CN106848838A - 基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片及制备方法 - Google Patents
基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片及制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106848838A CN106848838A CN201710220057.6A CN201710220057A CN106848838A CN 106848838 A CN106848838 A CN 106848838A CN 201710220057 A CN201710220057 A CN 201710220057A CN 106848838 A CN106848838 A CN 106848838A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- dbr
- porous
- produced
- doped gan
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18305—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] with emission through the substrate, i.e. bottom emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
- H01S5/18311—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement using selective oxidation
- H01S5/18313—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement using selective oxidation by oxidizing at least one of the DBR layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
- H01S5/18363—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors comprising air layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/185—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL]
- H01S5/187—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL] using Bragg reflection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
- H01S5/3054—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure p-doping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
- H01S5/3086—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure doping of the active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
- H01S2301/173—The laser chip comprising special buffer layers, e.g. dislocation prevention or reduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04252—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the material
- H01S5/04253—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the material having specific optical properties, e.g. transparent electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
- H01S5/04257—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration having positive and negative electrodes on the same side of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18341—Intra-cavity contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
- H01S5/18369—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors based on dielectric materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2004—Confining in the direction perpendicular to the layer structure
- H01S5/2009—Confining in the direction perpendicular to the layer structure by using electron barrier layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
一种基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片,包括:一衬底;制作在衬底上的缓冲层;制作在缓冲层上的底部多孔DBR层;制作在底部多孔DBR层上的n型掺杂GaN层及外围向下刻蚀形成有台面;制作在n型掺杂GaN层上的有源层;制作在所述有源层上的电子阻挡层;制作在电子阻挡层上的p型掺杂GaN层;制作在p型掺杂GaN层上的电流限制层,其中心形成有电流窗口,且电流限制层覆盖有源层、电子阻挡层和n型掺杂GaN层凸起部分的侧壁;制作在p型掺杂GaN层上的透明电极;制作在n型掺杂GaN层台面上的n电极;制作在透明电极上的p电极,中间形成有凹缺;制作在p电极凹缺内透明电极上的介质DBR层。
