CN106849644A - 电荷泵输出电压的稳定电路 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种电荷泵输出电压的稳定电路，包括：两个比较路径，比较器，控制器；两个比较路径用于提供参考电压和检测电压到比较器的两个输入端，控制器根据比较结果对电荷泵进行控制使输出电压保持稳定。两个比较路径通过NMOS管进行镜像以及通过两个子电路来使输出电压稳定时两个比较路径的镜像电流和电源电压无关以及具有正的温度系数，电荷泵的输出电压为第二比较路径中所有具有正温度系数的电阻电压和具有负温度系数的二极管电压和第二NMOS管的源漏电压的叠加，正负温度系数的叠加能使电荷泵的输出电压的温度系数减少到趋于0，能提高电荷泵的输出电压的稳定性。本发明还能降低参考电压和检测电压的刷新时间，能降低功耗。

Description

电荷泵输出电压的稳定电路

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路制造，特别是涉及一种电荷泵输出电压的稳定电路。

背景技术

闪存电路中往往需要采用到比电源电压更高的电压即电压HV，该电压HV需要通过电荷泵来输出，为电荷泵的输出电压。现有闪存电路中，当闪存切换到待机状态时，往往也需要采用电压HV，通过使电压HV在待机状态下保持稳定来实现快速的读取。为了保持电压HV在闪存待机状态下保持稳定，需要设计电荷泵输出电压的稳定电路，如图1所示，是现有电荷泵输出电压的稳定电路图；图1中稳定电路包括两条比较路径，一条比较路径用于对电源电压VDD进行分压并得到参考电压REF，一条比较路径用于对HV进行分压并得到检测电压DET，参考电压REF和检测电压DET输入到比较器103中，比较器103将比较结果输入到控制器102中，控制器102根据比较结构输出控制信号到电荷泵101中并控制电荷泵101的充放电从而实现使输出电压HV保持稳定。图1中参考电压REF是通过电阻102和电阻103对电源电压VDD进行分压得到，检测电压DET是通过电阻101和电阻104对电压HV进行分压得到。另外，电容C102并联在电阻R102的两端，电容C103并联在电阻R103的两端，电容C101并联在电阻R101的两端，电容C104并联在电阻R104的两端。图1中还设置有开关S101、S102、S103和S104，这些开关都受控制器102的控制。开关S101、S102、S103和S104仅在比较器103翻转时导通一段时间用于参考电压REF和检测电压DET的刷新，其它时间段开关S101、S102、S103和S104都断开，这样能够使电路保持低功耗。

由上可知，现有稳定电路中，电源电压VDD和电压HV分别通过电容或电阻进行分压并进行比较从而来判断电压HV是否稳定，并根据比较结果反馈到控制器102，通过控制器102控制电荷泵101来实现电压HV的稳定，其中，电阻或电容也都能分别采用MOSFET实现。

但是，实际上采用现有稳定电路时，电源电压VDD本身会波动，这会是HV产生更大的波动，例如，当电源电压VDD在1.3V至1.7V之间波动时，稳定值应当为2.7V的电压HV会在2.35V至3.05V之间波动，波动幅度较大，影响了HV的稳定性。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种电荷泵输出电压的稳定电路，能减少电荷泵的输出电压的波动，提高电荷泵输出电压的稳定性。

为解决上述技术问题，本发明提供的电荷泵输出电压的稳定电路包括：

第一比较路径，第二比较路径，比较器，控制器。

所述第一比较路径的连接在电源电压和地之间并在输出端输出参考电压到所述比较器的第一输入端。

所述第二比较路径连接在电荷泵的输出电压和地之间并在输出端输出检测电压到所述比较器的第二输入端。

所述比较器的输出端连接到所述控制器的输入端，所述控制器的输出端连接到所述电荷泵的控制端，所述控制器根据所述比较器的输出控制所述电荷泵的充放电从而使所述电荷泵的输出电压维持稳定。

所述第一比较路径的输出端和电源电压之间设置有第一NMOS管，所述第二比较路径中设置有和所述第一NMOS管呈镜像的第二NMOS管；所述第一比较路径的输出端和地之间的第一子电路和所述第二比较路径的输出端和地之间的第二子电路；所述第二NMOS管的漏极和所述电荷泵的输出电压之间连接有第三子电路。

所述电荷泵的输出电压维持稳定时所述参考电压等于所述检测电压，所述第一NMOS管的源漏电流和所述第二NMOS管的源漏电流呈比例，所述第一子电路和所述第二子电路之间连接有结面积大小不同的二个二极管并使所述第二NMOS管的源漏电流和二个二极管的PN结电压差成正比，使所述第二NMOS管的源漏电流具有正的温度系数且不受所述电源电压波动影响。

所述第三子电路由电阻或二极管串联而成，所述电荷泵的输出电压为所述第二比较路径中所有电阻和二极管以及所述第二NMOS管的源漏电压叠加而成即所述第二比较路径中所有电阻的电压和二极管的电压以及所述第二NMOS管的源漏的电压叠加而成，所述第二比较路径中的二极管和所述第二NMOS管的源漏电压具有负的温度系数，所述第二比较路径中的电阻电压为所述第二NMOS管的源漏电流和对应电阻的乘积从而使各电阻电压具有正的温度系数，利用所述第二比较路径中的正负温度系数的叠加使所述电荷泵的输出电压的温度系数减少到趋于0，从而提高所述电荷泵的输出电压的稳定性。

进一步的改进是，所述第一子电路和所述第二子电路中的一个由第一二极管和第一电阻串联而成，所述第一子电路和所述第二子电路中的另一个由第二二极管组成，所述第一二极管的面积大于所述第二二极管的面积，由所述第二二极管和所述第一二极管的PN结电压差和所述第一电阻的比值确定所述电荷泵的输出电压维持稳定时的所述第二NMOS管的源漏电流的大小和温度系数。

进一步的改进是，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的工艺条件相同，所述电荷泵的输出电压维持稳定时所述第一NMOS管的源漏电流和所述第二NMOS管的源漏电流为1:1。

进一步的改进是，第二电阻串联在所述第二NMOS管的源极和所述第二子电路之间，第三电阻串联在所述第一NMOS管的源极和所述第一子电路之间。

进一步的改进是，第二电阻串联在所述第二NMOS管的源极和所述第二子电路之间，第三电阻串联在所述第一NMOS管的源极和所述第一子电路之间，所述第二电阻和所述第三电阻的电阻大小相等。

进一步的改进是，所述第三子电路包括串联的第三二极管和第四电阻。

进一步的改进是，所述第三子电路还包括第五电阻，所述第五电阻和所述第三二极管并联。

进一步的改进是，所述第三子电路还包括串联在所述第三二极管和所述第四电阻之间的由电阻或二极管组成的串联结构一，通过调节所述串联结构一的大小来适应具有更高稳定值的所述电荷泵的输出电压的输出。

进一步的改进是，第一电容连接在所述第二比较路径的输出端和地之间，第二电容连接在所述第一比较路径的输出端和地之间，第三电容连接在所述第一比较路径的输出端和电源电压之间，第四电容连接在所述第二比较路径的输出端和所述电荷泵的输出电压之间。

进一步的改进是，第一开关连接在所述第一比较路径的输出端和所述比较器的第一输入端之间，第二开关连接在所述第二比较路径的输出端和所述比较器的第二输入端之间，第三开关连接在所述第一NMOS管的漏极和电源电压之间，第四开关连接在所述第二NMOS管的漏极和所述电荷泵的输出电压之间。

进一步的改进是，所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关和所述第四开关的控制端都连接所述控制器；所述比较器发生翻转时所述控制器输出一个脉冲信号使所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关和所述第四开关都导通从而使所述参考电压和所述检测电压刷新，所述参考电压和所述检测电压刷新结束后所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关和所述第四开关都保持为断开状态以节省电能。

进一步的改进是，所述比较器的第一输入端为反相输入端，所述比较器的第二输入端为正相输入端。

进一步的改进是，所述电荷泵的输出电压用于给闪存供电。

进一步的改进是，在所述闪存为待机状态下，通过稳定电路使所述电荷泵的输出电压保持稳定。

本发明的稳定电路中，通过NMOS管将两个比较路径设置为电流大小成比例的镜像电路，再在两个比较路径中设置互相配合的第一子电路和第二子电路，第一子电路和第二子电路之间连接有结面积大小不同的二个二极管并使第二NMOS管的源漏电流和二个二极管的PN结电压差成正比，使第二NMOS管的源漏电流具有正的温度系数且不受电源电压波动影响，再结合在连接电荷泵的输出电压的第二比较路径中设置有具有负的温度系数的二极管和第二NMOS管的源漏，利用第二比较路径中的正负温度系数的叠加能使电荷泵的输出电压的温度系数减少到趋于0，所以本发明能使电荷泵的输出电压受电源电压和温度的影响都减少，能减少电荷泵的输出电压的波动，提高电荷泵输出电压的稳定性。

另外，本发明通过第一开关、第二开关、第三开关和第四开关的设置并通过控制器来控制这些开关的导通和断开，能实现仅在比较器翻转时导通这些开关来刷新参考电压和检测电压，其它时间段都断开，所以本发明能降低功耗。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1是现有电荷泵输出电压的稳定电路图；

图2是本发明第一实施例电荷泵输出电压的稳定电路图；

图3是本发明第二实施例电荷泵输出电压的稳定电路图。

具体实施方式

如图2所示，是本发明第一实施例电荷泵输出电压的稳定电路图；本发明第一实施例电荷泵输出电压的稳定电路包括：

第一比较路径，第二比较路径，比较器3，控制器2。

所述第一比较路径的连接在电源电压VDD和地GND之间并在输出端输出参考电压REF到所述比较器3的第一输入端。

所述第二比较路径连接在电荷泵1的输出电压HV和地GND之间并在输出端输出检测电压DET到所述比较器3的第二输入端。

所述比较器3的输出端连接到所述控制器2的输入端，所述控制器2的输出端连接到所述电荷泵1的控制端，所述控制器2根据所述比较器3的输出控制所述电荷泵1的充放电从而使所述电荷泵1的输出电压HV维持稳定。

所述第一比较路径的输出端和电源电压VDD之间设置有第一NMOS管M1，所述第二比较路径中设置有和所述第一NMOS管M1呈镜像的第二NMOS管M2；所述第一比较路径的输出端和地GND之间的第一子电路和所述第二比较路径的输出端和地GND之间的第二子电路；所述第二NMOS管M2的漏极和所述电荷泵1的输出电压HV之间连接有第三子电路。

所述电荷泵1的输出电压HV维持稳定时所述参考电压等于所述检测电压DET，所述第一NMOS管M1的源漏电流和所述第二NMOS管M2的源漏电流呈比例，也即此时所述第一NMOS管M1和所述第二NMOS管M2的栅源电压相等，故两者的源漏电流呈比例。所述第一子电路和所述第二子电路之间连接有结面积大小不同的二个二极管并使所述第二NMOS管M2的源漏电流和二个二极管的PN结电压差成正比，使所述第二NMOS管M2的源漏电流具有正的温度系数且不受所述电源电压VDD波动影响。

所述第三子电路由电阻或二极管串联而成，所述电荷泵1的输出电压HV为所述第二比较路径中所有电阻和二极管以及所述第二NMOS管M2的源漏电压叠加而成，所述第二比较路径中的二极管和所述第二NMOS管M2的源漏电压具有负的温度系数，所述第二比较路径中的电阻电压为所述第二NMOS管M2的源漏电流和对应电阻的乘积从而使各电阻电压具有正的温度系数，利用所述第二比较路径中的正负温度系数的叠加使所述电荷泵1的输出电压HV的温度系数减少到趋于0，从而提高所述电荷泵1的输出电压HV的稳定性。

本发明第一实施例中，所述第一子电路由第一二极管D1和第一电阻R1串联而成，所述第二子电路由第二二极管D2组成，所述第一二极管D1的面积大于所述第二二极管D2的面积，由所述第二二极管D2和所述第一二极管D1的PN结电压差和所述第一电阻R1的比值确定所述电荷泵1的输出电压HV维持稳定时的所述第二NMOS管M2的源漏电流的大小和温度系数。在其它实施例中也能替换为：所述第二子电路由第一二极管D1和第一电阻R1串联而成，所述第一子电路由第二二极管D2组成，所述第一二极管D1的面积大于所述第二二极管D2的面积，由所述第二二极管D2和所述第一二极管D1的PN结电压差和所述第一电阻R1的比值确定所述电荷泵1的输出电压HV维持稳定时的所述第二NMOS管M2的源漏电流的大小和温度系数。

所述第一NMOS管M1和所述第二NMOS管M2的工艺条件相同，所述电荷泵1的输出电压HV维持稳定时所述第一NMOS管M1的源漏电流和所述第二NMOS管M2的源漏电流为1:1。在其它实施例中，也能为：通过设置所述第一NMOS管M1和所述第二NMOS管M2的工艺条件如沟道的宽度，使所述电荷泵1的输出电压HV维持稳定时所述第一NMOS管M1的源漏电流和所述第二NMOS管M2的源漏电流的比值为其它不等以1的值，如1：2,2:1,3:1等。

第二电阻R2串联在所述第二NMOS管M2的源极和所述第二子电路之间，第三电阻R3串联在所述第一NMOS管M1的源极和所述第一子电路之间；所述第二电阻R2和所述第三电阻R3的电阻大小相等。在其它实施例中，当所述电荷泵1的输出电压HV维持稳定时所述第一NMOS管M1的源漏电流和所述第二NMOS管M2的源漏电流的比值不为1时，所述第二电阻R2和所述第三电阻R3的电阻大小要根据使所述第二电阻R2和所述第三电阻R3的两端的承受的电压相等来设定。

本发明第一实施例中，所述第三子电路包括串联的第三二极管D3和第四电阻R4。所述第三子电路还包括第五电阻R5，所述第五电阻R5和所述第三二极管D3并联。

本发明第一实施例中，所述第一子电路、所述第二子电路和所述第三子电路中的二极管D1、D2和D3都直接采用普通的PN结二极管，如采用P+区和N阱形成的PN结。如果工艺兼容的话在其它实施例中，也能为：所述第一子电路、所述第二子电路和所述第三子电路中的二极管D1、D2和D3由二极管方式连接的PNP管替换；所述第一子电路、所述第二子电路和所述第三子电路中的二极管由二极管方式连接的NPN管替换。

第一电容C1连接在所述第二比较路径的输出端和地GND之间，第二电容C2连接在所述第一比较路径的输出端和地GND之间，第三电容C3连接在所述第一比较路径的输出端和电源电压VDD之间，第四电容C4连接在所述第二比较路径的输出端和所述电荷泵1的输出电压HV之间。

第一开关S1连接在所述第一比较路径的输出端和所述比较器3的第一输入端之间，第二开关S2连接在所述第二比较路径的输出端和所述比较器3的第二输入端之间，第三开关S3连接在所述第一NMOS管M1的漏极和电源电压VDD之间，第四开关S4连接在所述第二NMOS管M2的漏极和所述电荷泵1的输出电压HV之间；图2中，所述第四开关S4直接连接在所述第二NMOS管M2的漏极和所述电荷泵1的输出电压HV之间的第四电阻R4的第一端和所述电荷泵1的输出电压HV之间，第四电阻R4的第二端连接第三二极管D3。

所述第一开关S1、所述第二开关S2、所述第三开关S3和所述第四开关S4的控制端都连接所述控制器2；所述比较器3发生翻转时所述控制器2输出一个脉冲信号使所述第一开关S1、所述第二开关S2、所述第三开关S3和所述第四开关S4都导通从而使所述参考电压和所述检测电压DET刷新，所述参考电压和所述检测电压DET刷新结束后所述第一开关S1、所述第二开关S2、所述第三开关S3和所述第四开关S4都保持为断开状态以节省电能。

较佳为，所述比较器3的第一输入端为反相输入端，所述比较器3的第二输入端为正相输入端。所述电荷泵1的输出电压HV用于给闪存供电。在所述闪存为待机状态下，通过稳定电路使所述电荷泵1的输出电压HV保持稳定。

如图3所示，是本发明第二实施例电荷泵输出电压的稳定电路图；本发明第二实施例电荷泵输出电压的稳定电路和本发明第一实施例电荷泵输出电压的稳定电路的区别之处为：

所述第三子电路还包括串联在所述第三二极管D3和所述第四电阻R4之间的由电阻或二极管组成的串联结构一，通过调节所述串联结构一的大小来适应具有更高稳定值的所述电荷泵1的输出电压HV的输出。图3中，串联结构一由两个电阻和两个二极管串联而成，两个电阻分别为电阻R41和R42，二极管D31和D32。比较图3和图2所示可知，所述第二NMOS管M2的源漏电流相同的条件下，图3所示的本发明第二实施例的第二比较路径的总的叠加电压还有加上电阻R41和R42，二极管D31和D32的压降，故本发明第二实施例对于的输出电压HV的稳定值更高，适用于具有更高输出电压HV的稳定值的应用情形，如当电荷泵1的输出电压HV的稳定值为3V以上时，就需要增加串联结构一，具体串联的电阻和二极管的个数能够根据实际需要进行设置。

本发明第一实施例能减少电荷泵的输出电压的波动，提高电荷泵输出电压的稳定性，现分析如下：

由于本发明第一实施例中设定了所述第一NMOS管M1和所述第一NMOS管M2的工艺条件相同，故所述电荷泵1的输出电压HV维持稳定时所述第一NMOS管M1的源漏电流和所述第二NMOS管M2的源漏电流相等。另外，第二电阻R2和第三电阻R3的电阻值也相等，假设第一二极管D1的PN结面积为第二二极管D2的PN结面积的m倍，第三二极管D3和第二二极管D2的工艺条件相同，所以，当参考电压REF和检测电压DET相等时，所述电荷泵1的输出电压HV稳定，电荷泵1的输出电压HV稳定时的电路中的电压和电流关系现在用公式表示如下：

如果：V_REF＝V_DET，则有：I＝I_D1＝I_D2；

V_D2＝V_T×ln(I/I_S)；

V_D1＝V_T×ln(I/mI_S)；

V_R1＝I×R₁；

V_D2＝V_D1+V_R1；

由上面四个公式可得：I＝V_T×lnm/R₁；

V_HV＝V_D1+V_gs2+V_D3+I×(R₁+R₂+R₄)

＝V_D1+V_gs2+V_D3+(1+R₂/R₁+R₄/R₁)×V_T×lnm。

上面公式中，V_REF表示参考电压REF，V_DET表示检测电压DET，I_D1表示第一二极管D1的电流也即所述第二NMOS管M2的源漏电流，I_D2表示第二二极管D2的电流也即所述第一NMOS管M1的源漏电流，I表示I_D1和I_D1相等；V_D1表示第一二极管D1的电压，V_D2表示第二二极管D2的电压；V_T表示kT/q，k为玻尔兹曼常数，T是绝对温度，q是电子电荷；V_R1表示第一电阻R1的电压，R₁表示第一电阻R1的电阻，R₂表示第二电阻R2的电阻，R₄表示第四电阻R4的电阻；I_s表示第二二极管D2的反向饱和电流。

由公式V_HV＝V_D1+V_gs2+V_D3+(1+R₂/R₁+R₄/R₁)×V_T×lnm可知，V_D1+V_gs2+V_D3具有负的温度系数，(1+R₂/R₁+R₄/R₁)×V_T×lnm具有正的温度系数，故本发明第一实施例能够通过对二极管D1、D2和D3以及电阻R1、R2和R4以及m进行选择，能够使V_HV的正负温度系数互相抵消，从而使V_HV和温度无关。另外，从V_HV和的公式也可以看出，V_HV和电源电压VDD的大小无关。本发明第一实施例能使电荷泵的输出电压HV受电源电压VDD和温度的影响都减少，能减少电荷泵的输出电压的波动，提高电荷泵输出电压的稳定性。

本发明第一实施例中，开关S1、S2、S3和S4仅在比较器翻转时导通一段时间来刷新参考电压和检测电压，其它时间段都断开，所以本发明第一实施例能降低功耗；另外，由于本发明第一实施例的电荷泵输出电压的稳定性更好，开关S1、S2、S3和S4的用于刷新参考电压和检测电压的导通时间更短，所以能进一步的降低功耗。进行仿真实验可知，采用图1所示的现有结构时，开关S101、S102、S103和S104的用于刷新参考电压和检测电压的导通时间为45ns；而采用图2所示的本发明第一实施例结构时，开关S1、S2、S3和S4的用于刷新参考电压和检测电压的导通时间为40ns。

通过对工艺角进行进行仿真测试可以直观的看出本发明第一实施例电路能够减少电荷泵的输出电压HV的波动，现说明如下：

表一

表二

上述两个表中，表一为对图1所示的现有电路输出的HV的随电压voltage即电源电压VDD变化的工艺角测试结构，ss为左下角，对应于最小值即low；tt为中心位置，对应于平均值即typical；ff为右上角，对应于最大值即high；variation为电压的波动；feature显示了对应的参数的波动范围，如voltage对应的工艺角测试中，1.3V对应于ss的HV测试，1.7V对应于ff的HV测试。由表一可以看出，现有电路输出的HV仅随电压voltage的波动变化就能达到0.75V，其中电压voltage的波动范围为1.3V至1.7V。

表二为对图2所示的本发明第一实施例电路输出的HV的随电压随电阻即res_corner、二极管即dio_corner、MOSFET即mos_corner、电压和温度即temperature的波动测试，可以看出HV随电阻的波动为0.04V，随二极管的波动为-0.01V，随MOSFET的波动为-0.05V，随电压voltage的波动为0.09V，随温度的波动为0.09V，所有这些参数使HV的变化值相加也仅为0.28V，要低于表一中的HV随电压的波动即0.75V。比较表一和表二所示可知，第一实施例电路确实能够减少电荷泵的输出电压HV的波动。

以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。

Claims (14)

1.一种电荷泵输出电压的稳定电路，其特征在于，包括：

第一比较路径，第二比较路径，比较器，控制器；

所述第一比较路径的连接在电源电压和地之间并在输出端输出参考电压到所述比较器的第一输入端；

所述第二比较路径连接在电荷泵的输出电压和地之间并在输出端输出检测电压到所述比较器的第二输入端；

所述比较器的输出端连接到所述控制器的输入端，所述控制器的输出端连接到所述电荷泵的控制端，所述控制器根据所述比较器的输出控制所述电荷泵的充放电从而使所述电荷泵的输出电压维持稳定；

所述第一比较路径的输出端和电源电压之间设置有第一NMOS管，所述第二比较路径中设置有和所述第一NMOS管呈镜像的第二NMOS管；所述第一比较路径的输出端和地之间的第一子电路和所述第二比较路径的输出端和地之间的第二子电路；所述第二NMOS管的漏极和所述电荷泵的输出电压之间连接有第三子电路；

所述电荷泵的输出电压维持稳定时所述参考电压等于所述检测电压，所述第一NMOS管的源漏电流和所述第二NMOS管的源漏电流呈比例，所述第一子电路和所述第二子电路之间连接有结面积大小不同的二个二极管并使所述第二NMOS管的源漏电流和二个二极管的PN结电压差成正比，使所述第二NMOS管的源漏电流具有正的温度系数且不受所述电源电压波动影响；

所述第三子电路由电阻或二极管串联而成，所述电荷泵的输出电压为所述第二比较路径中所有电阻和二极管以及所述第二NMOS管的源漏电压叠加而成，所述第二比较路径中的二极管和所述第二NMOS管的源漏电压具有负的温度系数，所述第二比较路径中的电阻电压为所述第二NMOS管的源漏电流和对应电阻的乘积从而使各电阻电压具有正的温度系数，利用所述第二比较路径中的正负温度系数的叠加使所述电荷泵的输出电压的温度系数减少到趋于0，从而提高所述电荷泵的输出电压的稳定性。

2.如权利要求1所述的电荷泵输出电压的稳定电路，其特征在于：所述第一子电路和所述第二子电路中的一个由第一二极管和第一电阻串联而成，所述第一子电路和所述第二子电路中的另一个由第二二极管组成，所述第一二极管的面积大于所述第二二极管的面积，由所述第二二极管和所述第一二极管的PN结电压差和所述第一电阻的比值确定所述电荷泵的输出电压维持稳定时的所述第二NMOS管的源漏电流的大小和温度系数。

3.如权利要求1或2所述的电荷泵输出电压的稳定电路，其特征在于：所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的工艺条件相同，所述电荷泵的输出电压维持稳定时所述第一NMOS管的源漏电流和所述第二NMOS管的源漏电流为1:1。

4.如权利要求1或2所述的电荷泵输出电压的稳定电路，其特征在于：第二电阻串联在所述第二NMOS管的源极和所述第二子电路之间，第三电阻串联在所述第一NMOS管的源极和所述第一子电路之间。

5.如权利要求3所述的电荷泵输出电压的稳定电路，其特征在于：第二电阻串联在所述第二NMOS管的源极和所述第二子电路之间，第三电阻串联在所述第一NMOS管的源极和所述第一子电路之间，所述第二电阻和所述第三电阻的电阻大小相等。

6.如权利要求1所述的电荷泵输出电压的稳定电路，其特征在于：所述第三子电路包括串联的第三二极管和第四电阻。

7.如权利要求6所述的电荷泵输出电压的稳定电路，其特征在于：所述第三子电路还包括第五电阻，所述第五电阻和所述第三二极管并联。

8.如权利要求7所述的电荷泵输出电压的稳定电路，其特征在于：所述第三子电路还包括串联在所述第三二极管和所述第四电阻之间的由电阻或二极管组成的串联结构一，通过调节所述串联结构一的大小来适应具有更高稳定值的所述电荷泵的输出电压的输出。

9.如权利要求1所述的电荷泵输出电压的稳定电路，其特征在于：第一电容连接在所述第二比较路径的输出端和地之间，第二电容连接在所述第一比较路径的输出端和地之间，第三电容连接在所述第一比较路径的输出端和电源电压之间，第四电容连接在所述第二比较路径的输出端和所述电荷泵的输出电压之间。

10.如权利要求1或9所述的电荷泵输出电压的稳定电路，其特征在于：第一开关连接在所述第一比较路径的输出端和所述比较器的第一输入端之间，第二开关连接在所述第二比较路径的输出端和所述比较器的第二输入端之间，第三开关连接在所述第一NMOS管的漏极和电源电压之间，第四开关连接在所述第二NMOS管的漏极和所述电荷泵的输出电压之间。

11.如权利要求10所述的电荷泵输出电压的稳定电路，其特征在于：所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关和所述第四开关的控制端都连接所述控制器；所述比较器发生翻转时所述控制器输出一个脉冲信号使所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关和所述第四开关都导通从而使所述参考电压和所述检测电压刷新，所述参考电压和所述检测电压刷新结束后所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关和所述第四开关都保持为断开状态以节省电能。

12.如权利要求1所述的电荷泵输出电压的稳定电路，其特征在于：所述比较器的第一输入端为反相输入端，所述比较器的第二输入端为正相输入端。

13.如权利要求1所述的电荷泵输出电压的稳定电路，其特征在于：所述电荷泵的输出电压用于给闪存供电。

14.如权利要求13所述的电荷泵输出电压的稳定电路，其特征在于：在所述闪存为待机状态下，通过稳定电路使所述电荷泵的输出电压保持稳定。