CN106100416A - 一种具有脉宽调制多电流信号隔离功能的纯正弦波逆变器 - Google Patents

一种具有脉宽调制多电流信号隔离功能的纯正弦波逆变器 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种具有脉宽调制多电流信号隔离功能的纯正弦波逆变器,包括电源输入模块、输入隔离模块、PWM调制模块、变压整流滤波模块、SPWM驱动模块、LC滤波模块、正弦波发生器、MCU、电压采样模块、电流采样模块和显示模块;PWM调制模块包括时基电路芯片、第二十一电阻至第三十电阻、第二十一电容至第二十八电容、第十一二极管至第十三二极管、第十一三极管和第十二MOS管。本发明能避免信号干扰、保证仪器采集数据准确、对电源输入能进行有效隔离、电路设计结构简单、功能强大、使用灵活、适用范围较广、能实现多种电流值的采样检测、能将控制信号与电压采样信号进行有效隔离、提高采样精度。

Description

一种具有脉宽调制多电流信号隔离功能的纯正弦波逆变器
技术领域
[0001]本发明涉及逆变器领域,特别涉及一种具有脉宽调制多电流信号隔离功能的纯正弦波逆变器。
背景技术
[0002]逆变器是一种将直流电转换为交流电的装置,目前,使用的一种修正正弦波逆变器,由低压驱动控制电路、脉冲宽度调制输出驱动电路及输入输出保护电路连接构成,但是这种结构的修正正弦波逆变器产生的波形在对精密仪器使用时,由于没有隔离,信号干扰较大,造成采集数据不准确,尤其在一些医疗设备,军用设备上,对于精密性的要求比较高,即使稍微有点干扰也会产生严重的后果。
[0003] PWM控制技术以其控制简单,灵活和动态响应好的优点而成为电力电子技术最广泛应用的控制方式,也是人们研究的热点。由于当今科学技术的发展已经没有了学科之间的界限,结合现代控制理论思想或实现无谐振波开关技术将会成为PWM控制技术发展的主要方向之一。脉冲宽度调制是一种模拟控制方式,其根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置,来实现晶体管或MOS管导通时间的改变,从而实现开关稳压电源输出的改变。这种方式能使电源的输出电压在工作条件变化时保持恒定,是利用微处理器的数字信号对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术。但现有的PWM控制电路设计结构复杂,使用不够灵活,适用范围较窄。
[0004]在集成电路中,尤其是模拟集成电路中,为了检测大电流,因为功耗等的要求,需要对电流进行采样后再进行检测。而通常电流的采样只能有一种采样值。因为只能采样一种电流,所以它所能检测的电流值只有一种,不便于实现多种电流值的采样检测。
[0005]另外,电器设备的电路板中,为了防止电网电压的较大波动而造成对电器的损害,通常会设置一个电压采样电路,并把电压采样电路得到的信号送到单片机进行处理,当检测到电网电压大于某一个数值或小于某一数值时,单片机相关的控制电路便会控制电器停止工作,以免对其造成损害。如电磁炉中的电压采样电路把对电网电压采样得到的信号送到单片机进行处理,当电磁炉工作时,单片机时刻检测电压采样信号的变化,当电网电压大于260伏或者小于160伏时,单片机会输出相关保护指令,使电磁炉停止加热;单片机工作时,也会根据电压信号的变化,自动调整PWM信号,使电磁炉做恒定功率处理。
[0006]然而,现有的电压采样电路中,通常采用电压分压式进行采样,对所需采样的变量进行直接采样,没有将单片机控制信号与电压采样信号进行有效的隔离,从而影响控制的精度,存在米样误差较大的冋题。
发明内容
[0007]本发明要解决的技术问题在于,针对现有技术的上述缺陷,提供一种能避免信号干扰、保证仪器采集数据准确、对电源输入能进行有效隔离、电路设计结构简单、功能强大、使用灵活、适用范围较广、能实现多种电流值的采样检测、能将控制信号与电压采样信号进行有效隔离、提高采样精度的具有脉宽调制多电流信号隔离功能的纯正弦波逆变器。
