CN105320328B - 触控显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明是触控显示面板，包括彩色滤光基板、主动矩阵晶体管基板、液晶层、电极对、多个触控感测单元以及至少一抗扰斑块。主动矩阵晶体管基板与彩色滤光基板对应配置。液晶层设置在彩色滤光基板与主动矩阵晶体管基板之间。电极对设置在主动矩阵晶体管基板。电极对包括画素电极及共用电极。画素电极与共用电极间产生边缘电场控制液晶层的液晶分子转动。触控感测单元共平面的设置在彩色滤光基板。相邻的多个触控感测单元之间形成间隙区。抗扰斑块设置在间隙区内。多个触控感测单元及抗扰斑块透过雷射回火处理而形成导电结构。本发明的触控显示面板具有较为准确的移转图案，同时避免将基板送到烤箱回火容易造成基板弯曲、损坏或污染等问题，制作成本低。

Description

触控显示面板

【技术领域】

本发明涉及一种触控显示面板，特别涉及一种透过雷射图案化工艺制作的触控显示面板。

【背景技术】

近年来，触控技术已经逐渐广泛应用在一般的消费性电子商品上，例如行动通讯装置、数字相机、数字音乐播放器(MP3)、个人数字助理器(PDA)、卫星导航器(GPS)、掌上型计算机(hand-held PC)、平板计算机(tablet)，甚至崭新的超级行动计算机(Ultra MobilePC,UMPC)等。触控技术可以多种形式应用在显示面板上，例如是外加触控面板在显示面板上(外挂式)，或是直接在显示面板上制作触控感测单元(内嵌式，又分为on-cell与in-cell两种)。

但是，制作触控感测单元的工艺需经过成膜、曝光、显影、蚀刻等工艺形成，其中在微影工艺的一连串步骤中，很容易在基板上残留曝光阶段使用的光阻和显影液，而影响到后续进行的蚀刻或其它沉积工艺的质量。而且，光阻涂布、软烤、曝光、显影、硬烤、去光阻、回火等工艺过于繁复，例如回火通常需要进行烤箱回火步骤才能使非晶质转变成多晶质材料，不但制作成本高、耗时，人为的疏失以及不当的工艺控制也都很容易造成基板弯曲、损坏或是污染。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种触控显示面板，能够简化工艺而节省制作成本，并可得到较为准确的移转图案，同时避免公知将基板送到烤箱回火而容易造成基板弯曲、损坏或污染等问题。

为达上述目的，本发明的一种触控显示面板包括一彩色滤光基板、一主动矩阵晶体管基板、一液晶层、一电极对、多个触控感测单元以及至少一抗扰斑块。主动矩阵晶体管基板与彩色滤光基板对应配置。液晶层设置在彩色滤光基板与主动矩阵晶体管基板之间。电极对设置在主动矩阵晶体管基板。电极对包括一画素电极及一共享电极。画素电极与共享电极间产生边缘电场控制液晶层的液晶分子转动。触控感测单元共平面的设置在彩色滤光基板。相邻的多个触控感测单元之间形成一间隙区。抗扰斑块设置在间隙区内。多个触控感测单元及抗扰斑块透过雷射回火处理而形成导电结构。

在一实施例中，导电结构是结晶铟锡氧化物，透过将整片非晶铟锡氧化物层以一具有一弯折的抗扰斑块图案与一感测层预定图案进行雷射回火处理后，去除未透过雷射回火处理的部分而得。

在一实施例中，去除方式是湿式蚀刻。

在一实施例中，导电结构是奈米金属线，透过将整片奈米金属层以一具有一弯折的抗扰斑块图案与一感测层预定图案进行雷射回火处理后，去除未透过雷射回火处理的部分而得。

在一实施例中，奈米金属层包括一基质及多个奈米金属结构，多个奈米金属结构设置在基质内。

在一实施例中，基质透过雷射处理后被去除。

在一实施例中，主动矩阵晶体管基板包括一透光基板、多条闸极线、一闸极绝缘层以及多条数据线。多条闸极线配置在透光基板上。闸极绝缘层配置在透光基板上，并覆盖多条闸极线。多条数据线配置在闸极绝缘层上。画素电极配置在闸极绝缘层上，并与多条数据线位在同一层。

在一实施例中，主动矩阵晶体管基板包括一透光基板、多条闸极线、一闸极绝缘层以及多条数据线。多条闸极线配置在透光基板上。共用电极配置在透光基板上，并与多条闸极线位在同一层。闸极绝缘层配置在透光基板上，并覆盖多条闸极线及共用电极。多条数据线配置在闸极绝缘层上。画素电极配置在闸极绝缘层上。

