CN105656291A - 一种电源调节器及射频前端模块 - Google Patents

一种电源调节器及射频前端模块 Download PDF

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Abstract

本申请公开了一种电源调节器及射频前端模块，其中，所述电源调节器包括：控制模块和稳压模块，所述控制模块的第一信号输出端与所述稳压模块的第一信号输入端电连接，所述控制模块的第二信号输出端与所述稳压模块的第二信号输入端电连接；其中，所述控制模块基于HEMT工艺实现，包括控制单元和镜像电流单元；所述稳压模块基于HBT工艺实现。所述电源调节器不仅可以产生不随驱动电压变化的输出电压，还可以根据外界的使能信号控制所述电源调节器的工作状态，实现了在分别基于HBT和HEMT工艺的两颗芯片实现的射频前端模块中既能够提供稳定的输出电压，又能够在空闲状态下关断输出电压的目的。

Description

一种电源调节器及射频前端模块
技术领域
本申请涉及电路设计技术领域，更具体地说，涉及一种电源调节器及射频前端模块。
背景技术
射频前端模块通常由功率放大器(PowerAmplifier，PA)、开关(Switch)和低噪声放大器(Low-NoiseAmplifier，LNA)组成。其功率放大器的偏置电路需要输入一路稳定的参考电压源，这个稳定的参考电压源通常由电源调节器提供。
在现有技术中，射频前端模块通常由两颗基于不同集成工艺的芯片组成，功率放大器设置于其中一颗基于HBT(heterojunctionbipolartransistor，异质结双极晶体管)工艺的芯片之中；开关和低噪声放大器通常设置于另外一颗基于HEMT(HighElectronMobilityTransistor，高电子迁移率晶体管)工艺的芯片之中。这是因为基于HEMT工艺实现的开关的插入损耗较小，而反向隔离度较高；基于HEMT工艺实现的低噪声放大器能够得到较好的噪声系数和线性度。但是由于工艺本身的限制，如果将所述电源调节器设置于HBT工艺的芯片中，虽然能够实现稳压电路，但却很难在射频前端模块的空闲状态下关闭功率放大器，即关断电源调节器的输出电压提供使能控制功能；并且由于HEMT工艺本身不具备实现稳压电路所必须的PN结，因此如果将所述电源调节器设置于HEMT工艺的芯片中，所述电源调节器无法提供稳定的输出电压。
因此如何在分别基于HBT和HEMT工艺的两颗芯片实现的射频前端模块中实现具有使能控制功能的电源调节器成为研究人员努力的方向。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供了一种电源调节器及射频前端模块，以在分别基于HBT和HEMT工艺的两颗芯片实现的射频前端模块中实现一种既能够提供稳定的输出电压，又能够在空闲状态下关断输出电压的电源调节器的目的。
为实现上述技术目的，本发明实施例提供了如下技术方案：
一种电源调节器，所述电源调节器包括：控制模块和稳压模块，所述控制模块的第一信号输出端与所述稳压模块的第一信号输入端电连接，所述控制模块的第二信号输出端与所述稳压模块的第二信号输入端电连接；其中，
所述控制模块基于高电子迁移率晶体管HEMT工艺实现，包括控制单元和镜像电流单元；其中，所述控制单元的第一信号输出端与所述镜像电流单元的第一信号输入端电连接，所述控制单元的第二信号输出端与所述镜像电流单元的第二信号输入端电连接，所述控制单元的控制信号输入端用于接收外界使能信号，所述控制单元的电压输入端用于接收驱动电压，所述控制单元用于根据所述使能信号控制所述电源调节器的工作状态，并在所述电源调节器工作时将所述驱动电压传送给所述镜像电流单元；
所述镜像电流单元用于在接收到所述驱动电压时产生第一电流和第二电流，并通过所述控制模块的第一信号输出端向所述稳压模块传送第一电流，通过所述控制模块的第二信号输出端向所述稳压模块传送第二电流，所述第一电流和第二电流为镜像电流；
所述稳压模块基于异质结双极晶体管HBT工艺实现，用于在接收到所述第一电流和第二电流后开始工作，获得不随所述驱动电压变化的输出电压并通过所述稳压模块的信号输出端输出。
优选的，所述稳压模块包括：第一三极管、第二三极管、第一电阻和第二电阻；
其中，所述第二电阻的第一端连接所述控制模块的第二信号输出端，并作为所述稳压模块的信号输出端，其第二端与第二三极管的集电极连接；
所述第二三极管的基极与集电极连接，并与所述第一三极管的基极连接，其发射极与所述第一电阻的第一端连接；
所述第一三极管的集电极作为所述稳压模块的第一信号输入端，其发射极与所述第一电阻的第二端连接，同时接地；
所述第一三极管和第二三极管均为N型异质结双极晶体管。
优选的，所述第一三极管和第二三极管均为N沟道砷化镓异质结双极晶体管。
优选的，所述稳压模块还包括：第一电容，所述第一电容的一端接于所述第一三极管基极与第二三极管基极的连接节点，另一端与所述第一三极管的集电极连接。
优选的，所述稳压模块还包括增压单元；
所述增压单元串接在所述第二电阻与所述第二三极管之间，用于增加所述电源调节器的输出电压；
所述增压单元由至少一个三极管或至少一个二极管依次串接构成。
优选的，所述稳压模块还包括第一滤波单元；
所述第一滤波单元包括第二电容和第三电容，所述第二电容的第一端接于所述第二电阻的第一端，第二端与所述第三电容的第一端连接；所述第三电容的第二端与所述第一三极管的集电极连接。
优选的，所述控制单元包括第一晶体管和第二晶体管；
所述第一晶体管的栅极与第二晶体管的栅极的连接节点作为所述控制单元的控制信号输入端；所述第一晶体管的源极作为所述控制单元的第一信号输出端，所述第二晶体管的源极作为所述控制单元的第二信号输出端；所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的漏极连接，作为所述控制单元的电压输入端；
所述第一晶体管和第二晶体管均为N沟道耗尽型高电子迁移率晶体管。
优选的，所述镜像电流单元包括第三晶体管、第四晶体管和第三电阻；其中，
所述第三晶体管的漏极作为所述镜像电流单元的第一信号输入端，其栅极与所述第四晶体管的栅极连接，其源极与第三电阻的第一端连接；
所述第四晶体管的漏极作为所述镜像电流单元的第二信号输入端，其源极作为所述控制模块的第二信号输出端；
所述第三电阻的第二端接于所述第三晶体管栅极与第四晶体管栅极的连接节点，作为所述控制模块的第一信号输出端；
所述第三晶体管和第四晶体管均为N沟道耗尽型高电子迁移率晶体管。
优选的，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管均为N沟道耗尽型砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管。
优选的，所述镜像电流单元还包括第二滤波单元；
所述第二滤波单元包括第四电容和第五电容，所述第四电容的第一端接于所述第四晶体管的源极，第二端接于所述第五电容的第一端；
所述第五电容的第二端接于所述第三电阻的第二端。
一种射频前端模块，包括至少一个如上述任一实施例所述的电源调节器。
从上述技术方案可以看出，本发明实施例提供了一种电源调节器及射频前端模块，其中，所述电源调节器包括基于HEMT工艺实现的控制模块和基于HBT工艺实现的稳压模块，所述控制模块包括控制单元和镜像电流单元，所述控制单元的控制信号输入端用于接收使能信号，并根据所述使能信号控制所述电源调节器的工作状态，从而在不需要电源调节器工作时，通过改变使能信号即可达到关断所述电源调节器的目的；所述稳压模块在接收到镜像电流单元产生的第一电流和第二电流后开始工作，获得不随驱动电压变化的输出电压并通过所述稳压模块的信号输出端向外界传送；通过上述描述可以发现，所述电源调节器不仅可以产生不随驱动电压变化的输出电压，还可以根据外界的使能信号控制所述电源调节器的工作状态，实现了在分别基于HBT和HEMT工艺的两颗芯片实现的射频前端模块中既能够提供稳定的输出电压，又能够在空闲状态下关断输出电压的目的。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请的一个实施例提供的一种电源调节器的结构示意图；
图2为本申请的一个实施例提供的一种稳压模块的结构示意图；
图3为本申请的一个优选实施例提供的一种稳压模块的结构示意图；
图4为本申请的另一个优选实施例提供的一种稳压模块的结构示意图；
图5为本申请的又一个优选实施例提供的一种稳压模块的结构示意图；
图6为本申请的一个实施例提供的一种控制模块的结构示意图；
图7为本申请的一个优选实施例提供的一种控制模块的结构示意图；
图8为本申请的一个具体优选实施例提供的一种电源调节器的结构示意图；
图9为本申请的一个实施例提供的一种射频前端模块的结构示意图；
图10为本申请的一个实施例提供的电源调节器的输出电压随驱动电压变化的曲线图；
图11为本申请的一个实施例提供的电源调节器的输出电压随温度变化的曲线图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本申请提供了一种电源调节器，如图1所示，所述电源调节器包括：控制模块100和稳压模块200，所述控制模块100的第一信号输出端与所述稳压模块200的第一信号输入端电连接，所述控制模块100的第二信号输出端与所述稳压模块200的第二信号输入端电连接；其中，
所述控制模块100基于高电子迁移率晶体管HEMT工艺实现，包括控制单元110和镜像电流单元120；其中，所述控制单元110的第一信号输出端与所述镜像电流单元120的第一信号输入端电连接，所述控制单元110的第二信号输出端与所述镜像电流单元120的第二信号输入端电连接，所述控制单元110的控制信号输入端用于接收外界使能信号，所述控制单元的电压输入端用于接收驱动电压，所述控制单元110用于根据所述使能信号控制所述电源调节器的工作状态，并在所述电源调节器工作时将所述驱动电压传送给所述镜像电流单元120；
所述镜像电流单元120用于在接收到所述驱动电压时产生第一电流和第二电流，并通过所述控制模块100的第一信号输出端向所述稳压模块200传送第一电流，通过所述控制模块100的第二信号输出端向所述稳压模块200传送第二电流，所述第一电流和第二电流为镜像电流；
所述稳压模块200基于异质结双极晶体管HBT工艺实现，用于在接收到所述第一电流和第二电流后开始工作，获得不随所述驱动电压变化的输出电压并通过所述稳压模块200的信号输出端输出。
附图1中的标号VCC代表输入到所述电源调节器中的驱动电压，EN代表输入到所述电源调节器中的使能信号，Vreg代表所述电源调节器的输出电压。
在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，如图2所示，所述稳压模块200包括：第一三极管Q1、第二三极管Q2、第一电阻R1和第二电阻R2；
其中，所述第二电阻R2的第一端连接所述控制模块100的第二信号输出端，并作为所述稳压模块200的信号输出端，其第二端与第二三极管Q2的集电极连接；
所述第二三极管Q2的基极与集电极连接，并与所述第一三极管Q1的基极连接，其发射极与所述第一电阻R1的第一端连接；
所述第一三极管Q1的集电极作为所述稳压模块200的第一信号输入端，其发射极与所述第一电阻R1的第二端连接，同时接地；
所述第一三极管Q1和第二三极管Q2均为N型异质结双极晶体管。
需要说明的是，在本申请的一个优选实施例中，所述第一三极管Q1和第二三极管Q2均为N沟道砷化镓异质结双极晶体管。在本实施例中，由于现有技术中射频前端模块的功率放大器大多基于砷化镓HBT工艺实现，因此在将所述电源调节器应用于射频前端模块时，所述稳压模块200可以与射频前端模块的功率放大器集成于同一块芯片中。
在上述实施例的基础上，在本申请的又一个实施例中，如图3所示，所述稳压模块200还包括：第一电容C1，所述第一电容C1的一端接于所述第一三极管Q1基极与第二三极管Q2基极的连接节点，另一端与所述第一三极管Q1的集电极连接。
需要说明的是，在本实施例中设置所述第一电容C1的目的是提高所述电源调节器在高频下的输出精度。
在上述实施例的基础上，在本申请的再一个实施例中，所述稳压模块200还包括增压单元；
所述增压单元串接在所述第二电阻R2与所述第二三极管Q2之间，用于增加所述电源调节器的输出电压；
所述增压单元由至少一个三极管或至少一个二极管依次串接构成。
需要说明的是，在本申请的一个具体实施例中，如图4所示，所述增压单元包括第三三极管Q3，所述第三三极管Q3的第一极接于所述第二电阻R2的第二端，其第二极接于所述第二三极管Q2的集电极。所述第三三极管Q3可以为三极管，也可以为二极管。当所述第三三极管Q3为三极管时，其第一极为三极管的集电极和基极，其第二极为三极管的发射极；当所述第三三极管Q3为二极管时，其第一极为正极，第二极为负极。增加所述增压单元之后，所述电源调节器的输出电压提高的幅值为所述第三三极管Q3的压降。
还需要说明的是，如果一个所述第三三极管Q3不足以将所述电源调节器的输出电压的幅值提高到需要的程度，还可以串接至少一个三极管或二极管，以进一步提高所述电源调节器的输出电压。本申请对所述增压单元包括的三极管或二极管的数量并不做限定，具体视实际情况而定。
在上述实施例的基础上，在本申请的一个优选实施例中，如图5所示，所述稳压模块200还包括第一滤波单元；
所述第一滤波单元包括第二电容C2和第三电容C3，所述第二电容C2的第一端接于所述第二电阻R2的第一端，第二端与所述第三电容C3的第一端连接；所述第三电容C3的第二端与所述第一三极管Q1的集电极连接。
需要说明的是，在上述电源调节器工作时，通常会受到外界射频信号的干扰而影响其正常工作。因此设置所述第一滤波单元的目的是消除外界射频信号对其的干扰。
在上述实施例的基础上，本申请的另一个优选实施例提供了一种控制模块100的具体构成，如图6所示，所述控制单元110包括第一晶体管M1和第二晶体管M2；
所述第一晶体管M1的栅极与第二晶体管M2的栅极的连接节点作为所述控制单元110的控制信号输入端；所述第一晶体管M1的源极作为所述控制单元110的第一信号输出端，所述第二晶体管M2的源极作为所述控制单元110的第二信号输出端；所述第一晶体管M1的漏极与所述第二晶体管M2的漏极连接，作为所述控制单元110的电压输入端；
所述第一晶体管M1和第二晶体管M2均为N沟道耗尽型高电子迁移率晶体管。
所述镜像电流单元120包括第三晶体管M3、第四晶体管M4和第三电阻R3；其中，
所述第三晶体管M3的漏极作为所述镜像电流单元120的第一信号输入端，其栅极与所述第四晶体管M4的栅极连接，其源极与第三电阻R3的第一端连接；
所述第四晶体管M4的漏极作为所述镜像电流单元120的第二信号输入端，其源极作为所述控制模块100的第二信号输出端；
所述第三电阻R3的第二端接于所述第三晶体管M3栅极与第四晶体管M4栅极的连接节点，作为所述控制模块100的第一信号输出端；
所述第三晶体管M3和第四晶体管M4均为N沟道耗尽型高电子迁移率晶体管。
需要说明的是，在本申请的一个优选实施例中，所述第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3和第四晶体管M4均为N沟道耗尽型砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管。在本实施例中，由于砷化镓pHEMT工艺是射频前端模块中Switch和LNA的优选，采用砷化镓pHEMT工艺生产的Switch具有更低的插入损耗和优异的反向隔离度。采用砷化镓pHEMT工艺生产的LNA能够得到优异的噪声系数和线性度。现有技术中射频前端模块的Switch和LNA通常设置于同一块基于砷化镓pHEMT工艺的集成芯片中，因此应用所述电源调节器的射频前端模块可以将所述控制模块100与Switch和LNA集成于同一块芯片中。
在上述实施例的基础上，在本申请的又一个优选实施例中，如图7所示，所述镜像电流单元120还包括第二滤波单元；
所述第二滤波单元包括第四电容C4和第五电容C5，所述第四电容C4的第一端接于所述第四晶体管M4的源极，第二端接于所述第五电容C5的第一端；
所述第五电容C5的第二端接于所述第三电阻R3的第二端。
同样的，在上述电源调节器工作时，通常会受到外界射频信号的干扰而影响其正常工作。因此设置所述第二滤波单元的目的是消除外界射频信号对其的干扰。
需要说明的是，在实际应用中，第一滤波单元和第二滤波单元可以只设置一个即可。在本申请的一个优选实施例中，也可以同时设置所述第一滤波单元和第二滤波单元，同时具有所述第一滤波单元和第二滤波单元的电源调节器的抗射频信号干扰的能力更强。
在上述实施例的基础上，本申请的一个具体优选实施例提供了一种电源调节器的具体电路结构，如图8所示，所述电源调节器包括第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4和第三电阻R3。
需要说明的是，在本实施例中，所述控制模块100与所述稳压模块200之间通过键合线连接。但在本申请的其他实施例中，所述控制模块100与所述稳压模块200之间还可以通过导线或电路板走线实现连接。本申请对此并不做限定，具体视实际情况而定。
还需要说明的是，所述电源调节器电路中各节点的电压及电流关系如下：
I1＝I2/M；
VBE1＝VT×ln(IC1/IS1)；
VBE2＝VT×ln(IC2/IS2)；
IS1＝IS2；
VBE1＝VBE2+I2×R1；
IC1＝I1；
IC2＝I2/N；
Vreg＝I2×(R1+R2)+VBE3+VBE2；
上述公式中，N为第一三极管Q1和第二三极管Q2的尺寸之比，即第一三极管Q1的尺寸：第二三极管Q2尺寸＝1：N；M为第四晶体管M4和第三晶体管M3的尺寸之比，即第四晶体管M4尺寸：第三晶体管M3尺寸＝1：M；VBE1、VBE2、VBE3分别为第一三极管Q1、第二三极管Q2和第三三极管Q3的基极与发射极电压之差，具有负温度系数；IC1、IC2分别为第一三极管Q1和第二三极管Q2的集电极电流；VT为热电压与温度成正比；IS1、IS2分别为第一三极管Q1、第二三极管Q2的饱和电流，对于各种工艺各管子的饱和电流相同。
由上述公式可以得出：
Vreg＝VT×ln(N/M)×(1+R2/R1)+VBE3+VBE2＝K×VT+2VBE(1)；
其中，VBE＝VBE3＝VBE2。
通过公式(1)可以发现，Vreg的温度特性由VT及VBE体现，Vreg的大小与驱动电压无关。在使用环境为25℃时，对于砷化镓HBT工艺，VBE≈1.3V，VT≈26mV；斜率调整系数K可以通过调节系数M、N以及R1和R2的值而定，从而可以灵活的调节所需的Vreg的电压值及温度特性。
同样的，通过公式(1)可以发现，可以通过去除所述第三三极管Q3或串接更多的三极管在增压单元中以实现Vreg的大小的调节。
相应的，本申请实施例还提供了一种射频前端模块，包括至少一个如上述任一实施例所述的电源调节器。
在本申请的一个具体实施例中，如图9所示，所述射频前端模块包括PA、Switch和LNA。附图9中的400A是基于砷化镓pHEMT工艺实现的Switch405、LNA406以及电源调节器404的控制模块100。400B是基于砷化镓HBT工艺实现的PA401、射频匹配电路402、偏置电路403以及电源调节器404的稳压模块200。
在上述实施例的基础上，对应用于所述射频前端模块中的电源调节器404的输出电压Vreg进行测试的电压曲线如图10所示，附图的横坐标为驱动电压Vdc，纵坐标为输出电压Vreg。在驱动电压Vdc在2.8V-3.2V时，输出电压Vreg的电压变化为0.06V，主要是因为没有足够的电压使得所述电源调节器404中的各晶体管和三极管处于饱和状态，使得所述电源调节器404不能够正常工作。在驱动电压为3.2V-5V时，输出电压Vreg随驱动电压的变化很小，维持在2.85V左右。
同样的，本申请的一个实施例对应用于射频前端模块中的电源调节器404的输出电压Vreg随温度变化的情况进行了测试，如图11所示，横坐标为温度Temp，纵坐标为输出电压Vreg。所述输出电压Vreg呈现出负温度系数。可以通过调节电路中晶体管尺寸比例以及第一电阻R1和第二电阻R2的电阻值的大小，即可以得到所需的正温度系数、负温度系数以及与温度无关的输出电压Vreg。
综上所述，本发明实施例提供了一种电源调节器404及射频前端模块，其中，所述电源调节器404包括基于HEMT工艺实现的控制模块100和基于HBT工艺实现的稳压模块200，所述控制模块100包括控制单元110和镜像电流单元120，所述控制单元110的控制信号输入端用于接收使能信号，并根据所述使能信号控制所述电源调节器404的工作状态，从而在不需要电源调节器404工作时，通过改变使能信号即可达到关断所述电源调节器404的目的；所述稳压模块200在接收到镜像电流单元120产生的第一电流和第二电流后开始工作，获得不随驱动电压变化的输出电压并通过所述稳压模块200的信号输出端向外界传送；通过上述描述可以发现，所述电源调节器404不仅可以产生不随驱动电压变化的输出电压，还可以根据外界的使能信号控制所述电源调节器404的工作状态，实现了在分别基于HBT和HEMT工艺的两颗芯片实现的射频前端模块中既能够提供稳定的输出电压，又能够在空闲状态下关断输出电压的目的。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (11)

1.一种电源调节器，其特征在于，所述电源调节器包括：控制模块和稳压模块，所述控制模块的第一信号输出端与所述稳压模块的第一信号输入端电连接，所述控制模块的第二信号输出端与所述稳压模块的第二信号输入端电连接；其中，
所述控制模块基于高电子迁移率晶体管HEMT工艺实现，包括控制单元和镜像电流单元；其中，所述控制单元的第一信号输出端与所述镜像电流单元的第一信号输入端电连接，所述控制单元的第二信号输出端与所述镜像电流单元的第二信号输入端电连接，所述控制单元的控制信号输入端用于接收外界使能信号，所述控制单元的电压输入端用于接收驱动电压，所述控制单元用于根据所述使能信号控制所述电源调节器的工作状态，并在所述电源调节器工作时将所述驱动电压传送给所述镜像电流单元；
所述镜像电流单元用于在接收到所述驱动电压时产生第一电流和第二电流，并通过所述控制模块的第一信号输出端向所述稳压模块传送第一电流，通过所述控制模块的第二信号输出端向所述稳压模块传送第二电流，所述第一电流和第二电流为镜像电流；
所述稳压模块基于异质结双极晶体管HBT工艺实现，用于在接收到所述第一电流和第二电流后开始工作，获得不随所述驱动电压变化的输出电压并通过所述稳压模块的信号输出端输出。
2.根据权利要求1所述的电源调节器，其特征在于，所述稳压模块包括：第一三极管、第二三极管、第一电阻和第二电阻；
其中，所述第二电阻的第一端连接所述控制模块的第二信号输出端，并作为所述稳压模块的信号输出端，其第二端与第二三极管的集电极连接；
所述第二三极管的基极与集电极连接，并与所述第一三极管的基极连接，其发射极与所述第一电阻的第一端连接；
所述第一三极管的集电极作为所述稳压模块的第一信号输入端，其发射极与所述第一电阻的第二端连接，同时接地；
所述第一三极管和第二三极管均为N型异质结双极晶体管。
3.根据权利要求2所述的电源调节器，其特征在于，所述第一三极管和第二三极管均为N沟道砷化镓异质结双极晶体管。
4.根据权利要求2或3所述的电源调节器，其特征在于，所述稳压模块还包括：第一电容，所述第一电容的一端接于所述第一三极管基极与第二三极管基极的连接节点，另一端与所述第一三极管的集电极连接。
5.根据权利要求4所述的电源调节器，其特征在于，所述稳压模块还包括增压单元；
所述增压单元串接在所述第二电阻与所述第二三极管之间，用于增加所述电源调节器的输出电压；
所述增压单元由至少一个三极管或至少一个二极管依次串接构成。
6.根据权利要求4所述的电源调节器，其特征在于，所述稳压模块还包括第一滤波单元；
所述第一滤波单元包括第二电容和第三电容，所述第二电容的第一端接于所述第二电阻的第一端，第二端与所述第三电容的第一端连接；所述第三电容的第二端与所述第一三极管的集电极连接。
7.根据权利要求1所述的电源调节器，其特征在于，所述控制单元包括第一晶体管和第二晶体管；
所述第一晶体管的栅极与第二晶体管的栅极的连接节点作为所述控制单元的控制信号输入端；所述第一晶体管的源极作为所述控制单元的第一信号输出端，所述第二晶体管的源极作为所述控制单元的第二信号输出端；所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的漏极连接，作为所述控制单元的电压输入端；
所述第一晶体管和第二晶体管均为N沟道耗尽型高电子迁移率晶体管。
8.根据权利要求7所述的电源调节器，其特征在于，所述镜像电流单元包括第三晶体管、第四晶体管和第三电阻；其中，
所述第三晶体管的漏极作为所述镜像电流单元的第一信号输入端，其栅极与所述第四晶体管的栅极连接，其源极与第三电阻的第一端连接；
所述第四晶体管的漏极作为所述镜像电流单元的第二信号输入端，其源极作为所述控制模块的第二信号输出端；
所述第三电阻的第二端接于所述第三晶体管栅极与第四晶体管栅极的连接节点，作为所述控制模块的第一信号输出端；
所述第三晶体管和第四晶体管均为N沟道耗尽型高电子迁移率晶体管。
9.根据权利要求8所述的电源调节器，其特征在于，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管均为N沟道耗尽型砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管。
10.根据权利要求8所述的电源调节器，其特征在于，所述镜像电流单元还包括第二滤波单元；
所述第二滤波单元包括第四电容和第五电容，所述第四电容的第一端接于所述第四晶体管的源极，第二端接于所述第五电容的第一端；
所述第五电容的第二端接于所述第三电阻的第二端。
11.一种射频前端模块，其特征在于，包括至少一个如权利要求1-10任一项所述的电源调节器。
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