CN1066211C - 一种大截面磷酸二氢钾单晶体快速生长法 - Google Patents
一种大截面磷酸二氢钾单晶体快速生长法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1066211C CN1066211C CN96103026A CN96103026A CN1066211C CN 1066211 C CN1066211 C CN 1066211C CN 96103026 A CN96103026 A CN 96103026A CN 96103026 A CN96103026 A CN 96103026A CN 1066211 C CN1066211 C CN 1066211C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- kdp
- crystal
- growth
- single crystal
- solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 65
- 230000012010 growth Effects 0.000 title claims abstract description 52
- 235000019796 monopotassium phosphate Nutrition 0.000 title claims abstract description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 229910000402 monopotassium phosphate Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 4
- PJNZPQUBCPKICU-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid;potassium Chemical compound [K].OP(O)(O)=O PJNZPQUBCPKICU-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 10
- KGWDUNBJIMUFAP-KVVVOXFISA-N Ethanolamine Oleate Chemical compound NCCO.CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O KGWDUNBJIMUFAP-KVVVOXFISA-N 0.000 claims description 7
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 claims description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 claims description 3
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 claims description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims 1
- 239000003643 water by type Substances 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 abstract description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 230000003203 everyday effect Effects 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009395 breeding Methods 0.000 description 1
- 230000001488 breeding effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000012982 microporous membrane Substances 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/38—Devices for influencing the colour or wavelength of the light
- H01J61/40—Devices for influencing the colour or wavelength of the light by light filters; by coloured coatings in or on the envelope
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
- G02B5/281—Interference filters designed for the infrared light
- G02B5/282—Interference filters designed for the infrared light reflecting for infrared and transparent for visible light, e.g. heat reflectors, laser protection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/30—Vessels; Containers
- H01J61/35—Vessels; Containers provided with coatings on the walls thereof; Selection of materials for the coatings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明属于一种大截面磷酸二氢钾(简称KDP)单晶体快速生长法。采用降温法或恒温流动法、恒温蒸发补液法,在KDP的饱和溶液中添加乙醇胺来提高KDP提高(X.Y.Z)三个方向的生长速度,使KDP晶体在这种稳定的溶液条件下实现全方位的快速生长。同时有效地抑制了KDP溶液在通常生长条件下容易生长细菌的现象,也提高了KDP在水中的溶解度,提高了培养缸内原有的溶质容量。得到了KDP晶体在(X.Y.Z)三个方向上,每天7-11mm以上的生长速度,在10000ml的培养缸中,生长出KDP晶体尺寸(X=Y=Z)110×110×110(mm)以上的优质晶体。
Description
本发明涉及晶体生长,尤其是涉及大截面磷酸二氢钾(KH2PO4简称KDP)单晶体体的快速生长法。
KDP晶体是一种优良的非线性光学材料,主要应用于激光二、三、四、五次倍频,尤其是优质的大尺寸KDP晶体,目前已被国际上列为激光核聚变频率转换的唯一实用材料,也是当今国际晶体生长研究的热点课题。该晶体材料自1935年发现以来,国内外研究者为获得大尺寸高光学质量的KDP晶体,已研究了半个多世纪。但至今大多数仍延用传统的方法进行单晶生长,通常采用的降温法、恒温流动法、恒温蒸发补充溶液法等虽然也能生长出质量较好,尺寸较大的单晶,但长速太慢,周期太长,成本太高,效率太低。采用传统方法生长一块140×140×350(mm)尺寸的KDP晶体其周期需要18个月,Z向的平均生长速度不到1mm。
为了获的大尺寸的KDP籽晶用于生长大截面晶体,长期以来国内外研究者采用的二种方法,一种是采用多次培养扩种法来扩大KDP(xy)截面的尺寸,但这种多次扩种的效率是有限的,J,WMullin等人在J,Appl.Chem,20,153(1970)指出由于KDP晶体各向生长过程基本上只沿Z轴方向增长,而xy截面极少扩大,甚至在生长后期还有所缩小。所以多次扩种方法操作复杂,效率低,周期长。另一种方法是苏根博等人在“硅酸盐学报”1984年第十二卷第三期上报导,用四块Z90°切和45°切KDP晶片彼此平行地拼接而成进行单晶生长,经过多次淘汰拼锥生长的方法也只生长出80×80(mm)截面的常锥单晶。实验表明用于拼接的晶片数量越多,尺寸越大,成功率越低,难以达到实用化的程度。综上所述:KDP晶体无论采用哪一种方法进行单晶生长,最根本的就是要解决KDP晶体生长中溶液的稳定性和生长动力学问题。反之,按传统的生长方法进行大截面KDP晶体生长,首先要得到大截面的籽晶,就必须进行上述反复扩种法或籽晶拼接法这两种长周期低效率的方法。即使获得了较大尺寸的籽晶片,最终还要经过一年半以上时间才能生长出可用尺寸的晶体,因为KDP晶体Z向的日平均生长速度≤1~3mm远远不能满足目前国际上对KDP晶体的需求。
因此,本发明的目的就在于解决当前KDP晶体生长中的一项极为重要的问题—快速地生长大截面KDP晶体以满足激光核聚变工程的急需。
本发明用溶液降温法快速生长大截面KDP晶体,但改变了以往只在Z方向生长的做法。采用添加剂以促进KDP晶体沿X,Y,Z三个方向同时快速生长,已在10000ml的培养缸中生长出110×110×110(mm)以上,完整透明的单晶。该方法是以二次蒸馏水为主要溶剂,按每100ml水中加入1~10ml的乙醇胺(其分子式为C2H7NO)添加剂组成混合溶剂,PH=4~6再加入过量的固体优级KDP原料,在35~80℃下配制成过饱和溶液,经超细微孔滤膜过滤后平衡24小时待放籽晶。籽晶采用优质透明90°Z切的晶片,尺寸10×10×3(mm)左右。然后在籽晶的[001]方向的中间部位钻二个小孔,用二次蒸溜水在绸布上磨平擦干后,用与溶液不起作用的尼龙绳固定在用于单锥朝下或朝上生长的截晶盘上。放入烘箱内预热至与溶液同温度后再放入上述溶液中生长。在生长过程中,由于晶体的三个方向同时快速生长,所以应严格控制和变换其过饱和度即降温量。由于籽晶小,一般初始生长阶段每天降温量0.3~1.0℃为宜,随着晶体的快速长大,每天降温量可增至2~4℃左右。按以上方法进行,其KDP晶体的X,Y,Z三个方向平均日生长速度可达7~11(mm)。另外,还需指出的是由于生长大尺寸晶体的需要,而随着培养缸容积增大,因为籽晶甚小,所以初始生长阶段的降温速度要小于0.3℃/天。
本发明克服了KDP晶体通常只在[001]Z方向生长,而且长速很慢的问题。改变了以往惯用的,需要通过反复扩种或多块籽晶接接的方法来获取大截面的籽晶的传统作法,以小籽晶法代之;同时也改变Z向生长速度慢,X,Y几乎不长的状态。在KDP—二次蒸溜水的饱和溶液中添加乙醇胺后显示出三大优点:其一不需要采用传统的KOH调节溶液的PH值,可避免因加入KOH本身带入的Fe.Al.Cr等有害金属杂质。且比纯态时的KDP在水中的溶解度可获的低温高饱和度的效果,便于生长过程的操作。其二,因乙醇胺有防腐的功能,所以可防止KDP溶液生长过程中容易繁殖细菌的现象。其三,最重要的是能起KDP晶体生长习性调节作用,促进KDP(x,y,z)三个方向同时快速生长(即实现全方位生长)。在同样的设备条件下能获的比传统技术方法生长KDP晶体高5~10倍的生长效率。从而大大缩短了生长周期。
本发明的优点还在于采用小籽晶进行大截面晶体生长,可以一步到位,快速地生长出所需要的籽晶尺寸或可用晶体,操作方便,生长出的(x=y=z)正方形晶体利用率高,同时由于籽品尺寸甚小,成锥恢复时间短,因此籽晶本身的缺陷延伸少,溶液中的固体原料省。
本发明的最好实施方式为:取二次蒸溜水8000ml在80℃下加入6500克AAR级KDP原料,然后加入320ml乙醇胺,在10000ml磨口密封玻璃缸中恒温搅拌36小时后过滤过热处理,在83℃的恒温槽中恒温待下晶种。用透明完整的KDP晶体90°Z切后取10×10×3(mm)尺寸的正方小晶片作为籽晶并在(001)晶面中心部位钻二个小孔,在二次蒸溜水润湿的绸布上磨平擦干,用尼龙绳固定在优质的有机玻璃或不锈钢截晶盘上,放入恒温83℃左右的烘箱预热后,再放入上述饱和溶液中进行生长,并迅速将温度降至比饱和点温度低0.2℃的79.80℃以有利于晶体重新恢复。约2小时后开启晶体转动装置,40转/分的转速使籽晶的(001)面开始成帽。经24小时后随着晶体的长大,以0.5~3.8℃/天的降温量逐渐降至40℃经10天的快速生长最后抽出溶液平衡至室温时取出晶体,得到110×110×110(mm)的正方形透明大截面KDP晶体。附表列出了几个生长实例。
本发明的技术方案同样适用于KDP类型(DKDP、ADP)及其它同类型的单晶生长。
附表
大截面KDP晶体快速生长实例
编号 | 二次蒸馏水(ml) | KDP原料(克) | 乙醇胺(ml) | 溶液配制 | 生长温度(℃) | 降温步距(℃) | 籽品尺寸(mm) | 平均生长速度mm/天 | 生长时间(天) | 晶体尺寸(mm) | 晶体品 质 |
16 | 8000 | 5500 | 180 | 恒温67℃溶解搅拌36小时 | 67.15 | 0.30.81.22.4 | 10×10×4 | 8 | 4 | 42×42×42 | 正方形完整透明无散射颗粒 |
17 | 8000 | 5500 | 240 | 恒温62℃溶解搅拌36小时 | 61.18 | 0.41.01.52.1 | 10×10×3 | 10 | 6 | 70×70×70 | 正方形完整透明无散射颗粒 |
18 | 8000 | 5500 | 300 | 恒温68.75℃溶解搅拌36小时 | 68.75 | 0.51.22.53.7 | 10×10×3 | 9 | 9 | 100×100×100 | 正方形完整透明无散射颗粒 |
19 | 8000 | 6500 | 320 | 恒温80℃溶解搅拌36小时 | 80.0 | 0.51.52.13.8 | 10×10×3 | 10 | 10 | 110×110×110 | 正方形完整透明无散射颗粒 |
Claims (3)
1.一种大截面磷酸二氢钾单晶体快速生长法,是用溶液降温法从水--乙醇胺的磷酸二氢钾(简称KDP)饱和溶液中沿X、Y、Z三个方向同时快速生长大截面KDP晶体的方法,其混合溶剂的PH值为4-6,晶体的生长温度范围为35-80℃,降温速度为0.3-4℃/天,其特征在于:
(1)添加剂乙醇胺在溶液中的用量为每100毫升水中加入1-10毫升;
(2)采用90°Z切的KDP作小籽晶,在(001)晶面上钻二个小孔,使其固定在用于单锥朝下生长的不锈钢薄板,即载晶盘上;
(3)由于生长大尺寸晶体需要培养缸容积不断增大,因此初始生长阶段的降温速度应小于0.3℃/天。
2.如权利要求1所述的大截面KDP单晶体快速生长法,其特征在于,所用的载晶盘也可以是塑料王或尼龙板材料制作而成。
3.如权利要求1所述的大截面KDP单晶体快速生长法,其特征在于,也可使籽晶固定在载晶盘上让其单锥朝上生长。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US4501893A | 1993-03-22 | 1993-03-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1157343A CN1157343A (zh) | 1997-08-20 |
CN1066211C true CN1066211C (zh) | 2001-05-23 |
Family
ID=21935566
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 94103020 Expired - Fee Related CN1066287C (zh) | 1993-03-22 | 1994-03-19 | 具有红外反射膜和光散射被覆层的灯 |
CN96103026A Expired - Fee Related CN1066211C (zh) | 1993-03-22 | 1996-02-15 | 一种大截面磷酸二氢钾单晶体快速生长法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 94103020 Expired - Fee Related CN1066287C (zh) | 1993-03-22 | 1994-03-19 | 具有红外反射膜和光散射被覆层的灯 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0617300B1 (zh) |
JP (1) | JPH06302302A (zh) |
CN (2) | CN1066287C (zh) |
CA (1) | CA2116950A1 (zh) |
DE (1) | DE69413739T2 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100453709C (zh) * | 2004-07-29 | 2009-01-21 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种大口径磷酸二氢钾单晶体快速生长法 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3909603B2 (ja) * | 2003-12-19 | 2007-04-25 | シャープ株式会社 | 光学材料、光学部材、照明装置および表示装置 |
CN100469949C (zh) * | 2004-05-25 | 2009-03-18 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种大口径磷酸二氢钾单晶体快速生长法 |
US7804249B2 (en) | 2004-09-15 | 2010-09-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light-transmitting substrate provided with a light-absorbing coating, light absorbing coating as well as method of preparing a light-absorbing coating |
JP2006100198A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Harison Toshiba Lighting Corp | 電球形ヒータ、電球形ヒータの製造方法 |
JP2006106073A (ja) | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Seiko Epson Corp | プロジェクタ |
US20080292820A1 (en) * | 2007-05-23 | 2008-11-27 | 3M Innovative Properties Company | Light diffusing solar control film |
CN101775651B (zh) * | 2009-01-09 | 2014-04-16 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种大口径高质量磷酸二氢钾单晶生长方法 |
CN101708833B (zh) * | 2009-11-03 | 2011-08-10 | 上海大学 | 磷酸二氢钾孪晶的制备方法 |
JP5671833B2 (ja) * | 2010-04-09 | 2015-02-18 | 日本電気硝子株式会社 | 光反射基材用材料、光反射基材およびそれを用いた発光デバイス |
CN102534778A (zh) * | 2012-03-14 | 2012-07-04 | 青岛大学 | 一种kdp类晶体全方位生长方法 |
CN102618916A (zh) * | 2012-03-29 | 2012-08-01 | 江南大学 | 一种晶体培养连续过滤自动控制方法 |
US9671529B2 (en) * | 2012-08-01 | 2017-06-06 | Ferro Corporation | Light influencing nano layer |
CN105093776B (zh) * | 2014-05-13 | 2020-08-25 | 深圳光峰科技股份有限公司 | 波长转换装置、光源系统及投影系统 |
JP2018141035A (ja) | 2017-02-27 | 2018-09-13 | 日本特殊陶業株式会社 | 光波長変換部材及び発光装置 |
CN107805844B (zh) * | 2017-10-21 | 2020-10-16 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | Kdp类晶体长籽晶限制生长方法 |
CN111485279A (zh) * | 2020-05-13 | 2020-08-04 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 水溶液法低温制备钼酸锂晶体的方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DD285797A5 (de) * | 1985-04-01 | 1991-01-03 | Veb Carl Zeiss Jena,Dd | Verfahren zur zuechtung von einkristallen der udp-gruppe aus waessrigen loesungen |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59221967A (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-13 | 東芝ライテック株式会社 | 電球 |
KR890004640B1 (ko) * | 1984-09-28 | 1989-11-21 | 가부시끼 가이샤 도시바 | 광확산코우팅 및 그 형성방법과 코우팅한 램프 |
JPH01124952A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-17 | Ushio Inc | 白熱電球 |
JPH0279356A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-19 | Matsushita Electron Corp | 白熱電球 |
US4998038A (en) * | 1988-12-05 | 1991-03-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pitted light diffusive coating, a method of forming the coating and a lamp having the coating |
CA2017471C (en) * | 1989-07-19 | 2000-10-24 | Matthew Eric Krisl | Optical interference coatings and lamps using same |
JPH0433842A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-05 | Iwasaki Electric Co Ltd | 機能性薄膜とその形成方法及び管球とその製造方法 |
-
1994
- 1994-03-03 CA CA 2116950 patent/CA2116950A1/en not_active Abandoned
- 1994-03-18 EP EP19940301938 patent/EP0617300B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-03-18 DE DE1994613739 patent/DE69413739T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-03-19 CN CN 94103020 patent/CN1066287C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1994-03-22 JP JP4962694A patent/JPH06302302A/ja active Pending
-
1996
- 1996-02-15 CN CN96103026A patent/CN1066211C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DD285797A5 (de) * | 1985-04-01 | 1991-01-03 | Veb Carl Zeiss Jena,Dd | Verfahren zur zuechtung von einkristallen der udp-gruppe aus waessrigen loesungen |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100453709C (zh) * | 2004-07-29 | 2009-01-21 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种大口径磷酸二氢钾单晶体快速生长法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0617300B1 (en) | 1998-10-07 |
JPH06302302A (ja) | 1994-10-28 |
EP0617300A1 (en) | 1994-09-28 |
CA2116950A1 (en) | 1994-09-23 |
CN1066287C (zh) | 2001-05-23 |
CN1101753A (zh) | 1995-04-19 |
CN1157343A (zh) | 1997-08-20 |
DE69413739D1 (de) | 1998-11-12 |
DE69413739T2 (de) | 1999-06-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1066211C (zh) | 一种大截面磷酸二氢钾单晶体快速生长法 | |
EP0144017A1 (de) | Verfahren zur biotechnologischen Herstellung von Poly-D(-)-3-hydroxybuttersäure | |
ES2693793A1 (es) | Procedimiento de obtención de concentrados de biofertilizantes y bioestimulantes de uso agricola a partir de biomasa de microalgas, incluyendo cianobacterias | |
CN101580864A (zh) | 一菌双酶生产光学纯l-丙氨酸的方法 | |
KR101413874B1 (ko) | 푸코잔틴 생산능이 우수한 미세조류의 대량 생산방법 | |
JPS62288A (ja) | 発酵法によるl−アミノ酸の製造方法 | |
CN1064337C (zh) | 花卉培养液及其制备方法 | |
DE3441690C2 (zh) | ||
CN111499451A (zh) | 一种用于高原退化草地的生态修复材料及生态修复方法 | |
US3933586A (en) | Method of making l-aspartic acid from fumaric acid | |
CN1094214A (zh) | 海带孢子悬浮培养及固相化育苗 | |
CN102660595A (zh) | 一种玉米浆的制备方法 | |
Williams et al. | Low, controlled nutrient availability provided by organic waste materials for chrysanthemum | |
CN100453709C (zh) | 一种大口径磷酸二氢钾单晶体快速生长法 | |
CN114507361B (zh) | 一种无土栽培种子用琼脂活性炭水凝胶及其制备方法 | |
KR101603586B1 (ko) | 천연잔디 유지관리용 친환경 비료의 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 친환경 비료 | |
CN110079565A (zh) | 一种可提高转化率的豆腐黄浆水发酵生产氨基酸的方法 | |
CN110228855A (zh) | 氧化石墨烯复合材料的制备方法及污水处理方法 | |
DE3333246A1 (de) | Verfahren zur herstellung von l-phenylalanin | |
CN107814440A (zh) | 一种用于污水处理的菌藻复合剂及其制备方法 | |
CN1704508A (zh) | 一种大口径磷酸二氢钾单晶体快速生长法 | |
JPS5840462B2 (ja) | 微細藻類の培養方法 | |
CN109053326A (zh) | 利用牛磺酸工业生产中的含氮废水制备颗粒氮肥及其制备方法 | |
CN1424439A (zh) | 一种氘化磷酸二氘铵(dadp)电光晶体的生长方法 | |
KR102205049B1 (ko) | 미세조류 및 알긴산을 포함하는 질산성 질소 제거제, 이의 제조방법, 및 이를 이용한 질산성 질소 제거 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C19 | Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |