CN107099841A - 一种短流程、高效率及低成本提纯制备太阳能电池用多晶硅的方法 - Google Patents

一种短流程、高效率及低成本提纯制备太阳能电池用多晶硅的方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种短流程、高效率及低成本提纯制备太阳能电池用多晶硅的方法，将目前工业常用碳热还原工业硅生产、中包造渣精炼、Sn‑Si合金法与电磁半连续定向凝固法有效耦合衔接，可有效缩短整个太阳能电池用多晶硅生产的工艺流程，降低生产周期，最终形成一条短流程、高效率及低成本制备太阳能电池用多晶硅的冶金提纯工艺路线。

Description

一种短流程、高效率及低成本提纯制备太阳能电池用多晶硅 的方法
技术领域
本发明涉及一种工业硅的提纯方法，具体涉及一种短流程、高效率、低成本的提纯制备太阳能电池用多晶硅的方法，属于物理冶金法提纯技术领域。
背景技术
由于太阳能具有储量丰富、分布广泛、清洁无污染及安全可靠等优点，其被认为是一种能有效解决能源危机与环境问题，具备广阔应用前景的开再生能源。受益于世界各国政府的大力支持和企业的广泛关注，作为太阳能应用技术之一的光伏发电近年来发展迅速，其无论在规模还是效益上都得到了很大的提高。然而目前与常规能源相比，其高的发电成本制约了其进一步发展与推广应用，在无政府补贴的情况下还不能为大众所接受。
硅作为太阳能电池生产的主要基材，其提纯与硅片的制备过程是限制整个光伏发电成本降低的最主要环节。由于工业上大量利用碳热还原法生产的工业硅(2N)中含有大量的Fe、Al、Ca等金属杂质和B、P、C等非金属杂质，这些杂质将严重影响太阳能硅电池的光电转换效率，因此，需采用一定工艺对其进行提纯。目前，其主要采用改良西门子法进行提纯。由该技术提纯制备的多晶硅纯度高、质量稳定，但其存在投资大、工艺复杂、能耗大、成本高及提纯过程中产生的副产品对环境有污染等缺点。因此，利用投资小、工艺简单、能耗小、成本低的冶金法制备太阳能级硅成为了光伏行业研发的一个热点。经过多年研究，冶金法提纯技术取得了较大进展，开发出了氧化精炼、造渣、真空冶炼、酸洗、定向凝固及合金熔析等多种提纯方法。
在专利号为ZL201010589296.7的发明专利一种用于多晶硅定向凝固的水冷装置、专利号为ZL201010609932.8发明专利一种具有定向凝固组织多晶硅锭的制备方法以及专利号为ZL201010609909.9的发明专利一种具有定向凝固组织多晶硅锭的制备装置中，介绍了电磁定向凝固法为一种初期用于钛铝合金定向凝固的方法，现有技术中有将该电磁定向凝固技术用于太阳能电池铸锭的制备，直接用来切片制备太阳能电池片，水冷铜坩埚为该技术中的一个重要部件。
然而，以上开发的各种方法除尚存的能耗大、成本高、提纯纯度不够及材料收得率低等问题外，还存在一定的局限性，即各自仅能去除工业硅中的某些特定杂质，而对其它杂质则难以去除或去除效果十分有限。将以上各方法进行简单组合成复合工艺，又存在生产周期长、提纯效率低、材料消耗大、材料重复加热熔化能耗高等缺点。基于此，在取得较大进展的同时，目前冶金法提纯技术的实际应用还十分有限，硅材料制备的高成本依旧是制约光伏产业发展的瓶颈。
发明内容
针对现有技术存在的问题，本发明为解决现有技术中存在的问题采用的技术方案如下：
一种短流程、高效率及低成本提纯制备太阳能电池用多晶硅的方法，其特征在于：包括如下步骤：
步骤一、对碳热还原法得到的工业硅熔体进行中包造渣预处理；
本步骤将碳热还原得到的工业硅熔体直接引入中包中进行造渣处理，利用碱性造渣精炼初步去除工业硅中的B与P等非金属杂质；本步骤将工业硅生产与中包造渣精炼衔接，直接将还原得到的工业硅熔体引入中包，而非待其冷却并与造渣剂混合后重新于精炼炉中进行加热精炼，本步骤有利于整个提纯过程能耗的降低；
步骤二、在电磁冷坩埚中预置熔配好的Sn-Si合金，在冷坩埚外感应线圈中通上交流电，待合金完全熔化后，将步骤一中预处理的工业硅熔体连续引入冷坩埚，同时以相应速度下拉冷坩埚底部抽拉杆，使得熔体定向凝固形成铸锭，实现初生硅与合金熔体的分离；
本步骤将造渣精炼与Sn-Si合金法衔接，造渣精炼后工业硅中B、P等非金属杂质已初步去除，然后利用Sn合金化强化分凝，以降低硅中Fe、Al、Ca等金属杂质的分凝系数，同时降低B、P等非金属杂质的分凝系数；经过本步骤初始还原得到的工业硅熔体可提纯至太阳能电池所需纯度(6N)；
