CN106292341A - 一种开关机系统及方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及电子产品技术领域，公开了一种开关机系统，包括开关机模块、开关机按键和MCU智能控制模块，其中开关机模块包含开机触发电路、触发延时电路、开关机使能电路及MOS开关；开机时，开关机按键被触发，通过触发延时电路及电源输入，使开机触发电路导通，开机触发电路驱动开关机使能电路打开MOS开关，电源输入给MCU智能控制模块，MCU智能控制模块工作锁住开关机使能电路，维持MOS开关的导通；关机时，开关机按键再次被触发，MCU智能控制模块检测到开关机按键，保存数据及结束进程后，释放开关机使能电路，使MOS开关断开。本发明能够满足一键复用，且智能零待机功耗地完成系统的开关机。

Description

一种开关机系统及方法

技术领域

本发明涉及电子产品技术领域，更具体的说，特别涉及一种一键复用、智能零待机功耗开关机系统及方法。

背景技术

随着社会的发展，人们不但对能效的要求越来越高，同时也对电子产品的可靠性提出了更多的要求。

在目前的开关机电路中，存在着硬开关与软开关两种方式，硬开关的方式是通过电源开关的按下与断开来控制整个系统的开启与关闭，优点是实现方式非常简单，成本低，只要一个开关就可关闭整个系统的电源，待机电流可做到零；但缺点是电源开关会立即切断系统的电源，系统没有办法在关机的同时对数据及当前的状态进行保存，如果系统在处理关键进程时突然断电，还有可能会造成文件的损坏，甚至会造成系统的崩溃。而软开关方式是通过MCU来检测开关机按键来控制系统的开启与关闭，软开关的方式可避免硬开关的缺点，当MCU检测关机键被触发时，能过软件的方式来延时关机，保存数据及正确的结束进程，增加系统的稳定性及可靠性，但缺点在于都存在着或大或小待机电流，不符合当前节能的要求。

另外，当前电子产品发展，也越来越趋向于小型化，外部的接品及按键也越来越少，功能却越来越多。但目前的电子产品上，电源按键只有一个或两个功能，不利于产品的小型化及低本化。因此，现有技术需要改进。

发明内容

本发明的目的在于针对现有技术存在的技术问题，提供一种开关机系统及方法，能够满足一键复用，且智能零待机功耗地完成系统的开关机。

为了解决以上提出的问题，本发明采用的技术方案为：

一种开关机系统，包括开关机模块、开关机按键和MCU智能控制模块，其中开关机模块包含开机触发电路、触发延时电路、开关机使能电路及MOS开关；

开机时，开关机按键被触发，通过触发延时电路及电源输入，使开机触发电路导通，开机触发电路驱动开关机使能电路打开MOS开关，电源输入给MCU智能控制模块，MCU智能控制模块工作锁住开关机使能电路，维持MOS开关的导通；关机时，开关机按键再次被触发，MCU智能控制模块检测到开关机按键，保存数据及结束进程后，释放开关机使能电路，使MOS开关断开。

还包括复位模块，所述复位模块包含复位触发电路、复位延时电路及复位使能电路；当出现非正常故障时，MCU智能控制模块此时检测不到开关机按键，则一直按住开关机按键，同时电源输入给复位触发电路使其导通，复位延时电路开始延时；当达到所设定的复位延时时间后，复位使能电路开始动作，断开开关机使能电路，使MOS开关断开；若未达到所设定的复位延时时间就松开开关机按键，则不作任何动作。

开机时，MCU智能控制模块上电后，发出电平锁住开关机使能电路，并判断开关机按键按下的时间长短；若达到设定的时间，则维持MOS开关的导通，系统进入正常工作状态；若未达到设定的时间，则认为是干扰电平，会释放开关机使能电路，断开MOS开关，重回待机；

关机时，MCU智能控制模块检测到开关机按键，并判断开关机按键按下的时间长短；若达到设定的时间，则保存数据，释放开关机使能电路，断开MOS开关；若未达到设定的时间，则认为是干扰电平，维持MOS开关的导通。

所述复位触发电路包含电阻R2、电阻R3和三极管SW3，其中电阻R2的一端接电源输入及三极管SW3的发射极，另一端接电阻R3的一端及三极管SW3的基极；电阻R3的另一端接复位延时电路和开关机按键SW5的一端，开关机按键SW5的另一端接地；三极管SW3的集电极接复位延时电路。

所述复位延时电路包含电阻R1、电容C1、电阻R8和MOS管SW7，其中电阻R1的一端接三极管SW3的集电极，另一端接电容C1的正极，电容C1的负极接地，电阻R8与电容C1并联；MOS管SW7的漏极接在电阻R1和电容C1的正极之间，源极接地，栅极与电阻R3的另一端连接；

所述复位使能电路采用MOS管SW4，其栅极接在电阻R1和电容C1的正极之间，源极接地，漏极连接开关机使能电路。

所述触发延时电路包含电阻R4和电容C2，两者并联，其中电阻R4的一端接开机触发电路，另一端接电阻R3的一端，电容C2的正极接在电阻R4和开机触发电路之间；

所述开机触发电路包含二极管D1、电阻R5、电阻R6和三极管SW2，其中二极管D1的正极接电阻R5的一端，负极接电阻R4的一端；电阻R5的另一端接三极管SW2的基极；电阻R6的一端接电源输入，另一端接三极管SW2的发射极；三极管SW2的集电极连接开关机使能电路。

所述开关机使能电路包含电阻R7、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电容C3、电容C4、三极管SW6，其中电容C4与电阻R7并联，两者并联后的一端分别接电源输入和MOS开关的栅极，另一端接电阻R11的一端，电阻R11的另一端接三极管SW6的集电极；电阻R9的一端接二极管D2的负极、三极管SW2的集电极及MOS管SW4漏极，电阻R9的另一端接三极管SW6的基极，三极管SW6的发射极接地；电容C3与电阻R10并联，两者并联后的一端接地，另一端接在电阻R9和三极管SW6的基极之间。

所述MOS开关采用MOS管SW1，其栅极接在电容C4和电阻R11之间，源极接电源输入，漏极接电源输出和MCU智能控制模块；

所述MCU智能控制模块的一个检测端连接开关机按键SW5，用于检测开关机按键SW5，另一个控制端接二极管D2的正极。

一种开关机方法，该方法具体步骤如下：

步骤一：系统待机；

步骤二：开关机按键被触发，使触发延时电路导通并进行延时；

步骤三：开机触发电路导通，输入信号给开关机使能电路使其工作，并导通MOS开关；

步骤四：电源输入给MCU智能控制模块，使其上电工作，并锁住开关机使能电路；

步骤五：MCU智能控制模块判断开关机按键按下的时间是否达到设定值，如果已达到，则持续锁住开关机使能电路，维持MOS开关导通，执行步骤六；如果未达到，则释放开关机使能电路，断开MOS开关，返回步骤一，系统重回待机；

步骤六：系统正常工作，MCU智能控制模块等待开关机按键的动作；

步骤七：开关机按键再次被触发，并被MCU智能控制模块检测到；

步骤八：MCU智能控制模块判断开关机按键按下的时间是否达到设定值，如果已达到，则保存数据结束进程，并释放开关机使能电路，断开MOS开关，返回步骤一，系统重回待机；如果未达到，则认定为干扰电平，不做处理，返回步骤六，系统继续正常工作。

若系统出现非正常故障，MCU智能控制模块此时检测不到开关机按键，则进行复位，其方法步骤如下：

步骤1：开关机按键被长按住触发；

步骤2：复位触发电路导通，使复位延时电路开始工作进行延时；

步骤3：复位延时电路开始计时，并判断开关机按键按下的时间是否达到复位延时时间，如果已达到，则复位使能电路导通，断开开关机使能电路，使MOS开关断开，MCU智能控制模块掉电，系统强制复位进入待机；如果未达到，则返回步骤1，等待开关机按键被重新触发。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于：

本发明中采用一个开关机按键实现多种功能，如开机，关机，复位等，并采用开关机模块、复位模块和MCU智能控制模块完成系统的开关机，即采用软开关的方式来解决开关机时系统的稳定性、可靠性，同时解决了待机时存在有待机功耗的问题，其设计简单、稳定可靠，没有待机电流，另采用软件关机的方式，避免了数据的丢失及文件系统的损坏。

附图说明

图1为本发明开关机系统的原理图。

图2为本发明开关机系统的电路图。

图3为本发明开关机系统的流程图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。

参阅图1所示，本发明提供的一种开关机系统，包括开关机模块、复位模块、开关机按键和MCU智能控制模块，其中开关机模块包含开机触发电路、触发延时电路、开关机使能电路及MOS开关。复位模块包含复位触发电路、复位延时电路及复位使能电路。

所述开关机按键是一个轻触开关，且开机、关机与复位为同一个按键，即实现了一键复用。开关机按键还可以作为其它功能使用，如通过软件可设定，长按是开机及关机，短按作如暂停、播放、确认等功能，超长按是强制复位。

所述MCU智能控制模块用于检测开关机按键，并判断开关机按键是否被按下及按下时间的长短，并发出指令控制开关机使能电路开机或关机。MCU智能控制模块还起到关机延时的作用，用于保存数据及结束进程。

所述触发延时电路用于在开关机按键按下开机时进行延时，并输出开机信号给开机触发电路。当开关机按键被错误的一直按下时，如果触发延时结束，即使开关机按键被按下，开机触发电路也不会导通，这样保证系统不会在开机、复位、开机、复位不停的循环，从而可以节约电源。

所述复位延时电路是从开关机按键按下时开始延时，延时的时间为复位所需要的时间，当达到所设定的复位延时时间后，复位使能电路动作，让开关机使能电路断开，整个系统掉电，强制复位。

上述中，复位延时电路还包含复位延时清零电路，当开关机按键被释放时，此复位延时清零电路立即导通，清除延时。

所述MOS开关具有延时导通功能，避免开机瞬间的大电流损坏此开关管。

上述中，开关机模块作为开机及关机功能使用的工作原理如下：

开机时，开关机按键被触发，通过触发延时电路及电源输入，使开机触发电路马上动作。同时，触发延时电路延时一段时间，让开机触发电路维持一定的稳定的导通时间，导通时间等于触发延时所用的时间，并给开关机使能电路一个开机电平，使MOS开关导通，电源输入给MCU智能控制模块上电。MCU智能控制模块上电后马上给出电平锁定开关机使能电路，并开始判断开关机按键所按下的时间长短，以决定是否让整个系统上电。如果达到所设定的时间，则让系统上电，持续锁住开关机使能电路，维持MOS开关的导通，系统开始正常工作，完成开机；如果没有达到，MCU智能控制模块会认为是一个干扰电平，会释放开关机使能电路，断开MOS开关，MCU智能控制模块掉电，重回待机。触发延时电路的作用是在MCU智能控制模块没有发出开机锁定电平前，让开机触发电路一直导通，维持MOS开关的导通，让MCU智能控制模块有够的时间进入工作状态。

关机时，开关机按键被触发，MCU智能控制模块检测到开关机按键的动作后，马上开始计时，并判断开关机按键所按下的时间长短，如果达到所设定的时间，MCU智能控制模块开始保存数据，结束进程后，发出释放开关机使能电路的指令，断开MOS开关，切断整个系统的电源，整个系统重回待机；如果开关机按键所按下的时间没有达到所设定的时间，MCU智能控制模块会认为是一个干扰电平，不作理会，继续正常工作，即维持MOS开关的导通。

上述中，复位模块作复位功能使用的原理如下：

当系统出现非正常故障时，如MCU智能控制模块内的程序跑偏跑飞、进入死循环或死机时，MCU智能控制模块将不能检测到开关机按键，这时就要强制断电复位。一直按住开关机按键，同时电源输入给复位触发电路使其导通，复位延时电路开始延时。当达到所设定的复位延时时间后，延时结束，复位使能电路开始动作，断开开关机使能电路，使MOS开关断开，整个系统掉电，强制复位成功；如果没有达到所设定的复位延时时间就松开按键，则整个系统不作任何动作，等待开关机按键被重新触发。

如附图2所示，所述复位触发电路包含电阻R2、电阻R3和三极管SW3，其中电阻R2的一端接电源输入及三极管SW3的发射极，另一端接电阻R3的一端及三极管SW3的基极。电阻R3的另一端接复位延时电路和开关机按键SW5的一端，开关机按键SW5的另一端接地；三极管SW3的集电极接复位延时电路。

所述复位延时电路包含电阻R1、电容C1、电阻R8和MOS管SW7，其中电阻R1的一端接三极管SW3的集电极，另一端接电容C1的正极，电容C1的负极接地，电阻R8与电容C1并联；MOS管SW7的漏极接在电阻R1和电容C1的正极之间，源极接地，栅极与电阻R3的另一端连接，即接在电阻R3和开关机按键SW5之间。

所述复位使能电路采用MOS管SW4，MOS管SW4的栅极接在电阻R1和电容C1的正极之间，源极接地，漏极连接开关机使能电路。

所述触发延时电路包含电阻R4和电容C2，其中电阻R4与电容C2并联，电阻R4的一端接开机触发电路，另一端接电阻R3的一端，即接在电阻R3和开关机按键SW5之间，电容C2的正极接在电阻R4和开机触发电路之间。

所述开机触发电路包含二极管D1、电阻R5、电阻R6和三极管SW2，其中二极管D1的正极接电阻R5的一端，负极接电阻R4的一端；电阻R5的另一端接三极管SW2的基极；电阻R6的一端接电源输入，另一端接三极管SW2的发射极；三极管SW2的集电极连接开关机使能电路。

所述开关机使能电路包含电阻R7、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电容C3、电容C4、三极管SW6，其中电容C4与电阻R7并联，两者并联后的一端分别接电源输入和MOS开关的栅极，另一端接电阻R11的一端，电阻R11的另一端接三极管SW6的集电极；电阻R9的一端接二极管D2的负极、三极管SW2的集电极及MOS管SW4漏极，电阻R9的另一端接三极管SW6的基极，三极管SW6的发射极接地；电容C3与电阻R10并联，两者并联后的一端接地，另一端接在电阻R9和三极管SW6的基极之间。

所述MOS开关采用MOS管SW1，其中MOS管SW1的栅极接在电容C4和电阻R11之间，源极接电源输入，漏极接电源输出和MCU智能控制模块。

所述MCU智能控制模块的一个检测端接到开关机按键SW5，用于检测开关机按键SW5，另一个控制端接二极管D2的正极，用于开机锁定及关机。

上述中，开机过程详细说明如下：

当电源输入进入待机，此时MOS管SW1、三极管SW2、三极管SW3、三极管SW6是处于截止状态的，三极管SW7导通，但三极管SW7的漏极与源极之间电压为零的情况下，MOS管SW1的栅极电阻为无穷大，所以此时整个系统的待机电流为零。

按下开关机按键SW5，开关机按键SW5短路到地，三极管SW2的基极电压通过电阻R5、二极管D1、电容C2、三极管SW5被瞬间拉为低电平，三极管SW2的发射极与集电极导通；同时电源也通过电阻R6、三极管SW2，经过电阻R9、电阻R10分压、电容C3去干扰后给到三极管SW6，三极管SW6的发射极与集电极导通，三极管SW6导通后，通过电阻R7、电阻R11把MOS管SW1的栅极拉为低电平，MOS管SW1的源极与漏极导通，电源通过MOS管SW1输出给MCU智能控制模块及其它电路。MCU智能控制模块上电初始化，并立即发出高电平，此高电平通过二极管D2、电阻R9加载到三极管SW6，维持MOS管SW1一直导通，锁住电源。锁住电源后，MCU智能控制模块对开关机按键SW5所按下的时间开始计时，如达到所设定的时间，MCU智能控制模块对其它电路上电并初始化，进入正常工作状态；如果没有达到所设定的时间，MCU智能控制模块会判断此次为干扰电平，并发出低电平，此低电平通过二极管D2、电阻R9加载到三极管SW6，使三极管SW6截止，导致MOS管SW1截止，电源断开。

其中，电阻R4与电容C2并联，且电阻R4的值设为足够大，作触发延时用，当开关机按键SW5被按下后，电源通过电阻R6、三极管SW2、电阻R5、二极管D1给电容C2充电，使三极管SW2导通。如果开关机按键SW5一直被按下，当电容C2充满电时，因电阻R4足够大，三极管SW2的基极电平会与发射极相差很小，三极管SW2截止，系统会进入关机，避免让系统在开机、复位、开机、复位一直的循环。这个功能用作开关机按键SW5短路损坏时或在包装中开关机按键SW5被一直压下时，断开系统的电源，节省电源。

另外电容C4与电阻R7并联，当三极管SW6导通时，电容C4通过电阻R11及三极管SW6开始充电，因电容C4两端的电压不能突变，MOS管SW1不会马上导通，但随着电容C4充电，MOS管SW1慢慢导通，避免了MOS管SW1快速导通的冲击电流，保护MOS管SW1。二极管D2作隔离用，隔离电源电压通过电阻R6、三极管SW2进入MCU智能控制模块。

上述关机过程详细说明如下：

系统正常工作中，MCU智能控制模块会一直检测开关机按键SW5的状态，当开关机按键SW5被按下，且被MCU智能控制模块检测到，MCU智能控制模块开始对开关机按键SW5所按下的时间开始计时，如达到所设定的时间，MCU智能控制模块进入关机进程，开始保存数据，结束其它进程并关闭其它系统的电源，之后，MCU智能控制模块发出低电平，此低电平通过二极管D2、电阻R9加载到三极管SW6，使三极管SW6截止，导致MOS管SW1截止，电源断开，整个系统进入待机；如果开关机按键SW5所按下的时间没有达到所设定的时间，MCU智能控制模块会认为此次按键是干扰电平，不作理会，继续正常工作。

上述复位过程详细说明如下：

在工作中，当系统出现非正常故障，如MCU智能控制模块中的程序跑偏跑飞、进入死循环或死机时，MCU智能控制模块不能正常工作，这时一直按住开关机按键SW5，开关机按键SW5短路到地，电源通过电阻R2与电阻R3分压，三极管SW3的基极被拉为低电平，三极管SW3的发射极与集电极导通，输入电源开始通过三极管SW3、电阻R1给电容C1充电。充电时间由电源电压、电阻R1/R8值的大小及电容C1值的大小决定，电阻R1、电容C1越大，充电越慢，越小则越快，电阻R8越大，充电也越快。当电容C1上的电压充至MOS管SW4的导通门限时，MOS管SW4导通，它的漏极与源极导通到地，三极管SW6的基极电平被拉到低电位，三极管SW6截止，导致MOS管SW1截止，电源断开，整个系统掉电，进入待机，复位成功。

其中，如果开关机按键SW5被按下，MOS管SW7的栅极被拉至低电平，MOS管SW7截止，不会影响电容C1充电及MOS管SW4的导通，如果开关机按键SW5被释放，三极管SW3会截止，MOS管SW7的栅极也会被拉至高电平，MOS管SW7的漏极与源极导通到地，马上把电容C1上的电量给释放掉，复位延时清零，不会影响下一次复位计时。

如附图3所示，本发明还提供一种开关机方法，该方法具体步骤如下：

步骤一：系统待机。

步骤二：开关机按键被触发，使触发延时电路导通并进行延时。

步骤三：开机触发电路导通，并输入信号给开关机使能电路，使MOS开关导通。开机触发电路导通的时间等于触发延时电路延时的时间。

步骤四：电源输入给MCU智能控制模块，使MCU智能控制模块上电工作，并锁住开关机使能电路。

步骤五：MCU智能控制模块判断开关机按键按下的时间是否达到设定值(设为3S)，如果已达到，则持续锁住开关机使能电路，维持MOS开关导通，执行步骤六；如果未达到，则释放开关机使能电路，断开MOS开关，返回步骤一，系统重回待机。

步骤六：系统正常工作，MCU智能控制模块等待开关机按键的新动作。

步骤七：开关机按键再次被触发，并被MCU智能控制模块检测到。

步骤八：MCU智能控制模块判断开关机按键按下的时间是否达到设定值(设为3S)，如果已达到，则保存数据结束进程，并释放开关机使能电路，断开MOS开关，返回步骤一，系统重回待机；如果未达到，则认定为干扰电平，不做处理，返回步骤六，系统继续正常工作。

若系统出现非正常故障，如MCU智能控制模块内的程序跑偏跑飞、进入死循环或死机时，则进行复位，其方法步骤如下：

步骤1：开关机按键被长按住触发。

步骤2：复位触发电路导通，使复位延时电路开始工作进行延时，复位延时时间设为20S。

步骤3：复位延时电路开始计时，并判断开关机按键按下的时间是否达到复位延时时间，如果已达到，则复位使能电路导通，断开开关机使能电路，使MOS开关断开，MCU智能控制模块掉电，系统强制复位进入待机；如果未达到，则返回步骤1，等待开关机按键被重新触发。

本发明中采用软硬件结合的方式来进行开关机，理论上待机电流可做到零，但实际中因MOS开关及三极管的存在着漏电流，经实验测试只有0.1uA以下，因此可以视作为零，即实现了智能零待机功耗。

本发明可用于音频、视频、IT、医疗、通信等所有需要用轻触按键开关机的终端中，因此其适用性广、兼容性也好。

上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种开关机系统，其特征在于：包括开关机模块、开关机按键和MCU智能控制模块，其中开关机模块包含开机触发电路、触发延时电路、开关机使能电路及MOS开关；

开机时，开关机按键被触发，通过触发延时电路及电源输入，使开机触发电路导通，开机触发电路驱动开关机使能电路打开MOS开关，电源输入给MCU智能控制模块，MCU智能控制模块工作锁住开关机使能电路，维持MOS开关的导通；关机时，开关机按键再次被触发，MCU智能控制模块检测到开关机按键，保存数据及结束进程后，释放开关机使能电路，使MOS开关断开。

2.根据权利要求1所述的开关机系统，其特征在于：还包括复位模块，所述复位模块包含复位触发电路、复位延时电路及复位使能电路；当出现非正常故障时，MCU智能控制模块此时检测不到开关机按键，则一直按住开关机按键，同时电源输入给复位触发电路使其导通，复位延时电路开始延时；当达到所设定的复位延时时间后，复位使能电路开始动作，断开开关机使能电路，使MOS开关断开；若未达到所设定的复位延时时间就松开开关机按键，则不作任何动作，复位延时电路清除延时。

3.根据权利要求1所述的开关机系统，其特征在于：开机时，MCU智能控制模块上电后，发出电平锁住开关机使能电路，并判断开关机按键按下的时间长短；若达到设定的时间，则维持MOS开关的导通，系统进入正常工作状态；若未达到设定的时间，则认为是干扰电平，会释放开关机使能电路，断开MOS开关，重回待机；

关机时，MCU智能控制模块检测到开关机按键，并判断开关机按键按下的时间长短；若达到设定的时间，则保存数据，释放开关机使能电路，断开MOS开关；若未达到设定的时间，则认为是干扰电平，维持MOS开关的导通。

4.根据权利要求2所述的开关机系统，其特征在于：所述复位触发电路包含电阻R2、电阻R3和三极管SW3，其中电阻R2的一端接电源输入及三极管SW3的发射极，另一端接电阻R3的一端及三极管SW3的基极；电阻R3的另一端接复位延时电路和开关机按键SW5的一端，开关机按键SW5的另一端接地；三极管SW3的集电极接复位延时电路。

5.根据权利要求4所述的开关机系统，其特征在于：所述复位延时电路包含电阻R1、电容C1、电阻R8和MOS管SW7，其中电阻R1的一端接三极管SW3的集电极，另一端接电容C1的正极，电容C1的负极接地，电阻R8与电容C1并联；MOS管SW7的漏极接在电阻R1和电容C1的正极之间，源极接地，栅极与电阻R3的另一端连接；

所述复位使能电路采用MOS管SW4，其栅极接在电阻R1和电容C1的正极之间，源极接地，漏极连接开关机使能电路。

6.根据权利要求5所述的开关机系统，其特征在于：所述触发延时电路包含电阻R4和电容C2，两者并联，其中电阻R4的一端接开机触发电路，另一端接电阻R3的一端，电容C2的正极接在电阻R4和开机触发电路之间；

所述开机触发电路包含二极管D1、电阻R5、电阻R6和三极管SW2，其中二极管D1的正极接电阻R5的一端，负极接电阻R4的一端；电阻R5的另一端接三极管SW2的基极；电阻R6的一端接电源输入，另一端接三极管SW2的发射极；三极管SW2的集电极连接开关机使能电路。

7.根据权利要求6所述的开关机系统，其特征在于：所述开关机使能电路包含电阻R7、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电容C3、电容C4、三极管SW6，其中电容C4与电阻R7并联，两者并联后的一端分别接电源输入和MOS开关的栅极，另一端接电阻R11的一端，电阻R11的另一端接三极管SW6的集电极；电阻R9的一端接二极管D2的负极、三极管SW2的集电极及MOS管SW4漏极，电阻R9的另一端接三极管SW6的基极，三极管SW6的发射极接地；电容C3与电阻R10并联，两者并联后的一端接地，另一端接在电阻R9和三极管SW6的基极之间。

8.根据权利要求7所述的开关机系统，其特征在于：所述MOS开关采用MOS管SW1，其栅极接在电容C4和电阻R11之间，源极接电源输入，漏极接电源输出和MCU智能控制模块；

所述MCU智能控制模块的一个检测端连接开关机按键SW5，用于检测开关机按键SW5，另一个控制端接二极管D2的正极。

9.一种开关机方法，其特征在于：该方法具体步骤如下：

步骤一：系统待机；

步骤二：开关机按键被触发，使触发延时电路导通并进行延时；

步骤三：开机触发电路导通，输入信号给开关机使能电路使其工作，并导通MOS开关；

步骤四：电源输入给MCU智能控制模块，使其上电工作，并锁住开关机使能电路；

步骤五：MCU智能控制模块判断开关机按键按下的时间是否达到设定值，如果已达到，则持续锁住开关机使能电路，维持MOS开关导通，执行步骤六；如果未达到，则释放开关机使能电路，断开MOS开关，返回步骤一，系统重回待机；

步骤六：系统正常工作，MCU智能控制模块等待开关机按键的动作；

步骤七：开关机按键再次被触发，并被MCU智能控制模块检测到；

步骤八：MCU智能控制模块判断开关机按键按下的时间是否达到设定值，如果已达到，则保存数据结束进程，并释放开关机使能电路，断开MOS开关，返回步骤一，系统重回待机；如果未达到，则认定为干扰电平，不做处理，返回步骤六，系统继续正常工作。

10.根据权利要求9所述的开关机方法，其特征在于：若系统出现非正常故障，MCU智能控制模块此时检测不到开关机按键，则进行复位，其方法步骤如下：

步骤1：开关机按键被长按住触发；

步骤2：复位触发电路导通，使复位延时电路开始工作进行延时；

步骤3：复位延时电路开始计时，并判断开关机按键按下的时间是否达到复位延时时间，如果已达到，则复位使能电路导通，断开开关机使能电路，使MOS开关断开，MCU智能控制模块掉电，系统强制复位进入待机；如果未达到，则返回步骤1，等待开关机按键被重新触发。