[0008]本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:构造一种具有脉宽调制多电流信号隔离功能的纯正弦波逆变器,包括电源输入模块、输入隔离模块、PWM调制模块、变压整流滤波模块、SPffM驱动模块、LC滤波模块、正弦波发生器、MCU、电压采样模块、电流采样模块和显示模块,所述输入隔离模块的输入端与所述电源输入模块的一输出端连接,所述输入隔离模块的输出端与所述PWM调制模块的输入端连接,所述变压整流滤波模块的输入端与所述PffM调制模块的输出端连接,所述SPWM驱动模块的一输入端与所述变压整流滤波模块的输出端连接,所述LC滤波模块的输入端与所述SPffM驱动模块的输出端连接,所述正弦波发生器的输入端与所述LC滤波模块的输出端连接,所述电压采样模块的输入端与所述电源输入模块的另一输出端连接,所述MCU的一输入端与所述电压采样模块的输出端连接,所述电流采样模块的输入端与所述PWM调制模块的另一输出端连接,所述电流采样模块的输出端与所述MCU的另一输入端连接,所述MCU的输出端与所述显示模块的输入端连接;
[0009] 所述pmi调制模块包括时基电路芯片、第二 ^^一电阻、第二十二电阻、第二十三电阻、第二十四电阻、第二十五电阻、第二十六电阻、第二十七电阻、第二十八电阻、第二十九电阻、第三十电阻、第二 i^一电容、第二十二电容、第二十三电容、第二十四电容、第二十五电容、第二十六电容、第二十七电容、第二十八电容、第i^一二极管、第十二二极管、第十三二极管、第十一三极管和第十二 MOS管,所述第二十一电阻的一端分别与所述第二十电容的一端和第二十二电阻的一端连接,所述第二十电容的另一端通过所述第二十四电阻接地,所述第二十二电阻的另一端分别与所述第二十三电阻的一端和第二十二电容的一端连接,所述第二十二电容的另一端通过所述第二十五电阻接地,所述第二十三电阻的另一端分别与所述第十一二极管的阴极、第二十三电容的一端和第二十六电阻的一端连接,所述第十一二极管的阳极接地,所述第二十三电容的另一端分别与所述时基电路芯片的第四引脚和第八引脚连接,所述第二十六电阻的另一端通过所述第二十四电容与所述第二十七电阻的一端连接,所述第二十七电阻的一端还通过所述第三十电阻接地,所述第二十七电阻的另一端与所述第十一三极管的基极连接,所述第十一三极管的发射极与所述第二十八电阻的一端连接,所述第二十三电容的另一端通过所述第二十五电容与所述第二十八电阻的另一端连接,所述第十二二极管的阳极分别与所述第十一三极管的集电极和时基电路芯片的第七引脚连接,所述第十二二极管的阴极与所述时基电路芯片的第六引脚连接,所述时基电路芯片的第三引脚通过所述第二十九电阻与所述第十二 MOS管的栅极连接,所述第十二 MOS管的漏极通过所述第十三二极管与所述第二十八电阻的另一端连接,所述第十二 MOS管的源极接地,所述时基电路芯片的第二引脚依次通过所述第二十六电容和第二十八电容接地,所述时基电路芯片的第五引脚通过所述第二十七电容接地,所述时基电路芯片的第一引脚接地;
[0010]所述电流采样模块包括第一分流MOS管、第二采样MOS管、第三采样MOS管、第四采样MOS管、采样电阻、第一控制电阻和第二控制电阻,所述第一分流MOS管的栅极和第二采样MOS管的栅极均连接输入电源,所述第一分流MOS管的漏极、第二采样MOS管的漏极、第三采样MOS管的漏极和第四采样MOS管的漏极均连接电流输入管脚,所述第一分流MOS管的源极接地,所述第二采样MOS管的源极、第三采样MOS管的源极和第四采样MOS管的源极均与所述采样电阻的一端连接,所述采样电阻的一端还连接采样电压输出端,所述采样电阻的另一端接地,所述第三采样MOS管的栅极通过所述第一控制电阻连接第一外部信号输入管脚,所述第四采样MOS管的栅极通过所述第二控制电阻连接第二外部信号输入管脚;
[0011]所述电压采样模块包括依次连接的整流电路、电压比较电路、光电耦合器、电压转换电路和平滑滤波电路;所述电压比较电路包括电压比较器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第一电容、第二电容和第一稳压管,所述电压比较器的同相输入端通过所述第五电阻分别与所述第一电阻的一端和第二电阻的一端连接,所述第一电阻的另一端与所述整流电路的正极输出端连接,所述电压比较器的反相输入端通过所述第六电阻分别与所述第三电阻的一端、第四电阻的一端和第一电容的一端连接,所述第三电阻的另一端连接第一电压源,所述第二电阻的另一端、第四电阻的另一端和第一电容的另一端均与所述整流电路的负极输出端连接,所述电压比较器的一个引脚分别与所述第一电压源和第二电容的一端连接,所述第二电容的另一端与所述整流电路的负极输出端连接,所述电压比较器的输出端通过所述第七电阻分别与所述第一稳压管的阴极和光电耦合器中发光二极管的阳极连接,所述第一稳压管的阳极与所述整流电路的负极输出端连接,所述光电耦合器中光敏三极管的集电极与所述电压转换电路连接。
