CN105207679A - 一种抗辐照的串并转换装置 - Google Patents
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Abstract
一种抗辐照的串并转换装置,包括串并转换电路,所述的串并转换电路安放在散热器中,所述的串并转换电路的器件源区用环形栅包围,另外所述的散热器为中空的柜体,该柜体内部盘有散热管道,所述的串并转换电路就设置在柜体中,柜体上开有同散热管道相通的制冷剂的入口和制冷剂的出口,另外所述的柜体包括有前盖板以及前盖板附件,所述的前盖板在揭开柜体的揭开所在方位与盖上柜体的盖合所在方位之间可枢接于柜体上,这样的结构避免了现有技术的辐照影响,关上前盖板的装置经常出现使前盖板变歪的缺陷。
Description
技术领域
本发明属于串并转换技术领域,具体涉及一种抗辐照的串并转换装置。
背景技术
空间辐照环境使串并转换电子器件产生单粒子现象(SEP)。随着电子器件集成度不断提高,器件尺寸不断减小,串并转换电子设备也变得更加复杂,电子系统更易受到瞬态干扰,因此在串并转换电子系统的设计过程中不仅要考虑辐射总剂量的影响同时也要研究高能粒子引起的单粒子现象,由此就引入了抗辐照的措施。
在引入了抗辐照的措施下,必然会增加部件的设置,另外随着集成度的提高,串转并电路的小型化趋势也越来越高,这样不可避免的就会使得串转并电路的温度升高,从而影响设备的正常运行,故而就需要引入散热器来进行散热,通常这样的散热器是柜体结构,通过把串转并电路放置在柜体中,并经由盘在该柜体内部的散热管道来实现串转并电路的散热,具体说来是通过柜体上同散热管道相通的制冷剂的入口和制冷剂的出口来让制冷剂进行循环流动,以此来对串转并电路产生的热量进行吸收和排出,但是现在这样的散热器往往带有前盖板,前盖板用来开启散热器的柜体,并且前盖板通过自高到低依次设置在柜体上的三个转动副来实现开启和关上前盖板,具体的说往往还结合活塞的往复运动来实现前盖板被关上的效果佳,基本上的往复式活塞安装于最下面的转动副,也可以是安装在与最下面的转动副相邻的那个转动副的位置,而往复式活塞中的一类是结合聚对苯二甲酸乙二醇酯材料件,凭借该材料件的压缩复位的特性来起到关上前盖板的功能,然而存在的问题在于产生的作用力不大,无法实现充分的关上前盖板的性能,可操作性不强,还有一类是安装于最下面的转动副的单纯的往复式活塞,这样的转动作用力强,实现了充分关上前盖板的性能,然后费用大,维修麻烦并且可操作性也不强,还有就是当前盖板结构不小时,这样的两类关上前盖板的装置经常出现使前盖板变歪的缺点。
发明内容
本发明的目的提供一种抗辐照的串并转换装置,包括串并转换电路,所述的串并转换电路安放在散热器中,所述的串并转换电路的器件源区用环形栅包围,另外所述的散热器为中空的柜体,该柜体内部盘有散热管道,所述的串并转换电路就设置在柜体中,柜体上开有同散热管道相通的制冷剂的入口和制冷剂的出口,另外所述的柜体包括有前盖板以及前盖板附件,所述的前盖板在揭开柜体的揭开所在方位与盖上柜体的盖合所在方位之间可枢接于柜体上,这样的结构避免了现有技术的辐照影响,关上前盖板的装置经常出现使前盖板变歪的缺陷。
为了克服现有技术中的不足,本发明提供了一种抗辐照的串并转换装置的解决方案,具体如下:
一种抗辐照的串并转换装置,包括串并转换电路,所述的串并转换电路安放在散热器中,所述的串并转换电路的器件源区用环形栅包围,另外所述的散热器为中空的柜体1,该柜体1内部盘有散热管道,所述的串并转换电路就设置在柜体中,柜体1上开有同散热管道相通的制冷剂的入口和制冷剂的出口,另外所述的柜体1包括有前盖板1002以及前盖板附件1003,所述的前盖板1002在揭开柜体1的揭开所在方位与盖上柜体1的盖合所在方位之间可枢接于柜体1上,即所述的前盖板1002设置于柜体1上,所述的前盖板1002经由枢杆设置于柜体1上,所述的揭开所在方位为前盖板1002的最大揭开弧度,所述的盖合所在方位为前盖板1002盖合柜体1的所在方位,所述的前盖板附件1003设置于柜体1上;
所述的前盖板附件1003安装于柜体1上并设置在前盖板的底端,也即在比前盖板更低的位置,所述的前盖板1002经由揭开的方位朝向盖合的方位时,经由转过设定的弧度之际,所述的前盖板附件1003也就运作,牵动所述的前盖板1002朝着盖合的方位运行并撑持前盖板1002;
所述的设定的弧度范围能够为π/20-π/10,进一步的设定的弧度范围为π/18-π/9;
所述的前盖板附件1003含有基座1031与引导部件1032;所述的基座1031安装于柜体1上,所述的基座1031经由铆钉连接于柜体1上,所述的基座1031的上端带有开口;所述的基座1031含有撑板件1311、相互并列设置的左部立式片状体1312与右部立式片状体1313、联结板1314;所述的基座1031经由撑板件1311与柜体1相连,所述的撑板件1311经由若干铆钉同柜体1相连,以此达到把基座1031连接于柜体1上;而所述的左部立式片状体1312与右部立式片状体1313并列焊接于撑板件1311的头部端面上且向外伸展;所述的联结板1314联结于所述的左部立式片状体1312的头部与右部立式片状体1313头部之间,由此加大了所述的左部立式片状体1312与右部立式片状体1313的牢固性能;而于基座1031上开有圆柱形槽体,柱状转杆1036透过所述的引导部件1032上的贯通槽并能旋动连接与基座1031上的圆柱形槽体中;
所述的引导部件1032围绕柱状转杆1036的中心线能够旋动地安装于基座1031中;所述的引导部件1032含有尾部条状杆1321与头部条状杆1322,所述的尾部条状杆1321与头部条状杆1322处在柱状转杆的中心线两边,所述的尾部条状杆1321处在柱状转杆的中心线的尾部的一边,所述的头部条状杆1322处在柱状转杆的中心线的头部的一边,所述的头部条状杆1322处在尾部条状杆1321之前;所述的尾部条状杆1321与头部条状杆1322间保持有设定的弧度,该设定的弧度的范围为5π/7-8π/9,进一步的该设定的弧度为7π/9;
所述的环形栅能够被Poly包源漏直栅代替。
所述的串并转换电路包括TTL接口101,所述的TTL接口101带有时钟信号引脚、第一控制信号SEL引脚以及TTL信号的数据DATA的输入引脚,所述的TTL接口101同26bit的串行移位寄存器2相连接,所述的26bit的串行移位寄存器2同26bit的数据锁存器3相连接,所述的26bit的串行移位寄存器2包括依次顺序相连的2位移位寄存器4、第一12位移位寄存器5和第二12位移位寄存器6,而26bit的数据锁存器3包括依次顺序相连的2位数据锁存器7、第一12位数据锁存器8和第二12位数据锁存器9,所述的26bit的串行移位寄存器2受第二控制信号DARY的控制,所述的2位移位寄存器4、第一12位移位寄存器5和第二12位移位寄存器6分别同2位数据锁存器7、第一12位数据锁存器8和第二12位数据锁存器9相连接,所述的、第一12位数据锁存器8和第二12位数据锁存器9还同12bit的2选1选择器10相连接,所述的12bit的2选1选择器10受第三控制信号T_R的控制,所述的12bit的2选1选择器10还同差分驱动器11相连接,另外所述的2位数据锁存器7还通过与门12同差分驱动器11相连接。
所述的串并转换电路将输入的0V~5V串行数据经过TTL接口101,转换为并行数据,再通过差分驱动器11电压转换,输出0V~-5V的互补信号,具体说来如下:
第一控制信号SEL用于控制数据接收或者数据保持,即SEL为高电平时,电路处于数据保持状态,不接收新的数据;SEL为低电平时,电路处于数据接收状态,在时钟信号CLK的下降沿接收TTL信号的数据DATA的输入引脚的数据,串行移位寄存器进行相应的移位操作;
在第二控制信号DARY的上升沿,将串行移位寄存器内的数据加载到数据锁存器中,电路输出新的数据;
第三控制信号T_R用于选择输出发射和接收状态的转换控制信号:T_R为高电平时,选择输出第一12位数据锁存器8中的A1~A12数据;T_R为低电平时,选择输出第二12位数据锁存器9中的B1~B12数据;输出信号包括有S1~S12,rf_sw1,rf_sw2,而S1~S12,rf_sw1,rf_sw2都是经过电压转换后的-5V~0V信号,每个输出由一组互补信号组成,,即S1信号由S1[+]和S1[-]组成…;其中S1~S12的[+]信号与C1~C12同相,S1~S12的[-]信号则是反相位,即C1为高电平,则S1[+]=0V,S1[-]=-5V…,rf_sw1是T_R信号对应的互补信号输出;rf_sw2是串行数据的第一位ST0数据,第二位ST1数据经过与门后的互补信号输出,ST0和ST1是对应的串行输入信号的第一位信号T0,第二位信号T1的正常电压驱动输出。
所述的串并转换电路为正向设计,工艺上采用晶园1.2umSPDMN+衬底N-外延的P阱CMOS工艺,电路工作电压为±5V,即采用晶园1.2umSPDMN-衬底的P阱CMOS工艺,串并转换电路的PCM器件静态耐压为N_BVd=13V,P_BVd=14V,PMOS管的动态耐压到12V;
外延层厚度的选取采用常规的N+衬底N-外;
而在版图上对所有的MOS器件进行了抗辐照的构造,即所有MOS器件采用环形栅或者Poly包源漏直栅结构,且由于采用环形栅,故内部的所有MOS器件的W增大,L仍采用1.2um,典型尺寸设计如下:
NMOS典型尺寸为24u/1.2um,PMOS典型尺寸为50u/1.2um。
所述的散热器还含有尾部铁环1033与头部铁环1034,所述的尾部铁环1033可环动地设置于所述的尾部条状杆1321的移动端,所述的头部铁环1034可环动地设置于头部条状杆1322的移动端;所述的散热器还含有尾部转杆1331与头部转杆1341,所述的尾部铁环1033经由透过其的尾部转杆1331可环动地架设与所述的尾部条状杆1321的移动端,所述的头部铁环1034经由透过其的头部转杆1341可环动地架设与所述的头部条状杆1322的移动端。
进一步的,所述的尾部条状杆1321、尾部转杆1331与尾部铁环1033的总
质量的综合作用到柱状转杆的中心线的扭动作用的大小低于所述的头部条状杆1322、头部转杆1341与头部铁环1034的总质量的综合作用到柱状转杆的中心线的扭动作用的大小。
所述的头部条状杆1322在所述的尾部条状杆1321不经受所述的前盖板1002的底部挤压期间保持横向状态,即所述的头部条状杆1322由柱状转杆1036至在头部条状杆1322的移动端的头部铁环1034的中心线为保持横向状态。
所述的前盖板1002的底部带有在前盖板1002由设定的方位朝着盖合的方位移动时用来同头部条状杆1322的移动端相结合的沟路1021,即在前盖板1002设定的方位朝着盖合的方位移动时,头部条状杆1322的移动端是抵靠在沟路1021上的。
所述的散热器还含有在前盖板1002由设定的方位朝着盖合的方位移动时用来同所述的尾部条状杆1321的移动端相结合的突起1022,所述的突起1022设置于前盖板1002的底部且处在沟路1021之后。
本发明对器件进行了抗辐照的构造,并且前盖板附件1003也就运作,牵动所述的前盖板1002朝着盖合的方位运行并撑持前盖板1002,避免前盖板1002朝低处歪扭。
附图说明
图1为本发明的前盖板架设在散热器上的结构示意图。
图2为本发明的前盖板结合在散热器上的结构示意图。
图3为本发明的前盖板部分部件分解图。
图4为本发明的电路连接示意图。
具体实施方式
下面结合附图对发明内容作进一步说明:
参照图1、图2、图3和图4所示,抗辐照的串并转换装置,包括串并转换电路,所述的串并转换电路安放在散热器中,所述的串并转换电路的器件源区用环形栅包围,另外所述的散热器为中空的柜体1,该柜体1内部盘有散热管道,所述的串并转换电路就设置在柜体中,柜体1上开有同散热管道相通的制冷剂的入口和制冷剂的出口,通过制冷剂的入口让制冷剂进入和制冷剂的出口让制冷剂流出,以此循环来实现带走串并转换电路所产生的热量,另外所述的柜体1包括有前盖板1002以及前盖板附件1003,所述的前盖板1002在揭开柜体1的揭开所在方位与盖上柜体1的盖合所在方位之间可枢接于柜体1上,即所述的前盖板1002设置于柜体1上,所述的前盖板1002经由枢杆设置于柜体1上,所述的揭开所在方位为前盖板1002的最大揭开弧度,所述的盖合所在方位为前盖板1002盖合柜体1的所在方位,所述的前盖板附件1003设置于柜体1上,这样在前盖板1002经过揭开所在方位面对盖合所在方位转动设定的弧度,另外经过转动设定的弧度相应的设定的方位朝向盖合所在方位转动之际,所述的前盖板附件1003牵动所述的前盖板1002面向盖合所在方位运行且撑持于比前盖板1002更低的位置;
也就是说,所述的前盖板附件1003安装于柜体1上并设置在前盖板的底端,也即在比前盖板更低的位置,所述的前盖板1002经由揭开的方位朝向盖合的方位时,经由转过设定的弧度之际,所述的前盖板附件1003也就运作,牵动所述的前盖板1002朝着盖合的方位运行并撑持前盖板1002,避免前盖板1002朝低处歪扭;
进一步的,所述的设定的弧度与设定的方位能够依据散热器的结构而设置,更利于前盖板附件1003能够更佳地撑持前盖板1002还能带有更佳的盖合性能,由此在实践环节中,所述的设定的弧度范围能够为π/20-π/10,进一步的设定的弧度范围为π/18-π/9;
凭借该发明的散热器经由安装所述的前盖板附件1003,因此能够不错地避免前盖板1002朝低处歪扭,加上所述的前盖板附件1003不错的让散热器带有不错的盖合性能,加大了散热器的操作的容易度,可行性佳,另外所述的前盖板附件1003架构不乱、不复杂且费用不高;
如图3所示,所述的前盖板附件1003含有基座1031与引导部件1032;所述的基座1031安装于柜体1上,所述的基座1031经由铆钉连接于柜体1上,所述的基座1031的上端带有开口;所述的基座1031含有撑板件1311、相互并列设置的左部立式片状体1312与右部立式片状体1313、联结板1314;所述的基座1031经由撑板件1311与柜体1相连,所述的撑板件1311经由若干铆钉同柜体1相连,以此达到把基座1031连接于柜体1上;而所述的左部立式片状体1312与右部立式片状体1313并列焊接于撑板件1311的头部端面上且向外伸展;所述的联结板1314联结于所述的左部立式片状体1312的头部与右部立式片状体1313头部之间,由此加大了所述的左部立式片状体1312与右部立式片状体1313的牢固性能;而于基座1031上开有圆柱形槽体,柱状转杆1036透过所述的引导部件1032上的贯通槽并能旋动连接与基座1031上的圆柱形槽体中;
如图1、图2所示,所述的引导部件1032围绕柱状转杆1036的中心线能够旋动地安装于基座1031中;所述的引导部件1032含有尾部条状杆1321与头部条状杆1322,所述的尾部条状杆1321与头部条状杆1322处在柱状转杆的中心线两边,所述的尾部条状杆1321处在柱状转杆的中心线的尾部的一边,所述的头部条状杆1322处在柱状转杆的中心线的头部的一边,所述的头部条状杆1322处在尾部条状杆1321之前;所述的尾部条状杆1321与头部条状杆1322间保持有设定的弧度,该设定的弧度的范围为5π/7-8π/9,进一步的该设定的弧度为7π/9;
所述的前盖板1002由设定的方位面向盖合的方位移动之际,所述的前盖板1002的底部挤压所述的尾部条状杆1321的移动端来让所述的引导部件1032围着柱状转杆1036的中心线自尾部朝头部方向转动,所述的头部条状杆1322的移动端亦沿着自尾部朝头部方向转动,并且朝着尾部和更高地方运行来同前盖板1002的底部接触,由此能够生成与其运行一致的用来盖合前盖板1002的作用,所述的作用能够解析为纵向的朝向更高地方的撑持前盖板1002的作用,与横向的朝着尾部挤压前盖板1002的作用,以此作用使得前盖板附件1003具有了盖合性能与撑持前盖板1002的性能,加上前盖板1002的底部挤压所述的尾部条状杆1321的移动端的作用越强,其解析后的盖合与撑持前盖板1002的力度就越佳。
所述的环形栅能够被Poly包源漏直栅代替。
所述的串并转换电路包括TTL接口101,所述的TTL接口101带有时钟信号引脚、第一控制信号SEL引脚以及TTL信号的数据DATA的输入引脚,所述的TTL接口101同26bit的串行移位寄存器2相连接,所述的26bit的串行移位寄存器2同26bit的数据锁存器3相连接,所述的26bit的串行移位寄存器2包括依次顺序相连的2位移位寄存器4、第一12位移位寄存器5和第二12位移位寄存器6,而26bit的数据锁存器3包括依次顺序相连的2位数据锁存器7、第一12位数据锁存器8和第二12位数据锁存器9,所述的26bit的串行移位寄存器2受第二控制信号DARY的控制,所述的2位移位寄存器4、第一12位移位寄存器5和第二12位移位寄存器6分别同2位数据锁存器7、第一12位数据锁存器8和第二12位数据锁存器9相连接,所述的、第一12位数据锁存器8和第二12位数据锁存器9还同12bit的2选1选择器10相连接,所述的12bit的2选1选择器10受第三控制信号T_R的控制,所述的12bit的2选1选择器10还同差分驱动器11相连接,另外所述的2位数据锁存器7还通过与门12同差分驱动器11相连接。
所述的串并转换电路将输入的0V~5V串行数据经过TTL接口101,转换为并行数据,再通过差分驱动器11电压转换,输出0V~-5V的互补信号,具体说来如下:
第一控制信号SEL用于控制数据接收或者数据保持,即SEL为高电平时,电路处于数据保持状态,不接收新的数据;SEL为低电平时,电路处于数据接收状态,在时钟信号CLK的下降沿接收TTL信号的数据DATA的输入引脚的数据,串行移位寄存器进行相应的移位操作;
在第二控制信号DARY的上升沿,将串行移位寄存器内的数据加载到数据锁存器中,电路输出新的数据;
第三控制信号T_R用于选择输出发射和接收状态的转换控制信号:T_R为高电平时,选择输出第一12位数据锁存器8中的A1~A12数据;T_R为低电平时,选择输出第二12位数据锁存器9中的B1~B12数据;输出信号包括有S1~S12,rf_sw1,rf_sw2,而S1~S12,rf_sw1,rf_sw2都是经过电压转换后的-5V~0V信号,每个输出由一组互补信号组成,,即S1信号由S1[+]和S1[-]组成…;其中S1~S12的[+]信号与C1~C12同相,S1~S12的[-]信号则是反相位,即C1为高电平,则S1[+]=0V,S1[-]=-5V…,rf_sw1是T_R信号对应的互补信号输出;rf_sw2是串行数据的第一位ST0数据,第二位ST1数据经过与门后的互补信号输出,ST0和ST1是对应的串行输入信号的第一位信号T0,第二位信号T1的正常电压驱动输出。
所述的串并转换电路为正向设计,工艺上采用晶园1.2umSPDMN+衬底N-外延的P阱CMOS工艺,电路工作电压为±5V,即采用晶园1.2umSPDMN-衬底的P阱CMOS工艺,没有采用外延片,目前选用的N-外延片的浓度与常规的N-衬底浓度接近,故工艺器件特性应该接近,串并转换电路的PCM器件静态耐压为N_BVd=13V,P_BVd=14V,PMOS管的动态耐压到12V;
外延层厚度的选取采用常规的N+衬底N-外;
而在版图上对所有的MOS器件进行了抗辐照的构造,即所有MOS器件采用环形栅或者Poly包源漏直栅结构,且由于采用环形栅,故内部的所有MOS器件的W增大,L仍采用1.2um,典型尺寸设计如下:
NMOS典型尺寸为24u/1.2um,PMOS典型尺寸为50u/1.2um。
MOS尺寸增大,使得驱动能力增强及栅电容增大,都有利于抗单粒子翻转。
所述的散热器还含有尾部铁环1033与头部铁环1034,所述的尾部铁环1033可环动地设置于所述的尾部条状杆1321的移动端,所述的头部铁环1034可环动地设置于头部条状杆1322的移动端;由此能够让尾部条状杆1321的移动端与前盖板1002的底部、头部条状杆1322的移动端与前盖板1002的底部相互挤压时更加灵活,让前盖板1002揭开与盖合更容易,避免作用时出现阻塞的现象。所述的散热器还含有尾部转杆1331与头部转杆1341,所述的尾部铁环1033经由透过其的尾部转杆1331可环动地架设与所述的尾部条状杆1321的移动端,所述的头部铁环1034经由透过其的头部转杆1341可环动地架设与所述的头部条状杆1322的移动端。
进一步的,所述的尾部条状杆1321、尾部转杆1331与尾部铁环1033的总
质量的综合作用到柱状转杆的中心线的扭动作用的大小低于所述的头部条状杆1322、头部转杆1341与头部铁环1034的总质量的综合作用到柱状转杆的中心线的扭动作用的大小。由此于所述的尾部条状杆1321不经受所述的前盖板1002的底部挤压期间,所述的头部条状杆1322的横向所在要矮于尾部条状杆1321,也就是尾部条状杆1321相较于头部条状杆1322为撅起状,由此于所述的前盖板1002经过所述的设定方位朝着盖合的方位移动期间所述的前盖板1002能够更佳地挤压尾部条状杆1321。
所述的头部条状杆1322在所述的尾部条状杆1321不经受所述的前盖板1002的底部挤压期间保持横向状态,即所述的头部条状杆1322由柱状转杆1036至在头部条状杆1322的移动端的头部铁环1034的中心线为保持横向状态。经由此结构,能够让所述的尾部条状杆1321的移动端更佳地同所述的前盖板1002相互作用,头部条状杆1322的移动端亦能够更佳地朝尾部移动,据此更佳地撑持所述的前盖板1002与达到盖合性能。
所述的前盖板1002的底部带有在前盖板1002由设定的方位朝着盖合的方位移动时用来同头部条状杆1322的移动端相结合的沟路1021,即在前盖板1002设定的方位朝着盖合的方位移动时,头部条状杆1322的移动端是抵靠在沟路1021上的。由此所述的头部条状杆1322的移动端能够更佳地朝着尾部及更高的方向上作用于前盖板1002,以此更佳地撑持住前盖板1002与达到更佳地盖合性能。
所述的散热器还含有在前盖板1002由设定的方位朝着盖合的方位移动时用来同所述的尾部条状杆1321的移动端相结合的突起1022,所述的突起1022设置于前盖板1002的底部且处在沟路1021之后。经过突起1022能够更佳地朝着更低的地方挤压尾部条状杆1321的移动端,以此让所述的头部条状杆1322的移动端能够更佳地朝着尾部及更高的方向上作用于前盖板1002,以此更佳地撑持住前盖板1002与达到更佳地盖合性能。
以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制,虽然本发明已以较佳实施例揭露如上,然而并非用以限定本发明,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本发明技术方案内容,依据本发明的技术实质,在本发明的精神和原则之内,对以上实施例所作的任何简单的修改、等同替换与改进等,均仍属于本发明技术方案的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种抗辐照的串并转换装置,其特征在于包括串并转换电路,所述的串并转换电路安放在散热器中,所述的串并转换电路的器件源区用环形栅包围,另外所述的散热器为中空的柜体,该柜体内部盘有散热管道,所述的串并转换电路就设置在柜体中,柜体上开有同散热管道相通的制冷剂的入口和制冷剂的出口,另外所述的柜体包括有前盖板以及前盖板附件,所述的前盖板在揭开柜体的揭开所在方位与盖上柜体的盖合所在方位之间可枢接于柜体上,即所述的前盖板设置于柜体上,所述的前盖板经由枢杆设置于柜体上,所述的揭开所在方位为前盖板的最大揭开弧度,所述的盖合所在方位为前盖板盖合柜体的所在方位,所述的前盖板附件设置于柜体上;所述的前盖板附件安装于柜体上并设置在前盖板的底端,也即在比前盖板更低的位置,所述的前盖板经由揭开的方位朝向盖合的方位时,经由转过设定的弧度之际,所述的前盖板附件也就运作,牵动所述的前盖板朝着盖合的方位运行并撑持前盖板;所述的设定的弧度范围能够为π/20-π/10;所述的前盖板附件含有基座与引导部件;所述的基座安装于柜体上,所述的基座经由铆钉连接于柜体上,所述的基座的上端带有开口;所述的基座有撑板件、相互并列设置的左部立式片状体与右部立式片状体、联结板;所述的基座经由撑板件与柜体相连,所述的撑板件经由若干铆钉同柜体相连,以此达到把基座连接于柜体上;而所述的左部立式片状体与右部立式片状体并列焊接于撑板件的头部端面上且向外伸展;所述的联结板联结于所述的左部立式片状体的头部与右部立式片状体头部之间,由此加大了所述的左部立式片状体与右部立式片状体的牢固性能;而于基座上开有圆柱形槽体,柱状转杆透过所述的引导部件上的贯通槽并能旋动连接与基座上的圆柱形槽体中;所述的引导部件围绕柱状转杆的中心线能够旋动地安装于基座中;所述的引导部件含有尾部条状杆与头部条状杆,所述的尾部条状杆与头部条状杆处在柱状转杆的中心线两边,所述的尾部条状杆处在柱状转杆的中心线的尾部的一边,所述的头部条状杆处在柱状转杆的中心线的头部的一边,所述的头部条状杆1322处在尾部条状杆之前;所述的尾部条状杆与头部条状杆间保持有设定的弧度,该设定的弧度的范围为5π/7-8π/9。
2.根据权利要求1所述的抗辐照的串并转换装置,其特征在于所述的环形栅能够被Poly包源漏直栅代替。
3.根据权利要求1所述的抗辐照的串并转换装置,其特征在于所述的串并转换电路包括TTL接口,所述的TTL接口带有时钟信号引脚、第一控制信号SEL引脚以及TTL信号的数据DATA的输入引脚,所述的TTL接口同26bit的串行移位寄存器相连接,所述的26bit的串行移位寄存器同26bit的数据锁存器相连接,所述的26bit的串行移位寄存器包括依次顺序相连的2位移位寄存器、第一12位移位寄存器和第二12位移位寄存器,而26bit的数据锁存器包括依次顺序相连的2位数据锁存器、第一12位数据锁存器和第二12位数据锁存器,所述的26bit的串行移位寄存器受第二控制信号DARY的控制,所述的2位移位寄存器、第一12位移位寄存器和第二12位移位寄存器分别同2位数据锁存器、第一12位数据锁存器和第二12位数据锁存器相连接,所述的第一12位数据锁存器和第二12位数据锁存器还同12bit的2选1选择器相连接,所述的12bit的2选1选择器受第三控制信号T_R的控制,所述的12bit的2选1选择器还同差分驱动器相连接,另外所述的2位数据锁存器还通过与门同差分驱动器相连接。
4.根据权利要求3所述的抗辐照的串并转换装置,其特征在于所述的串并转换电路将输入的0V~5V串行数据经过TTL接口,转换为并行数据,再通过差分驱动器电压转换,输出0V~-5V的互补信号,具体说来如下:
第一控制信号SEL用于控制数据接收或者数据保持,即SEL为高电平时,电路处于数据保持状态,不接收新的数据;SEL为低电平时,电路处于数据接收状态,在时钟信号CLK的下降沿接收TTL信号的数据DATA的输入引脚的数据,串行移位寄存器进行相应的移位操作;
在第二控制信号DARY的上升沿,将串行移位寄存器内的数据加载到数据锁存器中,电路输出新的数据;
第三控制信号T_R用于选择输出发射和接收状态的转换控制信号:T_R为高电平时,选择输出第一12位数据锁存器中的A1~A12数据;T_R为低电平时,选择输出第二12位数据锁存器中的B1~B12数据;输出信号包括有S1~S12,rf_sw1,rf_sw2,而S1~S12,rf_sw1,rf_sw2都是经过电压转换后的-5V~0V信号,每个输出由一组互补信号组成,,即S1信号由S1[+]和S1[-]组成…;其中S1~S12的[+]信号与C1~C12同相,S1~S12的[-]信号则是反相位,即C1为高电平,则S1[+]=0V,S1[-]=-5V…,rf_sw1是T_R信号对应的互补信号输出;rf_sw2是串行数据的第一位ST0数据,第二位ST1数据经过与门后的互补信号输出,ST0和ST1是对应的串行输入信号的第一位信号T0,第二位信号T1的正常电压驱动输出。
5.根据权利要求4所述的抗辐照的串并转换装置,其特征在于所述的串并转换电路为正向设计,工艺上采用晶园1.2umSPDMN+衬底N-外延的P阱CMOS工艺,电路工作电压为±5V,即采用晶园1.2umSPDMN-衬底的P阱CMOS工艺,串并转换电路的PCM器件静态耐压为N_BVd=13V,P_BVd=14V,PMOS管的动态耐压到12V;
外延层厚度的选取采用常规的N+衬底N-外;
而在版图上对所有的MOS器件进行了抗辐照的构造,即所有MOS器件采用环形栅或者Poly包源漏直栅结构,且由于采用环形栅,故内部的所有MOS器件的W增大,L仍采用1.2um,典型尺寸设计如下:
NMOS典型尺寸为24u/1.2um,PMOS典型尺寸为50u/1.2um。
6.根据权利要求1所述的抗辐照的串并转换装置,其特征在于所述的散热器还含有尾部铁环与头部铁环,所述的尾部铁环可环动地设置于所述的尾部条状杆的移动端,所述的头部铁环可环动地设置于头部条状杆的移动端;所述的散热器还含有尾部转杆与头部转杆,所述的尾部铁环经由透过其的尾部转杆可环动地架设与所述的尾部条状杆的移动端,所述的头部铁环经由透过其的头部转杆可环动地架设与所述的头部条状杆的移动端。
7.根据权利要求6所述的抗辐照的串并转换装置,其特征在于所述的尾部
条状杆、尾部转杆与尾部铁环的总质量的综合作用到柱状转杆的中心线的扭动作用的大小低于所述的头部条状杆、头部转杆与头部铁环的总质量的综合作用到柱状转杆的中心线的扭动作用的大小。
8.根据权利要求7所述的抗辐照的串并转换装置,其特征在于所述的头部条状杆在所述的尾部条状杆不经受所述的前盖板的底部挤压期间保持横向状态,即所述的头部条状杆由柱状转杆至在头部条状杆的移动端的头部铁环的中心线为保持横向状态。
9.根据权利要求8所述的抗辐照的串并转换装置,其特征在于所述的前盖板的底部带有在前盖板由设定的方位朝着盖合的方位移动时用来同头部条状杆的移动端相结合的沟路,即在前盖板设定的方位朝着盖合的方位移动时,头部条状杆的移动端是抵靠在沟路上的。
10.根据权利要求9所述的抗辐照的串并转换装置,其特征在于所述的散热器还含有在前盖板由设定的方位朝着盖合的方位移动时用来同所述的尾部条状杆的移动端相结合的突起,所述的突起设置于前盖板的底部且处在沟路之后。
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