的用量是活性物质 质量的20倍,为确保活性物质在溶液中的分散性,还需要加入混合溶液总质量10%的聚乙烯 吡咯烷酮作为分散剂。
[0028] 实施例5 本实施例用于制备CuCo2S4活性物质的铜源、钴源、硫源分别为:氯化铜、硝酸钴、硫脲, 用于超级电容的CuCo2S4活性物质稀释液的制备方法,包含以下步骤: 第1步,将铜源与钴源按照摩尔比为1:2加入进丙三醇中,丙三醇的用量是铜源与钴源 总质量的25倍,快速搅拌直到铜源与钴源完全溶解在丙三醇里为止; 第2步,按照铜源、钴源、硫源摩尔比为1:2:4称取硫源,在硫源中缓慢滴加去离子水,边 滴加边搅拌直到硫源完全溶解; 第3步,将上两步所获得的溶液进行混合,并搅拌20min使离子分散均匀,然后倒入进高 压反应釜中密封; 第4步,将高压反应釜放置在190°C的烘箱中保温IOh后取出,待完全冷却后倒出含有纳 米晶体的混合液,经过4次去离子水稀释并离心的过程后,在75°C的真空干燥箱中保温15h, 即可获得活性物质 C11C02S4纳米晶体。
[0029] 第5步,然后将纯化的CuCo2S4活性物质投进乙醇溶剂中的,乙醇的用量是活性物质 质量的15〜20倍,为确保活性物质在溶液中的分散性,还需要加入混合溶液总质量10%的聚 乙烯吡咯烷酮作为分散剂。
[0030] 实施例6 本实施例用于制备CuCo2S4活性物质的铜源、钴源、硫源分别为:醋酸铜、硝酸钴、硫脲, 用于超级电容的CuCo2S4活性物质稀释液的制备方法,包含以下步骤: 第1步,将铜源与钴源按照摩尔比为1:2加入进丙三醇中,丙三醇的用量是铜源与钴源 总质量的20倍,快速搅拌直到铜源与钴源完全溶解在丙三醇里为止; 第2步,按照铜源、钴源、硫源摩尔比为1:2:4称取硫源,在硫源中缓慢滴加去离子水,边 滴加边搅拌直到硫源完全溶解; 第3步,将上两步所获得的溶液进行混合,并搅拌20min使离子分散均匀,然后倒入进高 压反应釜中密封; 第4步,将高压反应釜放置在180°C的烘箱中保温IOh后取出,待完全冷却后倒出含有纳 米晶体的混合液,经过5次去离子水稀释并离心的过程后,在70°C的真空干燥箱中保温12h, 即可获得活性物质 C11C02S4纳米晶体。
[0031] 第5步,然后将纯化的CuCo2S4活性物质投进乙醇溶剂中的,乙醇的用量是活性物质 质量的15倍,为确保活性物质在溶液中的分散性,还需要加入混合溶液总质量10%的聚乙烯 吡咯烷酮作为分散剂。
[0032] 将实施例1〜6活件物质制备成电极后讲行测试,结果如图2和下衷所示:
Figure CN107393726AD00081
由上表可以看出,通过本发明的制备方法,活性物质容量在800F/g以上,超出常规活性 物质容量33%;且在经过2000次充放电循环之后,容量能够保持在原有的80%以上。
[0033] 以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征以及本发明的优点。本行业的技 术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明 本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些 变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及 其等效物界定。

Claims (6)

1. 一种用于超级电容的CuCo2S4活性物质稀释液,其特征在于:所述CuCo2S4活性物质稀 释液是由铜源、钴源、丙三醇、硫源、乙醇溶剂以及分散剂聚乙烯吡咯烷酮制备而成,其中, 铜源、钴源、丙三醇以及硫源反应形成活性物质,再将活性物质投进乙醇溶剂中,形成混合 液,并向该混合液中加入分散剂聚乙烯吡咯烷酮;且铜源、钴源以及硫源的摩尔比1:2:4,丙 三醇的用量是铜源与钴源总质量的20〜25倍,乙醇溶剂的用量是活性物质质量的20〜25 倍,分散剂聚乙烯吡咯烷酮的加入量为混合液总质量的10%。
2. 根据权利要求1所述的用于超级电容的CuCo2S4活性物质稀释液,其特征在于:所述铜 源为氯化铜、硫酸铜或醋酸铜中的任一种。
3. 根据权利要求1所述的用于超级电容的CuCo2S4活性物质稀释液,其特征在于:所述钴 源为氯化钴、硝酸钴或醋酸钴中的任一种。
4. 根据权利要求1所述的用于超级电容的CuCo2S4活性物质稀释液,其特征在于:所述硫 源为硫脲或硫化钠中的任一种。
5. 根据权利要求1所述的用于超级电容的CuCo2S4活性物质稀释液,其特征在于:所述聚 乙烯吡咯烷酮,其K值为30。
6. —种权利要求1所述的用于超级电容的CuCo2S4活性物质稀释液的制备方法,其特征 在于:所述制备方法包含以下步骤: (1) 将铜源与钴源按照摩尔比为1:2加入进丙三醇中,丙三醇的用量是铜源与钴源总质 量的20〜25倍,快速搅拌直到铜源与钴源完全溶解在丙三醇里为止; (2) 按照铜源、钴源、硫源摩尔比为1:2:4称取硫源,并在硫源中缓慢滴加去离子水,边 滴加边搅拌直到硫源完全溶解; (3) 将上两步所获得的溶液进行混合,并搅拌10〜20min使离子分散均匀,然后倒入进 高压反应釜中密封; (4) 将高压反应釜放置在175〜190°C的烘箱中保温10〜15h后取出,待完全冷却后倒出 含有纳米晶体的混合液,经过3〜5次去离子水稀释并离心的过程后,在60〜75°C的真空干 燥箱中保温12〜20h,即可获得纯化的活性物质 C11C02S4纳米晶体; (5) 然后将纯化的CuCo2S4活性物质投进乙醇溶剂中的,乙醇的用量是活性物质质量的 15〜20倍,为确保活性物质在溶液中的分散性,还需要加入混合溶液总质量10%的聚乙烯吡 咯烷酮作为分散剂。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108298595A (zh) * 2018-04-26 2018-07-20 浙江美都墨烯科技有限公司 一种制备硫化铜钴微米球的方法
CN108609665A (zh) * 2018-05-31 2018-10-02 安阳师范学院 核-壳空心结构锌-钴硫化物纳米球电极材料及其制备方法
CN110729136A (zh) * 2019-10-15 2020-01-24 江苏科技大学 一种硫铜钴矿赝电容活性物质及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105355919A (zh) * 2015-11-12 2016-02-24 西南大学 一种铜钴硫超细粉的制备方法
CN106531456A (zh) * 2016-11-11 2017-03-22 郑州大学 一种基于CuCo2S4的超级电容器材料及其制备和应用
CN106783200A (zh) * 2016-11-30 2017-05-31 天津大学 一种具有中空结构的铜钴硫微球电极材料的制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105355919A (zh) * 2015-11-12 2016-02-24 西南大学 一种铜钴硫超细粉的制备方法
CN106531456A (zh) * 2016-11-11 2017-03-22 郑州大学 一种基于CuCo2S4的超级电容器材料及其制备和应用
CN106783200A (zh) * 2016-11-30 2017-05-31 天津大学 一种具有中空结构的铜钴硫微球电极材料的制备方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BO LI: "Ultrasmall CuCo2S4 Nanocrystals: All-in-One Theragnosis Nanoplatform with Magnetic Resonance/Near-Infrared Imaging for Efficiently Photothermal Therapy of Tumors", 《ADVANCED FUNCTION MATERICALS》 *
JIANHUA TANG: "Facile synthesis of CuCo2S4 as a novel electrode material for ultrahigh supercapacitor performance", 《ROYAL SOCIETY OF CHEMISTRY》 *
JIANHUA TANG: "H01G11/30", 《ROYAL SOCIETY OF CHEMISTRY》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108298595A (zh) * 2018-04-26 2018-07-20 浙江美都墨烯科技有限公司 一种制备硫化铜钴微米球的方法
CN108609665A (zh) * 2018-05-31 2018-10-02 安阳师范学院 核-壳空心结构锌-钴硫化物纳米球电极材料及其制备方法
CN110729136A (zh) * 2019-10-15 2020-01-24 江苏科技大学 一种硫铜钴矿赝电容活性物质及其制备方法

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