CN106935268A - 一种非易失性存储器双电源管理电路 - Google Patents

一种非易失性存储器双电源管理电路 Download PDF

Info

Publication number
CN106935268A
CN106935268A CN201511015036.8A CN201511015036A CN106935268A CN 106935268 A CN106935268 A CN 106935268A CN 201511015036 A CN201511015036 A CN 201511015036A CN 106935268 A CN106935268 A CN 106935268A
Authority
CN
China
Prior art keywords
power supply
circuit
nonvolatile memory
capacitive load
load circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201511015036.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106935268B (zh
Inventor
马继荣
唐明
武晓伟
于海霞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Tongfang Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Beijing Tongfang Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Tongfang Microelectronics Co Ltd filed Critical Beijing Tongfang Microelectronics Co Ltd
Priority to CN201511015036.8A priority Critical patent/CN106935268B/zh
Publication of CN106935268A publication Critical patent/CN106935268A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106935268B publication Critical patent/CN106935268B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/30—Power supply circuits

Landscapes

  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

本发明涉及一种非易失性存储器双电源管理电路；所述非易失性存储器双电源管理电路，采用容性负载电路和非容性负载电路，其中，容性负载电路单独供电，其电源与非容性负载电路相隔离开，其中，容性负载电路的外部电源为经过升压处理操作的电源，非容性负载电路为其他静态功耗较大的电路提供电源；容性负载电路和非容性负载电路的电源隔离开来，互不干扰，即便是在外部电源电压较低等极限情况下，也能保证对电源电压稳定性要求较高且是容性负载电路这一路电源的稳定性，从而提高非易失性存储器的操作稳定性。