[0012]在本发明所述的具有脉宽调制多电流信号隔离功能的纯正弦波逆变器中,所述电压采样模块还包括第八电阻,所述电压比较器的输出端还通过所述第七电阻与所述第八电阻的一端连接,所述第八电阻的另一端与所述第一电压源连接。
[0013]在本发明所述的具有脉宽调制多电流信号隔离功能的纯正弦波逆变器中,所述电压转换电路包括三极管、第九电阻和第十电阻,所述三极管的基极与所述光电耦合器中光敏三极管的集电极连接,所述三极管的基极还通过所述第九电阻连接第二电压源,所述三极管的集电极通过所述第十电阻连接所述第二电压源,所述三极管的发射极接地。
[0014]在本发明所述的具有脉宽调制多电流信号隔离功能的纯正弦波逆变器中,所述平滑滤波电路包括第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第三电容和第四电容;所述第十一电阻的一端与所述三极管的集电极连接,所述第十一电阻的另一端分别与所述第十二电阻的一端和第三电容的一端连接,所述第十二电阻的另一端、第十三电阻的一端和第四电容的一端均连接电压输出端,所述第三电容的另一端、第十三电阻的另一端和第四电容的另一端均接地。
[0015]在本发明所述的具有脉宽调制多电流信号隔离功能的纯正弦波逆变器中,所述电压采样模块还包括第二稳压管,所述第二稳压管的阴极连接所述电压输出端,所述第二稳压管的阳极接地。
[0016]在本发明所述的具有脉宽调制多电流信号隔离功能的纯正弦波逆变器中,还包括输出电压检测模块,所述输出电压检测模块的一输入端与所述SPWM驱动模块的另一输出端连接,所述输出电压检测模块的另一输入端与所述正弦波发生器的输出端连接。
[0017]在本发明所述的具有脉宽调制多电流信号隔离功能的纯正弦波逆变器中,所述整流电路包括第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管,所述第一二极管的阳极和第四二极管的阴极均与交流电的火线连接,所述第二二极管的阳极和第三二极管的阴极均与交流电的零线连接,所述第一二极管的阴极和第二二极管的阴极连接后作为所述整流电路的正极输出端,所述第三二极管的阳极和第四二极管的阳极连接后作为所述整流电路的负极输出端。
[0018]实施本发明的具有脉宽调制多电流信号隔离功能的纯正弦波逆变器,具有以下有益效果:由于采用电源输入模块、输入隔离模块、PWM调制模块、变压整流滤波模块、SPWM驱动模块、LC滤波模块、正弦波发生器、MCU、电压采样模块、电流采样模块和显示模块,PWM调制模块的电路结构简单,采用电流采样模块可以实现多种电流值的采样检测,电压采样模块包括依次连接的整流电路、电压比较电路、光电耦合器、电压转换电路和平滑滤波电路,输入隔离模块可以对电源输入进行有效隔离,SPffM就是在PWM的基础上改变了调制脉冲方式,脉冲宽度时间占空比按正弦规率排列,这样输出波形经过适当的滤波可以做到正弦波输出,LC滤波模块用来给谐波补偿,采用光电耦合器可以将MCU控制信号与电压采样信号进行有效的隔离,所以其能避免信号干扰、保证仪器采集数据准确、对电源输入能进行有效隔离、电路设计结构简单、功能强大、使用灵活、适用范围较广、能实现多种电流值的采样检测、能将控制信号与电压采样信号进行有效隔离、提高采样精度。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1为本发明具有脉宽调制多电流信号隔离功能的纯正弦波逆变器一个实施例中的结构示意图;
[0021 ]图2为所述实施例中PffM调制模块的电路原理图;
[0022]图3为所述实施例中电流采样模块的电路原理图;
[0023]图4为所述实施例中电压采样模块的电路原理图。
具体实施方式
[0024]下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
[0025]在本发明具有脉宽调制多电流信号隔离功能的纯正弦波逆变器实施例中,该具有脉宽调制多电流信号隔离功能的纯正弦波逆变器的结构示意图如图1所示。图1中,该具有脉宽调制多电流信号隔离功能的纯正弦波逆变器包括电源输入模块1、输入隔离模块2、PWM调制模块3、变压整流滤波模块4、SPffM驱动模块5、LC滤波模块6、正弦波发生器7、MCU8、和电压米样模块9、电流米样模块1和显不模块11,其中,输入隔离模块2的输入端与电源输入模块I的一输出端连接,输入隔离模块2的输出端与PWM调制模块3的输入端连接,变压整流滤波模块4的输入端与PWM调制模块3的输出端连接,SPffM驱动模块5的一输入端与变压整流滤波模块4的输出端连接,LC滤波模块6的输入端与SPffM驱动模块5的输出端连接,正弦波发生器7的输入端与LC滤波模块6的输出端连接,电压采样模块9的输入端与电源输入模块I的另一输出端连接,MCU8的一输入端与电压采样模块9的输出端连接。电流采样模块10的输入端与PWM调制模块3的另一输出端连接,电流采样模块1的输出端与MCU8的另一输入端连接,MCU8的输出端与显示模块11的输入端连接;采用MCU8的好处是简单、便宜。通过显示模块11可以直观的看出电压和功率。
[0026]值得一提的是,SPffM就是在PffM的基础上改变了调制脉冲方式,脉冲宽度时间占空比按正弦规率排列,这样输出波形经过适当的滤波可以做到正弦波输出,其中PWM就是脉冲宽度调制。本实施例中的LC滤波模块6是由电感、电容和电阻等组合而成,用来进行谐波补偿。这样就能产生纯正弦波,能避免信号的干扰,保证仪器采集数据的准确度。
[0027]图2是本实施例中PffM调制模块的电路原理图。图2中,PffM调制模块3包括时基电路芯片U5、第二 ^^一电阻R21、第二十二电阻R22、第二十三电阻R23、第二十四电阻R24、第二十五电阻R25、第二十六电阻R26、第二十七电阻R27、第二十八电阻R28、第二十九电阻R29、第三十电阻R30、第二 ^^一电容C21、第二十二电容C22、第二十三电容C23、第二十四电容C24、第二十五电容C25、第二十六电容C26、第二十七电容C27、第二十八电容C28、第^^一二极管D11、第十二二极管D12、第十三二极管D13、第^^一三极管Tll和第十二 MOS管T12。值得一提的是,本实施例中,第i^一二极管Dl I是稳压管,第^^一三极管Tl I是PNP型三极管,第十二MOS管T12是N沟道MOS管。时基电路芯片U5的封装形式采用DIP8双列直插封装。
[0028]具体的,本实施例中,第二^^一电阻R21的一端分别与第二十电容C20的一端和第二十二电阻R22的一端连接,第二十电容C20的另一端通过第二十四电阻R24接地,第二十二电阻R22的另一端分别与第二十三电阻R23的一端和第二十二电容C22的一端连接,第二十二电容C22的另一端通过第二十五电阻R25接地,第二十三电阻R23的另一端分别与第十一二极管Dll的阴极、第二十三电容C23的一端和第二十六电阻R26的一端连接,第^^一二极管Dll的阳极接地,第二十三电容C23的另一端分别与时基电路芯片U5的第四引脚和第八引脚连接,第二十六电阻R26的另一端通过第二十四电容C24与第二十七电阻R27的一端连接,第二十七电阻R27的一端还通过第三十电阻R30接地,第二十七电阻R27的另一端与第^^一三极管Tll的基极连接,第^^一三极管Tll的发射极与第二十八电阻R28的一端连接,第二十三电容C23的另一端通过第二十五电容C25与第二十八电阻R28的另一端连接,第十二二极管D12的阳极分别与第^^一三极管Tll的集电极和时基电路芯片U5的第七引脚连接,第十二二极管Dll的阴极与时基电路芯片U5的第六引脚连接,时基电路芯片U5的第三引脚通过第二十九电阻R29与第十二 MOS管T12的栅极连接,第十二 MOS管T12的漏极通过第十三二极管D13与第二十八电阻R28的另一端连接,第十二 MOS管T12的源极接地,时基电路芯片U5的第二引脚依次通过第二十六电容C26和第二十八电容C28接地,时基电路芯片U5的第五引脚通过第二十七电容C27接地,时基电路芯片U5的第一引脚接地。该PWM调制模块3电路设计结构简单、功能强大、使用灵活、适用范围较广,可用来产生时间延迟和多种脉冲信号,可广泛用于各种电子产品中。
[0029]图3为本实施例中电流采样模块的电路原理图,本实施例中,电流采样模块10包括第一分流MOS管Ml、第二采样MOS管M2、第三采样MOS管M3、第四采样MOS管M4、采样电阻Rs、第一控制电阻Ra和第二控制电阻Rb,第一控制电阻Ra和第二控制电阻Rb用于限流,以防止损坏第三采样MOS管M3和第四采样MOS管M4。值得一提的是,本实施例中,第一分流MOS管Ml、第二采样MOS管M2、第三采样MOS管M3和第四采样MOS管M4均为P沟道MOS管,当然,在本实施例的一些情况下,第一分流MOS管Ml、第二采样MOS管M2、第三采样MOS管M3和第四采样MOS管M4也可以采用N沟道MOS管,但这时电路结构也要改动。
[0030]本实施例中,第一分流MOS管Ml的栅极和第二采样MOS管M2的栅极均连接输入电源Vin,因此第一分流MOS管Ml和第二采样MOS管M2处于常导通状态,为固定接入状态,第一分流MOS管Ml的漏极、第二采样MOS管M2的漏极、第三采样MOS管M3的漏极和第四采样MOS管M4的漏极均连接电流输入管脚Ps,第一分流MOS管Ml的源极接地,第二采样MOS管M2的源极、第三采样MOS管M3的源极和第四采样MOS管M4的源极均与采样电阻Rs的一端连接,采样电阻Rs的一端还连接采样电压输出端Vs,采样电阻Rs的另一端接地,第三采样MOS管M3的栅极通过第一控制电阻Ra连接第一外部信号输入管脚A,第四采样MOS管M4的栅极通过第二控制电阻Rb连接第二外部信号输入管脚B。这样就能实现多种限流值,而且实现方式较为简单。
[0031]本实施例中,第三采样MOS管M3和第四采样MOS管M4的导通状态分别通过第一外部信号输入管脚A和第二外部信号输入管脚B进行控制。当第三采样MOS管M3和第四采样MOS管M4的栅极信号为高电平时,第三采样MOS管M3和第四采样MOS管M4导通,为低电平时,第三采样MOS管M3和第四采样MOS管M4截止。根据实际需要控制第三采样MOS管M3和第四采样MOS管M4的导通状态。
[0032]因为第一分流MOS管Ml的栅极和第二采样MOS管M2处于常导通状态,电流输入管脚Ps中的电流流过第一分流MOS管Ml的栅极和第二采样MOS管M2,流过第一分流MOS管Ml的电流直接到地,而流过第二采样MOS管M2的电流流入采样电阻Rs,当第一外部信号输入管脚A和第二外部信号输入管脚B进行控制的第三采样MOS管M3和/或第四采样MOS管M4导通时,电流输入管脚Ps中的电流流过它们后,流入采样电阻Rs。流入的电流在采样电阻Rs产生电压后通过采样电压输出端Vs输出给后续电路。
[0033]本实施例中,第一分流MOS管Ml、第二采样MOS管M2、第三采样MOS管M3、第四采样MOS管M4以一定的大小比例设置。所设置的比例值根据电路的具体情况而定。通过第一外部信号输入管脚A和第二外部信号输入管脚B对第三采样MOS管M3和/或第四采样MOS管M4的导通状态进行控制,可以通第二采样MOS管M2、第三采样MOS管M3和第四采样MOS管M4得到不同的采样电流,因此通过采样电阻Rs也就可以产生不同的采样电压。第二采样MOS管M2、第三采样MOS管M3和第四采样MOS管M4导通的越多,采样的电流越大,产生的采样电压也就越大。最大时为第二采样MOS管M2、第三采样MOS管M3和第四采样MOS管M4全部导通。
[0034]图4是本实施例中电压采样模块的电路原理图。本实施例中,电压采样模块9包括依次连接的整流电路、电压比较电路、光电耦合器U1、电压转换电路和平滑滤波电路;其中,电压比较电路包括电压比较器U2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第一电容Cl、第二电容C2和第一稳压管ZDl,电压比较器U2的同相输入端通过第五电阻R5分别与第一电阻Rl的一端和第二电阻R2的一端连接,第五电阻R5用于对电压比较器U2的同相输入端进行限流,第一电阻Rl的另一端与整流电路的正极输出端连接,电压比较器U2的反相输入端通过第六电阻R6分别与第三电阻R3的一端、第四电阻R4的一端和第一电容Cl的一端连接,第六电阻R6用于对电压比较器U2的反相输入端进行限流,第三电阻R3的另一端连接第一电压源VDDl,第二电阻R2的另一端、第四电阻R4的另一端和第一电容Cl的另一端均与整流电路的负极输出端连接,电压比较器U2的一个引脚分别与第一电压源VDDl和第二电容C2的一端连接,第二电容C2的另一端与整流电路的负极输出端连接,电压比较器U2的输出端通过第七电阻R7分别与第一稳压管ZDl的阴极和光电耦合器Ul中发光二极管的阳极连接,第七电阻R7用于对电压比较器U2的输出端进行限流,第一稳压管ZDl的阳极与整流电路的负极输出端连接,第一稳压管ZDl用于对电压比较器U2的输出端输出的电压信号进行稳压,光电耦合器Ul中光敏三极管的集电极与电压转换电路连接。通过采用光电耦合器Ul进行隔离,可以将控制信号与采样信号进行有效的隔离,有效避免了外电压电网对控制信号的影响,其控制精度较高,采样误差较小。
[0035]本实施例中,电压采样模块9还包括第八电阻R8,电压比较器U2的输出端还通过第七电阻R7与第八电阻R8的一端连接,第八电阻R8的另一端与第一电压源VDDl连接。
[0036]本实施例中,电压转换电路包括三极管Q1、第九电阻R9和第十电阻R10,三极管Ql的基极与光电耦合器Ul中光敏三极管的集电极连接,三极管Ql的基极还通过第九电阻R9连接第二电压源VDD2,三极管Ql的集电极通过第十电阻RlO连接第二电压源VDD2,三极管Ql的发射极接地,即第二电压源VDD2的负极。
[0037] 本实施例中,平滑滤波电路包括第^^一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻R13、第三电容C3和第四电容C4;其中,第^^一电阻Rll的一端与三极管Ql的集电极连接,第i^一电阻Rll的另一端分别与第十二电阻R12的一端和第三电容C3的一端连接,第十二电阻R12的另一端、第十三电阻Rl 3的一端和第四电容C4的一端均连接电压输出端Vo,第三电容C3的另一端、第十三电阻R13的另一端和第四电容C4的另一端均接地。为了保护MCU8,该电压采样模块9还包括第二稳压管ZD2,相当于在平滑滤波电路的输出端并联第二稳压管ZD2,第二稳压管ZD2的阴极连接电压输出端Vo,第二稳压管ZD2的阳极接地。将平滑滤波电路的电压输出端Vo与MCU8的一输入端连接,使经平滑滤波后的电压采样信号送到MCU8进行处理,MCU8便能根据所得到的采样信号输出相应的指令,有效地保护电器设备。
[0038]本实施例中,整流电路包括第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3和第四二极管D4,第一二极管Dl、第二二极管D2、第三二极管D3和第四二极管D4组成桥式整流电路,第一二极管Dl的阳极和第四二极管D4的阴极均与交流电的火线ACL连接,第二二极管D2的阳极和第三二极管D3的阴极均与交流电的零线ACN连接,第一二极管Dl的阴极和第二二极管D2的阴极连接后作为整流电路的正极输出端,第三二极管D3的阳极和第四二极管D4的阳极连接后作为整流电路的负极输出端。
[0039]本实施例中,当电网电压(如220V/50HZ)经过整流电路整流后得到脉动的全波电压信号,第一电阻Rl和第二电阻R2对其进行分压,第二电阻R2上的电压作为采样电压,第四电阻R4上的电压作为基准电压。电压比较器U2的输出端输出的方波信号驱动光电親合器Ul工作,光电耦合器Ul中光敏三极管的集电极输出的信号经过电压转换电路和平滑滤波电路的平滑滤波处理后,得到的直流信号输入到M⑶8进行处理。当电网电压发生变化时,电压比较器U2的输出端的输出信号也发生变化,相应地,经电压转换和平滑滤波处理后得到的直流信号也随之变化,MCU8便能根据所得到的电压采样信号输出相应的指令,有效地保护电器设备。
[0040]具体的,本实施例中,经电压采样模块9采集电源输入模块I的输入电压,再经MCU8控制显示模块11显示出电压值;显示模块11还可以用来显示输出功率,经电流采样模块10采集脉冲宽度调制后的电流,再由MCU8运算出功率,驱动显示模块11显示功率;MCU8还可以用来检测各模块的工作状态是否正常,当MCU8检测到某个模块的工作状态不正常时,可以驱动显示模块11显示错误提示。只需要根据需要,可以了解到输入电压的数值、输出功率的数值以及该具有脉宽调制多电流信号隔离功能的纯正弦波逆变器的工作状态是否正常,可以使工作人员对整个系统有很好地掌握。
[0041]本实施例中,该具有脉宽调制多电流信号隔离功能的纯正弦波逆变器还包括输出电压检测模块12,输出电压检测模块12的一输入端与SPffM驱动模块5的另一输出端连接,输出电压检测模块12的另一输入端与正弦波发生器7的输出端连接。可以实时对正弦波发生器7进行电压反馈,检测电压是否满足需要,再调节SPffM驱动模块5来改变脉冲,达到需要的电压,也就是说让该具有脉宽调制多电流信号隔离功能的纯正弦波逆变器最后获得的电压能满足需要。
[0042]总之,在本实施例中,将该具有脉宽调制多电流信号隔离功能的纯正弦波逆变器用在医疗设备,军用设备上时,不会产生信号的干扰,仪器测得的数据的准确性也得到很大的提尚。
[0043]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种具有脉宽调制多电流信号隔离功能的纯正弦波逆变器,其特征在于,包括电源输入模块、输入隔离模块、PWM调制模块、变压整流滤波模块、SPffM驱动模块、LC滤波模块、正弦波发生器、MCU、电压采样模块、电流采样模块和显示模块,所述输入隔离模块的输入端与所述电源输入模块的一输出端连接,所述输入隔离模块的输出端与所述PWM调制模块的输入端连接,所述变压整流滤波模块的输入端与所述PWM调制模块的输出端连接,所述SPffM驱动模块的一输入端与所述变压整流滤波模块的输出端连接,所述LC滤波模块的输入端与所述SPffM驱动模块的输出端连接,所述正弦波发生器的输入端与所述LC滤波模块的输出端连接,所述电压采样模块的输入端与所述电源输入模块的另一输出端连接,所述MCU的一输入端与所述电压采样模块的输出端连接,所述电流采样模块的输入端与所述PWM调制模块的另一输出端连接,所述电流采样模块的输出端与所述MCU的另一输入端连接,所述MCU的输出端与所述显示模块的输入端连接; 所述PWM调制模块包括时基电路芯片、第二十一电阻、第二十二电阻、第二十三电阻、第二十四电阻、第二十五电阻、第二十六电阻、第二十七电阻、第二十八电阻、第二十九电阻、第三十电阻、第二 i^一电容、第二十二电容、第二十三电容、第二十四电容、第二十五电容、第二十六电容、第二十七电容、第二十八电容、第i^一二极管、第十二二极管、第十三二极管、第十一三极管和第十二 MOS管,所述第二十一电阻的一端分别与所述第二十电容的一端和第二十二电阻的一端连接,所述第二十电容的另一端通过所述第二十四电阻接地,所述第二十二电阻的另一端分别与所述第二十三电阻的一端和第二十二电容的一端连接,所述第二十二电容的另一端通过所述第二十五电阻接地,所述第二十三电阻的另一端分别与所述第十一二极管的阴极、第二十三电容的一端和第二十六电阻的一端连接,所述第十一二极管的阳极接地,所述第二十三电容的另一端分别与所述时基电路芯片的第四引脚和第八引脚连接,所述第二十六电阻的另一端通过所述第二十四电容与所述第二十七电阻的一端连接,所述第二十七电阻的一端还通过所述第三十电阻接地,所述第二十七电阻的另一端与所述第十一三极管的基极连接,所述第十一三极管的发射极与所述第二十八电阻的一端连接,所述第二十三电容的另一端通过所述第二十五电容与所述第二十八电阻的另一端连接,所述第十二二极管的阳极分别与所述第十一三极管的集电极和时基电路芯片的第七引脚连接,所述第十二二极管的阴极与所述时基电路芯片的第六引脚连接,所述时基电路芯片的第三引脚通过所述第二十九电阻与所述第十二 MOS管的栅极连接,所述第十二 MOS管的漏极通过所述第十三二极管与所述第二十八电阻的另一端连接,所述第十二 MOS管的源极接地,所述时基电路芯片的第二引脚依次通过所述第二十六电容和第二十八电容接地,所述时基电路芯片的第五引脚通过所述第二十七电容接地,所述时基电路芯片的第一引脚接地; 所述电流采样模块包括第一分流MOS管、第二采样MOS管、第三采样MOS管、第四采样MOS管、采样电阻、第一控制电阻和第二控制电阻,所述第一分流MOS管的栅极和第二采样MOS管的栅极均连接输入电源,所述第一分流MOS管的漏极、第二采样MOS管的漏极、第三采样MOS管的漏极和第四采样MOS管的漏极均连接电流输入管脚,所述第一分流MOS管的源极接地,所述第二采样MOS管的源极、第三采样MOS管的源极和第四采样MOS管的源极均与所述采样电阻的一端连接,所述采样电阻的一端还连接采样电压输出端,所述采样电阻的另一端接地,所述第三采样MOS管的栅极通过所述第一控制电阻连接第一外部信号输入管脚,所述第四采样MOS管的栅极通过所述第二控制电阻连接第二外部信号输入管脚; 所述电压采样模块包括依次连接的整流电路、电压比较电路、光电耦合器、电压转换电路和平滑滤波电路;所述电压比较电路包括电压比较器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第一电容、第二电容和第一稳压管,所述电压比较器的同相输入端通过所述第五电阻分别与所述第一电阻的一端和第二电阻的一端连接,所述第一电阻的另一端与所述整流电路的正极输出端连接,所述电压比较器的反相输入端通过所述第六电阻分别与所述第三电阻的一端、第四电阻的一端和第一电容的一端连接,所述第三电阻的另一端连接第一电压源,所述第二电阻的另一端、第四电阻的另一端和第一电容的另一端均与所述整流电路的负极输出端连接,所述电压比较器的一个引脚分别与所述第一电压源和第二电容的一端连接,所述第二电容的另一端与所述整流电路的负极输出端连接,所述电压比较器的输出端通过所述第七电阻分别与所述第一稳压管的阴极和光电耦合器中发光二极管的阳极连接,所述第一稳压管的阳极与所述整流电路的负极输出端连接,所述光电耦合器中光敏三极管的集电极与所述电压转换电路连接。
2.根据权利要求1所述的具有脉宽调制多电流信号隔离功能的纯正弦波逆变器,其特征在于,所述电压采样模块还包括第八电阻,所述电压比较器的输出端还通过所述第七电阻与所述第八电阻的一端连接,所述第八电阻的另一端与所述第一电压源连接。
3.根据权利要求2所述的具有脉宽调制多电流信号隔离功能的纯正弦波逆变器,其特征在于,所述电压转换电路包括三极管、第九电阻和第十电阻,所述三极管的基极与所述光电耦合器中光敏三极管的集电极连接,所述三极管的基极还通过所述第九电阻连接第二电压源,所述三极管的集电极通过所述第十电阻连接所述第二电压源,所述三极管的发射极接地。
4.根据权利要求3所述的具有脉宽调制多电流信号隔离功能的纯正弦波逆变器,其特征在于,所述平滑滤波电路包括第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第三电容和第四电容;所述第十一电阻的一端与所述三极管的集电极连接,所述第十一电阻的另一端分别与所述第十二电阻的一端和第三电容的一端连接,所述第十二电阻的另一端、第十三电阻的一端和第四电容的一端均连接电压输出端,所述第三电容的另一端、第十三电阻的另一端和第四电容的另一端均接地。
5.根据权利要求4所述的具有脉宽调制多电流信号隔离功能的纯正弦波逆变器,其特征在于,所述电压采样模块还包括第二稳压管,所述第二稳压管的阴极连接所述电压输出端,所述第二稳压管的阳极接地。
6.根据权利要求5所述的具有脉宽调制多电流信号隔离功能的纯正弦波逆变器,其特征在于,还包括输出电压检测模块,所述输出电压检测模块的一输入端与所述SPWM驱动模块的另一输出端连接,所述输出电压检测模块的另一输入端与所述正弦波发生器的输出端连接。
7.根据权利要求1所述的具有脉宽调制多电流信号隔离功能的纯正弦波逆变器,其特征在于,所述整流电路包括第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管,所述第一二极管的阳极和第四二极管的阴极均与交流电的火线连接,所述第二二极管的阳极和第三二极管的阴极均与交流电的零线连接,所述第一二极管的阴极和第二二极管的阴极连接后作为所述整流电路的正极输出端,所述第三二极管的阳极和第四二极管的阳极连接后作为 所述整流电路的负极输出端。
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