CN107078753A - 用于接收器的无saw架构 - Google Patents
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Abstract
一种装置包括:至少一个差分放大器,被配置为放大射频信号;混频器,被配置为将来自至少一个差分放大器的射频信号与本地振荡器信号混频;以及低通滤波器,耦合到混频器,低通滤波器包括电容器和被配置为调谐低通滤波器的至少一个可变电阻器。
Description
技术领域
本发明一般性地涉及接收器,并且更具体地,涉及利用相同引脚上的SAW接收器操作来组合不同的信号路径并且重用无SAW接收器电路。
背景技术
在全双工、频分双工(FD-FDD)系统中,接收器和发射器在不同频率上同时操作,这提供上行链路信号路径与下行链路信号路径之间的必要分离。然而,用于FDD长期演进(LTE)和载波聚合(CA)收发器的当前射频(RF)前端(FE)设计是非常复杂的。例如,诸如宽带码分多址(WCDMA)的全双工系统的每个频带要求接收/发射(Rx/Tx)表面声波(SAW)滤波器或双工器,以避免被进入接收器中的发射功率泄漏所堵塞。在诸如全球移动通信系统(GSM)、时分同步CDMA(TDS-CDMA)和时分长期演进(TD-LTE)的半双工系统中,要求Rx SAW滤波器来避免被高达0dBm的带外阻塞物所堵塞或减敏。因此,在半双工系统中,采用若干技术来大幅减少由于发射器的并发操作的缺乏所导致的对于Rx SAW滤波器的需要。然而,RxSAW滤波器的去除使得具有高输入电平的带外(OOB)堵塞物(jammer)存在于低噪声放大器(LNA)的输入处。
附图说明
本公开的细节(关于它的结构和操作这两者)可以部分地通过研究所附进一步的示图来收集,在示图中相似的参考标号指代相似的部分,并且在示图中:
图1是与无线通信系统进行通信的示例性无线设备;
图2是无线设备的示例性设计的框图,其是图1中示出的无线设备的一个实施例;
图3是根据本公开的一个实施例的示例性接收器的示意图;
图4是根据本公开的另一实施例的示例性接收器的示意图;
图5A是根据本公开的一个实施例的示例性装置的框图;
图5B是根据本公开的一个实施例的上面提及的元件被去除的示例性装置的框图;以及
图6是根据本公开的一个实施例的示例性装置的功能框图,其被配置用于利用相同引脚上的SAW模式操作来组合若干不同信号路径并且重用和/或共享无SAW接收器。
具体实施方式
因此,在设计例如GSW无SAW接收器(Rx)时,设计者们面临若干挑战,包括对于高LNA线性度规范(例如,OOB二阶输入截点(IIP2)和OOB三阶输入截点(IIP3))的要求、高混频器IIP2规范的要求、以及严厉的接收器本地振荡器(LO)谐波抑制规范的要求。SAW滤波器的去除还将动态范围要求提高至110dB并且提高了对于接收器容忍非常大的OOB干扰物的需要,这要求非常高的OOB线性度和1-dB压缩点(P1dB)并且同时满足良好的灵敏度。这对LNA和混频器提出严格的要求以满足非常高的OOB IIP3和高OOB IIP2Tx。进一步地,大阻塞物可能通过卷积将LO相位噪声下变频并且增大噪声系数(NF)。无SAW接收器还可能将本地振荡器频率的谐波(n*fLO)处的堵塞物下变频,这将会要求LO谐波处的高输入抑制。
如本文描述的某些实施例提供了利用相同引脚上的SAW接收器操作来组合若干不同信号路径并且重用和/或共享GSM无SAW接收器前端(RxFE)电路。“SAW”接收器是指要求外部滤波器(诸如SAW滤波器)来防止LNA减敏的接收器,而“无SAW”接收器是不要求LNA输入处的外部SAW滤波器并且可以容忍高OOB阻塞物的接收器。
图1是与无线通信系统100进行通信的示例性无线设备110。无线通信系统100可以是长期演进(LTE)系统、码分多址(CDMA)系统、全球移动通信系统(GSM)系统、无线局域网(WLAN)系统、或者某种其他无线系统。CDMA系统可以实施宽带CDMA(WCDMA)、CDMA 1X、演进数据优化(EVDO)、时分同步CDMA(TD-CDMA)、或者某种其他版本的CDMA。为了简单,图1示出了包括两个基站120和122以及一个系统控制器130的无线系统100。一般而言,无线系统可以包括任何数目的基站和任何集合的网络实体。
无线设备110还可以被称为用户设备(UE)、移动站、终端、接入终端、订户单元、站,等等。无线设备110可以是蜂窝电话、智能电话、平板、无线调制解调器、个人数字助理(PDA)、手持式设备、膝上型计算机、智能本、上网本、无绳电话、无线本地环路(WLL)站、蓝牙设备,等等。无线设备110可以与无线系统100进行通信。无线设备110还可以接收来自广播站(例如,广播站124)的信号、来自一个或多个全球导航卫星系统(GNSS)中的卫星(例如,卫星140)的信号,等等。无线设备110可以支持用于无线通信的一种或多种无线电技术,诸如LTE、WCDMA、CDMA IX、EVDO、TD-SCDMA、GSM、802.11,等等。
图2是无线设备200的示例性设计的框图,其是图1的无线设备110的一个实施例。在这一示例性设计中,无线设备200包括耦合到天线222的收发器228、以及数据处理器/控制器224。收发器228包括天线接口电路254、接收器路径230、以及发射器路径240。天线接口电路254可以包括开关、双工器、发射滤波器、接收滤波器、匹配电路,等等。数据处理器/控制器224可以执行用于无线设备200的各种功能。例如,数据处理器/控制器224可以针对经由接收器路径230接收的数据和经由发射器路径240发射的数据来执行处理。数据处理器/控制器224可以控制收发器228内的各种电路的操作。存储器226可以存储用于数据处理器/控制器224的程序代码和数据。数据处理器/控制器224可以被实施在一个或多个专用集成电路(ASIC)和/或其他集成电路(IC)上。接收器路径230包括低噪声放大器(LNA)232、混频器234、锁相环(PLL)236、以及带通滤波器238。模数转换器(ADC)250被放置在基带通滤波器238之后以使基带信号数字化。发射器路径240包括带通滤波器248、PLL 246、混频器244、驱动器放大器(DA)254、以及功率放大器(PA)242。数模转换器(DAC)252被放置在数据处理器/控制器224与带通滤波器248之间,以将数字数据转换成模拟基带信号。在图2的所图示的实施例中,接收器路径230包括PLL 236并且发射器路径240包括PLL 246,以向混频器234、244提供本地振荡器信号。然而,在其他实施例中,接收器路径230和发射器路径240这两者可以使用单个共用的PLL。
对于数据接收,天线222从基站和/或其他发射器站接收信号并且提供所接收的RF信号,其通过天线接口电路254被路由并且作为输入RF信号被呈送到接收器路径230。天线接口电路254可以包括开关、双工器、发射滤波器、接收滤波器、匹配电路,等等。在接收器路径230内,LNA 232放大输入RF信号并且向混频器234提供输出RF信号。PLL 236生成本地振荡器信号。混频器234将输出RF信号与PLL生成的本地振荡器信号混频,以将输出RF信号从RF下变频到基带。基带滤波器238对经下变频的信号滤波以向ADC 250提供模拟输入信号,ADC 250将模拟输入信号转换成数字信号并且向数据处理器/控制器224提供数字数据。接收器路径230可以包括其他元件,诸如匹配电路、振荡器,等等。
对于数据发射,数据处理器/控制器224处理(例如,编码和调制)将被发射的数据并且向DAC 252提供数字数据,DAC 252将数字数据转换成模拟输出信号并且向发射器路径240提供经转换的模拟输出信号,发射器路径240生成发射RF信号。发射RF信号通过天线接口电路254被路由并且经由天线222被发射。
图3是根据本公开的一个实施例的示例性接收器300的示意图。接收器300是图2的接收器路径230、天线接口254、以及天线222的一个实施例。在图3的所图示的实施例中,示例性接收器300被配置为在输入节点302处共享“SAW”LNA(例如,操作在FDD模式中)和“无SAW”LNA。“SAW”LNA是要求用于时分双工(TDD)应用的外部滤波器(诸如SAW滤波器)和用于FDD应用的双工器的LNA。进一步地,“无SAW”LNA是不要求外部SAW滤波器的LNA。在图3的所图示的实施例中,LNA的增益是可编程的,从而参数(诸如增益和电流偏置)可以动态地被编程。
SAW LNA可以被实施为具有外部输入匹配的单端LNA。单端LNA减少了引脚数并且节省电流消耗以及面积。对于无SAW应用,经常要求差分LNA来满足严格的LNA IP2/IP3要求。一些解决方案使用具有两个输入引脚和外部巴伦的专用无SAW差分LNA。此外,为了满足0dBm阻塞条件下的线性度,LNA被优化以使得它从高供应电压汲取大量功率。为了同时地减少输入引脚的数目、通过去除对于外部巴伦的需要来减少成本、以及在相同输入引脚上使用SAW和无SAW LNA,片上输入巴伦(其提供单端到差分转换)可以被用于每个信号路径。因此,在一个实施例中,当LNA线性度要求(例如,IIP2)被放松时,为了更好的噪声系数而选择单端SAW放大器。
在图3的所图示的实施例中,无SAW路径352的单端口共享输入节点304通过开关S3连接到输入节点302,开关S3耦合到内部巴伦310的初级绕组的第一端子。因此,开关S3隔离了无SAW LNA到SAW LNA的加载。初级绕组的第二端子耦合到地面。内部巴伦310的次级绕组的端子连接到无SAW差分放大器(例如,无SAW差分LNA)312、314的输入端子。巴伦310执行单端到差分转换。内部巴伦310还使能引脚数上的减少和物料清单(BOM)节省(例如,没有外部巴伦)。进一步地,具有可调谐电容器(图3中未示出)的输入巴伦310实现了针对带外(OOB)堵塞物的带通滤波。
在图3中,无SAW路径352包括可选择的高线性度(HL)无SAW LNA 312和低线性度(LL)无SAW LNA 314。HL LNA被设计为处置大阻塞物并且实现OOB阻塞条件下的高线性度。LL LNA被设计为在没有OOB阻塞物存在时给出最佳噪声系数。在一个实施例中,无SAW LNA可以被配置作为差分AB类LNA,其通过RF扼流器(choke)316耦合到高供应电压。差分模式被要求以满足针对接收器处的堵塞物的高LNA OOB IP2。高供应电压可以在0dBm OOB阻塞条件下改进输入信号电压摆动和线性度。无SAW路径352进一步包括跟随在RF扼流器316之后的混频器317,以将RF信号下变频到基带。虽然图3的所图示的实施例仅示出了两个不同的线性度模式LNA(即,HL和LL),但是在其他实施例中,可以使用任何数目的线性度模式LNA。例如,可以连同HL和LL模式LNA一起使用中线性度模式无SAW LNA。
在一个实施例中,SAW滤波器在20MHz偏移处提供近似25-30dB抑制,并且大幅减小或消除所有OOB干扰物。然而,当SAW滤波器被消除时(例如,由LNA 312、314提供的无SAW路径352),接收器被暴露于所有OOB干扰物,并且最近的干扰物在20MHz处为0dBm。这对接收器的要求(包括LNA压缩/饱和、LNA线性度、混频器压缩/线性度、以及混频器IIP2)施加了巨大的过滤挑战。为了过滤在离LO(例如,在900MHz处)20MHz偏移处的干扰物/阻塞物,需要非常高Q的滤波器。例如,对于20dB衰减,需要450的Q。在图3中,混频器317与低通滤波器318(有时被称为N-路径滤波器)的组合被配置为提供高Q滤波。进一步地,具有LO谐波陷波器(trap)的外部输入匹配电路308被设计在无SAW LNA输入处,以得到更好的LO谐波抑制。因此,输入匹配电路308被配置作为LO谐波抑制滤波器。
在图3中示出的无SAW路径352中,因为无源混频器317没有反向隔离,所以混频器317将基带阻抗上变频到LO频率附近的RF。在无SAW LNA 312或314的输出处,在基带处的极点/滤波变成可以被用于阻塞物过滤的高Q带通滤波器。在更高的偏移处,20dB/十倍频程滚降(roll-off)归因于混频器开关电阻而变平。因此,这一滤波器可以被放置在无SAW路径内的任何地方来得到堵塞物过滤。进一步地,该滤波器自动地追踪LO频率并且不需要调谐。
无SAW路径352还包括低通滤波器318和基带处理块360。低通滤波器318被配置有电容器(CBB)和至少一个可变电阻器(RBB1、RBB2),以基于高或低堵塞物条件来调谐并调节极点频率。基带处理块360被配置有跨阻抗放大器(TIA)362、一对电容器(CTIA1、CTIA2)、以及一对电阻器(RTIA1、RTIA2)以处理经滤波的中频信号。跟随有低通滤波器318的无源混频器317的组合构成“N-路径”滤波器。
在低通滤波器318中,电容器(CBB)在LNA输出处的堵塞物频率处表现为短路。这减小LNA输出处的堵塞物摆动并且防止LNA压缩以及混频器非线性。堵塞物摆动由电容器阻抗和混频器开关阻抗来确定。堵塞物电流流过混频器317并且循环通过电容器(CBB)。电阻器(RBB1、RBB2)阻挡堵塞物电流进入到TIA 362中并且防止TIA饱和。进一步地,因为混频器在电流模式中操作,所以它可以在堵塞物条件下实现高线性度。因为TIA 362的输入阻抗在20MHz处也增大,所以TIA 362的输入阻抗和电阻器(RBB1、RBB2)的组合应当大于用于阻挡堵塞物的电容器(CBB)的阻抗。电阻器(RBB1、RBB2)的更大值增大了从TIA 362的求和点看向混频器317中的阻抗,并且减小了基带滤波器噪声。巴伦或RF扼流器316的阻抗与电阻器(RBB)加上混频器的经上变频的阻抗相比应当足够大,以使得接收器的前端具有大跨导(Gm)。在一个实施例中,在LL模式中,当不存在堵塞物时,电阻器RBB1、RBB2分别通过激活开关S1、S2而被旁路。这帮助实现更高的前端Gm和更好的灵敏度。在另一实施例中,电阻器RBB1、RBB2被配置为是可编程的,以使得电阻器可以被调节为任何合理值而不是一个设定值或者在被短路时为零,这取决于不同的堵塞物条件。
RF OOB堵塞物提出了针对无SAW接收器的主要问题,因为在缺少SAW滤波器时它们可能立即使接收器减敏。因为这些堵塞物可能存在于不同的Rx频率处,所以宽带RF堵塞物检测器(JDET)需要被实施在LNA输入处,以便告诉Rx路径堵塞物存在并且LNA需要从低线性度(LL)模式被切换到高线性度(HL)模式,并且反之亦然。
HL无SAW LNA 312或LL无SAW LNA314的选择基于由单端宽带RF堵塞物检测器330所检测的堵塞物条件。例如,当LNA输入处的堵塞物检测器330检测到小于堵塞信号的设定阈值时,检测器330通过缓冲器332向ADC 334发送信号以生成ADC代码,该ADC代码通过调制解调器336被发送到数字接口选择器338以选择/使能LL无SAW LNA 314。相对照地,当堵塞物检测器330检测到大于设定阈值的堵塞信号时,检测器330发送信号以选择/使能HL无SAWLNA 312。所生成的ADC代码可以被用来数字地估计堵塞物强度,并且甚至可以取决于不同的堵塞物概率、地理位置等而在软件中规划多个JDET切换阈值。LL无SAW LNA被设计为实现低噪声系数和低电流消耗。HL无SAW LNA被设计为在0dBm OOB阻塞条件下实现高线性度。进一步地,在高线性度模式中使用HL无SAW LNA 312被设计为在0dBm堵塞物下满足合理的NF同时满足灵敏度要求。此外,包括无源混频器317和低通滤波器318的N-路径滤波器给出并且使能用于LNA输出处的附加OOB堵塞物抑制的N-路径滤波器,并且在HL模式中改进混频器线性度。进一步地,不同的混频器栅电压可以被编程,以基于堵塞物条件在混频器线性度与NF之间折中。此外,不同的混频器IP2校准代码可以被使用在HL模式对LL模式中,以经由校准来优化混频器的二阶非线性性能。
图3的所图示的实施例还包括SAW路径350的共享输入节点306,SAW路径350是具有负载巴伦324的单端共源极退化LNA 320或322(在其他实施例中,可以使用任何类型的LNA)。LNA 320、322针对NF、面积和功率被优化。SAW LNA 320被配置作为通过开关S4连接到共享输入节点306的低增益(LG)LNA,而SAW LNA 322被配置作为直接耦合到共享输入节点306的高增益(HG)LNA。因此,开关S4隔离了LG SAW LNA到HG SAW LNA和无SAW LNA 312、314的加载。因为负载巴伦324被配置作为用于SAW LNA路径(其要求外部SAW滤波器)的负载,所以巴伦324可以利用低供应电压来操作。SAW路径350进一步包括跟随在负载巴伦324之后的混频器326以将RF信号下变频到基带。
在一个实施例中,当无SAW路径352被选择用于TDD模式时(即,输入节点/球302耦合到无SAW路径352),外部输入匹配电路308被填入以与输入巴伦310和差分LNA 312或314一起工作。在另一实施例中,当SAW路径350被选择用于TDD模式或连接到用于FDD模式的双工器时(即,输入节点/球302耦合到SAW路径350),外部输入匹配电路308被填入以与单端LNA 320或322一起工作。相对照地,利用差分LNA来实施SAW解决方案将会生成额外的巴伦插入损耗、更多的功耗,并且占用更多的面积。进一步地,利用单端LNA来实施无SAW解决方案将会在非常高的OOB IIP3的情况下不满足0dBm堵塞物条件下的性能。因此,共享输入节点/球302优化了每个个体LNA解决方案,而没有额外球的成本。
关于增益状态,在差分操作中,HL无SAW LNA 312实施增益状态G0HL、G1HL、G2HL,而LL无SAW LNA 314实施增益状态G0LL、G1LL、G2LL。进一步地,无SAW路径352通过接通开关S4并且关断开关S3来共享SAW路径350的LG SAW LNA 320用于增益状态G3、G4和G5。这些增益状态(G3、G4、G5)被优化为在低供应电压处在单端操作中汲取非常小的电流,同时满足高线性度。因此,无SAW路径重用来自SAW路径的单端LG LNA 320,并且实现低增益状态中的面积和功率效率。
图4是根据本公开的另一实施例的示例性接收器400的示意图。在一个实施例中,接收器400被使用在图2中示出的无线设备中作为接收器230。在图4的所图示的实施例中,示例性接收器400被配置为共享LB端口与MB端口之间的无SAW路径452,包括输入巴伦410、HL无SAW LNA 412、LL无SAW LNA 414、扼流器416、以及混频器417,并且中频带(MB)SAW路径450和低频带(LB)SAW路径454分别使用开关S3和S4。在600MHz至1GHz范围中的射频(RF)频带通常被称为“LB”,而在1.4GHz至2.3GHz范围中的频带被称为“MB”。利用开关S3和S4在LB与MB之间实现良好的隔离。在SAW模式操作期间,开关S3和S4隔离了无SAW输入巴伦加载SAW路径,这降低了用于SAW路径的输入阻抗并且使NF降级。开关S3和S4在0dBm堵塞物条件下经历大堵塞物摆动,并且被设计为具有良好的断路阻抗同时满足高线性度。
在图4中,MB SAW路径450耦合到输入球401,并且LB SAW路径454耦合到输入球402。MB SAW路径450和LB SAW路径454中的每个包括共享输入节点406或407、单端LG SAWLNA 420或470、单端HG SAW LNA 422或472、负载巴伦424或474、以及混频器426或476。开关S5和S6被用来分别对于输入球401、402与无SAW信号路径452共享SAW信号路径450、454。无SAW巴伦410(其归因于HL模式中的高线性度要求而经常是大型的)在MB SAW路径450与LBSAW路径454之间被共享。这一巴伦的自谐振应当足够高以支持最高所支持的操作频率。进一步地,巴伦410中的可调谐电容器415可以实现输入阻抗可保持性(tenability)和用于MB/LB信号频率的OOB堵塞物的带通滤波。虽然图4的所图示的实施例示出了仅两个频带(即,LB和MB),但是用于其他频带的电路(诸如高频带电路)可以被用来处理高频带信号。
N-路径滤波器(包括混频器417和低通滤波器418)以及基带处理块460与N-路径滤波器317、318和基带处理块360类似地操作。堵塞物检测器430、缓冲器432、ADC 434、调制解调器436、以及数字接口438也与堵塞物检测器330、缓冲器332、ADC 334、调制解调器336、以及数字接口选择器338类似地操作。进一步地,外部输入匹配电路408、409与外部输入匹配电路308类似地操作。
大多数现代的多频带、多模式电话包括板上的若干组件并且经常牵涉到复杂的PCB路由。在诸如具有全球定位系统(GPS)或Rx分集的电话之类的一些应用中,使用了不同于主天线的分离的辅天线。归因于布局约束和最佳接收,经常地,这一辅天线被放置为远离于主天线。作为这一点的结果,从辅天线到LNA输入的迹线损耗(trace loss)太高。因此,合意的是使用靠近辅天线放置的外部LNA,以减轻归因于迹线损耗的NF降级。一种当前的配置包括在接收器之前放置滤波器、LNA和另一滤波器的设置。另一配置是在前端(FE)损耗对于分集接收器(DRx)支持多个频带为太高的时候。这样的配置(参见图5A)包括分集天线,之后跟随天线开关、SAW滤波器组、另一开关、LNA、另一开关、以及另一SAW滤波器组。因为无SAW接收器可以处置更高的堵塞物,所以LNA后面的第二滤波器组可以被去除。因此,无SAW接收器可以被配置为通过基于现场的堵塞物场景来去除或旁路芯片上的某些元件,以提供减小的NF和电流消耗。在一个实施例中,该去除或旁路包括物理地去除元件。在另一实施例中,该去除或旁路包括使用开关来旁路元件,诸如利用图4中的开关S1和S2。在一个实施例中,LNA中的电流偏置基于堵塞物是动态可编程的。
图5A和图5B是示出了图3和图4中示出的实施例的优点的框图。图5A是示例性接收器500的框图,其包括分集天线502,之后跟随天线开关510、第一滤波器组512、第一开关520、外部(分立)LNA 530、第二开关542、以及第二滤波器组544。第一滤波器组512过滤所有OOB堵塞物并且防止外部LNA 530的减敏。第一开关520从第一滤波器组512中选择滤波器以用于LNA 530。在一个实施例中,RF传输线532将外部LNA 530与第二开关542连接。然而,因为无SAW接收器(如图3或图4中示出的被配置)可以处置由LNA 530增大的(比SAW接收器)更高的堵塞物,所以第二开关542和(LNA 530之后的)第二滤波器组544可以被去除。图5B示出了新配置的一个示例。为了简单的缘故,未示出图5A中的SAW滤波器组544与接收器中的LNA之间的LNA输入匹配。
图5B是根据本公开的一个实施例的上面提及的元件540被去除的示例性接收器550的框图。在图5B的所图示的实施例中,接收器550包括分集天线552,之后跟随天线开关560、第一滤波器组562、第一开关570、以及无SAW LNA 580,之后跟随RF传输线582,其表示包括扼流器、混频器、电容器等的元件。因此,可以处置(来自Tx或相邻频带的)更高堵塞物的图5B的无SAW接收器550节省了显著的板面积,降低了路由复杂度,其导致显著的物料清单(BOM)节省,这归因于开关542和SAW滤波器组544的去除。在图5A中,(在滤波器组544之后的)LNA输入处的Tx泄漏经常由于外部LNA 530中的增益而非常高。这要求LNA在更低的增益状态中操作以避免压缩,因此使NF降级。因为无SAW LNA可以处置比SAW LNA高得多的堵塞物,所以无SAW LNA可以在G0HL增益模式中操作(例如,如图5B中那样)并且可以供给比低增益状态中的SAW LNA更好的NF。此外,无SAW LNA上的电流消耗可以通过检测堵塞物(例如,基于图3中示出的JDET电路330的输出)而使用控制器(图5B中未示出)来动态地控制或编程。在低堵塞物条件下,可以减小LNA电流。进一步地,因为在Rx为接通(ON)时的占空比与GSM中的总时隙相比小得多,所以归因于差分无SAW LNA的电流消耗影响最小。为了简单的缘故,未示出传输线582与LNA之间的无SAW LNA输入匹配。
图6是根据本公开的一个实施例的示例性装置600的功能框图,其被配置用于利用相同引脚上的SAW模式操作来组合若干不同的信号路径并且重用和/或共享无SAW接收器。在图6的所图示的实施例中,装置600包括用于放大差分输入信号的模块610。装置600还包括用于将放大部件的输出与LO信号混频的模块620、用于低通滤波的模块630、以及用于调谐用于低通滤波的模块中的电阻器的模块640。
本文描述的接收器芯片和LNA可以被实施在IC、模拟IC、RF IC、混合信号IC、专用集成电路(ASIC)、印刷电路板(PCB)、电子设备等上。接收器芯片和LNA还可以利用各种IC工艺技术来制造,诸如互补金属氧化物半导体(CMOS)、N-沟道MOS(NMOS)、P-沟道MOS(PMOS)、双极结型晶体管(BJT)、双极CMOS(BiCMOS)、硅锗(SiGe)、砷化镓(GaAs)、异质结双极晶体管(HBT)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、绝缘体上硅(SOI),等等。
实施本文描述的接收器芯片和LNA的装置可以是独立的设备,或者可以是更大设备的一部分。设备可以是(i)独立的IC、(ii)一个或多个IC的集合,其可以包括用于存储数据和/或指令的存储器IC、(iii)RF IC,诸如RF接收器(RFR)或RF发射器/接收器(RTR)、(iv)ASIC,诸如移动站调制解调器(MSM)、(v)可以嵌入在其他设备内的模块、(vi)接收器、蜂窝电话、无线设备、手机、或移动单元、(vii)等等。
虽然上面描述了本发明的若干实施例,但是本发明的许多变化是可能的。进一步地,各种实施例的特征可以在与上文描述的那些组合不同的组合中被组合。此外,为了清楚且简要的描述,系统和方法的许多描述已经被简化。许多描述使用具体标准的术语和结构。然而,所公开的系统和方法是更广泛地可应用的。
技术人员将明白,关于本文公开的实施例所描述的各种说明性框和模块可以按各种形式来实施。一些框和模块已经在上面一般性地按照它们的功能被描述。这样的功能如何被实施取决于施加于整个系统的设计约束。技术人员可以针对每个特定应用按不同方式来实施所描述的功能,但是这样的实施决策不应当被解释为引起从本发明的范围的偏离。另外,模块、框、或步骤内功能的分群组是为了描述的容易。具体的功能或步骤可以从一个模块或框被移开而不偏离本发明。
关于本文公开的实施例所描述的各种说明性逻辑框、单元、步骤、组件、以及模块可以利用被设计为执行本文所描述的功能的处理器来实施或执行,诸如通用处理器、数字信号处理器(DSP)、ASIC、现场可编程门阵列(FPGA)或其他可编程逻辑设备、分立门或晶体管逻辑、分立硬件组件、或它们的任何组合。通用处理器可以是微处理器,但是在替换方案中,处理器可以是任何处理器、控制器、微控制器、或状态机。处理器还可以被实施为计算设备的组合,例如,DSP和微处理器的组合、多个微处理器的组合、一个或多个微处理器连同DSP核心的组合、或任何其他这样的配置。进一步地,实施本文所描述的实施例以及功能框和模块的电路可以使用各种晶体管类型、逻辑族、以及设计方法论来实现。
所公开的实施例的上述描述被提供以使得本领域的任何技术人员能够制作或使用本发明。对这些实施例的各种修改对本领域的技术人员将容易是明显的,并且本文描述的一般原理可以应用于其他实施例而不偏离本发明的精神或范围。因此,将理解,本文呈现的描述和附图表示本发明的当前优选的实施例,并且因此表示由本发明广泛地预期到的主题。进一步理解的是,本发明的范围完全涵盖可以对本领域的技术人员变得明显的其他实施例,并且本发明的范围因此不被除了所附权利要求之外的事物所限制。
Claims (23)
1.一种装置,包括:
至少一个差分放大器,被配置为放大射频信号;
混频器,被配置为将来自所述至少一个差分放大器的所述射频信号与本地振荡器信号混频;以及
低通滤波器,耦合到所述混频器,所述低通滤波器包括电容器和被配置为调谐所述低通滤波器的至少一个可变电阻器。
2.根据权利要求1所述的装置,进一步包括:
至少一个开关,被配置为旁路所述至少一个可变电阻器。
3.根据权利要求1所述的装置,所述至少一个差分放大器被配置为在无SAW模式中操作。
4.根据权利要求1所述的装置,所述至少一个差分放大器包括低线性度模式放大器和高线性度模式放大器。
5.根据权利要求4所述的装置,进一步包括:
选择器,被配置为选择所述低线性度模式放大器或所述高线性度模式放大器中的一个;以及
至少一个开关,耦合到所述至少一个可变电阻器并且被配置为在所述低线性度放大器被选择时被激活。
6.根据权利要求4所述的装置,进一步包括:
检测器,被配置为检测堵塞物条件,
所述混频器和所述低通滤波器耦合到所述低线性度模式放大器和所述高线性度模式放大器,所述混频器和所述低通滤波器被配置为包括极点频率,所述极点频率基于由所述检测器检测的所述堵塞物条件是可调节的。
7.根据权利要求1所述的装置,进一步包括:
至少一个单端放大器;以及
共享输入节点,耦合到所述至少一个差分放大器和所述至少一个单端放大器。
8.根据权利要求7所述的装置,所述至少一个单端放大器被配置为在SAW模式中操作。
9.根据权利要求7所述的装置,所述至少一个单端放大器包括低增益SAW模式放大器和高增益SAW模式放大器。
10.根据权利要求9所述的装置,所述低增益SAW模式放大器被配置为被用于低增益无SAW模式。
11.根据权利要求7所述的装置,进一步包括:
第一开关和第二开关,耦合到所述共享输入节点,所述第一开关还耦合到所述至少一个差分放大器,并且所述第二开关还耦合到所述至少一个单端放大器。
12.根据权利要求11所述的装置,进一步包括:
片上巴伦,耦合在所述至少一个差分放大器与所述第一开关之间。
13.根据权利要求7所述的装置,进一步包括:
输入匹配电路,耦合到所述共享输入节点并且被配置作为本地振荡器谐波抑制滤波器。
14.根据权利要求7所述的装置,进一步包括:
开关,耦合到所述共享输入节点并且被配置为在线性度要求被放松时选择所述至少一个单端放大器。
15.根据权利要求1所述的装置,进一步包括:
第一SAW路径和第二SAW路径;以及
第一共享输入节点和第二共享输入节点,所述第一共享输入节点耦合到所述第一SAW路径或所述至少一个差分放大器中的一个,并且所述第二共享输入节点耦合到所述第二SAW路径或所述至少一个差分放大器中的一个。
16.根据权利要求15所述的装置,所述第一SAW路径包括被配置作为至少一个低频带放大器的至少一个单端放大器。
17.根据权利要求16所述的装置,所述至少一个低频带放大器包括低增益低频带放大器和高增益低频带放大器。
18.根据权利要求17所述的装置,进一步包括:
开关,设置在所述第一共享输入节点与所述低增益低频带放大器之间。
19.根据权利要求15所述的装置,所述第二SAW路径包括被配置作为至少一个中频带放大器的至少一个单端放大器。
20.根据权利要求1所述的装置,进一步包括:
检测器,被配置为检测堵塞物条件,
所述至少一个差分放大器包括被配置为在高堵塞物条件下操作的至少一个无SAW放大器。
21.根据权利要求20所述的装置,进一步包括:
控制器,被配置为基于所述堵塞物条件来控制所述至少一个无SAW放大器的电流消耗。
22.一种装置,包括:
用于放大差分输入信号的部件;
用于将来自用于放大的所述部件的射频信号与本地振荡器信号混频的部件;以及
用于低通滤波的部件,耦合到用于混频的所述部件,用于低通滤波的所述部件包括用于调谐用于低通滤波的所述部件的部件,用于调谐的所述部件包括用于改变电阻的部件。
23.根据权利要求22所述的装置,进一步包括:
用于旁路用于改变电阻的所述部件的部件。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110620595A (zh) * | 2018-06-19 | 2019-12-27 | 联发科技股份有限公司 | 接收器及相关的信号处理方法 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10128819B2 (en) * | 2016-01-21 | 2018-11-13 | Qualcomm Incorporated | High rejection wideband bandpass N-path filter |
US10027358B2 (en) * | 2016-08-15 | 2018-07-17 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Harmonic selective full-band capture receiver with digital harmonic rejection calibration |
CN108933607B (zh) | 2017-05-24 | 2020-08-25 | 华为技术有限公司 | 射频发射机 |
US11005438B2 (en) | 2018-06-28 | 2021-05-11 | Apple Inc. | Active saturation prevention of pulse-mode transimpedance amplifiers |
US11658764B2 (en) * | 2020-12-16 | 2023-05-23 | Qualcomm Incorporated | Biasing technique for receiver based on radio frequency (RF) jammer detection |
CN113067597B (zh) * | 2021-03-22 | 2022-08-09 | 维沃移动通信有限公司 | 链路处理方法、装置、电子设备和存储介质 |
US11595069B2 (en) * | 2021-07-14 | 2023-02-28 | Apple Inc. | Transimpedance amplifier (TIA) with tunable input resistance |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050164669A1 (en) * | 2004-01-28 | 2005-07-28 | Axiom Microdevices, Inc. | High dynamic range time-varying integrated receiver for elimination of off-chip filters |
CN101842994A (zh) * | 2007-10-30 | 2010-09-22 | 高通股份有限公司 | 无表面声波接收器中的退化无源混波器 |
US20130314160A1 (en) * | 2012-05-24 | 2013-11-28 | Mediatek Inc. | Low noise amplifier and saw-less receiver with low-noise amplifier |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5345119A (en) * | 1992-09-16 | 1994-09-06 | At&T Bell Laboratories | Continuous-time filter tuning with a delay-locked-loop in mass storage systems or the like |
US6784731B2 (en) * | 2002-05-08 | 2004-08-31 | Lucent Technologies Inc. | System and method for reducing amplifier distortion using distortion feedback |
DE102005020086B4 (de) | 2005-04-29 | 2013-07-11 | Epcos Ag | Elektrisches Multiband-Bauelement |
US8521198B2 (en) | 2006-05-12 | 2013-08-27 | Qualcomm, Incorporated | Dynamic LNA switch points based on channel conditions |
US8237509B2 (en) * | 2007-02-23 | 2012-08-07 | Qualcomm, Incorporated | Amplifier with integrated filter |
US7719352B2 (en) * | 2007-03-13 | 2010-05-18 | Qualcomm Incorporated | Active circuits with isolation switches |
KR20090090828A (ko) * | 2008-02-22 | 2009-08-26 | 장세주 | Iss 중계기 |
US8433272B2 (en) * | 2008-04-15 | 2013-04-30 | Qualcomm Incorporated | Reconfigurable high linearity low noise figure receiver requiring no interstage saw filter |
GB2460297A (en) * | 2008-05-29 | 2009-12-02 | Cambridge Silicon Radio Ltd | Creation of an interference cancelling signal by frequency conversion to the passband of an intermediate filter. |
JP2010021826A (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-28 | Seiko Epson Corp | 半導体集積回路 |
KR20110130389A (ko) | 2008-12-24 | 2011-12-05 | 레이스팬 코포레이션 | Rf 전단 모듈 및 안테나 시스템 |
WO2011094284A1 (en) | 2010-01-26 | 2011-08-04 | Maxlinear, Inc. | Diversity receiver |
JP2012239016A (ja) * | 2011-05-11 | 2012-12-06 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 受信装置及び多重フィルタの制御方法 |
CN202679353U (zh) * | 2012-05-17 | 2013-01-16 | 天津里外科技有限公司 | 一种具有自适应宽带振荡器的移动终端射频前端收发器 |
-
2015
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050164669A1 (en) * | 2004-01-28 | 2005-07-28 | Axiom Microdevices, Inc. | High dynamic range time-varying integrated receiver for elimination of off-chip filters |
CN101842994A (zh) * | 2007-10-30 | 2010-09-22 | 高通股份有限公司 | 无表面声波接收器中的退化无源混波器 |
US20130314160A1 (en) * | 2012-05-24 | 2013-11-28 | Mediatek Inc. | Low noise amplifier and saw-less receiver with low-noise amplifier |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110620595A (zh) * | 2018-06-19 | 2019-12-27 | 联发科技股份有限公司 | 接收器及相关的信号处理方法 |
CN110620595B (zh) * | 2018-06-19 | 2021-06-18 | 联发科技股份有限公司 | 接收器及相关的信号处理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2016076981A1 (en) | 2016-05-19 |
EP3219018A1 (en) | 2017-09-20 |
US9450626B2 (en) | 2016-09-20 |
US20160142085A1 (en) | 2016-05-19 |
JP2017539151A (ja) | 2017-12-28 |
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