Description

一种非易失性存储器双电源管理电路
技术领域
本发明涉及非易失性存储器的操作稳定性电路，特别是在外部电源电压较低等极限条件下提高操作稳定性电路。
背景技术
随着电子技术的发展，非易失性存储器已经在不同的领域中广泛使用；随着非易失性存储器的存储阵列的规模越来越大，操作速度越来越快，对非易失性存储器的操作稳定性也提出了更高的要求；电源的稳定性对于提高非易失性存储器的稳定性有着重要影响。
如图1示，为传统的非易失性存储器的电源管理结构图；其中，VCC为非易失性存储器外部输入电源，经过一个电压调整电路（LDO）11将电压不稳定的外部电源VCC转换为一个电压较稳定且具有较大驱动能力的内部电源VDD，再将内部电源VDD分配给非易失性存储器内部模块1、模块2等。
常见的电压调整电路（LDO）结构图，如图2所示，电压调整电路可以转换出一个电压较稳定且具有较大驱动能力的内部电源VDD，供其他模块使用，但非易失性存储器内部的实际负载电流随着非易失性存储器的不同工作状态的切换，会产生较为剧烈的变化，电压调整电路可以在一定程度上承受这种剧烈的负载电流的变化，保持输出的内部电源VDD稳定，但在外部电源VCC较低等极限情况下，由放大器22、功率管21和分压电阻23组成的电压调整电路的环路工作不稳定，无法保证输出电源VDD的电压稳定；由于负载电流I_load的存在，功率管21的压降会随着负载电流I_load的变化而变化，导致输出电源VDD也会随着变化。
如图3所示，为常见的电压调整电路的输出电压随负载电流变化示意图；在负载电流I_Load 32变化切换的过程中，内部电源VDD电压31在经过一定时间可以恢复稳定值，但是不同的负载电流I_Load 32对应的内部电源VDD的稳定电压值会有一定的差别。
内部电源VDD随着负载电流变化切换而出现的电压稳定值变化对于非易失性存储器内一些对电源电压较为敏感的电路模块会有较大的影响，这样非易失性存储器的操作稳定性就会受到影响；例如存储阵列译码选通电路，如图4所示，在不同的负载电流情况下，电压调整电路41产生不同的电源电压VDD，译码电路44生成的选通控制信号的高电平电压也就不同，就会导致选通电路42的导通电阻会不同，这样存储单元43的读取操作通路的环境就发生改变，读取的数据就有可能发生变化，即不稳定的电源电压会影响非易失性存储器的读取等操作的稳定性；为了解决在外部电源VCC电压较低等极限情况下，电压调整电路负载电流变化影响输出电源VDD的问题，传统的方法是加大功率管的尺寸，使其压降尽可能的小，但是又会带来芯片面积的增大。
发明内容
为了克服现有的非易失性存储器的电源不稳定性带来的部分操作的不稳定性问题，本发明提出了一种双电源管理电路，从而可以较好的改善操作的稳定性，提高非易失性存储器的性能。
本发明为解决其技术问题所采用的方案是，一种非易失性存储器双电源管理电路，所述非易失性存储器双电源管理电路，采用容性负载电路和非容性负载电路，其中，容性负载电路单独供电，其电源与非容性负载电路相隔离开。
优选地，所述非易失性存储器双电源管理电路，容性负载电路的外部电源为经过升压处理操作的电源。
优选地，所述非易失性存储器双电源管理电路，非容性负载电路为其他静态功耗较大的电路提供电源。
本发明的有益效果是，对于非易失性存储器中对电源稳定性敏感度较高的电路模块单独供电，用较小的代价，极大的提高了非易失性存储器的操作稳定性。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是传统的非易失性存储器的电源管理框图。
图2是常见的电压调整电路原理示意图。
图3是常见的电压调整电路的输出电压随负载电流变化示意图。
图4是传统的非易失性存储器阵列译码选通电路示意图。
图5是本发明的非易失性存储器双电源管理电路示意图。
图6是本发明具体实施的一种非易失性存储器双电源管理电路实现形式结构图。
图7是本发明具体实施的另一种非易失性存储器双电源管理电路实现形式结构图。
具体实施方式
如图5所示，为本发明的非易失性存储器双电源管理电路示意图；非易失性存储器外部输入电源VCC同时提供给两个电压调整电路（LDO），LDO1（51）和LDO2（52）；LDO1（51）为驱动能力较强的电压调整电路，为负载电流较大的非容性负载电路模块53提供电源；LDO2（52）为驱动能力较弱的电压调整电路，专门为负载电流较小的容性负载且对电源电压稳定性要求高的容性负载电路模块54提供电源；由于LDO2（52）的负载为容性负载、无静态负载电流，功率管的压降很小且稳定，即便在外部电源VCC电压较低等极限情况下，LDO2（52）输出的稳定电压值保持恒定，不随非易失性存储器的负载电流的变化而变化，这样就将对内部电源VDD影响较大的大负载电路模块与对内部电源VDD稳定性要求较高的小负载电路模块分开供电，互不干扰，对于提高非易失性存储器中敏感电路的电源稳定性有重要作用，从而提高整个非易失性存储器的操作稳定性。
如图6所示，为本发明具体实施双电源管理电路的一种具体实施方案框架图；外部电源VCC直接提供给内部的两个电压调整电路，其中LDO2（62）为X/Y译码选通电路模块等容性负载、无静态负载电流的模块（63、64、68）提供电源VDD2，LDO1（61）为其他电路模块读/写/擦电路&I/O电路65、高压产生电路66、逻辑电路67等提供电源VDD；在非易失性存储器工作时，即便是在外部电源VCC电压较低等极限情况下，负载电流剧烈变化也不会影响LDO2（62）的输出VDD2的电压稳定值，有效地提高非易失性存储器的操作稳定性，而且电压调整电路LDO2（62）的负载较小不需要较多的芯片面积。
如图7所示，为本发明具体实施双电源管理电路的另一种具体实施方案框架图；外部电源VCC不直接提供给电压调整电路LDO2（72），而是经过一个额外的升压模块79调整，将VCC升压在提供给LDO2（72），保证在外部电源VCC电压较低等极限情况下LDO2（72）的环路工作稳定，进一步提高了其输出电压VDD2的电压值稳定性。
通过上述实施实例完整的说明了提高非易失性存储器操作稳定性的双电源管理方案的实现方法；以上所述仅为本发明的较佳实施实例而已，仅为使本领域技术人员易于了解本发明的内容，并非用来限定本发明的权利范围；如前所述，对于本领域技术人员，当可在本发明精神内各种等效变化；故凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、同等替换、改进等，均应包含在本发明的权利保护范围之内。

Claims (3)

1.一种非易失性存储器双电源管理电路，其特征在于，
所述非易失性存储器双电源管理电路，采用容性负载电路和非容性负载电路，其中，容性负载电路单独供电，其电源与非容性负载电路相隔离开。
2.如权利要求1所述的非易失性存储器双电源管理电路，其特征在于，容性负载电路的外部电源为经过升压处理操作的电源。
3.如权利要求1所述的非易失性存储器双电源管理电路，其特征在于，非容性负载电路为其他静态功耗较大的电路提供电源。
CN201511015036.8A 2015-12-31 2015-12-31 一种非易失性存储器双电源管理电路 Active CN106935268B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201511015036.8A CN106935268B (zh) 2015-12-31 2015-12-31 一种非易失性存储器双电源管理电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201511015036.8A CN106935268B (zh) 2015-12-31 2015-12-31 一种非易失性存储器双电源管理电路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106935268A true CN106935268A (zh) 2017-07-07
CN106935268B CN106935268B (zh) 2021-12-17

Family

ID=59458921

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201511015036.8A Active CN106935268B (zh) 2015-12-31 2015-12-31 一种非易失性存储器双电源管理电路

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106935268B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1190789A (zh) * 1997-02-14 1998-08-19 三菱电机株式会社 半导体集成电路
US6373780B1 (en) * 1999-07-28 2002-04-16 Stmicroelectronics S.R.L. Single supply voltage nonvolatile memory device with row decoding
CN1961379A (zh) * 2004-04-01 2007-05-09 爱特梅尔公司 用于嵌入式非易失性存储器的双电源供电的方法和设备
CN102237138A (zh) * 2010-04-30 2011-11-09 上海宏力半导体制造有限公司 电压供应电路
CN203326875U (zh) * 2013-07-12 2013-12-04 沈阳华立德电子科技有限公司 一种基于dc-dc和ldo的电源管理模块

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1190789A (zh) * 1997-02-14 1998-08-19 三菱电机株式会社 半导体集成电路
US6373780B1 (en) * 1999-07-28 2002-04-16 Stmicroelectronics S.R.L. Single supply voltage nonvolatile memory device with row decoding
CN1961379A (zh) * 2004-04-01 2007-05-09 爱特梅尔公司 用于嵌入式非易失性存储器的双电源供电的方法和设备
CN102237138A (zh) * 2010-04-30 2011-11-09 上海宏力半导体制造有限公司 电压供应电路
CN203326875U (zh) * 2013-07-12 2013-12-04 沈阳华立德电子科技有限公司 一种基于dc-dc和ldo的电源管理模块

Also Published As

Publication number Publication date
CN106935268B (zh) 2021-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10658012B2 (en) Apparatus and methods to provide power management for memory devices
CN103943141A (zh) 用于实施基于地址的sram访问协助的系统和方法
CN102160117A (zh) 具有升压阵列电压的集成电路及其方法
US8699291B1 (en) Memory circuitry with dynamic power control
US9311973B2 (en) Input buffer for semiconductor memory device and flash memory device including the same
CN103809994A (zh) 固态储存装置及其睡眠控制电路
CN102346531A (zh) 具有自适应电力供应源的受管理混合存储器
CN101573869B (zh) 电压切换电路
TWI613649B (zh) 半導體記憶體設備
JP2012239041A (ja) 半導体装置
US20090256592A1 (en) Signal driver circuit having adjustable output voltage for a high logic level output signal
CN107608435B (zh) 一种数字低压差稳压器
CN103871459A (zh) 降低存储器器件的功率消耗
CN201503569U (zh) 南桥芯片供电电路
WO2016155322A1 (zh) 一种rram电压产生系统
CN106935268A (zh) 一种非易失性存储器双电源管理电路
CN204680386U (zh) 一种rram电压产生系统
CN104020807A (zh) 读出放大器电压调节器
CN206148142U (zh) 铁电随机存取存储器的电源时序控制电路
CN108616268B (zh) 一种基于磁性隧道结的状态保持电源门控单元
TWI704564B (zh) 記憶體裝置及其電源控制電路
CN105225693A (zh) 虚拟接地闪存电路
CN106898382B (zh) 存储器的读取电路及其读取方法
CN110299177A (zh) 一种减小读操作电压抖动的电荷补偿电路及存储器结构
CN219716476U (zh) 存储器装置及存储器电路装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: 100083 18 floor, West Tower, block D, Tongfang science and Technology Plaza, 1 Wang Zhuang Road, Wudaokou, Haidian District, Beijing.

Applicant after: Purple light co core Microelectronics Co., Ltd.

Address before: 100083 18 floor, West Tower, block D, Tongfang science and Technology Plaza, 1 Wang Zhuang Road, Wudaokou, Haidian District, Beijing.

Applicant before: Beijing Tongfang Microelectronics Company

SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant