CN105336863A - 一种pin异质结太阳能电池及其制备方法 - Google Patents
一种pin异质结太阳能电池及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105336863A CN105336863A CN201510827061.XA CN201510827061A CN105336863A CN 105336863 A CN105336863 A CN 105336863A CN 201510827061 A CN201510827061 A CN 201510827061A CN 105336863 A CN105336863 A CN 105336863A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- solution
- perovskite
- oxide
- solar cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/40—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising a p-i-n structure, e.g. having a perovskite absorber between p-type and n-type charge transport layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种PIN异质结太阳能电池及其制备方法。该钙钛矿太阳能电池包括依次层叠的透光/透明电极层、过渡层、电子传输层、吸光层、电子吸收层、空穴传输层和顶电极,其中:所述过渡层为镍的氧化物;电子传输层为四元氧化物;吸光层为具有钙钛矿结构的材料;所述电子吸收层是由石墨烯与氧化石墨烯构成;所述空穴传输层由三元氧化物构成,所述顶电极由导电性能良好的材料构成。本发明有效地利用了钙钛矿材料的性能,将钙钛矿太阳能电池的光电转化效率提高到了18%以上,适于批量生产。
Description
技术领域
本发明属于钙钛矿太阳能电池领域,特别是一种具有异质结结构的高光电转化效率的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。
背景技术
近年来,钙钛矿太阳能电池越来越成为研究者关注的焦点。这类材料具有合适的带隙、吸光系数高、能量转换率高、制备简单、生产成本低等一系列优点。使得人们对钙钛矿型太阳能电池的商业化产生了强烈的期待,以改变当前硅太阳能主要依靠政府补贴的局面,实现太阳能电池的真正商业化。
钙钛矿太阳能电池最近备受关注。中国发明专利CN 103855307 A公开了一种钙钛矿太阳电池及其制备方 法。所述钙钛矿太阳电池包括透明电极、空穴传 输层、钙钛矿吸光层、电子传输层和金属电极,其中所述空穴传输层包括 PEDOT:PSS、P3HT、PTAA、 PThTPTI、金属氧化物和氧化石墨烯中的至少一种。该发明的钙钛矿太阳电池具有较低的成本;所述制备方法工艺简单,能够进行规模化生产。其转化效率低于14%。
中国发明专利CN 104900810 A公开了一种均匀有机-无机钙钛矿薄膜太阳能电池的制备方法,首先按比例配制钙钛矿溶胶前驱液,然后通过多步骤旋转涂布法在洁净的导电玻璃衬底上制备钙钛矿薄膜,为了得到均匀光滑的有机-无机钙钛矿薄膜,在旋涂最后阶段,通过滴加有机溶剂对薄膜进行处理,最后将薄 膜烘干,从而得到均匀光滑有机-无机钙钛矿薄膜。该发明以 PEDOT :PSS 作为空穴传输层,PCBM作为电子传输,ZnO 纳米颗粒膜作为空穴阻挡层制备电池器件。其优点是 :1、采用一步液相制备方法制备钙钛矿薄膜,不需要复杂设备,可以非常容易地得到均匀的有机-无机钙钛矿薄膜;2、以自制的ZnO纳米颗粒溶胶旋涂成膜作为空穴阻挡层,获得高效率的电池器件。不过其转化效率仍低于15%。
中国发明专利CN 104576932 A公开了一种双层纳米介孔电子传输层的 钙钛矿光伏电池及其制备方法。该电池由导电衬底、双层结构的电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和金属电极组成。本发明的优点是:该钙钛矿光伏电池采用一步法低温生长的SnO2作为电子传输层,取代了两步法高温烧结的TiO2电子传输层,极大简化了制备流程。这种一步法低温制备的介孔钙钛矿光伏电池取得了13.82%的光电转换效率,同时有效的降低了制作成本。该钙钛矿光伏电池的介孔结构相比平面结构更易于钙钛矿吸光材料的附着,且 SnO2对钙钛矿吸光层的分解作用比TiO2较弱,提高了电池的性能与稳定性。该发明能够促进柔性太阳能电池的发展及推广,并进一步推进钙钛矿太阳能电池的工业化应用。
中国发明专利CN 104810479 A公开了一种太阳能电池以及制作方法。现有的钙钛矿电池,制作工艺对需要高温,限制了电池在柔性衬底的使用,同时效率低,而且钙钛矿电池 要使用铅,铅对人体以及环境有很大的危害。该发明提供了一种锡钙钛矿结构柔性太阳能电池,从下到上依次为导电衬底、阳极、电子传输层、吸收层、空穴传输层、银,其中电子传输层为纳米氧化铝薄膜,吸收层为锡钙钛矿结构吸收层。该发明还提供了锡钙钛矿结构柔性太阳能电池的制作方法。本发明采用纳米氧化铝做电子传输层,以锡钛矿结构做吸收层,该结构的特点为:电子传输层在150℃下操作即可完成,同时减少了铅的使用。由此生产的太阳能电池的转换效率可达到 13-14%。
上述发明逐步将钙钛矿太阳能电池向产业化不断推进,不过,目前还不能大规模生产,因为其效率都还在15%以下,寻找更高效率的太阳能电池结构是人们一致努力的目标。
发明内容
发明目的:为了充分利用钙钛矿材料的性质,制备可用于生产的钙钛矿太阳能电池,本发明提供了一种PIN(P-I-N)异质结太阳能电池及其制备方法及其制备方法。采用本发明的电池材料及其结构,能够大幅提高太阳能电池对光子的吸收及其转化效率,从而提高太阳能电池的光电转化效率,改善器件性能。
本发明的技术方案如下 :
1) 采用导电玻璃作为透光/透明电极层;
2) 制备过渡层:采用喷涂热分解技术在导电玻璃表面制备镍的氧化物层。厚度控制在5-50nm范围内;
3) 制备得到电子传输层:接着旋涂已酸丙酮镍、醋酸锂、乙酸镁四水合物的混合物,烘干(300℃-400℃),制备得到电子传输层,厚度控制在10-100nm之间;
4) 制备吸光层:
a. 配制PbI2溶液, PbI2的浓度为0.5-3.0Mol/L, 溶剂为二甲基甲酰胺;
b. 配制
CH3NH3I溶液: 浓度 10mg/mL, 溶剂为异丙醇;
采用溶液法原位合成钙钛矿材料 :先在电子传输层上旋涂PbI2溶液,烘干后放入CH3NH3I 溶液中浸泡生长出钙钛矿材料,得到钙钛矿吸光层。通过控制PbI2与CH3NH3I反应溶液的浓度,控制钙钛矿的形貌与厚度,厚度控制在50-500nm之间;
5)制备电子吸收层:
将石墨粉加入装有浓硫酸的容器中,容器置于冰浴中,搅拌均匀,再加入的高锰酸钾粉末,保持温度20℃以下搅拌均匀,将搅拌均匀后的溶液升温到35℃持续搅拌30分钟,接着缓慢的向溶液中加入去离子水以及浓度为30%的双氧水,并把混合物升温到98℃持续搅拌15分钟,直到混合物颜色变为亮黄色;
然后将上述溶液在超声分散仪中振荡分散,得到稳定的分散液。然后滴加水合肼,并将此溶液放入油浴中加热到100℃后,恒温反应10-20分钟,然后用半透膜过滤,将得到的产物分别用去离子水、甲醇、乙醇洗涤,旋涂于钙钛矿材料之上,最后在60℃条件下充分干燥,得到的产物就是石墨烯与氧化石墨烯的混合物。控制反应时间、溶液的浓度与涂布厚度,使电子吸收层的厚度在30-150nm之间,氧化石墨烯的重量百分比含量介于5-30%;
6)制备空穴传输层:
将异丙氧基钛(或双 ( 乙酰丙酮基 ) 二异丙基钛酸酯前驱体溶液)与乙醇铌的混合,搅拌均匀,旋涂于电子吸收层上;
7)顶电极的制备:
采用真空热蒸镀、喷涂、沉积等方法,在器件上表面蒸镀50-300nm的导电金属层或碳层。
本发明的一种P-I-N异质结太阳能电池透光/透明电极层的材料为透明且能导电的材料组成,包括但不限于铟锡氧化物(ITO,Indium Tin Oxides)、氟锡氧化物(FTO,fluorine doped tin oxide)、铝锌氧化物 (AZO,aluminium-doped zinc oxide)等常用的透明电极材料。过渡层为Ni的氧化物,包含但不限于NiO、NiO2。电子传输层为四元氧化物,由Ni、Mg、Li、O四种元素构成,且Li/Mg的摩尔比介于1:10与1:3之间。吸光层为具有钙钛矿结构的材料,所采用的钙钛矿结构光伏材料为 ABX3 型晶体结构的有机无机杂化钙钛矿。 其中,B为铅、锡、锑,X为卤素元素。电子吸收层为石墨烯与氧化石墨烯的混合物。空穴传输层由三元氧化物构成,包含Ti、Nb、O三种元素,且Nb/Ti的摩尔比介于1:30与1:10之间。顶电极为金属电极或导电碳材料电极,如银、金、铜、石墨、石墨烯等等。
有益的效果:
采用本发明的材料与结构,能够充分利用钙钛矿材料的性能,并挖掘其潜能,形成P-I-N异质结,充分吸收太阳光能并提高其转化率,其转化效率可达18%以上。本发明采用了纳米级含镍过渡层,不仅能够提升P-I-N异质结扑获吸收光子的能力,而且大大提升了该电池的时间稳定性。本发明采用了石墨烯与氧化石墨稀,使相邻层的能级更加接近,也有利于提高转化效率。石墨烯相对于富勒烯更容易制备,降低了成本。本发明主要采用工业上成熟的涂布法,适合产业化生产大尺寸、低成本、高效率的太阳能电池的生产。然而,现有的含钙钛矿材料的太阳能电池尚未得到大面积可用于生产的样品,本发明解决了这一问题,所发明的技术适合于制备大面积、高效率的太阳能电池,其成本只有传统硅太阳能电池的三分之一。
具体实施方式
下面通过结合附图与实施例详细描述本发明的器件及其制备方法,但不构成对本发明的限制。
附图说明:
附图1为本发明的结构示意图。图中1为透光/透明电极层、2为过渡层、3为电子传输层、4为吸光层、5为电子吸收层、6为空穴传输层和7为顶电极。
实施例
1
1)采用ITO(Indium
Tin Oxides)导电玻璃作为透光/透明电极层;
2)采用喷涂热分解技术在导电玻璃表面制备NiO层。厚度控制在15nm;
3) 按照摩尔比2:1:6的比例配置已酸丙酮镍、醋酸锂、乙酸镁四水合物的混合溶液,旋涂于过渡层上,于350℃烘干,制备得到电子传输层;厚度15nm;
4)制备吸光层:
a. 配制PbI2溶液, 浓度为2.3Mol/L, 溶剂为二甲基甲酰胺;
b. 配制
CH3NH3I溶液: 浓度 7.5mg/mL, 溶剂为异丙醇;
采用溶液法原位合成钙钛矿材料 :先在电子传输层上旋涂PbI2溶液,烘干后放入CH3NH3I 溶液中浸泡生长出钙钛矿材料,得到钙钛矿吸光层;厚度447nm;
5)制备电子吸收层
将石墨粉加入装有浓硫酸的容器中,容器置于冰浴中,搅拌均匀,再加入的高锰酸钾粉末,保持温度15℃搅拌均匀,将搅拌均匀后的溶液升温到35℃持续搅拌30分钟,接着缓慢的向溶液中加入去离子水以及浓度为30%的双氧水,并把混合物升温到98℃持续搅拌15分钟,直到混合物颜色变为亮黄色;
然后将上述溶液在超声分散仪中振荡分散,得到稳定的分散液;然后滴加水合肼,并将此溶液放入油浴中加热到100℃后,恒温反应20分钟,然后用半透膜过滤,将得到的产物分别用去离子水、甲醇、乙醇洗涤,旋涂于钙钛矿材料之上,最后在60℃条件下充分干燥,得到的产物就是石墨烯与氧化石墨烯的混合物,厚度为75nm,氧化石墨烯的重量百分比含量为5.6%;
6)制备空穴传输层:
将异丙氧基钛与乙醇铌按25:1的比例的混合,搅拌均匀,旋涂于电子吸收层上,得到空穴传输层;
7)顶电极的制备:
采用真空热蒸镀的方法在空穴传输层上蒸镀150nm的银层。
进行电池性能测试,实验过程中采用在 100mW/cm2 太阳能模拟器(Newport)AM1.5G 光照下进行,测得光电转化率卫20.8%。
实施例
2
1)采用铝锌氧化物AZO导电玻璃作为透光/透明电极层;
2)采用喷涂热分解技术在导电玻璃表面制备NiO2层;厚度8nm;
3)按照摩尔比1:1:3的比例配置已酸丙酮镍、醋酸锂、乙酸镁四水合物的混合溶液,旋涂于过渡层上,于400℃烘干,制备得到电子传输层;厚度60nm;
4)制备吸光层:
a. 配制PbI2溶液, 浓度为0.5Mol/L, 溶剂为二甲基甲酰胺;
b. 配制
CH3NH3I溶液: 浓度 10mg/mL, 溶剂为异丙醇;
采用溶液法原位合成钙钛矿材料 :先在电子传输层上旋涂PbI2溶液,烘干后放入CH3NH3I 溶液中浸泡生长出钙钛矿材料,得到钙钛矿吸光层;厚度496nm;
5)制备电子吸收层
将石墨粉加入装有浓硫酸的容器中,容器置于冰浴中,搅拌均匀,再加入的高锰酸钾粉末,保持温度15℃搅拌均匀,将搅拌均匀后的溶液升温到35℃持续搅拌30分钟,接着缓慢的向溶液中加入去离子水以及浓度为30%的双氧水,并把混合物升温到98℃持续搅拌15分钟,直到混合物颜色变为亮黄色;
然后将上述溶液在超声分散仪中振荡分散,得到稳定的分散液;然后滴加水合肼,并将此溶液放入油浴中加热到100℃后,恒温反应20分钟,然后用半透膜过滤,将得到的产物分别用去离子水、甲醇、乙醇洗涤,旋涂于钙钛矿材料之上,最后在60℃条件下充分干燥,得到的产物就是石墨烯与氧化石墨烯的混合物,厚度为30nm,氧化石墨烯的重量百分比含量为6%;
6)制备空穴传输层:
将异丙氧基钛与乙醇铌按20:1的比例的混合,搅拌均匀,旋涂于电子吸收层上,得到空穴传输层;
7)顶电极的制备:
采用真空热蒸镀的方法在空穴传输层上蒸镀50nm的银层。
进行电池性能测试,实验过程中采用在 100mW/cm2 太阳能模拟器(Newport)AM1.5G 光照下进行,测得光电转化率卫19.8%。
实施例
3
1)采用铝锌氧化物AZO导电玻璃作为透光/透明电极层;
2)采用喷涂热分解技术在导电玻璃表面制备NiO2层;厚度50nm;
3)按照摩尔比1:1:5的比例配置已酸丙酮镍、醋酸锂、乙酸镁四水合物的混合溶液,旋涂于过渡层上,于300℃烘干,制备得到电子传输层;厚度控制在10nm;
4)制备吸光层:
a. 配制PbI2溶液, 浓度为1.5Mol/L, 溶剂为二甲基甲酰胺;
b. 配制
CH3NH3I溶液: 浓度 8.5mg/mL, 溶剂为异丙醇;
采用溶液法原位合成钙钛矿材料 :先在电子传输层上旋涂PbI2溶液,烘干后放入CH3NH3I 溶液中浸泡生长出钙钛矿材料,得到钙钛矿吸光层;厚度108nm;
5)制备电子吸收层
将石墨粉加入装有浓硫酸的容器中,容器置于冰浴中,搅拌均匀,再加入的高锰酸钾粉末,保持温度15℃搅拌均匀,将搅拌均匀后的溶液升温到35℃持续搅拌30分钟,接着缓慢的向溶液中加入去离子水以及浓度为30%的双氧水,并把混合物升温到98℃持续搅拌15分钟,直到混合物颜色变为亮黄色;
然后将上述溶液在超声分散仪中振荡分散,得到稳定的分散液;然后滴加水合肼,并将此溶液放入油浴中加热到100℃后,恒温反应10分钟,然后用半透膜过滤,将得到的产物分别用去离子水、甲醇、乙醇洗涤,旋涂于钙钛矿材料之上,最后在60℃条件下充分干燥,得到的产物就是石墨烯与氧化石墨烯的混合物,厚度在58nm,测量氧化石墨烯的重量百分比含量为27%;
6)制备空穴传输层:
将异丙氧基钛与乙醇铌按30:1的比例的混合,搅拌均匀,旋涂于电子吸收层上,得到空穴传输层;
7)顶电极的制备:
采用化学沉积的方法在空穴传输层上蒸镀100nm的碳层。
进行电池性能测试,实验过程中采用在 100mW/cm2 太阳能模拟器(Newport)AM1.5G 光照下进行,测得光电转化率卫19.4%。
实施例
4
1)采用铝锌氧化物AZO导电玻璃作为透光/透明电极层;
2)采用喷涂热分解技术在导电玻璃表面制备NiO层,厚度35nm;
3)按照摩尔比2:1:3的比例配置已酸丙酮镍、醋酸锂、乙酸镁四水合物的混合溶液,旋涂于过渡层上,于360℃烘干,制备得到电子传输层;厚度55nm;
4) 制备吸光层:
a. 配制PbI2溶液, 浓度为2.0Mol/L, 溶剂为二甲基甲酰胺;
b. 配制
CH3NH3I溶液: 浓度8mg/mL, 溶剂为异丙醇;
采用溶液法原位合成钙钛矿材料 :先在电子传输层上旋涂PbI2溶液,烘干后放入CH3NH3I 溶液中浸泡生长出钙钛矿材料,得到钙钛矿吸光层;厚度312nm;
5)制备电子吸收层
将石墨粉加入装有浓硫酸的容器中,容器置于冰浴中,搅拌均匀,再加入的高锰酸钾粉末,保持温度15℃搅拌均匀,将搅拌均匀后的溶液升温到35℃持续搅拌30分钟,接着缓慢的向溶液中加入去离子水以及浓度为30%的双氧水,并把混合物升温到98℃持续搅拌15分钟,直到混合物颜色变为亮黄色;
然后将上述溶液在超声分散仪中振荡分散,得到稳定的分散液;然后滴加水合肼,并将此溶液放入油浴中加热到100℃后,恒温反应15分钟,然后用半透膜过滤,将得到的产物分别用去离子水、甲醇、乙醇洗涤,旋涂于钙钛矿材料之上,最后在60℃条件下充分干燥,得到的产物就是石墨烯与氧化石墨烯的混合物,厚度为35nm,氧化石墨烯的重量百分比含量为18%;
6)制备空穴传输层:
将异丙氧基钛与乙醇铌按10:1的比例的混合,搅拌均匀,旋涂于电子吸收层上,得到空穴传输层;
7)顶电极的制备:
采用热蒸镀的方法在空穴传输层上蒸镀296nm的银层。
进行电池性能测试,实验过程中采用在 100mW/cm2 太阳能模拟器(Newport)AM1.5G 光照下进行,测得光电转化率卫18.5%。
实施例
5
1)采用氟锡氧化物(FTO,fluorine
doped tin oxide)导电玻璃作为透光/透明电极层;
2) 采用喷涂热分解技术在导电玻璃表面制NiO2层;厚度6nm;
3) 按照摩尔比1:1:10的比例配置已酸丙酮镍、醋酸锂、乙酸镁四水合物的混合溶液,旋涂于过渡层上,于350℃烘干,制备得到电子传输层;厚度98nm;
4)制备吸光层:
a. 配制PbI2溶液, 浓度为3.0Mol/L, 溶剂为二甲基甲酰胺;
b. 配制
CH3NH3I溶液: 浓度 5mg/mL, 溶剂为异丙醇;
采用溶液法原位合成钙钛矿材料 :先在电子传输层上旋涂PbI2溶液,烘干后放入CH3NH3I 溶液中浸泡生长出钙钛矿材料,得到钙钛矿吸光层;厚度51nm;
5)制备电子吸收层
将石墨粉加入装有浓硫酸的容器中,容器置于冰浴中,搅拌均匀,再加入的高锰酸钾粉末,保持温度15℃搅拌均匀,将搅拌均匀后的溶液升温到35℃持续搅拌30分钟,接着缓慢的向溶液中加入去离子水以及浓度为30%的双氧水,并把混合物升温到98℃持续搅拌15分钟,直到混合物颜色变为亮黄色;
然后将上述溶液在超声分散仪中振荡分散,得到稳定的分散液;然后滴加水合肼,并将此溶液放入油浴中加热到100℃后,恒温反应10分钟,然后用半透膜过滤,将得到的产物分别用去离子水、甲醇、乙醇洗涤,旋涂于钙钛矿材料之上,最后在60℃条件下充分干燥,得到的产物就是石墨烯与氧化石墨烯的混合物,厚度为143nm,氧化石墨烯的重量百分比含量为29%;
6)制备空穴传输层:
将双 ( 乙酰丙酮基 ) 二异丙基钛酸酯前驱体溶液与乙醇铌的混合按10:1的比例的混合,搅拌均匀,旋涂于电子吸收层上,得到空穴传输层;
7)顶电极的制备:
采用真空热蒸镀的方法在空穴传输层上蒸镀250nm的银层。
进行电池性能测试,实验过程中采用在 100mW/cm2 太阳能模拟器(Newport)AM1.5G 光照下进行,测得光电转化率卫18.9%。
以上所述仅是本发明实施方式的一些例子,应当指出:对于本技术领域的技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,例如,在透光/透明电极层外在加上一层玻璃类的透明材料加以保护,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种PIN异质结太阳能电池及其制备方法,该电池包括依次层叠的透光/透明电极层、过渡层、电子传输层、吸光层、电子吸收层、空穴传输层和顶电极,其中:所述过渡层为镍的氧化物;电子传输层为四元氧化物;吸光层为具有钙钛矿结构的材料;所述电子吸收层是由石墨烯与氧化石墨烯构成;所述空穴传输层由三元氧化物构成,所述顶电极由导电性能良好的材料构成。
2.一种如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述电子传输层的四元氧化物由Ni、Mg、Li、O四种元素构成,且Li/Mg的摩尔比介于1:10与1:3之间;所述空穴传输层为三元氧化物,由Ti、Nb、O三种元素构成,且Nb/Ti的摩尔比介于1:30与1:10之间;所述电子传输层厚度在10-100nm之间,所述吸光层厚度在50-500nm之间,所述电子吸收层厚度在30-150nm之间,所述顶电极厚度在50-300nm之间。
3.一种如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,其制备方法包含以下步骤:
1) 采用导电玻璃作为透光/透明电极层;
2) 制备过渡层:采用喷涂热分解技术在导电玻璃表面制备镍的氧化物层;
3) 制备得到电子传输层:接着旋涂已酸丙酮镍、醋酸锂、乙酸镁四水合物的混合物,烘干(300℃-400℃),制备得到电子传输层,厚度控制在10-100nm之间;
4) 制备吸光层:
a. 配制PbI2溶液,PbI2的浓度为0.5-3.0Mol/L,溶剂为二甲基甲酰胺;
b. 配制 CH3NH3I溶液:浓度 5-10mg/mL,溶剂为异丙醇;
采用溶液法原位合成钙钛矿材料:先在电子传输层上旋涂PbI2溶液,烘干后放入CH3NH3I
溶液中浸泡生长出钙钛矿材料,得到钙钛矿吸光层;通过控制PbI2与CH3NH3I反应溶液的浓度,控制钙钛矿的形貌与厚度,厚度控制在50-500nm之间;
5)制备电子吸收层:
将石墨粉加入装有浓硫酸的容器中,容器置于冰浴中,搅拌均匀,再加入的高锰酸钾粉末,保持温度20℃以下搅拌均匀,将搅拌均匀后的溶液升温到35℃持续搅拌30分钟,接着缓慢的向溶液中加入去离子水以及浓度为30%的双氧水,并把混合物升温到98℃持续搅拌15分钟,直到混合物颜色变为亮黄色;然后将上述溶液在超声分散仪中振荡分散,得到稳定的分散液;然后滴加水合肼,并将此溶液放入油浴中加热到100℃后,恒温反应10-20分钟,然后用半透膜过滤,将得到的产物分别用去离子水、甲醇、乙醇洗涤,旋涂于钙钛矿材料之上,最后在60℃条件下充分干燥,得到的产物就是石墨烯与氧化石墨烯的混合物;控制反应时间、溶液的浓度与涂布厚度,使电子吸收层的厚度在30-150nm之间,氧化石墨烯的重量百分比含量介于5-30%;
6)制备空穴传输层:
将异丙氧基钛(或双 ( 乙酰丙酮基 ) 二异丙基钛酸酯前驱体溶液)与乙醇铌的混合,搅拌均匀,旋涂于电子吸收层上;
7)顶电极的制备:
采用真空热蒸镀、喷涂、沉积等方法,在器件上表面蒸镀50-300nm的导电金属层或碳层。
4.如权利要求 1 所述的太阳能电池,其特征在于,透明电极的材料为透明且能导电的材料组成,包括但不限于铟锡氧化物(ITO,Indium Tin Oxides)、氟锡氧化物(FTO,fluorine
doped tin oxide)、铝锌氧化物 (AZO,aluminium-doped zinc oxide)等透明电极材料。
5.如权利要求 1 所述的太阳能电池,其特征在于,所述钙钛矿结构光伏材料为 ABX3 型晶体结构的有机无机杂化钙钛矿; 其中,B为铅、锡、锑,X为卤素。
6.如权利要求 1 所述的太阳能电池,其特征在于,所述顶电极为金属电极或碳材料电极。
7.如权利要求 1 所述的太阳能电池,其特征在于,过渡层的厚度为5-50nm范围内。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510827061.XA CN105336863A (zh) | 2015-11-24 | 2015-11-24 | 一种pin异质结太阳能电池及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510827061.XA CN105336863A (zh) | 2015-11-24 | 2015-11-24 | 一种pin异质结太阳能电池及其制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105336863A true CN105336863A (zh) | 2016-02-17 |
Family
ID=55287269
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510827061.XA Pending CN105336863A (zh) | 2015-11-24 | 2015-11-24 | 一种pin异质结太阳能电池及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105336863A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106711334A (zh) * | 2017-02-17 | 2017-05-24 | 镇江皮埃纳米科技有限公司 | 一种包含钙钛矿材料的太阳能电池及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN202025807U (zh) * | 2011-03-31 | 2011-11-02 | 厦门惟华光能有限公司 | 有机太阳能电池结构 |
CN104134711A (zh) * | 2014-07-18 | 2014-11-05 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种钙钛矿太阳能电池及其溶液法制备方法 |
CN104201284A (zh) * | 2014-08-29 | 2014-12-10 | 国家纳米科学中心 | 一种基于钙钛矿太阳电池和体异质结太阳电池的集成太阳电池及其制备方法 |
CN104953030A (zh) * | 2014-03-25 | 2015-09-30 | 北京大学 | 一种界面修饰的钙钛矿型太阳能电池及其制备方法 |
CN104979421A (zh) * | 2014-04-11 | 2015-10-14 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种叠层太阳能电池 |
-
2015
- 2015-11-24 CN CN201510827061.XA patent/CN105336863A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN202025807U (zh) * | 2011-03-31 | 2011-11-02 | 厦门惟华光能有限公司 | 有机太阳能电池结构 |
CN104953030A (zh) * | 2014-03-25 | 2015-09-30 | 北京大学 | 一种界面修饰的钙钛矿型太阳能电池及其制备方法 |
CN104979421A (zh) * | 2014-04-11 | 2015-10-14 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种叠层太阳能电池 |
CN104134711A (zh) * | 2014-07-18 | 2014-11-05 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种钙钛矿太阳能电池及其溶液法制备方法 |
CN104201284A (zh) * | 2014-08-29 | 2014-12-10 | 国家纳米科学中心 | 一种基于钙钛矿太阳电池和体异质结太阳电池的集成太阳电池及其制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
CHEN W. ET AL: "Efficient and stable large-area perovskite solar cells with inorganic charge extraction layers", 《SCINECE》 * |
黄林泉等: "石墨烯衍生物作为有机太阳能电池界面材料的研究进展", 《物理学报》 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106711334A (zh) * | 2017-02-17 | 2017-05-24 | 镇江皮埃纳米科技有限公司 | 一种包含钙钛矿材料的太阳能电池及其制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103219467B (zh) | 起皱结构的柔性聚合物太阳能电池及其制备方法 | |
Hao et al. | A novel semiconductor-sensitized solar cell based on P3HT@ CdS@ TiO2 core-shell nanotube array | |
CN105304820A (zh) | 一种石墨烯增强的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
CN101901693B (zh) | 石墨烯复合染料敏化太阳能电池的光阳极及其制备方法 | |
CN105244445B (zh) | 一种杂化异质结太阳能电池的制备方法 | |
CN104701023B (zh) | 一种钙钛矿薄膜太阳能电池的碳电极材料及其制备方法 | |
CN105304819A (zh) | 一种包含钙钛矿材料的太阳能电池及其制备方法 | |
CN103227287B (zh) | 基于金属纳米粒子掺杂三端子并联聚合物太阳能电池及其制备方法 | |
Guo et al. | A strategy toward air-stable and high-performance ZnO-based perovskite solar cells fabricated under ambient conditions | |
CN108598268A (zh) | 一种环境条件下印刷制备高效平面异质结钙钛矿太阳电池的方法 | |
Liu et al. | Co-modification with cost-effective nickel oxides and nickel sulfides on CuInS2 nanosheets photocathode for enhanced photoelectrochemical performance | |
CN109755394A (zh) | 一种应用风刀涂布制备钙钛矿太阳能电池的方法 | |
CN102412369A (zh) | 一种有机/无机杂化太阳电池及其制备方法 | |
CN109103023A (zh) | 一种Sb-二氧化锡-AgNWs/CBS-GNs柔性薄膜太阳能电池及其制备方法 | |
CN102153138A (zh) | 一种基于纳米棒和纳米颗粒组成的分等级二氧化钛微米球 | |
CN109065724B (zh) | 一种Mo-二氧化钛-AgNWs柔性钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
Cho et al. | The effect of a sol-gel formed TiO2 blocking layer on the efficiency of dye-sensitized solar cells | |
CN103618047B (zh) | 一种环保无重金属量子点太阳能电池及其制作方法 | |
CN105280822A (zh) | 适于生产的低成本太阳能电池结构 | |
CN105206749A (zh) | 钙钛矿太阳能电池及其制备工艺 | |
CN105655488B (zh) | 一种含二茂铁层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
CN105355790A (zh) | 适于生产的低成本钙钛矿太阳能电池 | |
CN105304818A (zh) | 一种高转化效率的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
CN104037324A (zh) | 一种基于硫化镉纳米阵列的钙钛矿杂化太阳电池 | |
CN102983275A (zh) | 具有水溶性五氧化二钒空穴传输层的聚合物太阳能电池及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20160217 |