CN105161299A - 一种多芯组瓷介电容器引线的制备方法及引线 - Google Patents

Abstract

一种多芯组瓷介电容器引线的制备方法及引线，多芯组瓷介电容器的引线制备包括引线外形制作、引线打弯及引线表面处理；所述的引线包括上引线和下引线，通过将上引线和下引线方向相反打弯，使得多芯组瓷介电容器中的片式瓷介电容器芯片能够垂直并联，以此提高瓷介电容器的容量体积比。本发明可以使瓷介电容器芯片并联后采用垂直方式与引线连接，使瓷介电容器实现最大的容量体积比。多芯组瓷介电容器通过这种引线可以开发出高电压高容量的产品并且实现大批量生产，极大地提高了生产效率和经济效益。

Description

一种多芯组瓷介电容器引线的制备方法及引线

技术领域

本发明涉及到一种电子元器件的部件的制作方法，具体涉及一种多芯组瓷介电容器引线的制备方法，属电子器件附件制作技术领域。

背景技术：

瓷介电容器就是用陶瓷作为电介质，在陶瓷基体两面喷涂银层，然后经低温烧成银质薄膜作极板而制成的电容器。它的外形以片式居多，也有管形、圆形等形状。瓷介电容器因体积小、高频特性好等优点越来越得到广泛使用，随着电子设备向高频方向发展，设计师们都喜欢选择使用具有优良的高频特性的瓷介电容器，但瓷介电容器由于容量做不大，而使得在使用上受到限制。为解决此类问题，本专利申请人研制了一种多芯组瓷介电容器并获得专利授权，这种多芯组瓷介电容器由两只或两只以上的片式瓷介电容器芯片并联组成，瓷介电容器芯片并联时采用垂直方式与引线连接，瓷介电容器芯片并联后的两端由引线引出，瓷介电容器芯片全部由环氧树脂包裹在面里。为实现这种多芯组瓷介电容器大规模批量化生产，需要大量用于该种多芯组瓷介电容器的引线，但是现有的瓷介电容器的引线制作只是采用一些简单的手动工具来制作，制作效率不高，尤其是所制作出来的引线体积比小，满足不了多芯组瓷介电容器的引线的需求，因此有必要对此进一步加以改进。

通过检索没发现有与本发明相同技术的专利文献报道，与本发明有一定关系的专利和论文主要有以下几个：

1、专利号为CN201410549915，名称为“一种低压电容器引线制作工具”的发明专利，该专利公开了一种引线制作模具，一端伸缩槽钢（1）和另一端伸缩槽钢（4）分别活动连接在槽钢（8）的两端的槽内；或一端伸缩槽钢（1）和另一端伸缩槽钢（4）的凹槽（5）分别活动连接在槽钢（8）两端的外部面上，在橡胶压块（2）的下端面设有向上凹槽（3），所述橡胶压块（2）扣在槽钢（8）的中部，由橡胶压块（2）的向上凹槽（3）和槽钢（8）的内槽底面形成引线（11）的夹持；本发明利用一端伸缩槽钢、另一端伸缩槽钢与槽钢的伸缩连接结构，可实现引线的规范制作。

2、专利号为CN201220716101，名称为“一种金属化膜电容器的引线焊接结构”实用新型专利，该专利公开了一种金属化膜电容器的引线焊接结构，本引线焊接结构包括圆形引线，其特征在于：上述圆形引线上具有一个扁平焊接部。由于本引线焊接结构的圆形引线上具有一个扁平焊接部，所以，通过圆形引线的扁平焊接部，能够方便快捷地将圆形引线焊接在芯子的端面上，并且，上述扁平焊接部与芯子端面的接触面积大，因此，本引线焊接结构的焊接接触面积大、焊点牢固，从而提高了金属化膜电容器的通电流能力和可靠性。

3、专利号为CN201220717558，名称为“一种金属化膜电容器的引线结构”实用新型专利，该专利公开了一种金属化膜电容器的引线结构，其特征在于：所述引线上设有至少一个定位耳。当两端焊接有引线的芯子放入壳体内时，引线上的定位耳便会与壳体内壁上的引线卡位槽定位配合，从而防止芯子在壳体内发生前后或左右移动，这样，芯子便能够方便快捷地安放、定位在壳体内，从而提高了生产效率；同时，由于引线上定位耳的位置和壳体内壁上引线卡位槽的位置均是预先设定好的，所以，通过引线上定位耳与壳体内壁上引线卡位槽的定位配合，从而提高了金属化膜电容器其芯子位置的定位准确性，最终使芯子设置在壳体的中心位置处。

上述这些专利虽然都涉及到电容器的引线结构，也提出了一些结构性的改进，但都没有从根本上改变现有的电容器的引线的制作方式，都还是存在前面所述的不足，尤其是在如何提高多芯组瓷介电容器引线的体积比方面没有很好解决，因此仍有待进一步加以改进。

发明内容

本发明的目的在于针对现有瓷介电容器引线制作所存在的不足，提出一种新的多芯组瓷介电容器的引线制作方法，该多芯组瓷介电容器的引线制作方法可以在保证产品质量的前提下，大大提高引线的制作效率，尤其是提高多芯组瓷介电容器引线的体积比方面有较大的改进，有效地解决了多芯组瓷介电容器引线的需求。

