CN105327600A - 多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置 - Google Patents

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CN105327600A CN201410390226.7A CN201410390226A CN105327600A CN 105327600 A CN105327600 A CN 105327600A CN 201410390226 A CN201410390226 A CN 201410390226A CN 105327600 A CN105327600 A CN 105327600A
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周玲英
孙荣义
刘顶锐
苏明
冯晓东
宋玲玲
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Abstract

本发明公开了一种多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,包括:尾气储罐,用于收集并储存多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气;工业水一级淋洗塔,与尾气储罐连接,工业水一级淋洗塔用于将输入的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气进行工业水一级淋洗;碱液二级淋洗塔,与工业水一级淋洗塔连接,碱液二级淋洗塔用于将经过工业水一级淋洗塔淋洗过的尾气进行碱液二级淋洗。通过工业水一级淋洗塔内的工业水一级淋洗后,在塔顶聚集氯化氢、氮气和氢气,再通过碱液二级淋洗塔,吸收掉氯化氢,整个装置封闭,得到处理后的可以直接排放的尾气。该装置不仅能有效降低氯化氢对周边环境的腐蚀,还解决了人工捞渣问题,保证了生产的平稳长周期运行。

Description

多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置
技术领域
本发明属于多晶硅生产技术领域,具体涉及一种多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置。
背景技术
多晶硅行业生产过程产生的废气中含大量氯硅烷或者氯化氢,为了使废气能够得到有效处理以及使尾气能够达标排放,目前国内主要采用传统的水洗工艺进行处理,即用工业水对废气进行洗涤,水解废气中的氯硅烷。化学反应方程式为:SiHCl3+H2O→SiO2·H2O↓+3HCl+H2;SiH2Cl2+H2O→SiO2·H2O↓+2HCl+2H2;SiCl4+H2O→SiO2·H2O↓+4HCl,上述反应会产生氯化氢,通过化学方程式可以看出,传统工业水洗涤法虽然对氯硅烷有较高的水解效率,但是氯硅烷水解后产生大量的氯化氢和二氧化硅固体,其中部分氯化氢在溶于工业水的同时,会从水中逃逸至大气中,对环境造成污染。
现有公知改良西门子法生产多晶硅的废气淋洗装置是由淋洗塔、喷淋泵、单独收集废液池构成,其喷淋液是以氢氧化钠或氢氧化钙为主,废液输送入污水处理站处置。化学反应方程式为:SiHCl3+5NaOH→Na2SiO3↓+3NaCl+2H2O+H2;SiH2Cl2+4NaOH→Na2SiO3↓+2NaCl+H2O+2H2;SiCl4+6NaOH→Na2SiO3↓+4NaCl+2H2O。通过化学方程式可以看出,碱液对废弃物进行淋洗,可以除去废弃物中的有害成分氯硅烷或氯化氢,其中,Na2SiO3为胶状渣,单独收集废液池产生大量的胶状渣是通过人工打捞胶状渣,工作量较大,且需要配备专门的打捞胶状渣的运输工具。胶状渣的含水率高且有腐蚀性,胶状渣使得运输设施容易腐蚀损坏,运输和人工捞渣过程对周围环境污染较为严重。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足,提供一种多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,整个装置封闭,得到处理后的可以直接排放的尾气,不仅能有效降低氯化氢对周边环境的腐蚀,还解决了人工捞渣问题,保证了生产的平稳长周期运行。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是提供一种多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,包括:
尾气储罐,用于收集并储存多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气;
工业水一级淋洗塔,与所述尾气储罐连接,所述工业水一级淋洗塔用于将输入的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气进行工业水一级淋洗;
碱液二级淋洗塔,与所述工业水一级淋洗塔连接,所述碱液二级淋洗塔用于将经过所述工业水一级淋洗塔淋洗过的尾气进行碱液二级淋洗。
优选的是,所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,还包括
pH值调节罐,分别与所述工业水一级淋洗塔,所述碱液二级淋洗塔连接,所述pH值调节罐用于将所述工业水一级淋洗塔输出的酸液与所述碱液二级淋洗塔输出的碱液进行中和后排出。
优选的是,所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,还包括
压滤机,与所述pH值调节罐连接,用于将所述pH值调节罐内的酸液和碱液中和后得到的物质进行压滤,得到分离开的固体和液体。
优选的是,所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,所述pH值调节罐至少为两套,且并联连接。
优选的是,所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,还包括
第一安全液封槽,与所述pH值调节罐连接,所述第一安全液封槽内盛放有碱液,用于中和从所述pH值调节罐排出的尾气中的氯化氢后放空。
优选的是,所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,还包括
第二安全液封槽,与所述碱液二级淋洗塔连接,所述第二安全液封槽内盛放有碱液,用于中和从所述碱液二级淋洗塔排出的尾气中的氯化氢后放空。
优选的是,所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,还包括
工业水一级淋洗塔的酸液缓冲罐,分别与所述工业水一级淋洗塔、所述pH值调节罐连接,所述工业水一级淋洗塔的酸液缓冲罐用于缓冲从所述工业水一级淋洗塔的酸液缓冲罐输入到所述pH值调节罐的酸液。
优选的是,所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,所述工业水一级淋洗塔的酸液缓冲罐至少为两套,且并联连接。
优选的是,所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,还包括
第三安全液封槽,与所述工业水一级淋洗塔的酸液缓冲罐连接,所述第三安全液封槽内盛放有碱液,用于中和从所述工业水一级淋洗塔的酸液缓冲罐排出的尾气中的氯化氢后放空。
优选的是,所述工业水一级淋洗塔上设置有酸液循环入口,所述工业水一级淋洗塔的酸液缓冲罐还与所述酸液循环入口连接,所述工业水一级淋洗塔的酸液缓冲罐用于将其内的酸液再输回到所述工业水一级淋洗塔内。
优选的是,所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,还包括
碱液二级淋洗塔的碱液缓冲罐,分别与所述碱液二级淋洗塔、所述pH值调节罐连接,所述碱液二级淋洗塔的碱液缓冲罐用于缓冲从所述碱液二级淋洗塔的碱液缓冲罐输入到所述pH值调节罐的碱液。
优选的是,所述碱液二级淋洗塔上设置有碱液循环入口,所述碱液二级淋洗塔的碱液缓冲罐还与所述碱液循环入口连接,所述碱液二级淋洗塔的碱液缓冲罐用于将其内的碱液再输回到所述碱液二级淋洗塔内。
本发明中的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,通过工业水一级淋洗塔内的工业水一级淋洗后,在塔顶聚集氯化氢、氮气和氢气,再通过碱液二级淋洗塔,吸收掉氯化氢,整个装置封闭,得到处理后的可以直接排放的尾气。该装置不仅能有效降低氯化氢对周边环境的腐蚀,还解决了人工捞渣问题,保证了生产的平稳长周期运行。
附图说明
图1是本发明实施例1中的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置的结构示意图;
图2是本发明实施例2中的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置的结构示意图。
图中:1-尾气储罐;2-工业水一级淋洗塔;3-碱液二级淋洗塔;4-工业水入口;5-碱液入口;6-工业水一级淋洗塔进气口;7-工业水一级淋洗塔排气口;8-酸液出口;9-酸液循环入口;10-碱液二级淋洗塔进气口;11-碱液二级淋洗塔排气口;12-碱液出口;13-碱液循环入口;14-压滤机;15-第一pH值调节罐;16-第二pH值调节罐;17-第一酸液入口;18-第一碱液入口;19-第一气体出口;20-第一中和液出口;21-第二酸液入口;22-第二碱液入口;23-第二气体出口;24-第二中和液出口;25-第一安全液封槽;26-第二安全液封槽;27-第一酸液缓冲罐;28-第二酸液缓冲罐;29-第三酸液入口;30-第三气体出口;31-第一酸液出口;32-第四酸液入口;33-第四气体出口;34-第二酸液出口;35-第三安全液封槽;36-碱液缓冲罐;37-酸液循环泵;38-碱液循环泵;39-外排水输送泵。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
实施例1
如图1所示,本实施例提供一种多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,包括:
尾气储罐1,用于收集并储存多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气;
工业水一级淋洗塔2,与所述尾气储罐1连接,所述工业水一级淋洗塔2用于将输入的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气进行工业水一级淋洗;
碱液二级淋洗塔3,与所述工业水一级淋洗塔2连接,所述碱液二级淋洗塔3用于将经过所述工业水一级淋洗塔2淋洗过的尾气进行碱液二级淋洗。
本实施例中,具体的工业水一级淋洗塔2上设置有工业水入口4,用于补充进行淋洗的新鲜的工业水;碱液二级淋洗塔3上设置有碱液入口5,用于补充进行淋洗的新鲜的碱液。
本实施例中的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,通过工业水一级淋洗塔2内的工业水一级淋洗后,在塔顶聚集氯化氢、氮气和氢气,再通过碱液二级淋洗塔3,吸收掉氯化氢,整个装置封闭,得到处理后的可以直接排放的尾气。该装置不仅能有效降低氯化氢对周边环境的腐蚀,还解决了人工捞渣问题,保证了生产的平稳长周期运行。
实施例2
如图2所示,本实施例提供一种多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,包括:
尾气储罐1,用于收集并储存多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气;
工业水一级淋洗塔2,与所述尾气储罐1连接,所述工业水一级淋洗塔2用于将输入的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气进行工业水一级淋洗;其中,工业水一级淋洗塔2设置有工业水一级淋洗塔进气口6、工业水一级淋洗塔排气口7、酸液出口8、工业水入口4、酸液循环入口9。工业水一级淋洗塔进气口6设置于工业水一级淋洗塔2的上部,当工业水一级淋洗塔2内进行工业水一级淋洗时,工业水一级淋洗塔2的底部会有一定液位的酸液,且工业水一级淋洗塔进气口6高于酸液的液位30-100cm,防止底部的酸液通过工业水一级淋洗塔进气口6倒吸。
在工业水一级淋洗塔2内,其中,尾气中包括三氯氢硅、二氯氢硅和四氯化硅,它们与工业水发生如下反应,尾气经过工业水一级淋洗后,在工业水一级淋洗塔2的底部得到容易压滤的低密度泡沫状的颗粒,在工业水一级淋洗塔2的塔顶聚集氯化氢气体、氮气和氢气。
SiHCl3+H2O→H2SiO3↓+3HCl+H2
SiH2Cl2+H2O→H2SiO3↓+2HCl+2H2
SiCl4+H2O→H2SiO3↓+4HCl
碱液二级淋洗塔3,与所述工业水一级淋洗塔2连接,所述碱液二级淋洗塔3用于将经过所述工业水一级淋洗塔2淋洗过的尾气进行碱液二级淋洗。其中,碱液二级淋洗塔3设置有碱液二级淋洗塔进气口10、碱液二级淋洗塔排气口11、碱液出口12、碱液入口5、碱液循环入口13。碱液出口12设置于碱液二级淋洗塔3的下部,碱液入口5设置于碱液二级淋洗塔3的上部。
从工业水一级淋洗塔2流入碱液二级淋洗塔3内的尾气经过碱液二级淋洗后,大部分的氯化氢与碱液发生中和反应生成氯化钠和水,当然,最后的尾气中仍旧会有少许未参加反应的氯化氢气体以及不参与反应的氮气和氢气,但是达到了可以直接排放到大气的标准。
本实施例中的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置的工艺操作机械化程度和自动化水平高了,从而使得操作人员的劳动强度降低,而且整个装置的连续稳定运行效果好,安全性高。本实施例中的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,通过工业水一级淋洗塔2内的工业水一级淋洗后,在塔顶聚集氯化氢、氮气和氢气,再通过碱液二级淋洗塔3,吸收掉氯化氢,整个装置封闭,得到处理后的可以直接排放的尾气。该装置不仅能有效降低氯化氢对周边环境的腐蚀,还解决了人工捞渣问题,保证了生产的平稳长周期运行。
优选的是,所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,还包括
pH值调节罐,分别与所述工业水一级淋洗塔2,所述碱液二级淋洗塔3连接,所述pH值调节罐用于将所述工业水一级淋洗塔2输出的酸液与所述碱液二级淋洗塔3输出的碱液进行中和后排出。
在pH调节罐中,废酸液与NaOH碱液主要发生的化学反应:HCl+NaOH→NaCl+H2O,使得pH值条件罐内接近于中性的溶液条件;废酸液与NaOH碱液次要发生的化学反应:H2SiO3+NaOH→Na2SiO3+H2O。在pH值调节罐中的接近于中性条件下,主要的沉淀物还是为在工业水一级淋洗塔2内生成的偏硅酸H2SiO3,此类沉淀物为大量的泡沫状浮渣漂浮在水面上,可以直接打捞漂浮的泡沫状浮渣,该浮渣的渣体可以直接进行压滤操作,得到分离的固体和液体,处理完成。不像现有技术中,在强碱性条件下发生的主要的化学反应为SiHCl3+5NaOH→Na2SiO3↓+3NaCl+2H2O+H2;SiH2Cl2+4NaOH→Na2SiO3↓+2NaCl+H2O+2H2;SiCl4+6NaOH→Na2SiO3↓+4NaCl+2H2O,生成的沉淀物为偏硅酸钠Na2SiO3和氯化钠NaCl,偏硅酸钠Na2SiO3成胶状,而氯化钠NaCl结晶体,比重均大于水的比重而沉积在池底,而不易捞渣。本实施例中,在pH值调节罐中从工业水一级淋洗塔2输出的酸液为废酸液,从碱液二级淋洗塔3输出的碱液输出的碱液为废碱液,废酸液与废碱液在pH值调节罐中发生了直接中和反应,相当于直接处理掉了废酸液和废碱液,而无需进行额外的废酸液的处理和废碱液的处理,从而实现了废液的高效的利用。
优选的是,pH调节罐中和后pH值为6-9。
优选的是,所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,还包括
压滤机14,与所述pH值调节罐连接,用于将所述pH值调节罐内的酸液和碱液中和后得到的物质进行压滤,得到分离开的固体和液体。通过压滤实现了固体和液体的分离的机械操作,解决了人工捞渣的后续的处理的问题。
优选的是,所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,所述pH值调节罐至少为两套,且并联连接。本实施例中,具体的pH值调节罐为两套,分别为第一pH值调节罐15、第二pH值调节罐16。其中,第一pH值调节罐15上设置有第一酸液入口17、第一碱液入口18、第一气体出口19、第一中和液出口20;第二pH值调节罐16上设置有第二酸液入口21、第二碱液入口22、第二气体出口23、第二中和液出口24。
优选的是,所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,还包括
第一安全液封槽25,与所述pH值调节罐连接,所述第一安全液封槽25内盛放有碱液,用于中和从所述pH值调节罐排出的尾气中的氯化氢后放空。本实施例中,具体的第一安全液封槽25分别与第一气体出口19、第二气体出口23连接。
第一安全液封槽25,通过碱液中和尾气中的氯化氢,安全可靠。避免了现有技术中的使用氢封使得物料转送过程中,排放的废气中的氢气含量较高,容易引起放空处着火,造成生产减产或者中断。经过第一安全液封槽25放空后的尾气中的氯化氢含量低于100mg/m3达到国家大气污染物综合排放标准。
优选的是,所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,还包括
第二安全液封槽26,与所述碱液二级淋洗塔3连接,所述第二安全液封槽26内盛放有碱液,用于中和从所述碱液二级淋洗塔3排出的尾气中的氯化氢后放空。
第二安全液封槽26,通过碱液中和尾气中的氯化氢,安全可靠。避免了现有技术中的使用氢封使得物料转送过程中,排放的废气中的氢气含量较高,容易引起放空处着火,造成生产减产或者中断。经过第二安全液封槽26放空后的尾气中的氯化氢含量低于100mg/m3达到国家大气污染物综合排放标准。
优选的是,所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,还包括
工业水一级淋洗塔2的酸液缓冲罐,分别与所述工业水一级淋洗塔2、所述pH值调节罐连接,所述工业水一级淋洗塔2的酸液缓冲罐用于缓冲从所述工业水一级淋洗塔2的酸液缓冲罐输入到所述pH值调节罐的酸液。
工业水一级淋洗塔2的酸液出口8设置于工业水一级淋洗塔2的下部,工业水一级淋洗塔2的酸液出口8高于工业水一级淋洗塔2的酸液缓冲罐的底部基础500-800mm。
优选的是,所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,所述工业水一级淋洗塔2的酸液缓冲罐至少为两套,且并联连接。本实施例中,具体的工业水一级淋洗塔2的酸液缓冲罐具体的为两套,分别为第一酸液缓冲罐27、第二酸液缓冲罐28。其中,第一酸液缓冲罐27上设置有第三酸液入口29、第三气体出口30、第一酸液出口31;第二酸液缓冲罐28上设置有第四酸液入口32、第四气体出口33、第二酸液出口34。
优选的是,所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,还包括
第三安全液封槽35,与所述工业水一级淋洗塔2的酸液缓冲罐连接,所述第三安全液封槽35内盛放有碱液,用于中和从所述工业水一级淋洗塔2的酸液缓冲罐排出的尾气中的氯化氢后放空。
第三安全液封槽35,通过碱液中和尾气中的氯化氢,安全可靠。避免了现有技术中的使用氢封使得物料转送过程中,排放的废气中的氢气含量较高,容易引起放空处着火,造成生产减产或者中断。经过第三安全液封槽35放空后的尾气中的氯化氢含量低于100mg/m3达到国家大气污染物综合排放标准。
优选的是,所述工业水一级淋洗塔2上设置有酸液循环入口9,所述工业水一级淋洗塔2的酸液缓冲罐还与所述酸液循环入口9连接,所述工业水一级淋洗塔2的酸液缓冲罐用于将其内的酸液再输回到所述工业水一级淋洗塔2内。
优选的是,所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,还包括
碱液二级淋洗塔3的碱液缓冲罐36,分别与所述碱液二级淋洗塔3、所述pH值调节罐连接,所述碱液二级淋洗塔3的碱液缓冲罐36用于缓冲从所述碱液二级淋洗塔3的碱液缓冲罐36输入到所述pH值调节罐的碱液。碱液二级淋洗塔3的碱液缓冲罐36为敞口式,且碱液二级淋洗塔3的下部被碱液二级淋洗塔3的碱液缓冲罐36中的碱液封实,从而可以防止空气倒吸入碱液二级淋洗塔3内,避免碱液二级淋洗塔3中的氯化氢逃逸至周围的环境中。当碱液二级淋洗塔3的碱液缓冲罐36中的碱液低于15wt%,从碱液二级淋洗塔3的上部的碱液入口5补充新鲜的碱液,其中,碱液的浓度为20~50wt%。
优选的是,所述碱液二级淋洗塔3上设置有碱液循环入口13,所述碱液二级淋洗塔3的碱液缓冲罐36还与所述碱液循环入口13连接,所述碱液二级淋洗塔3的碱液缓冲罐36用于将其内的碱液再输回到所述碱液二级淋洗塔3内。
本实施例中具体的,尾气储罐1与工业水一级淋洗塔进气口6连接,来自尾气储罐1中的废气采用减压调节阀减压至0-40Kpa后,通过工业水一级淋洗塔2下部的工业水一级淋洗塔进气口6稳定气量后,进入到工业水一级淋洗塔2内。减压调节阀为A、B两个气动调节阀,日常操作是一用一备,并且与进入工业水一级淋洗塔2内的压力形成单回路控制,稳定入塔压力,当遇到安全事故,尾气量大的情况下,两个气动调节阀均可以开启,投用。
从工业水一级淋洗塔2的上部的工业水入口4以5-15m3/h的流速补入新鲜的工业水,新鲜的工业水与工业水一级淋洗塔进气口6通入的尾气在工业水一级淋洗塔2内逆向接触,尾气中的三氯氢硅、二氯氢硅、四氯化硅、氯化氢与工业水发生反应,在工业水一级淋洗塔2的底部得到含有容易压滤的低密度泡沫状的颗粒的酸液,酸液中的酸的浓度为1.0~5.0wt%,在工业水一级淋洗塔2的塔顶聚集氯化氢气体、氮气和氢气。
工业水一级淋洗塔2底部的酸液出口8分别与第一酸液缓冲罐27上的第三酸液入口29和第二酸液缓冲罐28上的第四酸液入口32连接。依靠压差、位差和连通作用,工业水一级淋洗塔2的底部得到含有容易压滤的低密度泡沫状的颗粒的酸液,分别进入到第一酸液缓冲罐27和第二酸液缓冲罐28内。第一酸液出口31、第二酸液出口34分别与设置于工业水一级淋洗塔2上部的酸液循环入口9连接,同时,第一酸液出口31、第二酸液出口34还分别与第一pH值调节罐15的第一酸液入口17、第二pH值调节罐16的第二酸液入口21连接。第一酸液缓冲罐27和第二酸液缓冲罐28内的酸液经搅拌形成悬浊液后,再分别通过第一酸液出口31、第二酸液出口34排出,经过酸液循环泵37加压后,以5-15m3/h的流速,其中一部分含有容易压滤的低密度泡沫状的颗粒的酸液通过酸液循环入口9重新到达工业水一级淋洗塔2内进行淋洗,从而实现了酸液的循环利用,另外一部分含有容易压滤的低密度泡沫状的颗粒的酸液分别通过设置于第一酸液入口17进入到第一pH值调节罐15内、通过第二酸液入口21进入到第二pH值调节罐16内。第一酸液缓冲罐27与第二酸液缓冲罐28连接,可以平衡同类型储罐的压力。当第一酸液缓冲罐27内流入酸液,液位上涨,其内进入的氮气和氢气也较多,此时第一酸液缓冲罐27内的压力会升高,需要泄压;而此时第二酸液缓冲罐28在流出酸液,液位下降,第二酸液缓冲罐28内的压力会降低,此时第一酸液缓冲罐27与第二酸液缓冲罐28连接可以防止第二酸液缓冲罐28内的液位下降太快而造成罐体因补充吹扫氮气不足,形成负压,造成空气倒吸发生危险。同理,第一pH值调节罐15与第二pH值调节罐16连接,也可以平衡同类型储罐的压力。
第一酸液缓冲罐27的第三气体出口30与第三安全液封槽35连接,第二酸液缓冲罐28的第四气体出口33与第三安全液封槽35连接,第一酸液缓冲罐27内的尾气和第二酸液缓冲罐28内的尾气均流入到第三安全液封槽35内,通过第三安全液封槽35内的碱液中和后并放空。
工业水一级淋洗塔排气口7与碱液二级淋洗塔进气口10连接,工业水一级淋洗塔2的塔顶聚集的含有氯化氢气体、氮气和氢气的尾气,这些尾气通过工业水一级淋洗塔排气口7进入到设置在碱液二级淋洗塔3下部的碱液二级淋洗塔进气口10,从而进入到了碱液二级淋洗塔3内。通过设置在碱液二级淋洗塔3上部的碱液入口5补充新鲜的碱液,碱液与尾气在碱液二级淋洗塔3内逆向接触,尾气中的大部分氯化氢与碱液发生中和反应。设置在碱液二级淋洗塔3下部的碱液出口12与碱液缓冲罐36连接,尾气中的大部分氯化氢与碱液发生中和反应后,碱液通过碱液出口12流入到碱液缓冲罐36内,根据碱液缓冲罐36内的液位高度来补充新鲜的碱液,保证碱液缓冲罐36内的碱液将碱液二级淋洗塔3下部的碱液出口12封住。
碱液二级淋洗塔排气口11与第二安全液封槽26连接,尾气中的大部分氯化氢与碱液发生中和反应后,尾气流入到第二安全液封槽26内,通过第二安全液封槽26内的碱液中和后并放空。
碱液缓冲罐36还与设置于碱液二级淋洗塔3上部的碱液循环入口13连接,同时碱液缓冲罐36还分别与第一pH值调节罐15的第一碱液入口18、第二pH值调节罐16的第二碱液入口22连接。碱液缓冲罐36内的碱液通过碱液循环泵38加压后,以10-28m3/h的流速通过碱液循环入口13重新到达碱液二级淋洗塔3内进行淋洗,从而实现了碱液的循环利用;当碱液缓冲罐36内的碱液的浓度低于15wt%,碱液通过碱液循环泵38加压后以0-2m3/h的流速,分别通过第一碱液入口18进入到第一pH值调节罐15内中和其内的酸液,通过第二碱液入口22进入到第二pH值调节罐16内中和其内的酸液。
第一pH值调节罐15的第一气体出口19与第一安全液封槽25连接,第二pH值调节罐16的第二气体出口23与第二安全液封槽25连接,第一pH值调节罐15内的尾气和第二pH值调节罐16内的尾气均流入到第一安全液封槽25内,通过第一安全液封槽25内的碱液中和后并放空。
第一pH值调节罐15的第一中和液出口20、第二pH值调节罐16的第二中和液出口24分别与压滤机14连接,第一pH值调节罐15内的酸液和碱液发生中和反应后得到第一中和液,第二pH值调节罐16中的酸液和碱液发生中和反应后得到第二中和液。第一中和液通过第一中和液出口20流出,经过外排水输送泵38加压后,再经过压滤机14压滤,同样,第二中和液通过第二中和液出口24流出,经过外排水输送泵38加压后,再经过压滤机14压滤,均得到分开的固体干渣和液体,固体干渣可以直接送渣场堆存,滤液可以直接外排。本实施例中的压滤机14具体为板框式压滤机,由固定板、滤框、滤板、压紧板、和压紧装置组成,工作压力为0.3-0.5MPa(G),具有电动机械压紧,自动拉板,自动接液翻板,防爆等功能。可以根据实际生产有多个压滤机14,部分使用,部分备用。
本实施例中的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,使得碱液不仅可以得到循环使用,并且可以实现连续操作,使碱液得到完全被利用。
本实施例中的工业水一级淋洗塔2的酸液缓冲罐、pH值调节罐内的操作压力为常压,其内带有电动搅拌器、正负压力表,其内的尾气放空前,通过吹扫氮气维持正压。
当然,本实施例中的工业水一级淋洗塔2和碱液二级淋洗塔3均设置为两套,其中,一套运行,另外一套检修备用,可以保证生产长周期稳定运行。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,其特征在于,包括:
尾气储罐,用于收集并储存多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气;
工业水一级淋洗塔,与所述尾气储罐连接,所述工业水一级淋洗塔用于将输入的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气进行工业水一级淋洗;
碱液二级淋洗塔,与所述工业水一级淋洗塔连接,所述碱液二级淋洗塔用于将经过所述工业水一级淋洗塔淋洗过的尾气进行碱液二级淋洗。
2.根据权利要求1所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,其特征在于,还包括
pH值调节罐,分别与所述工业水一级淋洗塔,所述碱液二级淋洗塔连接,所述pH值调节罐用于将所述工业水一级淋洗塔输出的酸液与所述碱液二级淋洗塔输出的碱液进行中和后排出。
3.根据权利要求2所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,其特征在于,还包括
压滤机,与所述pH值调节罐连接,用于将所述pH值调节罐内的酸液和碱液中和后得到的物质进行压滤,得到分离开的固体和液体。
4.根据权利要求2所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,其特征在于,所述pH值调节罐至少为两套,且并联连接。
5.根据权利要求2所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,其特征在于,还包括
第一安全液封槽,与所述pH值调节罐连接,所述第一安全液封槽内盛放有碱液,用于中和从所述pH值调节罐排出的尾气中的氯化氢后放空。
6.根据权利要求1所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,其特征在于,还包括
第二安全液封槽,与所述碱液二级淋洗塔连接,所述第二安全液封槽内盛放有碱液,用于中和从所述碱液二级淋洗塔排出的尾气中的氯化氢后放空。
7.根据权利要求2所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,其特征在于,还包括
工业水一级淋洗塔的酸液缓冲罐,分别与所述工业水一级淋洗塔、所述pH值调节罐连接,所述工业水一级淋洗塔的酸液缓冲罐用于缓冲从所述工业水一级淋洗塔的酸液缓冲罐输入到所述pH值调节罐的酸液。
8.根据权利要求7所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,其特征在于,所述工业水一级淋洗塔的酸液缓冲罐至少为两套,且并联连接。
9.根据权利要求7所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,其特征在于,还包括
第三安全液封槽,与所述工业水一级淋洗塔的酸液缓冲罐连接,所述第三安全液封槽内盛放有碱液,用于中和从所述工业水一级淋洗塔的酸液缓冲罐排出的尾气中的氯化氢后放空。
10.根据权利要求7所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,其特征在于,所述工业水一级淋洗塔上设置有酸液循环入口,所述工业水一级淋洗塔的酸液缓冲罐还与所述酸液循环入口连接,所述工业水一级淋洗塔的酸液缓冲罐用于将其内的酸液再输回到所述工业水一级淋洗塔内。
11.根据权利要求2所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,其特征在于,还包括
碱液二级淋洗塔的碱液缓冲罐,分别与所述碱液二级淋洗塔、所述pH值调节罐连接,所述碱液二级淋洗塔的碱液缓冲罐用于缓冲从所述碱液二级淋洗塔的碱液缓冲罐输入到所述pH值调节罐的碱液。
12.根据权利要求11所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置,其特征在于,所述碱液二级淋洗塔上设置有碱液循环入口,所述碱液二级淋洗塔的碱液缓冲罐还与所述碱液循环入口连接,所述碱液二级淋洗塔的碱液缓冲罐用于将其内的碱液再输回到所述碱液二级淋洗塔内。
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