CN105191792B - 扁桃斑鸠菊的快速繁殖方法 - Google Patents
扁桃斑鸠菊的快速繁殖方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105191792B CN105191792B CN201510565142.7A CN201510565142A CN105191792B CN 105191792 B CN105191792 B CN 105191792B CN 201510565142 A CN201510565142 A CN 201510565142A CN 105191792 B CN105191792 B CN 105191792B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cuttage
- root
- temperature
- subculture
- aseptic seedling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Abstract
本发明公开了扁桃斑鸠菊的繁殖方法,具体是将扁桃斑鸠菊的继代芽置于生根培养基中预培养,得到无菌苗,然后将无菌苗扦插到基质中进行培养,待生根、长出新叶后再栽植到花盆中。本发明结合组织培养技术和扦插技术来繁殖扁桃斑鸠菊,达到二者优势互补,把预培养、未生根的无菌苗扦插到泥炭土、河沙、蛭石混合基质中生根,克服了清洗培养基、易感染病菌的难题,有助于提高成活率;采用组织培养技术可以常年大规模提供扦插的繁殖材料,达到苗木规模化生产和周年生产的要求。
Description
技术领域
本发明涉及扁桃斑鸠菊的繁殖方法,具体是一种结合组织培养和扦插技术的扁桃斑鸠菊的快速繁殖方法。
背景技术
扁桃斑鸠菊(Vernonia amygdalina Del.),又名桃叶斑鸠菊、杏叶斑鸠菊、神奇树、苦树、南非树、南非叶、尖尾凤等,为菊科斑鸠菊属植物,原产于非洲,最多见于西非。目前已知的菊科斑鸠菊属植物约1000种,多属于草本、木质藤本或乔木,主要生长于热带地区。我国已发现约30种,有糙叶斑鸠菊、柳叶斑鸠菊、驱虫斑鸠菊、夜香牛等,主要方分布于西南至东南、台湾、新疆等地。扁桃斑鸠菊多为2~5cm高的多年生乔木或灌木,喜光,宜在潮湿环境中生长,也耐干旱,适应多种土壤类型。扁桃斑鸠菊叶子可以安全食用,在尼日利亚等地常被当做蔬菜食用,也可应用于盆栽和园林配植。其叶片具有独特的气味和苦涩感,因而常被称为苦叶,可入药。
扁桃斑鸠菊应用较广泛,已在药品、食品级工业等领域得到广泛应用。在治疗肿瘤尤其是防治乳腺癌、降血压方面极具潜力。目前研究主要集中在抗肿瘤活性、对免疫系统影响、皮肤病治疗和抗感染等方面。此外,还广泛应用于治疗发热、疟疾、腹泻、痢疾、肝炎、疥疮、咳嗽、头痛和胃痛等病症。其主要活性成分有皂苷、生物碱、萜类、类固醇、香豆素类、黄酮类、酚酸类、木酚素、蒽醌类和倍半萜等。目前已从中分离5类共32种化合物。因此扁桃斑鸠菊在医药领域有潜力巨大,具有很大的开发价值。目前扁桃斑鸠菊繁殖多采用扦插,也有采用单独组织培养的。扦插技术在栽培过程中病害会逐年积累,造成繁殖苗木退化;若采用组织培养,生根苗从培养基取出时,苗根上的培养基不易清洗干净,耗费人工,再加上培养基营养物质丰富,炼苗栽植过程容易感染病菌,降低成活率。
发明内容
本发明的目的是提供一种能够保持母本性状、成活率高、可周年繁殖的扁桃斑鸠菊的快速繁殖方法。
为达到上述目的,本发明采用以下技术方案:
扁桃斑鸠菊的快速繁殖方法,将扁桃斑鸠菊的继代芽接种到生根培养基中预培养,得到无菌苗,然后将无菌苗扦插到基质中进行培养,待生根、长出新叶后再栽植到花盆中。
进一步地,所述诱导具体是:在生长健壮,无病虫害的扁桃斑鸠菊植株上剪取茎段作为外植体,先用洗洁精的稀释溶液浸泡,并清洗外植体表面,再用酒精浸泡20~30s,无菌水冲洗2~4遍,用升汞溶液消毒处理8~10min,无菌水冲洗2~4遍后,接种于含有0.5~1mg/L6-BA和0.05~0.1mg/L NAA的MS启动培养基,培养温度为23~28℃,光照强度为1500~2000LX,光照时间为每天10~15h。
进一步地,所述酒精的体积分数为75%。
进一步地,所述升汞溶液的浓度是1g/L。
进一步地,所述继代培养具体是:诱导芽长至2~3cm后,接种到含0.5~1mg/L 6-BA和0.05~0.1mg/L NAA的MS增殖培养基进行继代培养,温度为23~28℃,光照强度为1500~2000LX,光照时间为每天10~15h,生长25~30天后得到继代芽。
进一步地,所述生根培养基为1/2MS生根培养基。
进一步地,所述1/2MS生根培养基按质量浓度添加25~35g/L的蔗糖、6~10g/L的琼脂、0.3~0.6g/L的活性炭和0.05~0.2mg/L的IBA,且pH为5.8~6.0。
进一步地,所述预培养的条件是:温度为23~28℃,光照强度为1500~2000LX,光照时间为每天10~15h,预培养时间为6~8天。
进一步地,所述基质为泥炭土、河沙和蛭石混合而成,并用高锰酸钾溶液灭菌。
进一步地,所述泥炭土、河沙和蛭石的体积比是3~4:3~4:1~2。
进一步地,无菌苗在基质中进行培养的条件是:温度为30~38℃,环境湿度60~80%,培养时间为6~8天。
进一步地,该快速繁殖方法包括以下步骤:
(1)外植体的诱导:在生长健壮,无病虫害的扁桃斑鸠菊植株上剪取茎段作为外植体,先用洗洁精的稀释溶液浸泡,并清洗外植体表面,再用酒精浸泡20~30s,无菌水冲洗2~4遍,用升汞溶液消毒处理8~10min,无菌水冲洗2~4遍后,接种于含有0.5~1mg/L 6-BA和0.05~0.1mg/L NAA的MS启动培养基,培养温度为23~28℃,光照强度为1500~2000LX,光照时间为每天10~15h;
(2)诱导芽的继代培养:诱导芽长至2~3cm后,接种到含0.5~1mg/L6-BA和0.05~0.1mg/L NAA的MS增殖培养基进行继代培养,温度为23~28℃,光照强度为1500~2000LX,光照时间为每天10~15h,生长25~30天后得到继代芽;
(3)扦插材料的选择:取2~3cm、生长健壮的继代芽,经切取后接种到1/2MS生根培养基,培养基中按质量浓度添加25~35g/L的蔗糖、6~10g/L的琼脂、0.3~0.6g/L的活性炭和0.05~0.2mg/L的IBA,pH为5.8~6.0;
(4)预培养:在温度为23~28℃,光照强度为1500~2000LX的环境预培养,光照时间为每天10~15h,预培养时间为6~8天,得到无菌苗;
(5)扦插:将无菌苗扦插到用高锰酸钾溶液灭菌的体积比为3~4:3~4:1~2的泥炭土、河沙、蛭石混合基质中,将扦插好的无菌苗放到阴凉处,温度为30~38℃,环境湿度60~80%,培养6~8天后生根;
(6)栽植:待扦插苗长出新叶后再栽植到花盆中,栽培基质用500~800倍多菌灵进行处理,然后置于阴凉处,注意保湿,待生长稳定后放到阳光下生长。
本发明具有以下有益效果:
1 本发明结合组织培养技术和扦插技术来繁殖扁桃斑鸠菊,达到二者优势互补。组织培养技术不受季节限制,节约材料,繁殖系数大,繁殖速度快,质量好,但是生根移栽过程中,生根苗从培养基取出时,苗根上的培养基不易清洗干净,耗费人工,再加上培养基营养物质丰富,炼苗栽植过程容易感染病菌,降低成活率,本发明把预培养、未生根的无菌苗扦插到泥炭土、河沙、蛭石混合基质中生根,克服了清洗培养基、易感染病菌的难题,有助于提高成活率;扦插技术用的繁殖材料受季节和植株生长状况的限制,繁殖系数小,而组织培养技术可以常年大规模提供扦插的繁殖材料,达到苗木规模化生产和周年生产的要求。
2 本发明的生根培养基中含有植物生长所需的各种营养物质和生根激素,比扦插采用的泥炭、沙子、蛭石等基质更容易吸收营养,愈合伤口快,更容易分化出生根所需的根原基,提高扦插成活率。
3 本发明通过组织培养技术获得的扦插材料,不仅可以有效保持母本的优良性状,而且可以对植株进行脱毒减少病害,克服传统扦插技术在栽培过程中病害逐年积累造成繁殖苗木退化的问题。
4 本发明采用的生根培养基可以多次使用,大大节约了繁殖成本。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明做进一步的说明:
实施例1
按照以下步骤繁殖扁桃斑鸠菊:
(1)外植体的诱导:在生长健壮,无病虫害的扁桃斑鸠菊植株上剪取茎段作为外植体,先用洗洁精的稀释溶液浸泡,再用毛笔刷清洗外植体表面,然后流水冲洗1h左右,在超净工作台上先用体积比为75%的酒精浸泡25s左右,无菌水冲洗3遍,再用1g/L的升汞溶液消毒处理9min左右,无菌水冲洗3遍后,接种于含有1mg/L 6-BA和0.1mg/L NAA的MS启动培养基,培养温度为25℃,光照强度为1500LX,光照时间为每天13h;
(2)诱导芽的继代培养:当诱导芽长至2~3cm时,接种到含1mg/L6-BA和0.1mg/LNAA的MS增殖培养基,温度为25℃,光照强度为1500LX,光照时间为每天13h,生长30天左右,得到继代芽;
(3)扦插材料的选择:取2~3cm、生长健壮的继代芽,在超净工作台上切取后接种到1/2MS生根培养基,培养基中按质量浓度添加30g/L的蔗糖、7g/L的琼脂、0.5g/L的活性炭和0.1mg/L的IBA,pH为5.8;
(4)预培养:在温度为25℃,光照强度为1500LX的环境预培养,光照时间为每天13h,预培养时间为7天,得到无菌苗;
(5)扦插:用镊子将无菌苗从生根培养基中取出,扦插到用高锰酸钾溶液灭菌的体积比为3:3:2的泥炭土、河沙、蛭石混合基质中,将扦插好的无菌苗放到阴凉处,温度为35℃左右,环境湿度80%左右,培养6~8天后生根,根系发达,根须发白,出根量有12~20条,生根率为99%;
(6)栽植:待扦插苗长出几片新叶后再栽植到花盆中,栽培基质用500倍多菌灵进行处理,然后置于阴凉处,注意保湿,待生长稳定后放到阳光下生长,植株健壮,移栽成活率为100%。
实施例2
按照以下步骤繁殖扁桃斑鸠菊:
(1)外植体的诱导:在生长健壮,无病虫害的扁桃斑鸠菊植株上剪取茎段作为外植体,先用洗洁精的稀释溶液浸泡,再用毛笔刷清洗外植体表面,然后流水冲洗0.5h,在超净工作台上先用体积比为75%的酒精浸泡20s,无菌水冲洗2遍,再用1g/L的升汞溶液消毒处理10min,无菌水冲洗2遍后,接种于含有0.5mg/L 6-BA和0.05mg/L NAA的MS启动培养基,培养温度为23℃,光照强度为2000LX,光照时间为每天10h;
(2)诱导芽的继代培养:当诱导芽长至2~3cm时,接种到含0.5mg/L6-BA和0.05mg/LNAA的MS增殖培养基,温度为23℃,光照强度为2000LX,光照时间为每天10h,生长30天后得到继代芽;
(3)扦插材料的选择:取2~3cm、生长健壮的继代芽,在超净工作台上切取后接种到1/2MS生根培养基,培养基中按质量浓度添加25g/L的蔗糖、6g/L的琼脂、0.3g/L的活性炭和0.05mg/L的IBA,pH为6.0;
(4)预培养:在温度为23℃,光照强度为2000LX的环境预培养,光照时间为每天15h,预培养时间为8天,得到无菌苗;
(5)扦插:用镊子将无菌苗从生根培养基中取出,扦插到用高锰酸钾溶液灭菌的体积比为4:4:2的泥炭土、河沙、蛭石混合基质中,将扦插好的无菌苗放到阴凉处,温度为30℃,环境湿度60%,培养6~8天后生根,根系发达,根须发白,出根量有10~18条,生根率为98%;
(6)栽植:待扦插苗长出几片新叶后再栽植到花盆中,栽培基质用800倍多菌灵进行处理,然后置于阴凉处,注意保湿,待生长稳定后放到阳光下生长,植株健壮,移栽成活率为98%。
实施例3
按照以下步骤繁殖扁桃斑鸠菊:
(1)外植体的诱导:在生长健壮,无病虫害的扁桃斑鸠菊植株上剪取茎段作为外植体,先用洗洁精的稀释溶液浸泡,再用毛笔刷清洗外植体表面,然后流水冲洗0.8h,在超净工作台上先用体积比为75%的酒精浸泡30s,无菌水冲洗4遍,再用1g/L的升汞溶液消毒处理8min,无菌水冲洗4遍后,接种于含有1mg/L 6-BA和0.05mg/L NAA的MS启动培养基,培养温度为28℃,光照强度为1500~2000LX,光照时间为每天15h;
(2)诱导芽的继代培养:当诱导芽长至2~3cm时,接种到含0.5mg/L6-BA和0.1mg/LNAA的MS增殖培养基,温度为28℃,光照强度为1500~2000LX,光照时间为每天15h,生长25天后得到继代芽;
(3)扦插材料的选择:取2~3cm、生长健壮的继代芽,在超净工作台上切取后接种到1/2MS生根培养基,培养基中按质量浓度添加35g/L的蔗糖、10g/L的琼脂、0.6g/L的活性炭和0.2mg/L的IBA,pH为5.9;
(4)预培养:在温度为28℃,光照强度为1500~2000LX的环境预培养,光照时间为每天10h,预培养时间为6天,得到无菌苗;
(5)扦插:用镊子将无菌苗从生根培养基中取出,扦插到用高锰酸钾溶液灭菌的体积比为3:3:1的泥炭土、河沙、蛭石混合基质中,将扦插好的无菌苗放到阴凉处,温度为38℃,环境湿度70%,培养6~8天后生根,根系发达,根须发白,出根量有15~20条,生根率为100%;
(6)栽植:待扦插苗长出几片新叶后再栽植到花盆中,栽培基质用700倍多菌灵进行处理,然后置于阴凉处,注意保湿,待生长稳定后放到阳光下生长,植株健壮,移栽成活率为99%。
实施例4
按照以下步骤繁殖扁桃斑鸠菊:
(1)外植体的诱导:在生长健壮,无病虫害的扁桃斑鸠菊植株上剪取茎段作为外植体,先用洗洁精的稀释溶液浸泡,再用毛笔刷清洗外植体表面,然后流水冲洗1h左右,在超净工作台上先用体积比为75%的酒精浸泡20~30s,无菌水冲洗3遍,再用1g/L的升汞溶液消毒处理8~10min,无菌水冲洗3遍后,接种于含有1mg/L 6-BA和0.1mg/L NAA的MS启动培养基,培养温度为23~28℃,光照强度为1500~2000LX,光照时间为每天10~15h;
(2)诱导芽的继代培养:当诱导芽长至2~3cm时,接种到含0.5mg/L6-BA和0.05mg/LNAA的MS增殖培养基,温度为23~28℃,光照强度为1500~2000LX,光照时间为每天10~15h,生长25~30天后得到继代芽;
(3)扦插材料的选择:取2~3cm、生长健壮的继代芽,在超净工作台上切取后接种到1/2MS生根培养基,培养基中按质量浓度添加30g/L的蔗糖、8g/L的琼脂、0.5g/L的活性炭和0.1mg/L的IBA,pH为5.8~6.0;
(4)预培养:在温度为20~28℃,光照强度为1500~2000LX的环境预培养,光照时间为每天10~15h,预培养时间为6~8天,得到无菌苗;
(5)扦插:用镊子将无菌苗从生根培养基中取出,扦插到用高锰酸钾溶液灭菌的体积比为3:3:2的泥炭土、河沙、蛭石混合基质中,将扦插好的无菌苗放到阴凉处,温度为35℃左右,环境湿度80%左右,培养6~8天后生根,根系发达,根须发白,出根量有13~20条,生根率为99%;
(6)栽植:待扦插苗长出几片新叶后再栽植到花盆中,栽培基质用600倍多菌灵进行处理,然后置于阴凉处,注意保湿,待生长稳定后放到阳光下生长,植株健壮,移栽成活率为100%。
从以上实施例可以看出:本发明结合组织培养技术和扦插技术繁殖扁桃斑鸠菊,扦插苗的生根率高,几乎达到100%,根系发达,植株健壮,移栽成活率达到98%以上;而一般采用组织培养得到的试管苗生根率为95%左右,采用扦插的话生根率为90%左右。采用本发明的方法能快速大量繁殖种苗,既能有效保持母本的优良性状,还可以对植株进行脱毒。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何属于本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
Claims (5)
1.扁桃斑鸠菊的快速繁殖方法,其特征在于,将扁桃斑鸠菊的外植体经过诱导、继代培养后得到的继代芽接种到生根培养基中预培养,得到无菌苗,然后将无菌苗扦插到基质中进行培养,待生根、长出新叶后再栽植到花盆中;所述生根培养基为1/2MS生根培养基;所述1/2MS生根培养基按质量浓度添加25~35g/L的蔗糖、6~10g/L的琼脂、0.3~0.6g/L的活性炭和0.05~0.2mg/L的IBA,且pH为5.8~6.0;所述基质为泥炭土、河沙和蛭石混合而成,并用高锰酸钾溶液灭菌;所述泥炭土、河沙和蛭石的体积比是3~4:3~4:1~2,所述预培养的条件是:温度为23~28℃,光照强度为1500~2000LX,光照时间为每天10~15h,预培养时间为6~8天。
2.根据权利要求1所述的快速繁殖方法,其特征在于,所述诱导具体是:在生长健壮,无病虫害的扁桃斑鸠菊植株上剪取茎段作为外植体,先用洗洁精的稀释溶液浸泡,并清洗外植体表面,再用酒精浸泡20~30s,无菌水冲洗2~4遍,用升汞溶液消毒处理8~10min,无菌水冲洗2~4遍后,接种于含有0.5~1mg/L 6-BA和0.05~0.1mg/L NAA的MS启动培养基,培养温度为23~28℃,光照强度为1500~2000LX,光照时间为每天10~15h。
3.根据权利要求1所述的快速繁殖方法,其特征在于,所述继代培养具体是:诱导芽长至2~3cm后,接种到含0.5~1mg/L 6-BA和0.05~0.1mg/L NAA的MS增殖培养基进行继代培养,温度为23~28℃,光照强度为1500~2000LX,光照时间为每天10~15h,生长25~30天后得到继代芽。
4.根据权利要求1所述的快速繁殖方法,其特征在于,无菌苗在基质中进行培养的条件是:温度为30~38℃,环境湿度60~80%,培养时间为6~8天。
5.根据权利要求1所述的快速繁殖方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)外植体的诱导:在生长健壮,无病虫害的扁桃斑鸠菊植株上剪取茎段作为外植体,先用洗洁精的稀释溶液浸泡,并清洗外植体表面,再用酒精浸泡20~30s,无菌水冲洗2~4遍,用升汞溶液消毒处理8~10min,无菌水冲洗2~4遍后,接种于含有0.5~1mg/L 6-BA和0.05~0.1mg/L NAA的MS启动培养基,培养温度为23~28℃,光照强度为1500~2000LX,光照时间为每天10~15h;
(2)诱导芽的继代培养:诱导芽长至2~3cm后,接种到含0.5~1mg/L 6-BA和0.05~0.1mg/L NAA的MS增殖培养基进行继代培养,温度为23~28℃,光照强度为1500~2000LX,光照时间为每天10~15h,生长25~30天后得到继代芽;
(3)扦插材料的选择:取2~3cm、生长健壮的继代芽,经切取后接种到1/2MS生根培养基,培养基中按质量浓度添加25~35g/L的蔗糖、6~10g/L的琼脂、0.3~0.6g/L的活性炭和0.05~0.2mg/L的IBA,pH为5.8~6.0;
(4)预培养:在温度为23~28℃,光照强度为1500~2000LX的环境预培养,光照时间为每天10~15h,预培养时间为6~8天,得到无菌苗;
(5)扦插:将无菌苗扦插到用高锰酸钾溶液灭菌的体积比为3~4:3~4:1~2的泥炭土、河沙、蛭石混合基质中,将扦插好的无菌苗放到阴凉处,温度为30~38℃,环境湿度60~80%,培养6~8天后生根;
(6)栽植:待扦插苗长出新叶后再栽植到花盆中,栽培基质用500~800倍多菌灵进行处理,然后置于阴凉处,注意保湿,待生长稳定后放到阳光下生长。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510565142.7A CN105191792B (zh) | 2015-09-08 | 2015-09-08 | 扁桃斑鸠菊的快速繁殖方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510565142.7A CN105191792B (zh) | 2015-09-08 | 2015-09-08 | 扁桃斑鸠菊的快速繁殖方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105191792A CN105191792A (zh) | 2015-12-30 |
CN105191792B true CN105191792B (zh) | 2017-09-01 |
Family
ID=54940085
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510565142.7A Active CN105191792B (zh) | 2015-09-08 | 2015-09-08 | 扁桃斑鸠菊的快速繁殖方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105191792B (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105660411B (zh) * | 2016-02-26 | 2017-09-22 | 钦州市林业科学研究所 | 扁桃斑鸠菊的组培快繁育苗方法 |
CN105724250B (zh) * | 2016-02-26 | 2017-09-22 | 钦州市林业科学研究所 | 一种扁桃斑鸠菊的简化组培快繁方法 |
CN108575363A (zh) * | 2018-05-16 | 2018-09-28 | 佛山市顺德区顺茵绿化设计工程有限公司 | 一种植物新品种碧桂藤的扦插繁育方法 |
CN108410921B (zh) * | 2018-05-22 | 2021-07-23 | 福建农林大学 | 一种促进粗毛纤孔菌菌丝生长和产孢外多糖的发酵培养基 |
CN109362569A (zh) * | 2018-12-11 | 2019-02-22 | 梁伟艺 | 一种培养基再利用的牛大力多糖的生产方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103798145A (zh) * | 2014-02-28 | 2014-05-21 | 钦州市林业科学研究所 | 扁桃斑鸠菊组织培养培养基 |
CN104871945A (zh) * | 2015-06-02 | 2015-09-02 | 北京市花木有限公司 | 一种矾根组培繁殖瓶外生根炼苗的方法 |
-
2015
- 2015-09-08 CN CN201510565142.7A patent/CN105191792B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103798145A (zh) * | 2014-02-28 | 2014-05-21 | 钦州市林业科学研究所 | 扁桃斑鸠菊组织培养培养基 |
CN104871945A (zh) * | 2015-06-02 | 2015-09-02 | 北京市花木有限公司 | 一种矾根组培繁殖瓶外生根炼苗的方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
基质和植物生长调节剂对非洲菊生根的影响;单芹丽等;《西南农业学报》;20141231;第27卷(第1期);第307-310页,尤其是第307页摘要,第1段,第308页第1.2节 * |
驱虫斑鸠菊的组织培养与快速繁殖;胡石开等;《植物生理学通》;20080430;第44卷(第2期);第310页 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105191792A (zh) | 2015-12-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105191792B (zh) | 扁桃斑鸠菊的快速繁殖方法 | |
CN104054583B (zh) | 一种苹果砧木t337快速繁殖的方法 | |
CN105638477A (zh) | 一种竹叶石斛种子快速繁殖方法 | |
CN102204512B (zh) | 细叶百合的组织培养方法 | |
CN103348920B (zh) | 一种奇楠沉香优质种苗快速繁殖方法 | |
CN108157180B (zh) | 一种马铃薯脱毒苗开放式工厂化快繁的方法 | |
CN101297635B (zh) | 变异鳞毛蕨的孢子繁殖方法 | |
CN103749302A (zh) | 一种耐盐芦竹种苗的诱导驯化培育方法 | |
CN103704130A (zh) | 一种春兰与大花蕙兰杂交种育苗的方法 | |
CN104813939A (zh) | 一种荷花再生体系的构建方法 | |
CN102217551B (zh) | 一种鼓槌石斛芽尖组织培养快速繁殖方法 | |
CN105010147A (zh) | 一种用于增加十二卷属多肉植物组培繁殖速度的专用培养基及组培方法 | |
CN111165352A (zh) | 一种滇龙胆航天育种组培育苗新方法 | |
CN102715092A (zh) | 利用原叶体增殖途径快速繁育鸟巢蕨种苗的方法 | |
CN101926284B (zh) | 一种川附子组织培养及快速繁殖方法 | |
CN111789027B (zh) | 以靓竹鞭芽为外植体同时高效获得丛芽以及生根苗的方法 | |
CN103039362B (zh) | 油茶组培苗繁殖用继代培养基及其繁殖方法 | |
CN103039363B (zh) | 油茶组培苗繁殖用生根培养基及其繁殖方法 | |
CN104813931A (zh) | 一种铁皮石斛组培快繁的方法 | |
CN103155869A (zh) | 甜樱桃砧木Colt组织培养方法 | |
CN104686344A (zh) | 一种短葶山麦冬组织培养方法 | |
CN108142281A (zh) | 一种杜仲组织培养方法 | |
CN113099866B (zh) | 一种杉木优良家系苗木快繁方法 | |
CN105900564B (zh) | 一种促使珍稀濒危植物甜菜树种子高效萌发的方法 | |
CN106605596A (zh) | 一种通过体胚发生大量繁殖忽地笑的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP03 | Change of name, title or address |
Address after: Unit 2002, 20 / F, block B, phase I, Tianan cloud Valley Industrial Park, 2018 Xuegang Road, Bantian street, Longgang District, Shenzhen, Guangdong 518000 Patentee after: Cecep Tiehan ecological environment Co.,Ltd. Address before: 518040 No.3 Factory B1401, Tianan Digital Innovation Park, Longcheng Street, Longgang District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee before: SHENZHEN TECHAND ECOLOGICAL ENVIRONMENT Co.,Ltd. |
|
CP03 | Change of name, title or address |