步骤三、待铸锭生长至一定长度后停止工业硅熔体的注入及下拉，切除铸锭头部最终合金凝固部分；
本步骤将Sn-Si合金法与电磁半连续定向凝固法耦合，在大量除杂的同时，还可利用定向凝固实现高纯初生硅和合金熔体的分离；采取将造渣精炼后工业硅熔体连续引入坩埚中原位合成Sn-Si合金的方式，而非将工业硅与Sn按比例混合后一起加热合成Sn-Si合金，有利于降低合金元素Sn的消耗，最大限度的发挥其除杂能力；与此同时，开缝式水冷铜坩埚的使用，可避免提纯过程中坩埚对最终产品(高纯初生硅形成的铸锭)的污染；电磁半连续定向凝固法的采用，有利于提纯效率的提高；
步骤四、重复步骤一至步骤三，直至得到所需质量的太阳能电池用多晶硅。
所述步骤一中的中包造渣预处理过程中造渣剂与工业硅熔体的质量比为10～20％。
所述步骤一中的中包造渣预处理中选用的造渣剂为CaO-Al2O3-Na2O-CaF2-SiO2碱性渣，该碱性造渣剂中各组分所占的质量百分比分别为：CaO 10～20％；Al2O3 5～15％；Na2O 10～15％；CaF2 10～15％；SiO2 45～55％。
所述步骤一中的中包造渣预处理中的中包温度为1500～1600℃。
所述步骤二中冷坩埚预置Sn-Si合金中Sn的质量百分含量为70～90％，预置量m(g)按下式计算：
m＝(3～5)ρπr2(1)
式中：ρ为熔配Sn-Si合金的密度(g/cm3)，r为电磁冷坩埚的半径(cm)。
所述步骤二中冷坩埚外感应线圈中交流电频率为20～100kHz。
所述步骤三中铸锭下拉速度为2～5mm/min，停止抽拉前铸锭下拉长度为500～800mm。
所述步骤三中切除铸锭头部最终合金凝固部分长度为50～80mm。
本发明将目前工业常用碳热还原工业硅生产、中包造渣精炼、Sn-Si合金法与电磁半连续定向凝固法有效耦合衔接，可有效缩短整个太阳能电池用多晶硅生产的工艺流程，降低生产周期，最终形成一条短流程、高效率及低成本制备太阳能电池用多晶硅的冶金提纯工艺路线。
本发明具有如下优点：
(1)现有技术是利用碳热还原法生产工业硅，待工业硅熔体冷却凝固破碎后再重新加热熔化并进行提纯(如采用造渣处理、氧化精炼、定向凝固等)，而本发明是将碳热还原法生产的工业硅熔体直接引入中包，对熔体进行后续提纯处理，工业硅无需进行重新加热熔化，这无疑将降低提纯能耗，节约提纯成本；
(2)现有合金法提纯是将工业硅与合金溶剂按比例进行混合。如要求合金溶剂含量为70％，则提纯30公斤工业硅则需消耗70公斤的合金溶剂。在本发明中采用工业硅熔体连续注入原位合成Sn-Si合金熔体，只需初期在开缝式水冷坩埚中预置一定量的Sn-Si合金(预置量取决于坩埚内径，体积等于坩埚内腔横截面体积乘上熔池经验高度30～50mm)，后期注入工业硅熔体时无需再添加Sn。工业硅熔体连续注入过程中坩埚底部会连续凝固出同样质量的高纯硅，合金溶剂Sn保留在熔池中，熔池Sn含量近乎不变。假设初期预置100公斤Sn-Si合金，同样按含量70％计算，需70公斤Sn，后期若再连续注入300公斤工业硅，则相当于利用70公斤Sn提纯处理了330公斤工业硅，故采用这种方式将大大降低合金法提纯过程中合金元素Sn的消耗；
(3)水冷铜坩埚的采用，可以降低最终提纯阶段坩埚对高纯工业硅的污染。同时，水冷坩埚可以重复使用，节约了坩埚成本。电磁半连续定向凝固法的应用，有利于提纯工作效率的提高。
综上所述，本发明提出的将碳热还原工业硅生产、中包造渣精炼、Sn-Si合金法及电磁半连续定向凝固法有效耦合衔接形成的冶金法提纯工艺，较现有方法具有流程短、提纯效率高及成本低的优势。
附图说明
图1为本发明方法原理流程图；
其中：1-碳热还原剂；2-硅石；3-电极；4-工业硅熔体A；5为还原炉；6-导液槽A；7-中包；8-挡墙；9-造渣剂；10-工业硅熔体B；11-导液槽B；12-控水口；13-冷坩埚；14-感应线圈；15-Sn-Si合金；16-底托；17-抽拉杆。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明，本发明方法应用的装置图如图1所示，
实施例1：
第一步、利用碳热还原剂1和硅石2在电极3作用下，在还原炉5中经碳热还原法反应得到的工业硅熔体A4进行中包造渣预处理：利用目前工业上大规模应用的碳热还原法生产工业硅，并将还原炉5中获得的工业硅熔体A4通过导液槽6导入中包7中，与中包中的碱性造渣剂9混合进行造渣预处理，以初步去除工业硅中的B与P等非金属杂质。
其中，中包7内的挡墙8起稳流的作用，以避免经导液槽6进入中包的工业硅熔体快速流过中包，使得中包造渣除杂效果不佳。中包中碱性造渣剂为CaO-Al2O3-Na2O-CaF2-SiO2，根据经验，所述造渣剂中各组分所占的质量百分比分别为：CaO 10～20％；Al2O3 5～15％；Na2O 10～15％；CaF2 10～15％；SiO2 45～55％。利用中包内腔尺寸及中包中工业硅熔体B10液位计算中包中工业硅熔体B10的质量，加入一定量的造渣剂9，使中包7中造渣剂9与工业硅熔体B10的质量比为10～20％。利用工频感应加热控制中包温度在1500～1600℃，以保证造渣精炼提纯效果及后续电磁定向凝固Sn-Si合金提纯对熔体温度的要求。
第二步、在电磁冷坩埚13中底托16上预置一定量熔配好的Sn-Si合金15，在坩埚外感应线圈14中通上交流电，待Sn-Si合金15完全熔化后，将步骤一中预处理得到的工业硅熔体B10通过导液槽11与控水口12连续引入电磁冷坩埚13中，同时以相应速度下拉底托16底部的抽拉杆17，该Sn-Si合金熔体属于亚共晶合金，在定向凝固过程中高熔点硅相不断在熔池底部析出，形成高纯硅铸锭，而Sn依旧存留于熔体中，从而实现初生硅与合金熔体的分离。
其中，电磁冷坩埚13为开缝式水冷铜坩埚，预置Sn-Si合金中Sn的质量百分含量为70～90％，预置量按下式计算：
m＝(3～5)ρπr2 (1)
式中：m为预置量(g)，ρ为熔配Sn-Si合金的密度(g/cm3)，r为电磁冷坩埚的半径(cm)，πr2为坩埚截面积，3～5是按经验所得坩埚内熔池深度(30-50mm)，两者相乘为熔池体积，再乘以密度即为初始所需添加的质量。
感应线圈中交流电频率为20～100kHz。控水口12为熔体流速可控式水口，其流速与下拉速度对应，以保证半连续定向凝固过程中由控水口连续注入坩埚中的工业硅熔体体积等于坩埚下部连续定向凝固所得高纯初生硅的体积。铸锭下拉速度为2～5mm/min。
第三步、待铸锭生长至一定长度后停止工业硅熔体B10的注入及抽拉杆17的下拉，切除铸锭头部最终合金凝固部分；
其中，停止抽拉前铸锭下拉长度为500～800mm。根据电磁定向凝固过程中冷坩埚内熔体高度及现有经验，为消除铸锭最后合金凝固部分，切除铸锭头部最终合金凝固部分长度为50～80mm。
第四步、重复第一步至第三步：待铸锭下拉至500～800mm时，中包7中造渣剂9及冷坩埚13中Sn-Si合金熔体的除杂能力已有限，此时为获得高的除杂率，保证提纯产品质量的稳定性，应停止工业硅熔体B10的连续注入与下抽拉，将中包中造渣剂9扒除，重新配入新的造渣剂，并于冷坩埚中重新预置新的Sn-Si合金，而后继续重复按照以上步骤进行对碳热还原工业硅熔体A4的提纯。
本发明的保护范围并不限于上述的实施例，显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变形而不脱离本发明的范围和精神。倘若这些改动和变形属于本发明权利要求及其等同技术的范围内，则本发明的意图也包含这些改动和变形在内。

Claims (8)

1.一种短流程、高效率及低成本提纯制备太阳能电池用多晶硅的方法，其特征在于：包括如下步骤：
步骤一、对碳热还原法得到的工业硅熔体进行中包造渣预处理；
步骤二、在电磁冷坩埚中预置熔配好的Sn-Si合金，在冷坩埚外感应线圈中通上交流电，待合金完全熔化后，将步骤一中预处理的工业硅熔体连续引入冷坩埚，同时以相应速度下拉冷坩埚底部抽拉杆，使得熔体定向凝固形成铸锭，实现初生硅与合金熔体的分离；
步骤三、待铸锭生长至一定长度后停止工业硅熔体的注入及下拉，切除铸锭头部最终合金凝固部分；
步骤四、重复步骤一至步骤三，直至得到所需质量的太阳能电池用多晶硅。
2.如权利要求1所述的一种短流程、高效率及低成本提纯制备太阳能电池用多晶硅的方法，其特征在于：所述步骤一中的中包造渣预处理过程中造渣剂与工业硅熔体的质量比为10～20％。
3.如权利要求1所述的一种短流程、高效率及低成本提纯制备太阳能电池用多晶硅的方法，其特征在于：所述步骤一中的中包造渣预处理中的造渣剂为CaO-Al2O3-Na2O-CaF2-SiO2碱性造渣剂，该碱性造渣剂中各组分所占的质量百分比分别为：CaO 10～20％；Al2O3 5～15％；Na2O 10～15％；CaF2 10～15％；SiO2 45～55％。
4.如权利要求1所述的一种短流程、高效率及低成本提纯制备太阳能电池用多晶硅的方法，其特征在于：所述步骤一中的中包造渣预处理中的中包温度为1500～1600℃。
5.如权利要求1所述的一种短流程、高效率及低成本提纯制备太阳能电池用多晶硅的方法，其特征在于：所述步骤二中冷坩埚预置Sn-Si合金中Sn的质量百分含量为70～90％，预置量m(g)按下式计算：
m＝(3～5)ρπr2 (1)
式中：ρ为熔配Sn-Si合金的密度(g/cm3)，r为电磁冷坩埚的半径(cm)。
6.如权利要求1所述的一种短流程、高效率及低成本提纯制备太阳能电池用多晶硅的方法，其特征在于：所述步骤二中冷坩埚外感应线圈中交流电频率为20～100kHz。
7.如权利要求1所述的一种短流程、高效率及低成本提纯制备太阳能电池用多晶硅的方法，其特征在于：所述步骤三中铸锭下拉速度为2～5mm/min，停止抽拉前铸锭下拉长度为500～800mm。
8.如权利要求1所述的一种短流程、高效率及低成本提纯制备太阳能电池用多晶硅的方法，其特征在于：所述步骤三中切除铸锭头部最终合金凝固部分长度为50～80mm。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6368403B1 (en) * 1997-08-28 2002-04-09 Crystal Systems, Inc. Method and apparatus for purifying silicon
CN101462723A (zh) * 2009-01-05 2009-06-24 昆明理工大学 真空碳热还原制备高纯硅及铝硅合金的方法
CN101724900A (zh) * 2009-11-24 2010-06-09 厦门大学 一种多晶硅提纯装置及提纯方法
CN102134075A (zh) * 2011-01-24 2011-07-27 云南乾元光能产业有限公司 一种生产太阳能级多晶硅的新方法
CN102219221A (zh) * 2011-06-08 2011-10-19 大连理工大学 一种定向凝固造渣精炼提纯多晶硅的方法
CN102260909A (zh) * 2010-05-31 2011-11-30 比亚迪股份有限公司 一种硅提纯的方法
WO2012050410A1 (en) * 2010-10-14 2012-04-19 Uab "Naujausių Technologijų Centras" Method of purification of silicon
CN102602933A (zh) * 2011-01-20 2012-07-25 江西开昂新能源科技有限公司 一种多晶硅提纯装置及提纯方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6368403B1 (en) * 1997-08-28 2002-04-09 Crystal Systems, Inc. Method and apparatus for purifying silicon
CN101462723A (zh) * 2009-01-05 2009-06-24 昆明理工大学 真空碳热还原制备高纯硅及铝硅合金的方法
CN101724900A (zh) * 2009-11-24 2010-06-09 厦门大学 一种多晶硅提纯装置及提纯方法
CN102260909A (zh) * 2010-05-31 2011-11-30 比亚迪股份有限公司 一种硅提纯的方法
WO2012050410A1 (en) * 2010-10-14 2012-04-19 Uab "Naujausių Technologijų Centras" Method of purification of silicon
CN102602933A (zh) * 2011-01-20 2012-07-25 江西开昂新能源科技有限公司 一种多晶硅提纯装置及提纯方法
CN102134075A (zh) * 2011-01-24 2011-07-27 云南乾元光能产业有限公司 一种生产太阳能级多晶硅的新方法
CN102219221A (zh) * 2011-06-08 2011-10-19 大连理工大学 一种定向凝固造渣精炼提纯多晶硅的方法

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