为了达到这一目的，本发明提供了一种多芯组瓷介电容器的引线制备方法，多芯组瓷介电容器的引线制备包括引线外形制作、引线打弯及引线表面处理；所述的引线包括上引线和下引线，通过将上引线和下引线方向相反打弯，使得多芯组瓷介电容器中的片式瓷介电容器芯片能够垂直并联，以此提高瓷介电容器的容量体积比。

进一步地，所述的引线外形制作是通过采用冲裁模具冲裁的方法或化学液蚀的方法将铁镍合金带或铜带制作出引线的外形，使其符合下一步工序所需的片状的坯料。

进一步地，所述的引线打弯是采用打弯模具分别对上引线和下线线进行打弯，使上引线和下引线打弯成“Z”字形，上引线和下引线分别向上、下两个方向弯曲，使两个打弯方向相反。

进一步地，所述的引线表面处理是在引线打弯以后对引线进行表面镀层处理。

进一步地，所述的多芯组瓷介电容器的引线制备的具体工艺如下：

1)采用冲裁模具或化学液蚀刻方法将铁镍合金带或铜带冲裁出或蚀刻出打弯形状的引线外形；

2)采用两个不同的打弯模具分别对上引线和下线线进行打弯，使上引线和下引线打弯成“Z”字形，上引线和下引线分别向上、下两个方向弯曲使两个打弯方向相反，其弯曲角度为85°～90°；

3)打弯后的引线采用挂镀的方式放入纯锡镀液或铅锡镀液中在其表面镀一层纯锡层或铅锡层，镀层的厚度在5um～30um。

一种按照上述方法制作的多芯组瓷介电容器的引线，包括上引线和下引线，所述的上引线和下引线都为片状结构的引线，上引线和下引线外形为“Z”字形，且上引线和下引线分别向上、下两个方向弯曲，使两半引线的弯折方向相反。

进一步地，所述的上引线和下引线分别向上或下两个方向弯曲，每一次弯曲的角度为85°～90°。

进一步地，所述的上引线和下引线表面分别镀有金属镀层。

进一步地，所述的镀层为纯锡层或铅锡层，镀层的厚度在5um～30um。

进一步地，所述的下引线包括下引线引出部分、下引线连接部分和下引线打弯部分；上引线包括上引线引出部分、上引线连接部分和上引线打弯部分；下引线打弯部分的宽度大于引出部分的宽度和连接部分的宽度。

进一步地，所述的多组引线通过框架连接为一体，按照上下组配平行排列，外部通过框架连接起来。

本发明的优点在于：

本发明采取上引线和下引线打弯成“Z”字形，并通过组合方式连接起来，主要有以下特点：

（1）上、下引线通过打弯方向相反使多芯组瓷介电容器中的片式瓷介电容器芯片可以垂直并联极大地提高了瓷介电容器的容量体积比；

（2）多芯组瓷介电容器通过这种引线可以开发出高电压高容量的产品并且实现大批量生产，极大地提高了生产效率和经济效益；

（3）引线的结构简单，适合批量化生产，完全可以满足多芯组瓷介电容器对引线的需求。

附图说明

图1为本发明实施例一组引线打弯前的外形和结构示意图；

图2为本发明实施例一组打弯后的引线的外形正面结构示意图；

图3为本发明实施例一组打弯后的引线的外形侧面结构示意图；

图4为本发明实施例多组未打弯的引线连接框架图；

图5为本发明实施例多组打弯后的引线连接框架图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例来进一步阐述本发明。

实施例一

通过附图1、2和3可以看出，本发明涉及一种多芯组瓷介电容器的引线，包括上引线1和下引线2，所述的上引线1和下引线2都为片状结构的引线，上引线1和下引线2外形为“Z”字形，且上引线1和下引线2分别向上、下两个方向弯曲，使两半引线的弯折方向相反。

进一步地，所述的上引线1和下引线2分别向上或下两个方向弯曲，每一次弯曲的角度为85°～90°。

进一步地，所述的上引线1和下引线2表面分别镀有金属镀层。

进一步地，所述的镀层为纯锡层或铅锡层，镀层的厚度在5um～30um。

进一步地，所述的下引线2包括下引线引出部分21、下引线连接部分22和下引线打弯部分23；上引线2包括上引线引出部分21、上引线连接部分22和上引线打弯部分23；且上引线1和下引线2的打弯部分的宽度大于引出部分的宽度和连接部分的宽度。

实施例二

实施例二与实施例一的基本结构是一样的，只是所述的多芯组瓷介电容器的引线是一种组合多引线组合结构（如附图4和5所示），由多个上引线1和下引线2组合在一起，按照上下组配平行排列，外部通过框架8连接起来，形成多组引线一体化结构。

上述所列实施例，只是结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整的描述；显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

通过上述实施例可以看出，本发明还涉及一种多芯组瓷介电容器的引线制备方法，多芯组瓷介电容器的引线制备包括引线外形制作、引线打弯及引线表面处理；所述的引线包括上引线和下引线，通过将上引线和下引线方向相反打弯，使得多芯组瓷介电容器中的片式瓷介电容器芯片能够垂直并联，以此提高瓷介电容器的容量体积比。

进一步地，所述的引线外形制作是通过采用冲裁模具冲裁的方法或化学液蚀的方法将铁镍合金带或铜带制作出引线的外形，使其符合下一步工序所需的片状的坯料。

进一步地，所述的引线打弯是采用打弯模具分别对上引线和下线线进行打弯，使上引线和下引线打弯成“Z”字形，上引线和下引线分别向上、下两个方向弯曲，使两个打弯方向相反。

进一步地，所述的引线表面处理是在引线打弯以后对引线进行表面镀层处理。

进一步地，所述的多芯组瓷介电容器的引线制备的具体工艺如下：

4)采用冲裁模具或化学液蚀刻方法将铁镍合金带或铜带冲裁出或蚀刻出打弯形状的引线外形；

5)采用两个不同的打弯模具分别对上引线和下线线进行打弯，使上引线和下引线打弯成“Z”字形，上引线和下引线分别向上、下两个方向弯曲使两个打弯方向相反，其弯曲角度为85°～90°；

打弯后的引线采用挂镀的方式放入纯锡镀液或铅锡镀液中在其表面镀一层纯锡层或铅锡层，镀层的厚度在5um～30um。

本发明的优点在于：

本发明采取上引线和下引线打弯成“Z”字形，并通过组合方式连接起来，主要有以下特点：

（1）上、下引线通过打弯方向相反使多芯组瓷介电容器中的片式瓷介电容器芯片可以垂直并联极大地提高了瓷介电容器的容量体积比；

（2）多芯组瓷介电容器通过这种引线可以开发出高电压高容量的产品并且实现大批量生产，极大地提高了生产效率和经济效益；

（3）引线的结构简单，适合批量化生产，完全可以满足多芯组瓷介电容器对引线的需求。

Claims (10)

1.一种多芯组瓷介电容器的引线制备方法，多芯组瓷介电容器的引线制备包括引线外形制作、引线打弯及引线表面处理；所述的引线包括上引线和下引线，通过将上引线和下引线方向相反打弯，使得多芯组瓷介电容器中的片式瓷介电容器芯片能够垂直并联，以此提高瓷介电容器的容量体积比。

2.如权利要求1所述的多芯组瓷介电容器的引线制备方法，其特征在于：所述的引线外形制作是通过采用冲裁模具冲裁的方法或化学液蚀的方法将铁镍合金带或铜带制作出引线的外形，使其符合下一步工序所需的片状的坯料。

3.如权利要求1所述的多芯组瓷介电容器的引线制备方法，其特征在于：所述的引线打弯是采用打弯模具分别对上引线和下线线进行打弯，使上引线和下引线打弯成“Z”字形，上引线和下引线分别向上、下两个方向弯曲，使两个打弯方向相反。

4.如权利要求1所述的多芯组瓷介电容器的引线制备方法，其特征在于：所述的引线表面处理是在引线打弯以后对引线进行表面镀层处理。

5.如权利要求1所述的多芯组瓷介电容器的引线制备方法，其特征在于：所述的多芯组瓷介电容器的引线制备的具体工艺如下：

采用冲裁模具或化学液蚀刻方法将铁镍合金带或铜带冲裁出或蚀刻出打弯形状的引线外形；

采用两个不同的打弯模具分别对上引线和下线线进行打弯，使上引线和下引线打弯成“Z”字形，上引线和下引线分别向上、下两个方向弯曲使两个打弯方向相反，其弯曲角度为85°～90°；

打弯后的引线采用挂镀的方式放入纯锡镀液或铅锡镀液中在其表面镀一层纯锡层或铅锡层，镀层的厚度在5um～30um。

6.一种按照权利要求1所述方法制作的多芯组瓷介电容器的引线，包括上引线和下引线，所述的上引线和下引线都为片状结构的引线，上引线和下引线外形为“Z”字形，且上引线和下引线分别向上、下两个方向弯曲，使两半引线的弯折方向相反。

7.如权利要求6所述的多芯组瓷介电容器的引线，其特征在于：所述的上引线和下引线分别向上或下两个方向弯曲，每一次弯曲的角度为85°～90°。

8.如权利要求6所述的多芯组瓷介电容器的引线，其特征在于：所述的上引线和下引线表面分别镀有金属镀层；所述的镀层为纯锡层或铅锡层，镀层的厚度在5um～30um。

9.如权利要求6所述的多芯组瓷介电容器的引线，其特征在于：所述的下引线包括下引线引出部分、下引线连接部分和下引线打弯部分；上引线包括上引线引出部分、上引线连接部分和上引线打弯部分；下引线打弯部分的宽度大于引出部分的宽度和连接部分的宽度。

10.如权利要求6所述的多芯组瓷介电容器的引线，其特征在于：所述的多组引线通过框架连接为一体，按照上下组配平行排列，外部通过框架连接起来。