CN106744670B - 一种在电磁耦合场作用下制备硅纳米结构的方法 - Google Patents
一种在电磁耦合场作用下制备硅纳米结构的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106744670B CN106744670B CN201611046617.2A CN201611046617A CN106744670B CN 106744670 B CN106744670 B CN 106744670B CN 201611046617 A CN201611046617 A CN 201611046617A CN 106744670 B CN106744670 B CN 106744670B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon
- nanostructure
- silicon nanostructure
- reaction kettle
- electric field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 75
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 75
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 75
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 230000008878 coupling Effects 0.000 title claims description 10
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 title claims description 10
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 title claims description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 35
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 14
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 9
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 6
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 5
- 238000003672 processing method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010422 painting Methods 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 43
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 229940095686 granule product Drugs 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
- B82B3/0009—Forming specific nanostructures
- B82B3/0019—Forming specific nanostructures without movable or flexible elements
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
本发明属于硅表面加工技术领域，具体涉及一种硅表面纳米结构的可控性加工方法，其包括如下步骤：步骤一，对硅片进行贵金属涂；步骤二，制备硅纳米结构：一反应釜中盛入蚀刻溶液，反应釜设置电场发生装置以及磁场发生装置；步骤一的硅片置入反应釜且浸入所述的蚀刻溶液，先启动电场发生装置，后启动磁场发生装置，反应设定时间后，制得硅纳米结构。本发明操作简单方便，能够克服晶向力、溶液黏性阻力控制腐蚀方向，可重复性高，制备硅纳米结构效率高，便于大规模使用生产。本发明制备的硅纳米结构在微电子、光电子、太阳能电池以及传感器等领域具有重要的应用前景。
Description
技术领域
本发明属于硅表面加工技术领域，具体涉及一种硅表面纳米结构的可控性加工方法。
背景技术
由于纳米材料的特殊物理性质，其受到越来越多的关注。当材料的尺寸减小至纳米级别时，将表现出块体材料所不具备的特殊物理性质，硅纳米结构具有突出的量子限域效应、宏观量子隧道效应、库仑阻塞效应、表面效应等，在微电子、光电子、太阳能电池以及传感器等方面具有重要的应用，而日益受到广泛关注。
目前报道的有关硅微纳米结构的制备方法已不少，如气-液-固法、激光刻蚀法、离子反应腐蚀法等，但这些方法都需要在特定条件下实现，所用的设备要求高，制备成本自然比较高，这些因素不利于硅纳米结构产业化的应用。因此，寻找一种低成本、工艺过程简单、设备依赖性小、硅纳米结构形貌可控性高的方法仍然是目前研究硅纳米领域主要趋势。同时，硅基材料纳米结构在器件中实际应用时，仅需对硅纳米结构进行局部制备，实现硅纳米形貌的有效控制是保证器件质量的关键。因此，硅基材料纳米结构制备的可控性成为新热点。
发明内容
针对上述现有技术中存在的不足，本发明提供了一种应用电场和磁场制备纳米结构的方法，其在现有金属辅助化学辅助制备硅纳米结构的基础上，通过电场和磁场对贵金属的运动进行控制，实现硅纳米结构的有效制备。该加工方法所获得的硅纳米结构质量好、纳米结构的可重复性高、制备过程控制性好，实用性强。
为实现本发明目的，本发明采用以下技术方案：
一种在电磁耦合场作用下制备硅纳米结构的方法，其特征是按如下步骤：
步骤一，对硅片进行贵金属涂层；
步骤二，制备硅纳米结构：一反应釜中盛入蚀刻溶液，反应釜设置电场发生装置以及磁场发生装置；步骤一的硅片置入反应釜且浸入所述的蚀刻溶液，先启动电场发生装置，后启动磁场发生装置，反应设定时间后，制得硅纳米结构。
优选的，步骤一对硅片进行贵金属涂层中，涂层溶液由溶液和溶液混合而成，在10~30℃下，将硅片置入配制好的涂层溶液中，控制反应时间为数分钟。
优选的，步骤一配制涂层溶液中，溶液的摩尔浓度为0.005~0.01mol/L，溶液的摩尔浓度为4.0~4.8mol/L，两者的体积比为0.8~1.2:1~1.2。
优选的，待步骤一的反应结束后，用去离子水冲洗以去除表面的残液。
优选的，步骤二制备硅纳米结构过程中，蚀刻溶液由溶液和溶液混合而成。
优选的，步骤二配制蚀刻溶液中，溶液的摩尔浓度为4.0~5.0mol/L，溶液的摩尔浓度为0.3~0.5mol/L，两者的体积比为0.8~1.2:1~1.2。
优选的，步骤二在蚀刻溶液中制备硅纳米结构过程中， 10~30℃下，启动电场发生装置，其中，电场发生装置采用直流电，电流大小为0~30mA；和/或，磁场发生装置采用直流电源，电流大小为0~100mA。
优选的，步骤二在蚀刻溶液中制备硅纳米结构过程中，反应釜（5）包括筒状铁芯（3），铁芯（3）具有内部容纳区，铁芯（3）的外壁缠绕有漆包线圈（4），形成所述的磁场发生装置。
优选的，步骤二在蚀刻溶液中制备硅纳米结构过程中，反应釜（5）内壁安装有对称的两石墨电极（1），两块石墨电极（1）的相对面相平行，形成所述的电场发生装置。
优选的，步骤二在蚀刻溶液中制备硅纳米结构过程中，反应时间为10~90min，反应结束后，取出硅片并用去离子水冲洗。
本发明在耦合场作用下制备硅纳米结构的方法，具体操作包括如下步骤：
一，对硅片进行贵金属涂层。配制涂层溶液，其中，涂层溶液是由和溶液混合而成，溶液的摩尔浓度为0.005~0.01mol/L，溶液的摩尔浓度为4.0~4.8mol/L，二者的体积比为0.8~1.2:1~1.2。在10~30℃下，将清洗后硅片放入配制好的涂层溶液中，反应时间为1min。待反应结束后用去离子水反复冲洗数次去除表面的残液。
二，制备硅纳米结构。配制蚀刻溶液，其中蚀刻溶液是由和溶液混合而成，溶液的摩尔浓度为4.0~5.0mol/L，溶液的摩尔浓度为0.3~0.5mol/L，二者的体积比为0.8~1.2:1~1.2。将配制好的蚀刻溶液倒入反应釜中。反应釜的结构由铁芯外壁绕制漆包铜线数匝而成。将涂层好的硅片放入反应釜特定位置。在15~25℃下，先启动电场发生装置，其中电场发生装置采用直流电，电流大小为0~30mA。在化学溶液中将发生电荷的置换反应，贵金属在该反应中是起着催化剂的作用加快蚀刻速率，贵金属运动轨迹即为表面微纳米结构成型轨迹。在电荷转移的过程中，贵金属在氧化剂和还原剂中间，由于电荷的移动贵金属表面会聚集大量的移动电子使贵金属表面带电性，如图1所示。具有电性的贵金属颗粒在电场的作用下具有某一方向的力，贵金属将沿着这一方向运动，进而在该方向进行蚀刻加工，此时贵金属运动后有一初始速度。然后，启动磁场发生装置，其中磁场发生装置采用直流电源，电流大小为0~100mA。在磁场作用下带电粒子由于磁场力作用下会改变运动轨迹，进而改变单晶硅表面的形貌结构。在电场和磁场作用下，带电性的贵金属粒子会受到电场力和磁场力也即洛伦兹力的共同作用。由力的合成理论可知，贵金属粒子将受到洛伦兹力作用并且沿该力的方向运动，如附图2所示。反应时间为10~90min，反应结束后，取出硅片用去离子水反复冲洗数次。
三，检测分析。将刻蚀后的硅片进行干燥处理后，放置在扫描电子显微镜上进行检测分析。
本发明硅表面纳米结构的可控性加工方法，属于新材料与纳米材料技术领域，其是一种利用电场和磁场的硅纳米结构制备方法。本发明是将表面沉积有贵金属颗粒的硅样品放入含有双氧水和氢氟酸混合溶液的反应釜中，并在反应釜上施加电场和磁场，从而制备出具有可控性的硅纳米结构。本发明操作简单方便，能够克服晶向力、溶液黏性阻力控制腐蚀方向，可重复性高，制备硅纳米结构效率高，便于大规模使用生产。本发明制备的硅纳米结构在微电子、光电子、太阳能电池以及传感器等领域具有重要的应用前景。
本发明的有益效果是：
本发明结合带电粒子在磁场受磁场力，在电场受电场力作用的特点，创造性地引入磁场和电场加工硅的概念。本发明的加工方法将化学腐蚀与电场、磁场进行复合，制得具有可控性的硅表面纳米结构。本发明的加工方法工艺简单、可重复性好、效率高通过控制电场和磁场大小即可加工硅，该方法适应性好。
附图说明
图1是贵金属颗粒带电性模型。
图2是贵金属粒子在电场、磁场中受到洛伦兹力模型。
图3是本发明反应装置结构示意图。
图4是本发明反应装置结构主视图。
图5是电磁耦合场作用下的硅表面形貌结构的扫描电镜图。
图6是本发明制备的硅纳米结构表面形貌结构的扫描电镜图。
图中各附图标记为：
1、石墨电极，2、硅片，3、铁芯，4、漆包线圈，5、反应釜。
具体实施方式
下面结合优选实施案例对本发明作进一步说明，但本发明并不局限于以下实施例。本发明中的材料未经特别说明均为常见材料可以购买获得，所用试剂为常用工业试剂。
实施例1
（1）将一片的N型(100)硅清洗干净后放入和的混合液中，其中的摩尔浓度为0.01mol/L，的摩尔浓度为4.6mol/L，并且二者的体积比为1：1，反应时间为1min；
（2）然后将（1）中的硅片放入装有和混合液的反应釜中，其中摩尔浓度为4.8mol/L，的摩尔浓度为0.4mol/L，并且二者的体积比也为1：1；
反应釜结构如下：
反应釜5包括筒状铁芯3，铁芯3的上下口各有盖子封住。铁芯3具有内部容纳区，其外壁缠绕有漆包线圈4，内壁安装有对称的两块石墨电极1，两块石墨电极1的相对面相平行。
铁芯3的内壁安装有两卡槽，两卡槽间安装托架，托架用于安放硅片2，硅片2平行于石墨电极1，且其将铁芯3的内部容纳区分为两个对称且隔离的腔室。
（3）开启与石墨电极电极相连的直流电源，并且将电源电流设置为恒定值26mA；
（4）待（3）开启2min后，开启与电磁铁相连的直流电源，并且将电源电流设置为恒定值60mA。
（5）在25℃下反应30min后取出硅并清洗，制得硅三维硅纳米结构。
实施例2
本实施例与实施例1的不同之处在于：涂层溶液配比为的摩尔浓度为0.008mol/L，的摩尔浓度为4.6mol/L。
实施例3
本实施例与实施例1的不同之处在于：涂层溶液配比为的摩尔浓度为0.008mol/L，的摩尔浓度为4.6mol/L。20℃下反应10min后，将与电场相连的电源电流调整为30mA，与磁场相连电源的电流调整为50mA，然后继续反应50min，蚀刻反应结束。
实施例4
本实施例与实施例1的不同之处在于：涂层溶液配比为的摩尔浓度为0.005mol/L，的摩尔浓度为5.0mol/L。与磁场相连电源的电流调整为100mA。
实施例5
本实施例与实施例1的不同之处在于：蚀刻溶液配比摩尔浓度为5.0mol/L，的摩尔浓度为0.6mol/L，并且二者的体积比也为0.8：1。将与电场相连的电源电流调整为20mA，与磁场相连电源的电流调整为40mA。
实施例6
本实施例与实施例1的不同之处在于：蚀刻溶液配比摩尔浓度为5.0mol/L，的摩尔浓度为0.6mol/L。
实施例7
本实施例与实施例1的不同之处在于：蚀刻溶液配比摩尔浓度为5.0mol/L，的摩尔浓度为0.6mol/L。20℃下反应5min后，将与电场相连的电源电流调整为30mA，与磁场相连电源的电流调整为50mA，然后继续反应30min，蚀刻反应结束。
实施例8
本实施例与实施例1的不同之处在于：蚀刻溶液配比摩尔浓度为4.4mol/L，的摩尔浓度为0.3mol/L。
实施例9
本实施例与实施例1的不同之处在于：蚀刻溶液配比摩尔浓度为4.4mol/L，的摩尔浓度为0.3mol/L。与磁场相连电源的电流调整为20mA，与磁场相连电源的电流调整为50mA。
实施例10
本实施例与实施例1的不同之处在于：蚀刻溶液配比摩尔浓度为4.4mol/L，的摩尔浓度为0.3mol/L。与磁场相连电源的电流调整为50mA，与磁场相连电源的电流调整为80mA。
本发明在贵金属辅助化学蚀刻制备硅微纳米结构的过程中施加电场和磁场，通过控制电场和磁场的大小，可以改变贵金属辅助化学蚀刻的制备过程，从而可以得到方向可控的硅纳米结构。本发明操作简单方便，能够克服晶向力、溶液黏性阻力控制腐蚀方向，可重复性高，制备硅纳米结构效率高，便于大规模使用，在微电子、光电子、太阳能电池以及传感器等方面具有重要的应用前景。
Claims (5)
1.一种在电磁耦合场作用下制备硅纳米结构的方法，其特征是按如下步骤：
步骤一，对硅片进行贵金属涂层；
步骤二，制备硅纳米结构：一反应釜中盛入蚀刻溶液，反应釜设置电场发生装置以及磁场发生装置；步骤一的硅片置入反应釜且浸入所述的蚀刻溶液，先启动电场发生装置，后启动磁场发生装置，反应设定时间后，制得硅纳米结构；
所述的反应釜包括筒状铁芯，铁芯具有内部容纳区，铁芯的外壁缠绕有漆包线圈，形成所述的磁场发生装置。
2.如权利要求1所述在电磁耦合场作用下制备硅纳米结构的方法，其特征是：待步骤一的反应结束后，用去离子水冲洗以去除表面的残液。
3.如权利要求1所述在电磁耦合场作用下制备硅纳米结构的方法，其特征是：在10～30℃下，启动电场发生装置，其中，电场发生装置采用直流电，电流大小为0～30mA；和/或，磁场发生装置采用直流电源，电流大小为0～100mA。
4.如权利要求1所述在电磁耦合场作用下制备硅纳米结构的方法，其特征是：所述的反应釜内壁安装有对称的两石墨电极，两块石墨电极的相对面相平行，形成所述的电场发生装置。
5.如权利要求1或3所述在电磁耦合场作用下制备硅纳米结构的方法，其特征是：步骤二的反应时间为10～90min，反应结束后，取出硅片并用去离子水冲洗。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611046617.2A CN106744670B (zh) | 2016-11-23 | 2016-11-23 | 一种在电磁耦合场作用下制备硅纳米结构的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611046617.2A CN106744670B (zh) | 2016-11-23 | 2016-11-23 | 一种在电磁耦合场作用下制备硅纳米结构的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106744670A CN106744670A (zh) | 2017-05-31 |
| CN106744670B true CN106744670B (zh) | 2019-01-29 |
Family
ID=58974374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201611046617.2A Active CN106744670B (zh) | 2016-11-23 | 2016-11-23 | 一种在电磁耦合场作用下制备硅纳米结构的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106744670B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112750687A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-05-04 | 杭州电子科技大学 | 电磁场耦合高深宽比刻蚀硅基方法 |
| CN114702246A (zh) * | 2022-04-29 | 2022-07-05 | 广东工业大学 | 基于磁场协同超声脉冲对玻璃孔的加工方法、系统及应用 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102260894A (zh) * | 2010-10-25 | 2011-11-30 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种可控制备硅纳米结构材料的电化学方法 |
| CN103103511A (zh) * | 2013-02-28 | 2013-05-15 | 华北电力大学 | 一种利用银镜反应制备硅表面形貌可控纳米银粒子的方法 |
| CN103337560A (zh) * | 2013-07-08 | 2013-10-02 | 苏州大学 | 用于太阳能电池的三维硅纳米结构的制备方法 |
| CN104818532A (zh) * | 2015-04-14 | 2015-08-05 | 杭州电子科技大学 | 一种基于外加电场制备硅纳米结构材料的方法 |
-
2016
- 2016-11-23 CN CN201611046617.2A patent/CN106744670B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102260894A (zh) * | 2010-10-25 | 2011-11-30 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种可控制备硅纳米结构材料的电化学方法 |
| CN103103511A (zh) * | 2013-02-28 | 2013-05-15 | 华北电力大学 | 一种利用银镜反应制备硅表面形貌可控纳米银粒子的方法 |
| CN103337560A (zh) * | 2013-07-08 | 2013-10-02 | 苏州大学 | 用于太阳能电池的三维硅纳米结构的制备方法 |
| CN104818532A (zh) * | 2015-04-14 | 2015-08-05 | 杭州电子科技大学 | 一种基于外加电场制备硅纳米结构材料的方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Reduced porosity in metal-assisted chemical etching of vertical Si nanowire arrays by an induced magnetic field;Seokhun Yun等;《Phys. Status Solidi A》;20160211;第213卷(第61期);第1572-1576页 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106744670A (zh) | 2017-05-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100583465C (zh) | 磁场下制备硅太阳能电池绒面的方法 | |
| CN106744670B (zh) | 一种在电磁耦合场作用下制备硅纳米结构的方法 | |
| CN105540654B (zh) | 一种多层次TiO2纳米结构阵列材料的制备方法 | |
| Hu et al. | Metal-catalyzed electroless etching of silicon in aerated HF/H2O vapor for facile fabrication of silicon nanostructures | |
| CN104409322A (zh) | 一种亚波长硅纳米线阵列的制备方法 | |
| CN102732885B (zh) | 一种磁场辅助的硅微纳加工工艺及装备 | |
| CN102556949A (zh) | 一种尺寸可控的硅微/纳米线阵列的制备方法 | |
| US20190189459A1 (en) | Processing device for the third generation semiconductor materials | |
| CN105803509A (zh) | 一种纳米氧化铜的电化学制备方法 | |
| CN107481866A (zh) | 一种四氧化三钴/二氧化锰/聚吡咯纳米线阵列及其制备方法 | |
| CN108923024A (zh) | 一种磁性锂金属电池铜磁复合电极材料及其制备工艺和应用 | |
| CN104818532B (zh) | 一种基于外加电场制备硅纳米结构材料的方法 | |
| CN107290693A (zh) | 一种用于强磁场测量的梳齿状微传感器及制备方法 | |
| CN102807248B (zh) | 一种纳米阵列硫化亚铜的制备方法 | |
| CN105506726B (zh) | 一种银的纳米薄膜的原位电化学制备方法 | |
| CN106927421B (zh) | 制造可控走向的硅纳米线的方法 | |
| Mandler et al. | Microelectrochemistry on surfaces with the scanning electrochemical microscope (SECM) | |
| CN106319588A (zh) | 基于电化学沉积的金属材料表面超疏水薄膜制备方法 | |
| CN109713314A (zh) | 柔性二氧化钛/硅/二氧化硅锂离子电池电极的制备方法 | |
| CN106876520B (zh) | 控制硅纳米线走向的装置 | |
| CN102605413B (zh) | 水热-电化学法制备金刚石膜 | |
| CN109778296B (zh) | 一种抛光和氧化铜表面的方法 | |
| CN106555207B (zh) | 场效应电催化产氢器件的制备方法 | |
| CN104701205B (zh) | 基于单根纳米线电极材料的原位表征性能测试方法 | |
| CN103746038A (zh) | 一种多孔硅模板的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20201104 Address after: 310012 room 2603, building 8, No. 2, xiyuanba Road, Sandun Town, Xihu District, Hangzhou City, Zhejiang Province Patentee after: HANGZHOU ZHUILIE TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 310018, No. 1, No. 2, Poplar Street, Hangzhou economic and Technological Development Zone, Hangzhou, Zhejiang Patentee before: HANGZHOU DIANZI University |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20201203 Address after: 241100 8 / F, building 5, Wuhu TONGHANG Innovation Park, Wanbi Town, Wuhu City, Anhui Province Patentee after: Wuhu Digital Information Industrial Park Co.,Ltd. Address before: 310012 room 2603, building 8, No. 2, xiyuanba Road, Sandun Town, Xihu District, Hangzhou City, Zhejiang Province Patentee before: HANGZHOU ZHUILIE TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Application publication date: 20170531 Assignee: Hangzhou ludai Technology Co.,Ltd. Assignor: Wuhu Digital Information Industrial Park Co.,Ltd. Contract record no.: X2021330000096 Denomination of invention: A method for preparing silicon nanostructures under the action of electromagnetic coupling field Granted publication date: 20190129 License type: Common License Record date: 20210819 |
|
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract | ||
| EC01 | Cancellation of recordation of patent licensing contract |
Assignee: Hangzhou ludai Technology Co.,Ltd. Assignor: Wuhu Digital Information Industrial Park Co.,Ltd. Contract record no.: X2021330000096 Date of cancellation: 20230104 |
|
| EC01 | Cancellation of recordation of patent licensing contract |