Description
技术领域
本发明属于激光光源领域,具体涉及一种GaN基VCSEL(垂直腔面发射激光器),特别涉及一种基于多孔DBR底部反射镜的GaN基VCSEL芯片及制备方法。
背景技术
GaN半导体基激光器在高密度光存储、激光照明、激光显示、可见光通信等领域展现出了巨大的应用前景和市场需求,近年来在国际科研和产业界备受关注。目前,GaN基边发射激光器已实现了商品化,而性能更为优异的垂直腔面发射激光器(VCSEL)尚未达到实用化水平。和传统的边发射激光器相比,GaN基VCSEL具有良好的动态单模特性和空间发射模特性,且工作阈值低、光束发散角小,具有制作成本低、温度稳定性高等优点,还可以实现高密度的二维阵列集成和更高功率的光输出。因此,GaN基VCSEL的应用前景更为广阔。
不过,对于已报道的GaN基VCSEL,其难点是获得高品质因子的光学谐振腔,特别是构成谐振腔的高反射性底部反射镜的实现。通常,其顶部反射镜可采用工艺成熟的介质DBR,如SiO2/TiO2体系DBR,而底部反射镜则需要在VCSEL的外延结构中直接在衬底一侧生长嵌入,如外延AlN/GaN系的氮化物DBR层,且底镜反射率一般要求越高越好。由于AlN/GaN的晶格失配和热膨胀系数差异,实际过程中制备高质量A1N/GaN系DBR困难极大。同时,由于AlN/GaN的折射率差较小,往往需要增加更多DBR的周期数并引入超晶格插入层来实现反射镜的高反射率,这将进一步增加AlN/GaN系DBR的外延难度。因此,以AlN/GaN系为代表的氮化物DBR生长程序复杂,外延条件极为苛刻且重复率不高。
另一种可替代方案是通过激光剥离使外延层从衬底上脱落,然后在剥离GaN面沉积介质DBR层或金属反射镜再与其它衬底热压键合或电镀铜衬底。该方法规避了外延氮化物DBR的难题,可以实现高反射率的底部反射镜,有利于获得高品质因子的谐振微腔。不过激光剥离的方法成本较高,且剥离后的外延层底部很不平整,需要经过化学磨抛以实现剥离面的平坦化,从而降低散射损耗。此外,为了尽量减轻激光剥离对有源区的影响,往往需要采用较长的谐振腔长使有源区远离剥离面,但这会降低谐振腔的品质因子。因此,通过剥离衬底再沉积介质DBR底部反射镜的方法,其器件工艺复杂且成本昂贵,对于实用化GaN基VCSEL并不理想。
横向多孔DBR可以从根本上突破谐振腔高反射率底部反射镜的技术壁垒。通过电化学腐蚀非掺杂层(或轻掺杂层)和重掺杂层交替堆叠的周期性GaN外延结构,可选择性的在重掺杂层内形成横向空气孔道,从而改变该层材料的有效折射率,而非掺杂层(或轻掺杂层)则不受腐蚀影响。空气隙的引入将使多孔GaN层与非多孔层产生一定的折射率差,从而形成多孔GaN层和非多孔层交替堆叠的DBR复合结构。在此基础上,以介质DBR层作为顶部反射镜,制备GaN基VCSEL。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片及制备方法,其是以横向多孔DBR作为GaN基VCSEL的底部反射镜,通过在VCSEL外延结构中直接生长交替堆叠的轻重掺杂层,并经横向电化学腐蚀将其转变为多孔层与非多孔层交替堆叠的DBR结构,从而实现VCSEL底部反射镜的高质量嵌入。在此基础上,以介质DBR层作为顶部反射镜,采用VCSEL常规工艺完成器件制备。
为达到上述目的,本发明提供一种基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片,包括:
一衬底,该衬底的材料为蓝宝石、硅或碳化硅;
一缓冲层,其制作在衬底的上表面;
一底部多孔DBR层,其制作在缓冲层的上表面;
一n型掺杂GaN层,其制作在底部多孔DBR层的上表面,所述n型掺杂GaN层的外围向下刻蚀形成有台面,所述台面的深度小于所述n型掺杂GaN层的厚度,所述n型掺杂GaN层的中间为凸起部分;
一有源层,其制作在所述n型掺杂GaN层的凸起部分上;
一电子阻挡层,其制作在所述有源层的上表面;
一p型掺杂GaN层,其制作在所述电子阻挡层的上表面;
一电流限制层,为绝缘介质,其制作在所述p型掺杂GaN层的上表面及侧面,该电流限制层的中心形成有电流窗口,且该电流限制层覆盖有源层、电子阻挡层和n型掺杂GaN层凸起部分的侧壁,并覆盖部分台面;
一透明电极,其制作在所述p型掺杂GaN层上面的电流限制层及电流窗口处;
一n电极,其制作在n型掺杂GaN层的台面上;
一p电极,其制作在所述透明电极上面的四周,中间形成有凹缺;
一介质DBR层,其制作在所述p电极凹缺内透明电极的上表面。
本发明还提供一种基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片的制备方法,包括如下步骤:
步骤1:在一衬底上依次生长缓冲层、交替堆叠的轻重掺杂层、n型掺杂GaN层、有源层、电子阻挡层和p型掺杂GaN层,所述衬底的材料为蓝宝石、硅或碳化硅;
步骤2:采用电化学腐蚀的方法对交替堆叠的轻重掺杂层进行横向腐蚀,将其转变为多孔层和非多孔层交替堆叠的底部多孔DBR层;
步骤3:在p型掺杂GaN层上的四周向下刻蚀,刻蚀深度到达n型掺杂GaN层内,在n型掺杂GaN层的四周形成台面;
步骤4:在p型掺杂GaN层、台面、有源层和电子阻挡层的侧壁制备电流限制层;
步骤5:采用光刻、腐蚀技术在电流限制层上开一电流窗口并去掉台面上的部分电流限制层;
步骤6:在p型掺杂GaN层上的电流窗口处制备一透明电极;
步骤7:在去掉部分电流限制层的台面上和透明电极的四周分别制备n电极和p电极,该p电极的中间形成有凹缺;
步骤8:在p电极的凹缺内透明电极的上表面制备介质DBR层,完成器件制备。
本发明的有益效果是,由于多孔DBR只需外延掺杂浓度周期调制的GaN层,并采用电化学腐蚀的方法制备,不存在晶格失配问题,且实现过程简单、可重复性高,可以直接嵌入在芯片底部,利于实际应用。同时,以高反射性多孔DBR为底部反射镜,以技术成熟的介质DBR为顶部反射镜构成光学谐振腔,有利于获得高品质因子的GaN基电泵浦VCSEL器件,从而满足光存储、光通信及显示等领域对于高功率输出、高密度集成的光源需求。
附图说明
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图对本发明做进一步详细说明。这里以绿光多孔DBR及其VCSEL作为优选实施例进行说明。其中:
图1为本发明一实施例的结构示意图;
图2为本发明的制备流程图;
图3为图1的底部多孔DBR扫描电子显微镜图片;
图4为图3对应的反射谱图。
具体实施方式
请参阅图1,本发明提供一种基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片,包括:
一衬底10,为平面或图形衬底,该衬底10的材料为蓝宝石、硅或碳化硅;
一缓冲层11,其制作在衬底10的上表面,该缓冲层由低温GaN形核层和非故意掺杂GaN层构成,以高纯纯氨气作为氮源,三甲基镓或三乙基镓作为Ga源,先低温生长GaN形核层,再高温生长非故意掺杂GaN层。可用作形核层的材料还包括AlN、ZnO或石墨烯;
一底部多孔DBR层12,其制作在缓冲层11的上表面,所述底部多孔DBR层12的材料为GaN、AlGaN、InGaN或AlInGaN,或以上材料组合的多孔层和非多孔层交替堆叠构成的多周期DBR;
其中,所述底部多孔DBR层12通过电化学腐蚀交替堆叠的轻重掺杂层获得,其中重掺杂层的典型掺杂浓度为1×1019cm-3,轻掺杂层的典型浓度5×1016cm-3,底部多孔DBR层12的周期数为12;
所述底部多孔DBR层12和缓冲层11之间还生长有一层n型GaN层,作为专用于电化学腐蚀形成底部多孔DBR层12的电流扩展层;
一n型掺杂GaN层13,掺杂剂为硅烷,典型掺杂浓度为1×1018cm-3,其制作在底部多孔DBR层12的上表面,所述n型掺杂GaN层13的外围向下刻蚀形成有台面13’,所述台面13’的深度小于所述n型掺杂GaN层13的厚度,所述n型掺杂GaN层13的中间为凸起部分13”;
一有源层14,其制作在所述n型掺杂GaN层13的凸起部分13”上,该有源层14为InGaN/GaN多量子阱结构,其发光峰位于520nm附近,与底部多孔DBR层12的高反带对应,以实现发光波长与谐振波长的匹配;
一电子阻挡层15,其制作在所述有源层14的上表面,该电子阻挡层15为AlGaN材料,可进行p型掺杂,掺杂剂为二茂镁;
一p型掺杂GaN层16,其制作在所述电子阻挡层15的上表面;
一电流限制层17,为绝缘介质,其制作在所述p型掺杂GaN层16的上表面及侧面,该电流限制层17的中心形成有电流窗口17’,以实现载流子窄化,典型的电流窗口为直径在10-30μm的圆孔图形;该电流限制层17覆盖有源层14、电子阻挡层15和n型掺杂GaN层13凸起部分13”的侧壁,并覆盖部分台面13’以实现侧壁钝化,减小器件的漏电通道;
其中所述电流限制层17的材料为SiO2、SiNx、HfO2或Al2O3;
一透明电极18,其制作在所述p型掺杂GaN层16上面的电流限制层17及电流窗口17’处,可用作透明电极的材料包括为掺铟氧化锡ITO,石墨烯、ZnO薄膜、透明金属或纳米银线,或以上复合薄膜材料;
一n电极20,其制作在n型掺杂GaN层13的台面13’上;
一p电极21,其制作在所述透明电极18上面的四周,中间形成有凹缺;
其中所述n电极20和p电极21所用金属材料为Cr/Al/Ti/Au、Cr/Pt/Au、Ni/Au、Ni/Ag/Pt/Au、Ti/Au或Ti/Pt/Au;
一介质DBR层19,其制作在所述p电极21凹缺内的透明电极18的上表面作为顶部反射镜,该介质DBR层19为多周期SiO2/TiO2、SiO2/Ta2O5、TiO2/Al2O3或ZrO2/SiO2结构;该介质层中靠近透明电极18一侧还包含一相位调整层,以调整VCSEL中的电场分布,尽可能降低透明导电层18的吸收损耗。
其中介质DBR层19和底部多孔DBR层12分别构成VCSEL芯片的上、下反射镜,且底部多孔DBR层12在有源层14发光峰附近的反射率在95%以上并高于介质DBR层19,以使VCSEL器件从顶部介质DBR层一侧出光。
请参阅图2并结合参阅图1所示,本发明提供一种基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片的制备方法,包括如下步骤:
步骤1:在一衬底10上依次生长缓冲层11、交替堆叠的轻重掺杂层、n型掺杂GaN层13、有源层14、电子阻挡层15和p型掺杂GaN层16;
其中所述衬底10的材料为蓝宝石、硅或碳化硅,所述底部多孔DBR层12的材料为氮化物多孔层和非多孔层交替堆叠构成的多周期DBR,其构成材料为GaN、AlGaN、InGaN或AlInGaN,或以上材料的组合材料,所述底部多孔DBR层12和缓冲层11之间还生长有一层n型GaN层,作为专用于电化学腐蚀形成多孔DBR的电流扩展层;
步骤2:采用电化学腐蚀的方法对交替堆叠的轻重掺杂层进行横向腐蚀,将其转变为多孔层和非多孔层交替堆叠的底部多孔DBR层12;
步骤3:在p型掺杂GaN层16上的四周向下刻蚀,刻蚀深度到达n型掺杂GaN层13内,并在n型掺杂GaN层13的四周形成台面13’;
步骤4:在p型掺杂GaN层16、台面13’、有源层14和电子阻挡层15的侧壁制备电流限制层17,以实现载流子窄化和侧壁钝化,减小器件的漏电通道;其中所述电流限制层17的材料为SiO2、SiNx、HfO2或Al2O3;
步骤5:采用光刻、腐蚀技术在电流限制层17上开一电流窗口17’并去掉台面13’上的部分电流限制层17;
步骤6:在p型掺杂GaN层16上的电流窗口17’处制备一透明电极18;
步骤7:在去掉部分电流限制层17的台面13’上和透明电极18的四周分别制备n电极20和p电极21,该p电极21的中间形成有凹缺;
其中所述n电极20和p电极21所用金属材料为Cr/Al/Ti/Au、Cr/Pt/Au、Ni/Au、Ni/Ag/Pt/Au、Ti/Au或Ti/Pt/Au;
步骤8:在p电极21的凹缺内透明电极18的上表面制备介质DBR层19,完成器件制备,该介质DBR层19为多周期SiO2/TiO2、SiO2/Ta2O5、TiO2/Al2O3或ZrO2/SiO2结构。
请参阅图3并结合参阅图4所示,本发明提供一种GaN基底部多孔DBR层12的扫描电子显微镜图片及其对应的反射谱图。其中,图3内的多孔层为经电化学腐蚀后的重掺杂GaN层,而未腐蚀的GaN层为轻掺杂层。两层材料由于空气隙的引入存在折射率差,并交替堆叠构成底部多孔DBR层。图4反射谱中的横坐标为波长,纵坐标为反射率,从反射谱图可以看出,该底部多孔DBR层12在520nm附近具有极高的反射率以及较宽的高反射带,可以满足GaN基绿光VCSEL对于高反射率底部反射镜的要求。
以上所述的具体实施例,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片,包括:
一衬底,该衬底的材料为蓝宝石、硅或碳化硅;
一缓冲层,其制作在衬底的上表面;
一底部多孔DBR层,其制作在缓冲层的上表面;
一n型掺杂GaN层,其制作在底部多孔DBR层的上表面,所述n型掺杂GaN层的外围向下刻蚀形成有台面,所述台面的深度小于所述n型掺杂GaN层的厚度,所述n型掺杂GaN层的中间为凸起部分;
一有源层,其制作在所述n型掺杂GaN层的凸起部分上;
一电子阻挡层,其制作在所述有源层的上表面;
一p型掺杂GaN层,其制作在所述电子阻挡层的上表面;
一电流限制层,为绝缘介质,其制作在所述p型掺杂GaN层的上表面及侧面,该电流限制层的中心形成有电流窗口,且该电流限制层覆盖有源层、电子阻挡层和n型掺杂GaN层凸起部分的侧壁,并覆盖部分台面;
一透明电极,其制作在所述p型掺杂GaN层上面的电流限制层及电流窗口处;
一n电极,其制作在n型掺杂GaN层的台面上;
一p电极,其制作在所述透明电极上面的四周,中间形成有凹缺;
一介质DBR层,其制作在所述p电极凹缺内透明电极的上表面。
2.根据权利要求1所述的基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片,其中所述介质DBR层和底部多孔DBR层分别构成VCSEL芯片的上、下反射镜;且底部多孔DBR层在有源层发光峰附近的反射率在95%以上并高于介质DBR层。
3.根据权利要求1所述的基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片,其中所述底部多孔DBR层的结构为氮化物多孔层和非多孔层交替堆叠构成的DBR。
4.根据权利要求1所述的基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片,其中所述电流限制层的材料为SiO2、SiNx、HfO2或Al2O3。
5.根据权利要求1所述的基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片,其中所述底部多孔DBR层和缓冲层之间还生长有一层n型GaN层,作为专用于电化学腐蚀形成底部多孔DBR层的电流扩展层。
6.一种基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片的制备方法,包括如下步骤:
步骤1:在一衬底上依次生长缓冲层、交替堆叠的轻重掺杂层、n型掺杂GaN层、有源层、电子阻挡层和p型掺杂GaN层,所述衬底的材料为蓝宝石、硅或碳化硅;
步骤2:采用电化学腐蚀的方法对交替堆叠的轻重掺杂层进行横向腐蚀,将其转变为多孔层和非多孔层交替堆叠的底部多孔DBR层;
步骤3:在p型掺杂GaN层上的四周向下刻蚀,刻蚀深度到达n型掺杂GaN层内,在n型掺杂GaN层的四周形成台面;
步骤4:在p型掺杂GaN层、台面、有源层和电子阻挡层的侧壁制备电流限制层;
步骤5:采用光刻、腐蚀技术在电流限制层上开一电流窗口并去掉台面上的部分电流限制层;
步骤6:在p型掺杂GaN层上的电流窗口处制备一透明电极;
步骤7:在去掉部分电流限制层的台面上和透明电极的四周分别制备n电极和p电极,该p电极的中间形成有凹缺;
步骤8:在p电极的凹缺内透明电极的上表面制备介质DBR层,完成器件制备。
7.根据权利要求1所述的基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片的制备方法,其中介质DBR层和底部多孔DBR层分别构成VCSEL芯片的上、下反射镜,且底部多孔DBR层在有源层发光峰附近的反射率在95%以上并高于介质DBR层。
8.根据权利要求1所述的基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片的制备方法,其中所述底部多孔DBR层的材料为氮化物多孔层和非多孔层交替堆叠构成的多周期DBR。
9.根据权利要求1所述的基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片的制备方法,其中所述电流限制层的材料为SiO2、SiNx、HfO2或Al2O3。
10.根据权利要求1所述的基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片的制备方法,其中所述底部多孔DBR层和缓冲层之间还生长有一层n型GaN层,作为专用于电化学腐蚀形成底部多孔DBR层的电流扩展层。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710220057.6A CN106848838B (zh) | 2017-04-06 | 2017-04-06 | 基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片及制备方法 |
US16/500,035 US11258231B2 (en) | 2017-04-06 | 2017-06-01 | GaN-based VCSEL chip based on porous DBR and manufacturing method of the same |
PCT/CN2017/086855 WO2018184288A1 (zh) | 2017-04-06 | 2017-06-01 | 基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片及制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710220057.6A CN106848838B (zh) | 2017-04-06 | 2017-04-06 | 基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片及制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106848838A true CN106848838A (zh) | 2017-06-13 |
CN106848838B CN106848838B (zh) | 2019-11-29 |
Family
ID=59146574
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710220057.6A Active CN106848838B (zh) | 2017-04-06 | 2017-04-06 | 基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片及制备方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11258231B2 (zh) |
CN (1) | CN106848838B (zh) |
WO (1) | WO2018184288A1 (zh) |
Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108376730A (zh) * | 2018-02-07 | 2018-08-07 | 赛富乐斯股份有限公司 | 发光装置及其制造方法 |
CN108574033A (zh) * | 2018-07-06 | 2018-09-25 | 河北工业大学 | 具有场板结构的发光二极管器件及其制备方法 |
CN108767018A (zh) * | 2018-05-22 | 2018-11-06 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种制作高频GaN基薄膜肖特基器件的外延结构及工艺方法 |
CN108879326A (zh) * | 2018-07-06 | 2018-11-23 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种水平结构vcsel芯片及其制作方法和激光装置 |
CN108923255A (zh) * | 2018-08-10 | 2018-11-30 | 厦门大学 | 一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器 |
CN108923253A (zh) * | 2018-07-05 | 2018-11-30 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种vcsel芯片及制作方法 |
CN109770886A (zh) * | 2019-01-03 | 2019-05-21 | 中国科学院半导体研究所 | 柔性可贴附式血流速度测试系统及其构建方法 |
CN109787085A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-05-21 | 华灿光电(浙江)有限公司 | 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法 |
CN109873297A (zh) * | 2019-04-26 | 2019-06-11 | 山东大学 | 一种GaN基垂直腔面发射激光器及其制备方法 |
CN110048305A (zh) * | 2019-04-19 | 2019-07-23 | 北京工业大学 | 石墨烯-介质dbr单模垂直腔面发射激光器及其制备方法 |
CN110098295A (zh) * | 2019-04-26 | 2019-08-06 | 山东大学 | 一种具有导电DBR的GaN基LED及其制备方法 |
CN110265872A (zh) * | 2019-06-18 | 2019-09-20 | 威科赛乐微电子股份有限公司 | 一种底部发射型vcsel芯片及其制造方法 |
CN110265875A (zh) * | 2019-05-29 | 2019-09-20 | 威科赛乐微电子股份有限公司 | 可发白光的GaN型VCSEL芯片及其制备方法 |
CN110277732A (zh) * | 2019-07-16 | 2019-09-24 | 河北工业大学 | 具有高介电常数限制孔的vcsel器件及其制备方法 |
US20200169061A1 (en) * | 2017-07-18 | 2020-05-28 | Sony Corporation | Light emitting element and light emitting element array |
CN111223823A (zh) * | 2018-11-23 | 2020-06-02 | 三星电子株式会社 | 半导体芯片和半导体封装件 |
CN111433921A (zh) * | 2019-12-16 | 2020-07-17 | 厦门三安光电有限公司 | 一种发光二极管 |
CN111600200A (zh) * | 2020-06-05 | 2020-08-28 | 苏州汉骅半导体有限公司 | 垂直腔面发射激光器的制造方法及垂直腔面发射激光器 |
CN111785818A (zh) * | 2020-07-10 | 2020-10-16 | 中国科学院半导体研究所 | 基于多孔下包层的GaN基波导器件及其制备方法和应用 |
CN111834889A (zh) * | 2020-07-23 | 2020-10-27 | 中国科学院半导体研究所 | 等离激元回音壁光泵激光器及其制备方法 |
CN112186503A (zh) * | 2020-10-21 | 2021-01-05 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法 |
CN112713507A (zh) * | 2019-10-24 | 2021-04-27 | 中国科学院半导体研究所 | 基于多孔DBR的GaN基回音壁激光器、其制备方法及应用 |
JP2021511662A (ja) * | 2018-01-18 | 2021-05-06 | アイキューイー ピーエルシーIQE plc | レーザ用途のための多孔性分散ブラッグ反射器 |
CN113708214A (zh) * | 2021-07-21 | 2021-11-26 | 湖北光安伦芯片有限公司 | 一种基于选区外延技术的双波长vcsel结构及其制备方法 |
CN114067732A (zh) * | 2022-01-14 | 2022-02-18 | 南京浣轩半导体有限公司 | 一种led显示驱动芯片及应用 |
CN114336282A (zh) * | 2020-10-10 | 2022-04-12 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 具有导电DBR结构的GaN基垂直腔面发射激光器及其制作方法 |
US11374384B2 (en) * | 2017-05-31 | 2022-06-28 | Sony Corporation | Light-emitting device and method of manufacturing light-emitting device |
WO2024017092A1 (zh) * | 2022-07-20 | 2024-01-25 | 中国科学院半导体研究所 | 基于多色谐振腔发光二极管的生物探针及其制备方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7166871B2 (ja) * | 2018-10-18 | 2022-11-08 | スタンレー電気株式会社 | 垂直共振器型発光素子 |
US11652188B2 (en) * | 2019-10-28 | 2023-05-16 | Unm Rainforest Innovations | Method of fabricating broad-band lattice-matched omnidirectional distributed Bragg reflectors using random nanoporous structures |
US20210273412A1 (en) * | 2020-02-25 | 2021-09-02 | Unm Rainforest Innovations | Non-c-plane group iii-nitride-based vcsels with nanoporous distributed bragg reflector mirrors |
CN112002788A (zh) * | 2020-09-03 | 2020-11-27 | 中国科学院半导体研究所 | Iii族氮化物基分布式布拉格反射镜及其制备方法 |
GB2612040A (en) * | 2021-10-19 | 2023-04-26 | Iqe Plc | Porous distributed Bragg reflector apparatuses, systems, and methods |
WO2024155528A1 (en) * | 2023-01-17 | 2024-07-25 | Snap Inc. | Resonant cavity micro-led fabrication |
CN118156971B (zh) * | 2024-05-13 | 2024-07-23 | 山东省科学院激光研究所 | 一种长波长垂直腔表面发射激光器及其制备方法 |
CN118156970B (zh) * | 2024-05-13 | 2024-07-23 | 山东省科学院激光研究所 | 一种长波长垂直腔表面发射激光器及其制备方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1748290A (zh) * | 2002-12-27 | 2006-03-15 | 通用电气公司 | 氮化镓晶体、同质外延氮化镓基器件及其制造方法 |
TW200929758A (en) * | 2007-12-28 | 2009-07-01 | Univ Nat Chiao Tung | Electric excitation surface emitting lasers with transparent electrodes and crack-free AlN/GaN reflector, and the fabrication method thereof |
CN101523603A (zh) * | 2006-08-06 | 2009-09-02 | 光波光电技术公司 | 具有一个或多个谐振反射器的ⅲ族氮化物发光器件以及用于该器件的反射工程化生长模板和方法 |
US7615780B2 (en) * | 2000-10-23 | 2009-11-10 | General Electric Company | DNA biosensor and methods for making and using the same |
CN103325894A (zh) * | 2013-07-04 | 2013-09-25 | 厦门大学 | 一种电注入GaN基谐振腔的制作方法 |
CN105449057A (zh) * | 2015-11-11 | 2016-03-30 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种集成多孔状反射层的发光二极管 |
WO2016054232A1 (en) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | Yale University | A METHOD FOR GaN VERTICAL MICROCAVITY SURFACE EMITTING LASER (VCSEL) |
CN105556680A (zh) * | 2013-05-22 | 2016-05-04 | 王士原 | 微结构增强型吸收光敏装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN201523603U (zh) | 2009-09-18 | 2010-07-14 | 山东省日照市水产研究所 | 一种反冲式二层底潜砂养殖装置 |
KR20130007557A (ko) * | 2010-01-27 | 2013-01-18 | 예일 유니버시티 | GaN 소자의 전도도 기반 선택적 에칭 및 그의 응용 |
KR101272833B1 (ko) * | 2012-02-03 | 2013-06-11 | 광주과학기술원 | 실리콘 dbr 구조가 집적된 광 소자 및 그 제조방법 |
WO2014004261A1 (en) * | 2012-06-28 | 2014-01-03 | Yale University | Lateral electrochemical etching of iii-nitride materials for microfabrication |
JP6271934B2 (ja) * | 2012-11-02 | 2018-01-31 | キヤノン株式会社 | 窒化物半導体面発光レーザ及びその製造方法 |
US11095096B2 (en) * | 2014-04-16 | 2021-08-17 | Yale University | Method for a GaN vertical microcavity surface emitting laser (VCSEL) |
TWI827578B (zh) * | 2018-01-18 | 2024-01-01 | 英商Iqe有限公司 | 用於雷射應用之多孔分佈式布拉格反射器 |
-
2017
- 2017-04-06 CN CN201710220057.6A patent/CN106848838B/zh active Active
- 2017-06-01 WO PCT/CN2017/086855 patent/WO2018184288A1/zh active Application Filing
- 2017-06-01 US US16/500,035 patent/US11258231B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7615780B2 (en) * | 2000-10-23 | 2009-11-10 | General Electric Company | DNA biosensor and methods for making and using the same |
CN1748290A (zh) * | 2002-12-27 | 2006-03-15 | 通用电气公司 | 氮化镓晶体、同质外延氮化镓基器件及其制造方法 |
CN101523603A (zh) * | 2006-08-06 | 2009-09-02 | 光波光电技术公司 | 具有一个或多个谐振反射器的ⅲ族氮化物发光器件以及用于该器件的反射工程化生长模板和方法 |
TW200929758A (en) * | 2007-12-28 | 2009-07-01 | Univ Nat Chiao Tung | Electric excitation surface emitting lasers with transparent electrodes and crack-free AlN/GaN reflector, and the fabrication method thereof |
CN105556680A (zh) * | 2013-05-22 | 2016-05-04 | 王士原 | 微结构增强型吸收光敏装置 |
CN103325894A (zh) * | 2013-07-04 | 2013-09-25 | 厦门大学 | 一种电注入GaN基谐振腔的制作方法 |
WO2016054232A1 (en) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | Yale University | A METHOD FOR GaN VERTICAL MICROCAVITY SURFACE EMITTING LASER (VCSEL) |
CN105449057A (zh) * | 2015-11-11 | 2016-03-30 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种集成多孔状反射层的发光二极管 |
Cited By (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11374384B2 (en) * | 2017-05-31 | 2022-06-28 | Sony Corporation | Light-emitting device and method of manufacturing light-emitting device |
US20200169061A1 (en) * | 2017-07-18 | 2020-05-28 | Sony Corporation | Light emitting element and light emitting element array |
US11594859B2 (en) * | 2017-07-18 | 2023-02-28 | Sony Corporation | Light emitting element and light emitting element array |
JP2021511662A (ja) * | 2018-01-18 | 2021-05-06 | アイキューイー ピーエルシーIQE plc | レーザ用途のための多孔性分散ブラッグ反射器 |
CN108376730A (zh) * | 2018-02-07 | 2018-08-07 | 赛富乐斯股份有限公司 | 发光装置及其制造方法 |
CN108767018A (zh) * | 2018-05-22 | 2018-11-06 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种制作高频GaN基薄膜肖特基器件的外延结构及工艺方法 |
CN108767018B (zh) * | 2018-05-22 | 2022-01-25 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种制作高频GaN基薄膜肖特基器件的外延结构及工艺方法 |
CN108923253B (zh) * | 2018-07-05 | 2020-07-28 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种vcsel芯片及制作方法 |
CN108923253A (zh) * | 2018-07-05 | 2018-11-30 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种vcsel芯片及制作方法 |
CN108574033A (zh) * | 2018-07-06 | 2018-09-25 | 河北工业大学 | 具有场板结构的发光二极管器件及其制备方法 |
CN108879326A (zh) * | 2018-07-06 | 2018-11-23 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种水平结构vcsel芯片及其制作方法和激光装置 |
CN108879326B (zh) * | 2018-07-06 | 2021-01-26 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种水平结构vcsel芯片及其制作方法和激光装置 |
CN108923255A (zh) * | 2018-08-10 | 2018-11-30 | 厦门大学 | 一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器 |
CN111223823B (zh) * | 2018-11-23 | 2023-11-21 | 三星电子株式会社 | 半导体芯片和半导体封装件 |
CN111223823A (zh) * | 2018-11-23 | 2020-06-02 | 三星电子株式会社 | 半导体芯片和半导体封装件 |
CN109787085A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-05-21 | 华灿光电(浙江)有限公司 | 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法 |
CN109770886A (zh) * | 2019-01-03 | 2019-05-21 | 中国科学院半导体研究所 | 柔性可贴附式血流速度测试系统及其构建方法 |
CN110048305A (zh) * | 2019-04-19 | 2019-07-23 | 北京工业大学 | 石墨烯-介质dbr单模垂直腔面发射激光器及其制备方法 |
CN110098295A (zh) * | 2019-04-26 | 2019-08-06 | 山东大学 | 一种具有导电DBR的GaN基LED及其制备方法 |
CN109873297A (zh) * | 2019-04-26 | 2019-06-11 | 山东大学 | 一种GaN基垂直腔面发射激光器及其制备方法 |
CN110265875A (zh) * | 2019-05-29 | 2019-09-20 | 威科赛乐微电子股份有限公司 | 可发白光的GaN型VCSEL芯片及其制备方法 |
CN110265872A (zh) * | 2019-06-18 | 2019-09-20 | 威科赛乐微电子股份有限公司 | 一种底部发射型vcsel芯片及其制造方法 |
CN110277732A (zh) * | 2019-07-16 | 2019-09-24 | 河北工业大学 | 具有高介电常数限制孔的vcsel器件及其制备方法 |
CN112713507A (zh) * | 2019-10-24 | 2021-04-27 | 中国科学院半导体研究所 | 基于多孔DBR的GaN基回音壁激光器、其制备方法及应用 |
CN111433921A (zh) * | 2019-12-16 | 2020-07-17 | 厦门三安光电有限公司 | 一种发光二极管 |
CN111433921B (zh) * | 2019-12-16 | 2023-08-15 | 厦门三安光电有限公司 | 一种发光二极管 |
WO2021119906A1 (zh) * | 2019-12-16 | 2021-06-24 | 厦门三安光电有限公司 | 一种发光二极管 |
CN111600200A (zh) * | 2020-06-05 | 2020-08-28 | 苏州汉骅半导体有限公司 | 垂直腔面发射激光器的制造方法及垂直腔面发射激光器 |
CN111600200B (zh) * | 2020-06-05 | 2021-05-07 | 苏州汉骅半导体有限公司 | 垂直腔面发射激光器的制造方法及垂直腔面发射激光器 |
CN111785818A (zh) * | 2020-07-10 | 2020-10-16 | 中国科学院半导体研究所 | 基于多孔下包层的GaN基波导器件及其制备方法和应用 |
CN111834889A (zh) * | 2020-07-23 | 2020-10-27 | 中国科学院半导体研究所 | 等离激元回音壁光泵激光器及其制备方法 |
CN114336282A (zh) * | 2020-10-10 | 2022-04-12 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 具有导电DBR结构的GaN基垂直腔面发射激光器及其制作方法 |
CN112186503B (zh) * | 2020-10-21 | 2021-11-02 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法 |
CN112186503A (zh) * | 2020-10-21 | 2021-01-05 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法 |
CN113708214A (zh) * | 2021-07-21 | 2021-11-26 | 湖北光安伦芯片有限公司 | 一种基于选区外延技术的双波长vcsel结构及其制备方法 |
CN113708214B (zh) * | 2021-07-21 | 2023-07-11 | 湖北光安伦芯片有限公司 | 一种基于选区外延技术的双波长vcsel结构及其制备方法 |
CN114067732A (zh) * | 2022-01-14 | 2022-02-18 | 南京浣轩半导体有限公司 | 一种led显示驱动芯片及应用 |
CN114067732B (zh) * | 2022-01-14 | 2022-04-26 | 南京浣轩半导体有限公司 | 一种led显示驱动芯片及应用 |
WO2024017092A1 (zh) * | 2022-07-20 | 2024-01-25 | 中国科学院半导体研究所 | 基于多色谐振腔发光二极管的生物探针及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2018184288A1 (zh) | 2018-10-11 |
CN106848838B (zh) | 2019-11-29 |
US11258231B2 (en) | 2022-02-22 |
US20200185882A1 (en) | 2020-06-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106848838B (zh) | 基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片及制备方法 | |
CN103474535B (zh) | 发光二极管 | |
CN103474548B (zh) | 半导体结构 | |
CN103474519B (zh) | 发光二极管的制备方法 | |
US8519430B2 (en) | Optoelectronic device and method for manufacturing the same | |
CN107046071A (zh) | 基于多孔DBR的InGaN基谐振腔增强型探测器芯片 | |
CN103474547B (zh) | 发光二极管 | |
CN103474543B (zh) | 发光二极管 | |
CN103474546B (zh) | 半导体结构 | |
CN101572288B (zh) | 一种GaN基多量子阱超辐射发光二极管及其制备方法 | |
US8841149B2 (en) | Method for making light emitting diode | |
CN103474520B (zh) | 发光二极管的制备方法 | |
US8841148B2 (en) | Method for making light emitting diode | |
CN103474530B (zh) | 发光二极管 | |
US20120104440A1 (en) | Optoelectronic device and method for manufacturing the same | |
WO2003015176A1 (en) | Diode having high brightness and method thereof | |
CN103474531B (zh) | 发光二极管 | |
CN103474534A (zh) | 发光二极管 | |
TWI483427B (zh) | 發光二極體之製備方法 | |
JP2011258843A (ja) | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | |
CN103474549B (zh) | 半导体结构 | |
TWI476957B (zh) | 發光二極體的製備方法 | |
US9444018B2 (en) | Light emitting diode | |
Strauss et al. | Progress of InGaN light emitting diodes on SiC | |
CN103474544B (zh) | 半导体结构 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |