CN106786452A - 一种自动关断、低损耗放电电路及其实现方法 - Google Patents

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杨香兵
蔡宝龙
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    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H02H9/04Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage

Abstract

本发明涉及一种自动关断、低损耗放电电路及其实现方法,属于电源控制技术。电源内具有大量储能滤波的电解电容,在电源关闭时,电容内储存的能量需要释放。通常的放电方法是在电容两端并接放电电阻。该方法中,放电电阻一直处于工作状态,增加电源损耗,而且电源关机后,电容的放电时间越短,放电电阻引入的损耗越大。本发明利用光电耦合器、功率MOS管、稳压管、限流电阻和放电电阻等来实现电容的低损耗放电。电源正常工作时,放电回路自动关断,电源增加的损耗小,电源关闭后,放电回路工作,使电容储能快速释放。

Description

一种自动关断、低损耗放电电路及其实现方法
技术领域
本发明属于电源控制技术,主要适用于电源内储能电容的放电技术。
背景技术
电源内具有大量电解电容,用于电源输入和输出的滤波和储能。电源正常工作时,电容可以吸收输入浪涌电压,保证电源工作电压的稳定,还可以为负载端提供脉冲电流,提高电源带脉冲负载的能力。但是,在电源关机时,电容储存的能量需要尽快释放,即电容两端的电压波形的下降沿要小。电源输出滤波电容电压波形下降沿较小,可以提高电源内电源管控芯片的识别能力,增强电源的快速响应能力。电源输入滤波电容电压波形下降沿较小,尤其是工作电压高于安全电压时,电容的电压可以快速降低到安全电压以下,增强电源的安全性。
对于储能电容的放电,通常的做法如图1所示,直接在电容两端并接放电电阻,当电压较高时,可以采用多个放电电阻串并联的形式。该方法电路结构简单、元器件少、可靠性高,但是放电电阻一直处于工作状态,增加电源的损耗,且电源关机后电容放电时间越短,增加的电源损耗越大。
本发明利用光电耦合器、功率MOS管、稳压管、限流电阻和放电电阻等实现一种自动关断、低损耗放电。该发明中元器件均为通用元器件,电路控制逻辑简单,多数元器件均可采用贴片封装,便于小型化设计。而且,功率MOS管的驱动与控制信号通过光电耦合器隔离,控制形式可以多样化。
发明内容
本发明的内容是提供一种自动关断、低损耗放电电路及其实现方法。放电电路主要包括光电耦合器、功率MOS管、稳压管、限流电阻和放电电阻等元器件。控制信号通过光电耦合器实现对功率MOS管的开关控制,限流电阻和稳压管为功率MOS管提供驱动,放电电阻和功率MOS管组成了放电回路,放电电路原理图如图2所示。
为防止信号干扰引起误触发,控制信号先经过整流二极管V1和滤波电容C1整流滤波,再通过限流电阻R3接入光电耦合器N1的初级,N1的次级与稳压管V3、功率MOS管V2的G脚和S脚并联,实现对功率MOS管的开关控制;V2的S脚与电容“-”端连接,V2的G脚串联限流电阻R2后接入电容“+”端,为功率MOS管V2提供驱动电压;V2的D脚串接放电电阻R1后也接入电容“+”端,形成放电回路。
当电源工作时,控制信号正常,光电耦合器N1初次级导通,稳压管V3被短接,功率MOS管V2无驱动电压,V2不导通,放电回路不工作;当电源关闭时,无控制信号,光电耦合器N1初次级断开,电容通过限流电阻R2和稳压管V3为功率MOS管V2提供驱动电压,V2导通,电容通过放电电阻R1和MOS管V2实现快速放电。
本发明与现有技术相比,其显著优点为:使用该方法时,放电回路仅在电源关闭时起作用,不增加电源的损耗。同时,可以选择大功率、低阻值放电电阻,实现电容的快速放电。
附图说明
图1为一种常用电容放电电路原理图。
图2为一种自动关断、低损耗放电电路原理图。
图3为一种自动关断、低损耗放电电路及其实现方法实际应用电路原理图。
具体实施方式
本发明的实际应用电路原理图参见图3,图中主电路为通用AC-DC电源的输入整流滤波电路。放电电路的控制信号与电源交流输入连接,放电电阻和功率MOS管组成的放电回路与滤波电容并联。
1.R3为限流电阻,取值300kΩ,保证N1的初级电流为1mA左右,整流二极管V1的反向耐压要高于350V,滤波电容C1的耐压值要高于350V,容值0.1μF左右,当电源输入正常时,控制信号正常,光电耦合器初次级导通,功率MOS管不导通,放电回路自动关断,当电源无输入时,无控制信号,光电耦合器初次级断开,功率MOS管导通,放电回路工作;
2.R2为限流电阻,取值4.7MΩ,保证N1的次级电流小于1mA,取值越大,N1次级损耗越小;稳压管V3的稳压值要在功率MOS管V2的阈值电压和最大驱动电压之间;
3.功率MOS管V2的工作电压要高于350V,工作电流不得小于300/R1;
4.放电电阻R1根据储能电容C1及所期望的放电时间τ来选取:
R1<1/(3τ)
5.放电电阻R1的功率应选为PR1>(3002/R1)*η(0.5<η≤1)。

Claims (2)

1.一种自动关断、低损耗放电电路,其特征在于:包括光电耦合器、功率MOS管、稳压管、限流电阻和放电电阻;控制信号通过光电耦合器实现对功率MOS管的开关控制,限流电阻和稳压管为功率MOS管提供驱动,放电电阻和功率MOS管组成了放电回路。
2.一种自动关断、低损耗放电电路的实现方法,其特征在于:控制信号先经过整流二极管V1和滤波电容C1整流滤波,再通过限流电阻R3接入光电耦合器N1的初级,N1的次级与稳压管V3、功率MOS管V2的G脚和S脚并联,实现对功率MOS管的开关控制;V2的S脚与电容“-”端连接,V2的G脚串联限流电阻R2后接入电容“+”端,为功率MOS管V2提供驱动电压;V2的D脚串接放电电阻R1后也接入电容“+”端,形成放电回路;当电源工作时,控制信号正常,光电耦合器N1初次级导通,稳压管V3被短接,功率MOS管V2无驱动电压,V2不导通,放电回路不工作;当电源关闭时,无控制信号,光电耦合器N1初次级断开,电容通过限流电阻R2和稳压管V3为功率MOS管V2提供驱动电压,V2导通,电容通过放电电阻R1和MOS管V2实现快速放电。
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