CN107068799A - 一种光伏电站集成控制系统 - Google Patents
一种光伏电站集成控制系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107068799A CN107068799A CN201710265458.3A CN201710265458A CN107068799A CN 107068799 A CN107068799 A CN 107068799A CN 201710265458 A CN201710265458 A CN 201710265458A CN 107068799 A CN107068799 A CN 107068799A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- type
- silicon chip
- thin film
- type silicon
- amorphous germanium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 82
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 82
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 82
- 230000011664 signaling Effects 0.000 claims abstract description 20
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 40
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 39
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 32
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 claims description 27
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims description 27
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 24
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 claims description 17
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 13
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 claims description 12
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 claims description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 7
- RQNMYNYHBQQZSP-UHFFFAOYSA-M methylmagnesium chloride Chemical class C[Mg]Cl RQNMYNYHBQQZSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 6
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 5
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 claims description 5
- CCERQOYLJJULMD-UHFFFAOYSA-M magnesium;carbanide;chloride Chemical compound [CH3-].[Mg+2].[Cl-] CCERQOYLJJULMD-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- UHZYTMXLRWXGPK-UHFFFAOYSA-N phosphorus pentachloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)(Cl)Cl UHZYTMXLRWXGPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004816 dichlorobenzenes Chemical class 0.000 claims description 4
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 claims description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 claims 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 3
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001815 facial effect Effects 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
- H01L31/0747—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer or HIT® solar cells; solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1868—Passivation
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S40/00—Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
- H02S40/30—Electrical components
- H02S40/34—Electrical components comprising specially adapted electrical connection means to be structurally associated with the PV module, e.g. junction boxes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
本发明涉及一种光伏电站集成控制系统,所述光伏电站集成控制系统包括:分别连接到多个太阳能电池模块的多个信号控制单元和连接到多个信号控制单元的最终电力输出单元,多个信号控制单元分别执行最大功率点跟踪操作,以确定每一太阳能电池模块的最大功率,最终电力输出单元选择多个太阳能电池模块分别获得的最大功率中的最大功率作为最终功率,最终电力输出单元将最终功率输出到后续设备,所述太阳能电池模块包括多个呈阵列排布的硅基异质结太阳能电池片。本发明的光伏电站集成控制系统可以选择最大功率进行输出。
Description
技术领域
本发明涉及发电与储能技术领域,特别是涉及一种光伏电站集成控制系统。
背景技术
近年来,随着石油和煤炭等现有能源资源的枯竭,可再生能源替代现有能源的利益日益增加。在可再生能源中,太阳能发电产生的太阳能电池尤为突出。太阳能电池通常包括基板和发射极层,每个基板由半导体形成,电极分别形成在基板和发射极层上。形成衬底和发射极层的半导体具有不同的导电类型。在衬底和发射极层之间的界面处形成p-n结。当光入射到太阳能电池上时,在半导体中产生多个电子-空穴对。电子-空穴对被光电效应分离成电子和空穴。因此,分离的电子移动到n型半导体,并且分离的空穴移动到p型半导体,然后通过电连接的电极收集电子和空穴分别发射到发射极层和衬底。电极使用电线彼此连接,从而获得功率。可以单独使用太阳能电池,或者可以将具有相同结构的多个太阳能电池串联或并联连接,以制造有效使用和易于安装的太阳能电池模块。因此,期望数量的太阳能电池模块可以彼此连接以制造模块阵列,即太阳能电池板。用户可以从太阳能电池板获得功率。因此,如何设计一种输出功率高的光伏电站集成控制系统,是业界亟待解决的问题。
发明内容
本发明的目的是克服上述现有技术的不足,提供一种光伏电站集成控制系统。
为实现上述目的,本发明提出的一种光伏电站集成控制系统,所述光伏电站集成控制系统包括:第一、第二、第三、第四太阳能电池模块,分别连接到所述第一、第二、第三、第四太阳能电池模块的第一、第二、第三、第四信号控制单元,以及连接到所述第一、第二、第三、第四信号控制单元的最终电力输出单元,所述第一、第二、第三、第四信号控制单元基于所述第一、第二、第三、第四太阳能电池模块的电流和电压输出而分别执行最大功率点跟踪操作,以确定每一太阳能电池模块的最大功率,并输出该最大功率,最终电力输出单元被配置为从所述第一、第二、第三、第四信号控制单元输出的最大功率中选择最大功率作为最终功率,并输出该最终功率到后续设备,所述第一、第二、第三、第四太阳能电池模块均包括多个呈阵列排布的硅基异质结太阳能电池片,所述硅基异质结太阳能电池片按照如下步骤制备:
(1)对N型硅片进行清洗,并对N型硅片的上表面进行制绒;
(2)将制绒后的N型硅片浸泡在氢氟酸溶液中20分钟,去除N型硅片表面的自然氧化层,然后浸泡在饱和五氯化磷的二氯苯溶液中加热至150℃保持3小时,将N型硅片取出后,分别经过二氯苯和四氢呋喃的清洗后,将N型硅片转移至2mol/L甲基氯化镁的四氢呋喃溶液中,85℃下反应6h,最后将N型硅片在盐酸中浸泡60分钟,以除去N型硅片表面的甲基氯化镁,在N型硅片的制绒面形成Si-CH3钝化层;
(3)在N型硅片的制绒面上通过PECVD法依次制备本征非晶锗薄膜和P型非晶锗薄膜;
(4)在N型硅片的背面通过PECVD法依次制备本征非晶锗薄膜和N型非晶锗薄膜;
(5)在P型非晶锗薄膜上形成P型石墨烯欧姆接触层,在P型石墨烯欧姆接触层上形成金属铝栅电极;
(6)在N型非晶锗薄膜上通过热蒸发法8-羟基喹啉铝层,并在8-羟基喹啉铝层上通过热蒸发法沉积金属铝电极。
作为优选,在所述N型硅片的所述制绒面上的本征非晶锗薄膜的厚度为100-200纳米,所述P型非晶锗薄膜的厚度为50-100纳米。
作为优选,在所述N型硅片的所述背面的本征非晶锗薄膜的厚度为50-80纳米,所述N型非晶锗薄膜的30-50纳米。
作为优选,所述P型石墨烯欧姆接触层为P型硼掺杂石墨烯欧姆接触层,所述P型石墨烯欧姆接触层的厚度为30-50纳米。
作为优选,所述金属铝栅电极的厚度为100-200纳米。
作为优选,所述8-羟基喹啉铝层的厚度为1-3纳米。
作为优选,所述金属铝电极的厚度为200-300纳米。
本发明与现有技术相比具有下列优点:
(1) 本发明的光伏电站集成控制系统可以选择最大功率进行输出。
(2) 本发明所述的硅基异质结太阳能电池片,选择N型硅片、本征非晶锗薄膜和P型非晶锗薄膜形成PIN异质结结构,采用制绒面作为光活性层,提高了对太阳能光的吸收效率,同时通过对N型硅片的制绒面的表面悬空键导致的缺陷态进行最大限度的修复,以得到高质量PIN结。
(3) 本发明对制绒面的表面进行钝化改性,通过将N型硅片首先浸泡在饱和五氯化磷的二氯苯溶液中加热至150℃保持3小时,在此温度处理下,硅氯键将会几乎完全覆盖硅衬底的表面,以替代了原来的硅氢键,然后将N型硅片转移至2mol/L甲基氯化镁的四氢呋喃溶液中,85℃下反应6h,硅氯键完全转变为稳定的硅碳键,该钝化改性处理工序使得制绒面的表面钝化完全,提高了异质结界面的稳定性。
(4) 本发明通过在N型非晶锗薄膜与金属铝电极之间设置了8-羟基喹啉铝层,8-羟基喹啉铝层的存在降低了铝电极的功函数,进而降低了铝电极与N型非晶锗薄膜之间接触电阻,提高了该硅异质结太阳能电池的内建电场,抑制了电子与空穴的复合,同时降低了电极的成本。
(5)本发明利用P型石墨烯欧姆接触层作为透明导电层,提高了电荷的传输效率,进而提高了硅/锗异质结太阳能电池的光电转换效率。
附图说明
图1为本发明的光伏电站集成控制系统的示意图;
图2为本发明的硅基异质结太阳能电池的结构示意图。
具体实施方式
如图1-2所示,一种光伏电站集成控制系统,所述光伏电站集成控制系统包括:第一、第二、第三、第四太阳能电池模块11-14,分别连接到所述第一、第二、第三、第四太阳能电池模块11-14的第一、第二、第三、第四信号控制单元21-24,以及连接到所述第一、第二、第三、第四信号控制单元21-24的最终电力输出单元3。
由于第一至第四信号控制单元21-24的操作基本上彼此相同,因此在本发明的实施例中仅描述第一信号控制单元21的操作。当第一太阳能电池模块11输出一电流和一电压时,第一信号控制单元21确定从第一个太阳能电池组件11输出的电流和电压的实时状态,接下来,第一信号控制单元21接收来自第一太阳能电池模块11的实时电流和电压,并且基于从第一太阳能电池模块11输出的电流和电压来执行最大功率点跟踪操作。
因此,第一信号控制单元21使用从第一太阳能电池模块11实时接收的电流和电压在每个采样时间读取电流和电压,并在每个采样时间计算功率。第一信号控制单元21将当前功率与先前功率进行比较,并计算出第一太阳能电池模块11的最大功率P1。然后,第一信号控制单元21将最大功率P1输出到最终电力输出单元33。
第二、第三、第四信号控制单元22-24以与第一信号控制单元21相同的方式分别计算第二、第三、第四太阳能电池模块12-14的最大功率P2、P3、P4,然后分别将最大功率P2、P3、P4输出到最终动力输出单元3。
最终电力输出单元3选择从第一至第四太阳能电池模块11-14分别获得的最大功率P1至P4中的最大功率作为最终功率Pmax。最终电力输出单元3然后将最终功率Pmax输出到后续设备。
所述第一、第二、第三、第四太阳能电池模块11-14均包括多个呈阵列排布的硅基异质结太阳能电池片,所述硅基异质结太阳能电池片按照如下步骤制备:
(1)对N型硅片111进行清洗,并对N型硅片111的上表面进行制绒;
(2)将制绒后的N型硅片111浸泡在氢氟酸溶液中20分钟,去除N型硅片111表面的自然氧化层,然后浸泡在饱和五氯化磷的二氯苯溶液中加热至150℃保持3小时,将N型硅片111取出后,分别经过二氯苯和四氢呋喃的清洗后,将N型硅片111转移至2mol/L甲基氯化镁的四氢呋喃溶液中,85℃下反应6h,最后将N型硅片111在盐酸中浸泡60分钟,以除去N型硅片表面的甲基氯化镁,在N型硅片111的制绒面形成Si-CH3钝化层112;
(3)在N型硅片111的制绒面上通过PECVD法依次制备本征非晶锗薄膜113和P型非晶锗薄膜114;
(4)在N型硅片的背面通过PECVD法依次制备本征非晶锗薄膜117和N型非晶锗薄膜118;
(5)在P型非晶锗薄膜114上形成P型石墨烯欧姆接触层115,在P型石墨烯欧姆接触层115上形成金属铝栅电极116;
(6)在N型非晶锗薄膜118上通过热蒸发法8-羟基喹啉铝层119,并在8-羟基喹啉铝层119上通过热蒸发法沉积金属铝电极120。
其中,在所述N型硅片111的所述制绒面上的本征非晶锗薄膜113的厚度为100-200纳米,所述P型非晶锗薄膜114的厚度为50-100纳米,在所述N型硅片111的所述背面的本征非晶锗薄膜117的厚度为50-80纳米,所述N型非晶锗薄膜118的30-50纳米。所述P型石墨烯欧姆接触层115为P型硼掺杂石墨烯欧姆接触层,所述P型石墨烯欧姆接触层115的厚度为30-50纳米。所述金属铝栅电极116的厚度为100-200纳米。所述8-羟基喹啉铝层119的厚度为1-3纳米。所述金属铝电极120的厚度为200-300纳米。
在一个具体的实施例中,所述硅基异质结太阳能电池片按照如下步骤制备:
(1)对N型硅片111进行清洗,并对N型硅片111的上表面进行制绒;
(2)将制绒后的N型硅片111浸泡在氢氟酸溶液中20分钟,去除N型硅片111表面的自然氧化层,然后浸泡在饱和五氯化磷的二氯苯溶液中加热至150℃保持3小时,将N型硅片111取出后,分别经过二氯苯和四氢呋喃的清洗后,将N型硅片111转移至2mol/L甲基氯化镁的四氢呋喃溶液中,85℃下反应6h,最后将N型硅片111在盐酸中浸泡60分钟,以除去N型硅片表面的甲基氯化镁,在N型硅片111的制绒面形成Si-CH3钝化层112;
(3)在N型硅片111的制绒面上通过PECVD法依次制备150纳米厚的本征非晶锗薄膜113和70纳米厚的P型非晶锗薄膜114;
(4)在N型硅片的背面通过PECVD法依次制备60纳米厚的本征非晶锗薄膜117和40纳米厚的N型非晶锗薄膜118;
(5)在P型非晶锗薄膜114上形成40纳米厚的P型硼掺杂石墨烯欧姆接触层115,在P型石墨烯欧姆接触层115上形成150纳米厚的金属铝栅电极116;
(6)在N型非晶锗薄膜118上通过热蒸发法2.5纳米厚的8-羟基喹啉铝层119,并在8-羟基喹啉铝层119上通过热蒸发法沉积260纳米厚的金属铝电极120。在各层的配合作用下,该条件下的硅基异质结太阳能电池片的光电转换效率为22.4%。
对比例:
作为对比,一种硅基异质结太阳能电池片按照如下步骤制备:
(1)对N型硅片进行清洗,并对N型硅片的上表面进行制绒;
(2)将制绒后的N型硅片浸泡在氢氟酸溶液中20分钟,去除N型硅片表面的自然氧化层,然后浸泡在饱和五氯化磷的氯苯溶液中加热至120℃保持3小时,将N型硅片取出后,分别经过氯苯和四氢呋喃的清洗后,将N型硅片转移至1mol/L甲基氯化镁的四氢呋喃溶液中,80℃下反应8h,最后将N型硅片在盐酸中浸泡60分钟,以除去N型硅片表面的甲基氯化镁,在N型硅片的制绒面部分区域形成Si-CH3钝化层;
(3)在N型硅片的制绒面上通过PECVD法依次制备150纳米厚的本征非晶硅薄膜和70纳米厚的P型非晶硅薄膜;
(4)在N型硅片的背面通过PECVD法依次制备60纳米厚的本征非晶硅薄膜和40纳米厚的N型非晶硅薄膜;
(5)在P型非晶硅薄膜上形成40纳米厚的ITO透明导电层,在ITO透明导电层上形成150纳米厚的金属铝栅电极;
(6)在N型非晶硅薄膜上通过热蒸发法沉积260纳米厚的金属铝电极。该硅基异质结太阳能电池片的光电转换效率为19.5%。
以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种光伏电站集成控制系统,其特征在于:所述光伏电站集成控制系统包括:第一、第二、第三、第四太阳能电池模块,分别连接到所述第一、第二、第三、第四太阳能电池模块的第一、第二、第三、第四信号控制单元,以及连接到所述第一、第二、第三、第四信号控制单元的最终电力输出单元3,所述第一、第二、第三、第四信号控制单元基于所述第一、第二、第三、第四太阳能电池模块的电流和电压输出而分别执行最大功率点跟踪操作,以确定每一太阳能电池模块的最大功率,并输出该最大功率,最终电力输出单元被配置为从所述第一、第二、第三、第四信号控制单元输出的最大功率中选择最大功率作为最终功率,并输出该最终功率到后续设备,所述第一、第二、第三、第四太阳能电池模块均包括多个呈阵列排布的硅基异质结太阳能电池片,所述硅基异质结太阳能电池片按照如下步骤制备:
(1)对N型硅片进行清洗,并对N型硅片的上表面进行制绒;
(2)将制绒后的N型硅片浸泡在氢氟酸溶液中20分钟,去除N型硅片表面的自然氧化层,然后浸泡在饱和五氯化磷的二氯苯溶液中加热至150℃保持3小时,将N型硅片取出后,分别经过二氯苯和四氢呋喃的清洗后,将硅衬底转移至2mol/L甲基氯化镁的四氢呋喃溶液中,85℃下反应6h,最后将N型硅片在盐酸中浸泡60分钟,以除去N型硅片表面的甲基氯化镁,在N型硅片的制绒面形成Si-CH3钝化层;
(3)在N型硅片的制绒面上通过PECVD法依次制备本征非晶锗薄膜和P型非晶锗薄膜;
(4)在N型硅片的背面通过PECVD法依次制备本征非晶锗薄膜和N型非晶锗薄膜;
(5)在P型非晶锗薄膜上形成P型石墨烯欧姆接触层,在P型石墨烯欧姆接触层上形成金属铝栅电极;
(6)在N型非晶锗薄膜上通过热蒸发法8-羟基喹啉铝层,并在8-羟基喹啉铝层上通过热蒸发法沉积金属铝电极。
2.根据权利要求1所述的光伏电站集成控制系统,其特征在于:在所述N型硅片的所述制绒面上的本征非晶锗薄膜的厚度为100-200纳米,所述P型非晶锗薄膜的厚度为50-100纳米。
3.根据权利要求1所述的光伏电站集成控制系统,其特征在于:在所述N型硅片的所述背面的本征非晶锗薄膜的厚度为50-80纳米,所述N型非晶锗薄膜的30-50纳米。
4.根据权利要求1所述的光伏电站集成控制系统,其特征在于:所述P型石墨烯欧姆接触层为P型硼掺杂石墨烯欧姆接触层,所述P型石墨烯欧姆接触层的厚度为30-50纳米。
5.根据权利要求1所述的光伏电站集成控制系统,其特征在于:所述金属铝栅电极的厚度为100-200纳米。
6.根据权利要求1所述的光伏电站集成控制系统,其特征在于:所述8-羟基喹啉铝层的厚度为1-3纳米。
7.根据权利要求1所述的N型硅异质结太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述金属铝电极的厚度为200-300纳米。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710265458.3A CN107068799B (zh) | 2017-04-21 | 2017-04-21 | 一种光伏电站集成控制系统 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710265458.3A CN107068799B (zh) | 2017-04-21 | 2017-04-21 | 一种光伏电站集成控制系统 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107068799A true CN107068799A (zh) | 2017-08-18 |
CN107068799B CN107068799B (zh) | 2018-11-02 |
Family
ID=59601271
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710265458.3A Active CN107068799B (zh) | 2017-04-21 | 2017-04-21 | 一种光伏电站集成控制系统 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107068799B (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110416357A (zh) * | 2019-07-11 | 2019-11-05 | 苏州迈正科技有限公司 | 一种异质结电池氢钝化方法、氢钝化装置、电池、电池组件及太阳能供电站 |
CN110459651A (zh) * | 2019-07-11 | 2019-11-15 | 苏州迈正科技有限公司 | 一种异质结电池分层氢钝化方法、氢钝化装置、电池、电池组件及太阳能供电站 |
CN112366249A (zh) * | 2020-11-16 | 2021-02-12 | 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 | 具有追踪功能的太阳能电池制造方法及其所用的追踪系统 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1797892A (zh) * | 2004-12-30 | 2006-07-05 | 中国科学院电工研究所 | 一种太阳能光伏发电最大功率跟踪器及控制方法 |
CN101798382A (zh) * | 2010-03-23 | 2010-08-11 | 上海钰康生物科技有限公司 | 水解稳定的聚醚改性硅碳烷表面活性剂 |
US20100327265A1 (en) * | 2009-06-25 | 2010-12-30 | Yamagata Promotional Organization For Industrial Technology | Bipiridine derivative and organic electroluminescence element containing the same |
CN103647501A (zh) * | 2013-12-09 | 2014-03-19 | 湖南大学 | 一种光伏电源结构及最大功率跟踪控制方法 |
CN103825299A (zh) * | 2014-02-28 | 2014-05-28 | 深圳市长昊机电有限公司 | 一种光伏并网发电系统及其控制方法 |
CN104135182A (zh) * | 2014-08-25 | 2014-11-05 | 深圳市创皓科技有限公司 | 一种外置连接多路mppt控制器的光伏并网逆变器 |
JP2015062168A (ja) * | 2013-08-19 | 2015-04-02 | Jsr株式会社 | 電極材料の製造方法、電極及び蓄電デバイス |
-
2017
- 2017-04-21 CN CN201710265458.3A patent/CN107068799B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1797892A (zh) * | 2004-12-30 | 2006-07-05 | 中国科学院电工研究所 | 一种太阳能光伏发电最大功率跟踪器及控制方法 |
US20100327265A1 (en) * | 2009-06-25 | 2010-12-30 | Yamagata Promotional Organization For Industrial Technology | Bipiridine derivative and organic electroluminescence element containing the same |
CN101798382A (zh) * | 2010-03-23 | 2010-08-11 | 上海钰康生物科技有限公司 | 水解稳定的聚醚改性硅碳烷表面活性剂 |
JP2015062168A (ja) * | 2013-08-19 | 2015-04-02 | Jsr株式会社 | 電極材料の製造方法、電極及び蓄電デバイス |
CN103647501A (zh) * | 2013-12-09 | 2014-03-19 | 湖南大学 | 一种光伏电源结构及最大功率跟踪控制方法 |
CN103825299A (zh) * | 2014-02-28 | 2014-05-28 | 深圳市长昊机电有限公司 | 一种光伏并网发电系统及其控制方法 |
CN104135182A (zh) * | 2014-08-25 | 2014-11-05 | 深圳市创皓科技有限公司 | 一种外置连接多路mppt控制器的光伏并网逆变器 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110416357A (zh) * | 2019-07-11 | 2019-11-05 | 苏州迈正科技有限公司 | 一种异质结电池氢钝化方法、氢钝化装置、电池、电池组件及太阳能供电站 |
CN110459651A (zh) * | 2019-07-11 | 2019-11-15 | 苏州迈正科技有限公司 | 一种异质结电池分层氢钝化方法、氢钝化装置、电池、电池组件及太阳能供电站 |
CN112366249A (zh) * | 2020-11-16 | 2021-02-12 | 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 | 具有追踪功能的太阳能电池制造方法及其所用的追踪系统 |
CN112366249B (zh) * | 2020-11-16 | 2023-10-20 | 理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司 | 具有追踪功能的太阳能电池制造方法及其所用的追踪系统 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107068799B (zh) | 2018-11-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Tanaka et al. | Development of HIT solar cells with more than 21% conversion efficiency and commercialization of highest performance HIT modules | |
CN106601855A (zh) | 一种双面发电异质结太阳能电池的制备方法 | |
CN101821857A (zh) | 异质结硅太阳能电池及其制造方法 | |
CN102751371B (zh) | 一种太阳能薄膜电池及其制造方法 | |
CN103681889B (zh) | 一种引入驻极体结构的高效太阳能电池及制备方法 | |
CN102184976A (zh) | 背接触异质结太阳电池 | |
CN109638094A (zh) | 高效异质结电池本征非晶硅钝化层结构及其制备方法 | |
CN103346214B (zh) | 一种硅基径向同质异质结太阳电池及其制备方法 | |
CN102299206A (zh) | 一种异质结太阳电池及其制备方法 | |
CN107068799A (zh) | 一种光伏电站集成控制系统 | |
CN208608214U (zh) | 一种异质结太阳能电池 | |
CN107170840A (zh) | 背接触异质结太阳电池及其发射极、太阳电池制备方法 | |
CN102903775B (zh) | 用于聚光和激光输能的晶体硅太阳能电池结构及其制作方法 | |
CN109638101A (zh) | 双层非晶硅掺杂层太阳电池的发射极结构及其制备方法 | |
CN207282509U (zh) | 双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池 | |
CN103219413A (zh) | 一种石墨烯径向异质结太阳能电池及其制备方法 | |
CN107946382A (zh) | Mwt与hit结合的太阳能电池及其制备方法 | |
CN102790116A (zh) | 倒装GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池及其制备方法 | |
CN113013294A (zh) | 一种基于多次印刷的hjt异质结电池及其制备方法 | |
CN110416345A (zh) | 双层非晶硅本征层的异质结太阳能电池结构及其制备方法 | |
CN102969371A (zh) | 双面太阳能电池的构造及其制作方法 | |
CN203617292U (zh) | 薄膜太阳能电池组件 | |
CN205845972U (zh) | 抗电位诱发衰减效应的太阳能电池组件 | |
CN112614942B (zh) | 一种peg修饰的碳电极、其制备方法及利用其制得的钙钛矿电池 | |
CN202977494U (zh) | 一种晶体硅\非晶硅双节双面电池 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |