CN106365613A

CN106365613A - 一种抛光瓷片的制造方法

Info

Publication number: CN106365613A
Application number: CN201610737465.4A
Authority: CN
Inventors: 叶德林; 洪卫; 李辉; 黄诗程; 谢石长
Original assignee: Newpearl Ceramics Group Co ltd; Foshan Sanshui Newpearl Building Ceramic Industry Co Ltd
Current assignee: Foshan Sanshui Newpearl Building Ceramic Industry Co Ltd; Newpearl Group Co Ltd
Priority date: 2016-08-26
Filing date: 2016-08-26
Publication date: 2017-02-01
Anticipated expiration: 2036-08-26
Also published as: CN106365613B

Abstract

本发明提供一种抛光瓷片的制造方法，该方法包含以下步骤：1)将生产砖坯的原料和配料球磨后，喷雾造粒，再压制形成砖坯，砖坯进素烧窑烧制成素坯；2)在素坯上施底釉、淋不透水釉；3)釉面干后，洗边；4)印花，淋透明釉，进釉烧窑烧成，得到初成品；5)将初成品放入抛光线采用弹性柔抛工艺抛光打蜡，抛光后磨边、包装，即得到抛光瓷片。该方法解决了抛光瓷片生产过程中出现的淋釉针孔、瓷片透水、抛光漏抛过抛、抛烂等问题，大大提高了抛光瓷片的品质。

Description

一种抛光瓷片的制造方法

技术领域

本发明属于陶瓷建筑装饰材料领域，具体涉及一种抛光瓷片的制造方法。

背景技术

瓷片是瓷砖中的一种陶质砖，有内墙砖、釉面砖等多种叫法。瓷片属于陶质砖，吸水率在10％～20％间，目前市面上吸水率普遍在16％左右，主要使用场所在室内。其主特点是花式纹理、色彩非常丰富，模具的运用搭配丰富。相对抛光砖与抛釉砖其釉面不如其平整，会有桔皮现象，内质不如抛光砖与抛釉砖，适宜室内墙面使用。

抛光砖是通体砖坯体的表面经过打磨而成的一种光亮的砖，其经1200度以上高温烧结内质紧密强度高，吸水率小于0.5％，运用主要铺地面为主，部分上墙；其花纹主要靠压机布料、印渗花釉来调制，受制于工艺，其花式纹理同色彩相对于瓷片都有较大差距。

抛釉砖也叫全抛釉砖，其坯体内质与抛光砖近似，相对抛光砖进行了改良，在抛光内质坯上施底釉－印花－淋透明釉－抛光，由于抛釉砖增加了印花工序，其相对抛光砖花式纹、色彩丰富度大大提升；相对瓷片由于其普遍规格较大能展现的图案更多显得更加大器，在装修效果上显得更高端；其在花式纹理、色彩的丰富度上有超瓷片之势。

目前抛釉砖抢去抛光砖很大部分市场份额，同时也抢去了部分原属于瓷片的市场。由于瓷片属于陶质，吸水率在16％左右，在上墙时与水泥结合性要好，贴在墙上不易掉。抛釉砖吸水率小于0.5％，密度大于瓷片，单位重量大，上墙风险较大。由于内质的差别瓷片可以说是保住了大部分市场份额，但如果抛釉砖解决了上墙问题，那瓷片的市场就危险了。

作为瓷片，需要提升自己的釉面，起码不能落后于抛釉砖。为解决釉面桔皮现象，提升瓷片的釉面平整度，提升瓷片档次。瓷片抛光处理可以很好达到部分要求。相对抛釉砖，由于瓷片本身内质的原因进行抛光易出现以下几大问题：

1、淋透明釉时易起针孔，在施底釉时由于坯吸水快也易形成针孔。在淋透明釉时，素坯已经过施底釉、淋不透水釉、洗边、皮带输送、印花等工序，素坯上的底釉加不透水釉层被坯体吸干水份。釉浆在坯体上本是浆状存在，浆中的水份被吸走，原本水份的空间就会留下部分细小的空洞。素坯上的釉层就像吸干水份的海绵，印花后再在上面淋一层透明釉，由于空洞部分与实体部分的吸水速度不均匀，其海绵体结构吸水速度快，原本的空洞部分中的空气穿过釉层就会形成针孔。