在一实施例中，画素电极及共用电极的材料是金属氧化物。

在一实施例中，共用电极是整片电极，画素电极间隔配置在共用电极的上方；或者，画素电极是整片电极，共用电极间隔配置在画素电极的上方。

在一实施例中，共用电极呈多条间隔配置，画素电极间隔配置在相邻共用电极之间的上方；或者，画素电极呈多条间隔配置，共用电极间隔配置在相邻画素电极之间的上方。

为达上述目的，本发明的另一种触控显示面板包括一雷射图案化隐形感测层基板、一第二基板以及多个有机发光二极管单元。雷射图案化隐形感测层基板包括一第一基板及至少一结构变化层。结构变化层透过雷射回火处理而形成导电结构。第二基板与第一基板对应贴合。有机发光二极管单元设置在第二基板上。有机发光二极管单元包括一第一电极层、一第二电极层及一有机发光层。第一电极层设置在第二基板上。有机发光层位在第一电极层与第二电极层之间。

承上所述，在本发明将触控面板的感测层以具有弯折的抗扰斑块图案与感测层预定图案进行雷射回火处理，再去除抗扰斑块图案以外与感测层预定图案以外的部分感测层，而形成触控面板的隐形感测层，这种方式制作的触控显示面板能够简化工艺而节省制作成本，并可得到较为准确的移转图案，同时避免公知将基板送到烤箱回火而容易造成基板弯曲、损坏或污染等问题。

【附图说明】

图1是本发明较佳实施例的触控面板的隐形感测层的雷射图案化设备的功能方块图。

图2是雷射单元的功能方块图。

图3A是雷射回火处理的立体示意图。

图3B是图3A沿A-A线段的剖面图。

图4是感测层在工作雷射光照射前后的示意图。

图5A是本发明较佳实施例的雷射图案化隐形感测层基板的部分剖面图。

图5B是本发明较佳实施例的雷射图案化隐形感测层基板的上视图。

图6A是本发明一实施例的雷射图案化隐形感测层基板应用在外挂式触控显示面板的示意图。

图6B是本发明一实施例的雷射图案化隐形感测层基板应用在有机发光二极管触控显示装置的示意图。

图6C是本发明一实施例的雷射图案化隐形感测层基板应用在液晶触控显示装置的示意图。

图7是本发明一实施例的边缘电场转换型液晶触控显示面板的示意图。

图8A是本发明一实施例的主动矩阵晶体管基板的布线示意图。

图8B是图8A的主动矩阵晶体管基板沿B-B线段的剖面示意图。

图9A是本发明一实施例的主动矩阵晶体管基板的布线示意图。

图9B是图9A的主动矩阵晶体管基板沿C-C线段的剖面示意图。

【具体实施方式】

以下将参考相关附图，说明依本发明较佳实施例的触控显示面板，其中相同的元件将以相同的参考符号加以说明。

图1是本发明较佳实施例的触控面板的隐形感测层的雷射图案化设备的功能方块图。请参考图1所示，雷射图案化设备1可用以形成显示面板的画素电极、触控面板的触控电极(触控感测结构)、或其它线路例如导线或接地线等导电结构。在本实施例中，是以形成触控面板的隐形感测层(invisible sensor layer)为例进行说明。在此，雷射图案化设备1包括一加载单元11、一成膜单元12、一雷射单元13以及一蚀刻单元14。

加载单元11可提供一基板2(如图2所示)，以将基板2运送到其它单元作后续工艺。实施上，加载单元11可以是机械手臂，以夹持基板2而运送，或者以吸附的方式运送基板2，例如机械手臂贴附在基板2并将空气抽出而真空吸附，或是利用电磁铁吸附基板2而运送。当然，以电磁铁吸附的方式运送时，基板2需要是导磁性基材，或是事先贴合在一导磁元件以方便运送作业。除此之外，加载单元11也可以是滚轮组或输送带，以使基板2透过滚轮组或输送带运送到各单元的工作区。另外，当基板2是可挠性基板时，加载单元11也可使用多个滚动条(roll to roll)来运送基板2。

基板2是透光材料，例如是玻璃基板、高分子基板、塑料基板、或蓝宝石基板，在此是以玻璃基板为例。基板2可以是刚性基板或可挠性基板，当是可挠性基板时，其可应用在可挠性显示器。在应用上，基板2可以是透光盖板(cover glass)，以减少应用在触控面板的厚度。

成膜(deposition)单元12可形成一感测层21在基板2上。在一些实施例中，成膜单元12可例如包括一腔室，以及一些容置在腔室内的沉积装置，如沉积源或气阀等。另外，成膜单元12可透过调整气阀的气体供应而控制在大气压力环境、真空环境或钝气环境的状态下作业。当基板2透过加载单元11运送到成膜单元12内，成膜单元12就可以溅镀(sputtering)或蒸镀(evaporation)形成感测层21在基板2上。在一些实施例中，成膜单元12可包括印刷机，透过印刷或喷墨印刷(ink-jet printing)形成感测层21。在一些实施例中，成膜单元12可包括涂布机，透过涂布(coating)或旋转涂布(spin coating)形成感测层21。

图2是雷射单元的功能方块图。请同时参考图1及图2所示，当感测层21形成在基板2之后，基板2便运送到雷射单元13进行雷射回火(laser annealing)处理，例如是准分子雷射回火(excimer laser annealing,ELA)处理。雷射单元13包括一雷射源131及一光学组132。在本实施例中，光学组132包括光束整形器(beam shaper)1321、光束扩束器(beamexpander)1322、线光束(line beam)产生器1323以及反射镜1324。雷射源131发出的雷射光L经过光束整形器1321将雷射光L自高斯光束变换为平顶光束，接着经过光束扩束器1322提高光束尺寸，例如是增加雷射光L的半径，再经过线光束产生器1323使雷射光L是线光束(line beam)而作为工作雷射光L1，最后透过反射镜1324将工作雷射光L1照射到基板2上。在一些实施例中，工作雷射光L1也可直接射向基板2上，本发明并不限制。

在此，雷射单元13还包括一载台133及一图案化网栅(pattern optical mesh)134。请参考图2、图3A及图3B所示，其中图3A是雷射回火处理的的立体示意图，图3B是图3A沿A-A线段的剖面图。在本实施例中，基板2是以具有感测层21的一面朝向载台133而设置，也就是感测层21介于基板2与载台133之间，而基板2上远离载台133的一侧设置图案化网栅134，使基板2介于载台133与图案化网栅134之间。

载台133可进行二维的平面移动，或是三维的立体移动，以确保工作雷射光L1可部分面积或全部面积的将基板2上的感测层21进行雷射回火处理。图案化网栅134可例如是在一透光基板1341上设置一图案化介电层(dielectric layer)1342的镜面结构。图案化介电层1342具有图案部分13421与非图案部分13422，其中非图案部分13422是不具有介电层材料的镂空处，包括一具有一弯折的抗扰斑块图案与一感测层预定图案，因此光线可穿过非图案部分13422。在进行雷射回火处理时，工作雷射光L1可穿过非图案部分13422而照射在基板2上，而照射在图案部分13421的工作雷射光L1无法穿透而反射。由于基板2是透光材料，因此工作雷射光L穿过基板2而照射至感测层21，使被照射的感测层21转变为结构变化层(structure changing layer)211。其中图3A所示的箭头D1是工作雷射光L1的行进方向，在实施上，是以工作雷射光L1的位置固定，并移动载台133来实现，也就是载台133以箭头D1相反的方向进行相对运动。

另外，透光基板1341的材料可包括氧化硅(SiO2)，可例如是石英玻璃(fusedsilica)；图案化介电层1342的材料可包括氟化镁(MgF2)、氧化钛(TiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钽(Ta2O5)、铈氟化物(cerium fluoride)、硫化锌(zinc sulfide)、氟化铝(AlF3)、氧化铪(hafnium oxide)、氧化锆(zirconium oxide)、或其组合。另外，图案化介电层1342的介电常数大于30。

感测层21可以是非晶铟锡氧化物(amorphous indium tin oxide,a-ITO)层或奈米金属层。以非晶铟锡氧化物层为例，透过高能量的雷射光照射非晶铟锡氧化物层，可在相当短的时间内使非晶铟锡氧化物层暴露在极高温下，而转变成为结晶铟锡氧化物层(结构变化层211)而形成导电结构，以达到产品所需求的电阻值与穿透率。另外，当感测层21是奈米金属层时，奈米金属层可包括一基质及多个奈米金属结构，多个奈米金属结构设置在基质内。进一步来说，奈米金属结构例如是奈米粒子或奈米线，其材料可以是奈米银(Silvernanowires)、奈米镁银合金或奈米铜。奈米粒子例如是奈米导电粒子，其材料包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟镓锌(IGZO)、掺锌氧化铟(IZO)、AZO(掺铝的ZNO)、GZO(掺镓的ZNO)、碳奈米管(CNT)、或石墨烯。另外，感测层21可由奈米导电粒子添加在奈米金属线(metal nanowires)的复合材料所构成。另外，以下是奈米银线的制造方法的实施例。

首先，奈米银线溶液(Seashell Technology,AgNW-115)是以1000r/min的转速在PET基板上旋转60秒以形成不规则散布的奈米银线网络，并且ITO奈米粒子溶液是以2000r/min的转速在奈米银线网络上旋转30秒，接着再接受约100℃的热退火一些分钟以去除溶剂。奈米银线溶液被稀释到1mg/mL浓度。奈米银线是约有115nm的直径以及30μm的长度。不同片电阻值与光学穿透率值的奈米银线网络可由重复的旋转涂布工艺而得到。ITO奈米粒子溶液是由以同样的体积混合散布在异丙醇(Isopropyl Alcohol(Sigma Aldrich))的ITO奈米粒子(30wt.％)以及溶解在去离子水(deionized water)的聚乙烯醇(polyvinylalcohol,PVA)(2.5wt.％)而制备。PVA溶液是加入ITO奈米粒子的散布中，以进一步提高产出的奈米银线/ITO奈米粒子膜的机械结合性。由于在奈米金属层中，各奈米金属结构的间距较大，其电阻值很高，因此整体导电能力差。透过高能量的雷射光照射奈米金属层，可在相当短的时间内使奈米金属层暴露在极高温下，而使基质挥发而留下奈米金属结构而形成奈米金属导电层(结构变化层211)，此时各奈米金属结构彼此电性连接，其电阻值降低而形成导电结构。

特别的是，图案化网栅134的图案化介电层1342，其非图案部分13422即就是对应于结构变化层211的图案，包括具有一弯折的抗扰斑块图案与一感测层预定图案。换句话说，雷射单元13将感测层21以具有弯折的抗扰斑块图案与感测层预定图案进行雷射回火处理，而形成结构变化层211，也就是至少一图案化介电层1342的图案与触控面板的隐形感测层的图案相同。在一些实施例中，图案化介电层1342的图案尺寸可小于触控面板的隐形感测层的图案尺寸。

接着，蚀刻单元14去除抗扰斑块图案以外与感测层预定图案以外的部分感测层21，而形成触控面板的隐形感测层。在一些实施例中，蚀刻单元14是以湿式蚀刻方式去除抗扰斑块图案以外与感测层预定图案以外的部分感测层21。其中，当感测层21是非晶铟锡氧化物层时，湿式蚀刻是草酸蚀刻，利用只能蚀刻非晶质材料的草酸作为蚀刻溶液，将位在结构变化层(结晶铟锡氧化物层)211以外的非晶铟锡氧化物层完全蚀刻去除，便可以准确地定义出结晶铟锡氧化物层的结构。类似地，当感测层21是奈米金属层时，蚀刻单元14可将结构变化层(奈米金属导电层)211以外的感测层21完全蚀刻去除，以准确地定义出奈米金属导电层的结构。

在实施上，工作雷射光L1的能量、持续时间以及尺寸大小会决定需要进行照射的次数，通常雷射回火处理会进行多次以上的照射，以彻底地使非晶铟锡氧化物层结晶，或使奈米金属层的基质挥发而形成奈米金属导电层。其中，图4是感测层在工作雷射光L1照射前后的示意图，工作雷射光L1依箭头D2所示方向行进，照射过后的感测层21转变为结构变化层211。

请再参考图1所示，雷射图案化设备1还可包括一输出单元15。如上述，在进行成膜、雷射图案化、以及蚀刻等工艺后，输出单元15可输出具有隐形感测层的触控面板，以作封装、与显示面板组装、或其它后续的制作。类似地，输出单元15也可以是机械手臂、输送带、或滚轮组，以将触控面板运送到雷射图案化设备1外。在一些实施例中，加载单元11可与输出单元15整合，也就是同一单元可具有执行加载基板2及输出触控面板的功能。

图5A是本发明较佳实施例的雷射图案化隐形感测层基板的部分剖面图。请参考图5A所示，雷射图案化隐形感测层基板3包括一基板31及至少一结构变化层32，其中结构变化层32是透过上述雷射图案化设备进行雷射回火处理而成。结构变化层32具有多个结构变化单元321共平面的设置在基板31上。其中，基板31的叙述可参考上述实施例的基板2，在此不再赘述。

结构变化层32是由雷射回火处理基板31上的感测层(如图3B所示的感测层21)，以形成一具有一弯折的抗扰斑块图案与一感测层预定图案(如图3B所示的图案化网栅134)，而产生不同的结构变化单元321，并透过控制不同的结构变化单元321的蚀刻速率差异，去除抗扰斑块图案以外与感测层预定图案以外的部分感测层，而形成触控面板的隐形感测层，也就是结构变化层32。其中，隐形感测层可以是导电线样式如条状的感测线路，或导电区块样式如方形、菱形、或不规则形状等感测区块。

结构变化单元321可包括触控感测部3211及抗扰斑块部3212，其中，触控感测部3211是对应于感测层预定图案而形成，抗扰斑块部3212是对应于抗扰斑块图案而形成。相邻的触控感测部3211之间形成一间隙区33。触控感测部3211设置在基板31的表面311上而形成共平面设置。图5A所示的两个触控感测部3211是以相互绝缘为例。

抗扰斑块部3212设置在间隙区33内。抗扰斑块部3212与触控感测部3211是在同一工艺(雷射回火)中制造而成，二者具有相同的材料。在此，抗扰斑块部3212是由导电材料制成，且其是电性浮接，且抗扰斑块部3212与相邻的触控感测部3211之间间隔一距离。透过将抗扰斑块部3212设置在间隙区33内，可使触控感测部3211之间距(间隙区33)加大，如此一来，即使有粒子P掉落或刮伤产生时，相邻的触控感测部3211也不会形成短路，而避免触控失效并能提高产品良率。粒子P例如来自后续工艺，后续工艺是可至少包括机械薄化工艺、化学薄化工艺、机械化学薄化工艺、黄光工艺、薄膜沉积工艺、及/或薄膜蚀刻工艺。透过抗扰斑块部3212设置在相邻触控感测部3211所形成间隙区33之间，可使相邻触控感测部3211的间距加大、不会受到后续工艺的粒子污染而形成短路，而提供电性抗扰的效用。

另外，由于触控感测部3211的间距加大可能会让人眼辨识其存在，但透过抗扰斑块部3212设置在相邻触控感测部3211之间，使得人眼不易发现，而能维持显示效能。举例来说，抗扰斑块部3212的宽度是介于50μm与70μm之间，间隙区33的宽度介于70μm与130μm之间。另外，抗扰斑块部3212可以是块状斑块或包括至少一弯折状斑块。

另外，结构变化层32可以是图案化结晶铟锡氧化物或奈米金属线，其透过将整片非晶铟锡氧化物层或奈米金属层以具有弯折的抗扰斑块图案与感测层预定图案经过雷射回火处理而形成导电结构，其相关叙述已详述于上，因此不再赘述。

值得一提的是，当雷射图案化隐形感测层基板3上配置多层隐形感测层(结构变化层32)时，相邻的隐形感测层之间可设置绝缘层，以使各隐形感测层电性绝缘而不致短路。在一些实施例中，各隐形感测层是分别执行雷射回火处理而形成。在一些实施例中，不同层隐形感测层的导通方向不相同，也就是各隐形感测层配置不同轴向的结构变化层，例如是各轴向相互垂直。在一些实施例中，绝缘层的材料可包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、或聚亚酰胺(Polyimide,PI)。

接着，请参考图5B，其是本发明较佳实施例的雷射图案化隐形感测层基板的上视图。在本实施例中，触控感测部3211a是类似四边形的形状，接地部3213a环设在触控感测部3211a，例如是位在相邻的触控感测部3211a之间。另外，抗扰斑块部3212a设置在接地部3213a与触控感测部3211a所形成的间隙内。在此，抗扰斑块部3212a是设置在触控感测部3211a的至少一侧或环设整个触控感测部3211a。当然，抗扰斑块部3212a仍可介于相邻的触控感测部3211a的间隙内，在此便不赘述。

图6A是本发明一实施例的雷射图案化隐形感测层基板应用在外挂式触控显示面板的示意图，在此是以雷射图案化隐形感测层基板3的应用为例。如图6A所示，触控显示装置5包括雷射图案化隐形感测层基板3与显示装置50，雷射图案化隐形感测层基板3邻设在显示装置50，二者可相互贴合。显示装置50例如包括液晶显示面板、发光二极管显示面板、有机发光二极管显示面板或其它种类的显示面板。

图6B是本发明一实施例的雷射图案化隐形感测层基板应用在有机发光二极管触控显示装置的示意图，在此是以雷射图案化隐形感测层基板3的应用为例。如图6B所示，本发明一实施例的有机发光二极管触控显示装置6包括雷射图案化隐形感测层基板3、第二基板60以及多个有机发光二极管单元61。有机发光二极管单元61设置在第二基板60上，且基板31与第二基板60对应贴合，以封闭多个有机发光二极管单元61。有机发光二极管单元61可包括一第一电极层611、一有机发光层612以及一第二电极层613，第一电极层611设置在第二基板60上，有机发光层612位在第一电极层611与第二电极层613之间。上述有机发光二极管单元61的结构只是举例说明，本发明并不限制。在其它实施例中，有机发光二极管单元61可例如还包括电洞传输层及电子传输层。另外，有机发光二极管触控显示装置6还可包括至少一功能层62，在此，功能层62位在基板31与第二基板60之间并例如是黏合层。当然，依据实际需求，功能层62的位置与功能性都可调整，例如其可以是钝化层或平坦层。

图6C是本发明一实施例的雷射图案化隐形感测层基板应用在液晶触控显示装置的示意图，在此是以雷射图案化隐形感测层基板3的应用为例。如图6C所示，本发明一实施例的液晶触控显示装置7包括雷射图案化隐形感测层基板3、一第三基板71、一液晶层72以及一背光模块73。液晶层72设置在基板31与第三基板71之间。背光模块73是邻设在第三基板71。在本实施例中，雷射图案化隐形感测层基板3是较第三基板71还靠近用户，这样可提高触控感测精度。在此，基板31可例如还包括一彩色滤光层与一黑色矩阵层，第三基板71可例如还包括一薄膜晶体管层。另外，液晶触控显示装置7可还包括至少一功能层75，在此，功能层75位在基板31与第三基板71之间并例如是平坦层。当然，依据实际需求，功能层75的位置与功能性都可调整，例如其可以是钝化层或黏合层。液晶触控显示装置7是可包括垂直配向型(VA)、平面内转换型(In-Plane Switching,IPS)、边缘电场转换型(Fringe FieldSwitching,FFS)显示面板。

图7是本发明一实施例的边缘电场转换型液晶触控显示面板8的示意图，如图7所示，边缘电场转换型液晶触控显示面板8包括一彩色滤光基板81、一主动矩阵晶体管基板82、一液晶层83、一电极对84、多个触控感测单元85以及至少一抗扰斑块86。

彩色滤光基板81包括一透光基板811，另外，彩色滤光基板81可还包括彩色滤光层、黑色矩阵层、配向层、偏光层或其它功能层，由于上述元件都可应用公知技术，在此不再赘述。另外，上述彩色滤光基板81的结构只是举例，本发明并不限制。并且，由于本实施例是使用边缘电场转换技术，因此共用电极是设置在主动矩阵晶体管基板82上。

主动矩阵晶体管基板82与彩色滤光基板81对应配置。主动矩阵晶体管基板82可包括一透光基板821，另外，主动矩阵晶体管基板82可还包括晶体管、数据线、扫描线、配向层、偏光层或其它元件或功能层，由于上述元件都可应用公知技术，在此不再赘述。另外，上述主动矩阵晶体管基板82的结构只是举例，本发明并不限制。

液晶层83设置在彩色滤光基板81与主动矩阵晶体管基板82之间，并由电极对84所产生的边缘电场控制液晶层83的液晶分子转动。电极对84设置在主动矩阵晶体管基板82，并包括一画素电极841及一共用电极842。在此，电极对84设置在透光基板821面对液晶层83的一侧，且共用电极842呈多条间隔配置，画素电极841间隔配置在相邻共用电极842之间的上方。在其它实施例中，画素电极841与共用电极842的位置亦可调换，也就是画素电极841呈多条间隔配置，共用电极842间隔配置在相邻画素电极841之间的上方。透过画素电极841与共用电极842交错配置，可产生边缘电场以控制液晶分子转动。画素电极841及共用电极842的材料例如是金属氧化物，例如是铟锡氧化物(indium tin oxide,ITO)或铟锌氧化物(indium zinc oxide,IZO)。另外，在画素电极841与共用电极842之间是设置绝缘层87将二者电性隔离。

触控感测单元85共平面的设置在彩色滤光基板81。在此，触控感测单元85是设置在彩色滤光基板81背对液晶层83的一侧，而在其它实施例中，触控感测单元85可设置在彩色滤光基板81面对液晶层83的一侧。触控感测单元85例如设置在透光基板811的表面812而共平面设置。相邻的触控感测单元85之间形成间隙区851。触控感测单元85可由透光导电材料制成，例如由氧化铟锡(Indium tin oxide,ITO)或其它金属氧化物制成。图7所示的两个触控感测单元85是以相互绝缘为例。另外，在触控感测单元85上方可设置保护层(图未显示)以遮盖触控感测单元85。

抗扰斑块86设置在间隙区851内。在实施上，抗扰斑块86与触控感测单元85是在同一工艺(雷射回火处理)中制造而成，且二者具有相同的材料。在此，第一抗扰斑块86是由导电材料制成，且其是电性浮接，且抗扰斑块86与相邻的触控感测单元85之间间隔一距离。透过将抗扰斑块86设置在间隙区851内，可使触控感测单元85的间距(间隙区851)加大，如此一来，即使有粒子P掉落或刮伤产生时，相邻的触控感测单元85也不会形成短路，而避免触控失效并能提高产品良率。粒子P例如来自后续工艺，后续工艺是可至少包括机械薄化工艺、化学薄化工艺、机械化学薄化工艺、黄光工艺、薄膜沉积工艺、及/或薄膜蚀刻工艺。透过抗扰斑块86设置在相邻触控感测单元85所形成间隙区851之间，可使相邻触控感测单元的间距加大、不会受到后续工艺的粒子污染而形成短路，而提供电性抗扰的效用。

另外，由于触控感测单元85的间距加大可能会让人眼辨识其存在，但透过抗扰斑块86设置在相邻触控感测单元85之间，使得人眼不易发现，而能维持显示效能。举例来说，抗扰斑块86的宽度是介于50μm与70μm之间，间隙区851的宽度介于70μm与130μm之间。另外，抗扰斑块86的图样可以是块状斑块或包括至少一弯折状斑块。

在此，触控感测单元85与抗扰斑块86可以是图案化结晶铟锡氧化物或奈米金属线，其透过将整片非晶铟锡氧化物层或奈米金属层以具有弯折的抗扰斑块图案与感测层预定图案经过雷射回火处理而形成导电结构，其相关叙述已详述于上，因此不再赘述。

另外，本发明的边缘电场转换型液晶触控显示面板的主动矩阵晶体管基板可具有多种变化态样，以下举例说明。

图8A是本发明一实施例的主动矩阵晶体管基板92的布线示意图，图8B是图8A的主动矩阵晶体管基板92沿B-B线段的剖面示意图。如图8A及图8B所示，多条闸极线922配置在透光基板921(如玻璃基板)上。多个共用电极942配置在透光基板921上，并与多条闸极线922位在同一层。闸极绝缘层923配置在透光基板921上，并覆盖多条闸极线922及共用电极942。多条数据线924、源极925及汲极926配置在闸极绝缘层923上。多个画素电极941也配置在闸极绝缘层923上，其中多个画素电极941与多条数据线924都位在闸极绝缘层923上，画素电极941可直接接触汲极926。画素电极941与共用电极942当作上下电极，如此以形成横向电场，横向电场可控制液晶层内的液晶分子旋转。保护层927配置在闸极绝缘层923上，并覆盖多条数据线924、源极925、汲极926及画素电极941。另外，如图8B所示，在本实施例中，共用电极942是整片电极，画素电极941间隔配置在共用电极942的上方。

图9A是本发明一实施例的主动矩阵晶体管基板102的布线示意图，图9B是图9A的主动矩阵晶体管基板102沿C-C线段的剖面示意图。如图9A及图9B所示，多条闸极线1022配置在透光基板1021(如玻璃基板)上。闸极绝缘层1023配置在透光基板1021上，并覆盖多条闸极线1022。多条数据线1024、源极1025及汲极1026配置在闸极绝缘层1023上。多个画素电极1041也配置在闸极绝缘层1023上，并与多条数据线1024位在同一层，其中画素电极1041可直接接触汲极1026。保护层1027配置在闸极绝缘层1023上，并覆盖多条数据线1024、源极1025、汲极1026及画素电极1041。共用电极1042配置在保护层1027上。另外，如图9B所示，在本实施例中，画素电极1041是整片电极，共用电极1042间隔配置在画素电极1041的上方。

综上所述，在本发明将触控面板的感测层以具有弯折的抗扰斑块图案与感测层预定图案进行雷射回火处理，再去除抗扰斑块图案以外与感测层预定图案以外的部分感测层，而形成触控面板的隐形感测层，这种方式制作的触控显示面板能够简化工艺而节省制作成本，并可得到较为准确的移转图案，同时避免公知将基板送到烤箱回火而容易造成基板弯曲、损坏或污染等问题。

以上所述仅是举例性，而不是限制性的。任何未脱离本发明的精神和范围，而对其进行的等效修改或变还，均应包括在所附的权利要求中。

Claims (12)

1.一种触控显示面板，其特征在于，包括：

一彩色滤光基板；

一主动矩阵晶体管基板，与所述彩色滤光基板对应配置；

一液晶层，设置在所述彩色滤光基板与所述主动矩阵晶体管基板之间；

一电极对，设置在所述主动矩阵晶体管基板，所述电极对包括一画素电极及一共用电极，所述画素电极与所述共用电极间产生边缘电场控制所述液晶层的液晶分子转动；

多个触控感测单元，共平面的设置在所述彩色滤光基板，相邻的多个触控感测单元之间形成一间隙区；

一接地部，位于相邻的两个所述触控感测单元之间；以及

多个抗扰斑块，所述多个抗扰斑块中的至少一者设置在所述间隙区内，所述多个抗扰斑块中的另一者设置在所述接地部与相邻的所述触控感测单元间；

其中，所述多个触控感测单元及所述抗扰斑块透过雷射回火处理而形成导电结构。

2.如权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述导电结构是结晶铟锡氧化物，透过将整片非晶铟锡氧化物层以一具有一弯折的抗扰斑块图案与一感测层预定图案进行雷射回火处理后，去除未透过所述雷射回火处理的部分而得。

3.如权利要求2所述的触控显示面板，其特征在于，去除方式是湿式蚀刻。

4.如权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述导电结构是奈米金属线，透过将整片奈米金属层以一具有一弯折的抗扰斑块图案与一感测层预定图案进行雷射回火处理后，去除未透过雷射回火处理的部分而得。

5.如权利要求4所述的触控显示面板，其特征在于，所述奈米金属层包括一基质及多个奈米金属结构，所述多个奈米金属结构设置在所述基质内。

6.如权利要求5所述的触控显示面板，其特征在于，所述基质透过雷射处理后被去除。

7.如权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述主动矩阵晶体管基板包括：

一透光基板；

多条闸极线，配置在所述透光基板上；

一闸极绝缘层，配置在所述透光基板上，并覆盖所述多条闸极线；以及

多条数据线，配置在所述闸极绝缘层上，所述画素电极配置在所述闸极绝缘层上，并与所述多条数据线位在同一层。

8.如权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述主动矩阵晶体管基板包括：

一透光基板；

多条闸极线，配置在所述透光基板上，所述共用电极配置在所述透光基板上，并与所述多条闸极线位在同一层；

一闸极绝缘层，配置在所述透光基板上，并覆盖所述多条闸极线及所述共用电极；以及

多条数据线，配置在所述闸极绝缘层上，所述画素电极配置在所述闸极绝缘层上。

9.如权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述画素电极及所述共用电极的材料是金属氧化物。

10.如权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述共用电极是整片电极，所述画素电极间隔配置在所述共用电极的上方；或者，所述画素电极是整片电极，所述共用电极间隔配置在所述画素电极的上方。

11.如权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述共用电极呈多条间隔配置，所述画素电极间隔配置在相邻共用电极之间的上方；或者，所述画素电极呈多条间隔配置，所述共用电极间隔配置在相邻画素电极之间的上方。

12.一种触控显示面板，其特征在于，包括：

一雷射图案化隐形感测层基板，包括：

一第一基板；

多个触控感测部，共平面的设置在所述第一基板，相邻的多个所述触控感测部之间形成一间隙区；

一接地部，位于相邻的两个所述触控感测部之间；及

多个抗扰斑块，所述多个抗扰斑块中的至少一者设置在所述间隙区内，所述多个抗扰斑块中的另一者设置在所述接地部与相邻的所述触控感测单元间；其中所述多个触控感测部及所述抗扰斑块透过雷射回火处理而形成导电结构；

一第二基板，与所述第一基板对应贴合；以及

多个有机发光二极管单元，设置在所述第二基板上，所述多个有机发光二极管单元包括：

一第一电极层，设置在所述第二基板上；

一第二电极层；及

一有机发光层，位在所述第一电极层与所述第二电极层之间。