2、透水。目前瓷片吸水率普遍在16％左右，坯体本身致密性不高，水份能穿过坯体层进入面釉层，在透水部分与没透水部分存在明显的差异，透水部分看起来灰暗，如果面釉层为透明釉层透水更加明显。

3、漏抛、过抛问题。瓷片的吸水率大，后期吸湿膨胀大，为解决后期运用易龟裂的问题，瓷片砖型控制为中间略为上凸，砖型上凸时底坯吸湿膨胀底坯会趋于平直，面釉层受挤压承受压应力不易产生龟裂；如果砖型下凹，底坯吸湿膨胀底坯会趋于平直，面釉层受拉伸承受拉应力很容易产生釉面龟裂。以300毫米x600毫米规格瓷片为例，其砖型在刚出窑时上凸率为0.5～2.0毫米。其测试方法为砖放平，砖面放一平尺，平尺长度大于砖的对角线长，截面稍宽能平稳放置砖面，尺底面要平直。平尺置于砖面对角线位，砖上凸时尺与砖角面间有空隙，用塞尺测量其空隙大小为上凸率，其四角会略有不同。瓷片出窑经皮带输送至抛光线或冷却一段时间送至抛光线，由于瓷片本身存在砖型不平直，同时相对抛釉砖，瓷片规格偏小，抛釉砖主流规格在800x800，瓷片主流规格为300x600。因而在抛光过程就很容易漏抛，特别在边角位置，为使使砖面相对低的部位抛到位，可加压与加长抛光时间，凸位又易产生过抛现象。

4、强度不够。相对抛釉砖，其内质强度低，同时瓷片本身有一定的砖型，抛光过程瓷片易压断，磨块与砖碰撞，砖易烂。

CN101586387公开了一种内墙瓷片的生产方法，它是在传统的内墙瓷片制作工艺的基础上，在瓷片坯体的第一釉层上进行胶辊印花，后淋玻璃体釉层，经高温烧成后，运用全抛技术进行粗抛—精抛—超精抛—最后到磨边干燥的后序加工处理。但是该文献公开的生产方法所生产的产品具有上述的淋透明釉时易起针孔、漏抛、过抛等问题，同时成品易出现白点、釉面热稳定性差易龟裂现象，不利于生产高品质的瓷片。

发明内容

为解决现有技术的缺点和不足，本发明提供一种抛光瓷片的制造方法，该方法包含以下步骤：

1)将生产砖坯的原料和配料球磨后，喷雾造粒，再压制形成砖坯，砖坯进素烧窑烧制成素坯；

2)在素坯上施底釉，干燥后，淋不透水釉；

3)釉面干后，洗边；

4)印花，淋透明釉，进釉烧窑烧成，得到初成品；

5)将初成品放入抛光线，采用弹性柔抛工艺抛光打蜡，抛光后磨边、包装，即得到抛光瓷片。

优选的，不透水釉釉量为400～800克每平方米。一般情况下，流速为25～60秒，比重1.78～1.85克/毫升。不透水釉烧成后玻璃相占50～60％，其余为莫来石晶体，本身吸水率小于0.5％，对光线遮盖力强，可很好解决瓷片透水的问题淋底釉层后淋一层不透水釉层，由于坯体已经吸收了一部分水份，坯体对不透水釉层的吸水速度大大减慢，不透水釉层流平的时间增加易流平，减少了小凹坑与起粉现象，在印花时就减少了在小凹坑与起粉部位印不上花出现白点现象，解决了釉面印花时出现白点问题，烧成后整个釉面平整度提高更利下一步抛光操作。

优选的，所述不透水釉原料的化学组成质量百分比为：SiO₂ 55～62％、AL₂O₃ 6～11％、TiO₂ 6～11％、CaO 3～5％、MgO 2～3％、K₂O 4～5％、Na₂O 0.5～1％、ZrO₂ 5～8％。一般情况下，烧失量为1～2％。

优选的，所述的印花采用胶辊印花或喷墨印花方式。

优选的，所述的喷墨印花前在不透水釉面上用胶辊滚印一层印油。印油有一定粘性，印花前印一层印油，可以使喷墨色点喷到砖面时不反弹，从而增加墨水的发色，也减少了墨水用量。

素坯上的釉层就像吸干水份的海绵，印花后再在上面淋一层透明釉，由于空洞部分与实体部分的吸水速度不均匀，其海绵体结构吸水速度快，原本的空洞部分中的空气穿过釉层就会形成针孔。印油有一定油性，可减缓下层的吸水速度，淋透明釉后透明釉釉浆的水份经印油的阻隔慢慢渗入下层，釉层形成与底釉层、不透水釉层相同的海绵体结构。在不透水釉面上用胶辊滚印一层印油，除可增加墨水利用率外，可解决淋透明釉时釉面易起针孔的问题。

优选的，所述的弹性柔抛工艺包括粗抛、精抛、超精抛和超洁亮打蜡。

优选的，所述抛光工艺的每道工艺均由若干头抛头构成，粗抛、精抛、超精抛每头抛头下向心分布若干个磨块，超洁亮打蜡每头抛头下分布若干圆形磨块；每个磨块均由单独的电动机驱动。

更优选的，所述抛光工艺的每道工艺均由16头抛头构成，粗抛、精抛、超精抛每头抛头下向心分布6个磨块，超洁亮打蜡每头抛头下分布3个圆形磨块；每个磨块均由单独的电动机驱动，磨块既随小电机旋转同时随大电机公转。

优选的，所述的磨块为弹性磨块，该弹性磨块由磨块基座、软性胶层、磨块层组成。当瓷砖变砖型不平时，由于磨块的软性胶层具有弹性作用，可以适应瓷砖的形状变化以保证瓷砖各部位抛到位。

柔抛是指磨头作用于砖面的压力轻柔，瓷片属陶质产品，本身砖型不平，抛光压力过大易断裂或打烂。优选的，所述的弹性柔抛工艺采用压缩空气的气压控制旋转阀门从而控制磨头层作用于砖面的压力大小；压缩空气的气压大时，磨头层作用于砖面的压力大；压缩空气的气压小时，磨头层作用于砖面的压力小。优选的，在保证不漏抛的情形下控制尽量小的压力，以减少抛烂砖的现象。

优选的，抛光机支架上装有空压气行程器控制磨头上升与下降，升降控制由升降控制按钮控制。空压气行程器内的气压由气压调节旋钮控制，压力大小通过压力表显示。粗抛、精抛、超精抛三道皆采用水磨，水由进水管进入，直通砖面。超洁亮打蜡也由16头磨头组成，每头磨头由大电机驱动，其磨盘下设三磨块位，每个磨块位设1个圆形磨块同时设有小电机驱动，磨块随小电机旋转的同时随大电机公转；在砖面滴蜡水，磨块在砖面高速旋转磨抛赶光，同时部分蜡水融入砖面。

釉烧窑出来的砖经皮带输送至抛光线，釉烧砖前放置5-10件同规格干净废砖进入抛光机，砖与砖之间尽可能小的空隙进入，在正常瓷片前部第3件废砖进到抛头位置下方时，起动电机使磨头旋转，旋转升降控制按钮降下磨头，旋转气压调节旋钮可调节气压作用于瓷砖表面的下压力，其气压大小可通过压力表显示。瓷砖存在变形度h时，气压压力作用于磨块头与砖面高位的接触点，与砖面高位接触的磨块头受压致其上面的软性胶层受压缩，保证砖面低位点也能与对面磨块头接触抛磨，软性胶的弹性也能保证磨头能适应砖面的平面角度。

本发明还提供一种采用上述制造方法制得的抛光瓷片，所述的抛光瓷片由下而上包括坯体层、底釉层、不透水釉层、印花层、透明釉层。

有益效果：

(1)解决了抛光瓷片生产过程中出现的淋釉针孔与白点、瓷片透水、抛光漏抛过抛、抛烂等问题，大大提高了抛光瓷片的品质。

(2)使用本发明的抛光瓷片制造方法生产的产品不透水、釉面平整度好、釉面表层的小缺陷与桔皮现象消除，达到镱面效果，提升了产品档次，同时提升了产品竟争力。

(3)不透水釉层、印花层、透明釉层在高温烧成过程中互相融合，不透水釉层烧后结构含有较多的莫来石晶体，热稳定性好。透明釉层大部属于玻璃质，热稳定性差易龟裂。不透水釉层能弥补透明釉层烧成后抗热稳定性较差易龟裂性能的不足，使成品砖略呈拱状，并达到热稳定性标准要求。

附图说明

图1是本发明实施例1的产品结构示意图；

图2是单抛光头的结构示意图；

其中，1-坯体层；2-底釉层；3-不透水釉层；4-印花层；5-透明釉层；6-抛光机皮带；7-磨块层；8-软性胶层；9-磨块基座；10-磨盘；11-抛光机支架；12-电机；13-进水管；14-空压气行程器；15-升降控制按钮；16-气压调节旋钮；17-空压气进气管；18-压力表；19-瓷片；h-瓷片变形度。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的具体实施方式进行详细描述。

实施例1

参照图1的产品结构图，抛光瓷片的制造方法步骤如下：

1)采购陶瓷原料入仓，对原材料理化性能进行检验，合格后按配方配比将生产砖坯的原料和配料球磨后，喷雾造粒，再压制形成砖坯，砖坯进素烧窑烧制成素坯，即得到坯体层1；

2)在素坯上施底釉。底釉工艺参数为：比重1.80克/毫升，流速30秒，细度250目筛余0.1％，釉量600克每平方米。

3)得到底釉层2后，淋不透水釉，得到不透水釉层3。不透水釉工艺参数为：比重1.80克/毫升，流速25秒，细度250目筛余0.2％，釉量600克每平方米。不透水釉原料的化学组成为：SiO₂ 58％、AL₂O₃ 10％、TiO₂ 10％、CaO 5％、MgO 2％、K₂O 4％、Na₂O 1％、ZrO₂8％，烧失量2％。

4)釉面干后，洗边，然后胶辊滚印一层印油；

5)经喷墨印花成印花层4；再淋透明釉，得到透明釉层5。透明釉工艺参数为：比重：1.85克/毫升，流速35秒，细度250目筛余0.2％，釉量480克每平方米。然后进釉烧窑烧成，得到初成品；

6)将初成品放入抛光线采用弹性柔抛工艺抛光打蜡。抛光有四道工序，即粗抛、精抛、超精抛、超洁亮打蜡，粗抛、精抛、超精抛每道有16头磨头组成，每道磨头下磨盘10下设6组磨块，磨块呈向心平均分布。每道磨头单独设电机驱动旋转，抛光机支架11上装有空压气行程器14控制磨头上升与下降，升降控制由升降控制按钮15控制。空压气行程器14内的气压由气压调节旋钮16控制，压力大小通过压力表18显示。粗抛、精抛、超精抛三道皆采用水磨，水由进水管13进入，直通砖面。超洁亮打蜡也由16头磨头组成，每头磨头由大电机驱动，其磨盘下设三磨块位，每个磨块位设1个圆形磨块同时设有小电机驱动，磨块随小电机旋转的同时随大电机公转；在砖面滴蜡水，磨块在砖面高速旋转磨抛赶光，同时部分蜡水融入砖面。

釉烧窑出来的砖经皮带输送至抛光线，釉烧砖前放置6件同规格干净废砖进入抛光机，砖与砖之间尽可能小的空隙进入，在正常瓷片19前部第3件废砖进到抛头位置下方时，起动电机12使磨头旋转，旋转升降控制按钮15降下磨头，旋转气压调节旋钮16可调节气压作用于瓷砖表面的下压力，其气压大小可通过压力表18显示。瓷砖存在变形度h时，气压压力作用于磨块头与砖面高位的接触点，与砖面高位接触的磨块头受压致其上面的软性胶层8受压缩，保证砖面底位点也能与对面磨块头接触抛磨，软性胶的弹性也能保证磨头能适应砖面的平面角度。

7)抛光后磨边、包装，即得到抛光瓷片。

按本发明的方法生产的抛光瓷片由下而上包括坯体层1、底釉层2、不透水釉层3、印花层4、透明釉层5。

实施例2

抛光瓷片的制造方法步骤如下：

2)在素坯上施底釉。底釉工艺参数为：比重1.75克/毫升，流速25秒，细度250目筛余0.1％，釉量400克每平方米。

3)得到底釉层2后，淋不透水釉，得到不透水釉层3。不透水釉工艺参数为：比重1.80克/毫升，流速35秒，细度250目筛余0.2％，釉量500克每平方米。不透水釉原料的化学组成为：SiO₂ 55％、AL₂O₃ 11％、TiO₂ 11％、CaO 5％、MgO 3％、K₂O 4％、Na₂O 1％、ZrO₂8％，烧失量2％。

4)釉面干后，洗边；

5)经胶辊印花成印花层4；再淋透明釉，得到透明釉层5。透明釉工艺参数为：比重：1.88克/毫升，流速35秒，细度250目筛余0.2％，釉量400克每平方米。然后进釉烧窑烧成，得到初成品；

7)抛光后磨边、包装，即得到抛光瓷片。

实施例3

抛光瓷片的制造方法步骤如下：

2)在素坯上施底釉，得到底釉层2。底釉工艺参数为：比重1.75克/毫升，流速20秒，细度250目筛余0.1％，釉量400克每平方米；

3)釉面干后，洗边，然后胶辊滚印一层印油；

4)经喷墨印花成印花层4；再淋透明釉，得到透明釉层5。透明釉工艺参数为：比重：1.85克/毫升，流速30秒，细度250目筛余0.2％，釉量400克每平方米。然后进釉烧窑烧成，得到初成品；

5)将初成品放入抛光线采用弹性柔抛工艺抛光打蜡；

7)抛光后磨边、包装。

抛光瓷片由下而上包括坯体层1、底釉层2、印花层4、透明釉层5。玻璃相占40％，其余为莫来石晶体。

按照本发明的方法，实施例的效果检测如表1所示。

表1实施例生产的瓷片质量评估表

在上表中，“-”表示未出现该种问题；“+”表示出现该种问题，且情况一般严重；“++”表示出现该种问题，且情况比较严重。从上表知，实施例1和实施例2在生产抛光瓷片过程中未出现淋釉针孔与白点、瓷片透水、抛光漏抛过抛、抛烂等问题。同时，产品不透水、釉面平整度好，釉面表层无小缺陷与桔皮现象，达到镱面效果，产品档次高。而实施例3由于未淋不透水釉，所以在生产过程中，抛光瓷片出现了大量淋釉针孔与白点，且透水严重。上述实施例说明，本发明的方法有利于生产高品质的抛光瓷片。

根据上述说明书的揭示和教导，本发明所属领域的技术人员还可以对上述实施方式进行变更和修改。因此，本发明并不局限于上面揭示和描述的具体实施方式，对发明的一些修改和变更也应当落入本发明的权利要求的保护范围内。此外，尽管本说明书中使用了一些特定的术语，但这些术语只是为了方便说明，并不对本发明构成任何限制。

Claims

1.一种抛光瓷片的制造方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：

2)在素坯上施底釉，干燥后，淋不透水釉；

3)釉面干后，洗边；

4)印花，淋透明釉，进釉烧窑烧成，得到初成品；

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的不透水釉釉量为400～800克每平方米。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的不透水釉原料的化学组成质量百分比为：SiO₂ 55～62％、AL₂O₃ 6～11％、TiO₂ 6～11％、CaO 3～5％、MgO 2～3％、K₂O 4～5％、Na₂O 0.5～1％、ZrO₂ 5～8％。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的印花采用胶辊印花或喷墨印花方式。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述的喷墨印花前在不透水釉面上用胶辊滚印一层印油。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的弹性柔抛工艺包括粗抛、精抛、超精抛和超洁亮打蜡。

7.根据权利要求1或6所述的方法，其特征在于，所述的弹性柔抛工艺采用压缩空气的气压控制旋转阀门从而控制磨头层作用于砖面的压力大小；压缩空气的气压大时，磨头层作用于砖面的压力大；压缩空气的气压小时，磨头层作用于砖面的压力小。

8.如权利要求1所述制造方法得到的抛光瓷片，其特征在于，所述的抛光瓷片由下而上包括坯体层、底釉层、不透水釉层、印花层、透明釉层。