CN105144851A - 具有贯通孔的绝缘基板 - Google Patents

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Abstract

提供排列有导体用贯通孔(2)的绝缘基板(1)。绝缘基板(1)的厚度为25~100μm,贯通孔(2)的直径为20μm~100μm。绝缘基板(1)具备有主体部分(5)和露出于所述贯通孔(2)的露出区域(4)。绝缘基板(1)由氧化铝烧结体构成。氧化铝烧结体的相对密度在99.5%以上,氧化铝烧结体的纯度在99.9%以上,构成主体部分(5)的氧化铝烧结体粒子(5a)的平均粒径为3~6μm,构成露出区域(4)中的氧化铝烧结体的氧化铝粒子呈板状,板状的氧化铝粒子(4a)的平均长度为8~25μm。

Description

具有贯通孔的绝缘基板
技术领域
[0001] 本发明设及具有许多贯通孔的陶瓷基板,其中在贯通孔内形成导通孔导体和贯通 孔导体。
背景技术
[0002] 作为用于安装SAW滤波器等电子设备的基板,使用的是在陶瓷等绝缘基板上设置 贯通孔、将导体埋入孔内而制为贯通电极的结构的基板(穿孔基板)。近年来,伴随着W手 机为代表的通信机器的小型化,所使用的电子设备也要求小型化、低高度化,对其构成要素 之穿孔基板,也同样要求薄板化。
[0003]另外,此种基板的贯通孔直径要求例如100ymW下的细径,此外还要求高密度、 大量形成。此外,对于操作基板的材质,为了控制配线间的泄漏电流,要求为高电阻。
[0004] 因此,穿孔基板在薄板化时也必须要有可W承受生产过程中的操作处理的强度。 另一方面,由于最终要通过切割而将穿孔基板单独成片,因此加工性也必须良好。
[0005] 由于穿孔基板的贯通电极通过蒸锻、瓣射等的薄膜工艺制作,因此为了避免凹凸 造成断路等,要求穿孔基板的表背面、贯通孔内部平滑。贯通孔通过烧成前的模具冲压、激 光加工、烧成后的激光加工、喷砂加工而形成(专利文献1~3)。
[0006] 作为穿孔基板的材料,由于氧化侣陶瓷的机械强度、耐热性、绝缘性等良好,因此 被广泛使用。此外,氧化侣陶瓷中,特别是高纯度的氧化侣陶瓷,其透光性、耐碱性、耐等离 子性也良好,因此被广泛使用于高亮度放电灯用的发光管、半导体制造装置的部件、仿真晶 圆等(专利文献4~7)。 现有技术文献 专利文献 【专利文献1】日本专利4012936 【专利文献2】日本专利特开2013-232546 【专利文献3】日本专利特开2014-57124 【专利文献4】日本专利特开2003-95730 【专利文献5】日本专利特开2001-199761 【专利文献6】日本专利特开2001-64075 【专利文献7】日本专利特开册6-157132
发明内容
[0008]将氧化侣陶瓷用作具有贯通孔的绝缘基板的材质、通过蒸锻、瓣射等薄膜工艺制 作贯通电极时,在贯通孔的内面存在因晶界引起的凹凸的话,容易造成断路。另一方面,氧 化侣陶瓷的粒径变大的话,由于晶界数减少,可W防止断路,但是绝缘基板整体的强度会下 降。因此,将绝缘基板薄板化时的操作变得困难,此外,绝缘基板在制作时,进行研削、研磨 工序、切割时,容易引起裂纹和碎片。
[0009] 专利文献2所述的绝缘基板中,例如将氧化侣陶瓷材料和玻璃材料混合、烧结而 制造绝缘基板,通过向该衬底基板照射激光,形成贯通孔。由此,在绝缘基板的面向贯通孔 的内壁面形成玻璃涂层,使内壁面平滑。但是,实际制作此种绝缘基板的话,由于面向贯通 孔的涂层的热膨胀系数与氧化侣陶瓷基材不同,因此在生产过程中W及安装后因热循环容 易使绝缘基板破损。
[0010] 本发明的课题是,具有导电部形成用贯通孔的绝缘基板中,可W防止研削、研磨、 切割等加工时出现碎片、裂纹,并且施加热循环时可W防止出现碎片、裂纹。
[0011] 本发明是一种排列有导体用贯通孔的绝缘基板,其特征在于, 绝缘基板的厚度为25~100ym,贯通孔的直径为20ym~100ym,绝缘基板具备有主 体部分和露出于贯通孔的露出区域,绝缘基板由氧化侣烧结体构成,氧化侣烧结体的相对 密度在99. 5%W上,氧化侣烧结体的纯度在99. 9%W上,主体部分中的氧化侣烧结体的平 均粒径为3~6ym,构成露出区域中的氧化侣烧结体的板状氧化侣粒子的平均长度为8~ 25Um〇
[0012] 本发明人研究了通过高纯度的氧化侣烧结体形成具有导体形成用贯通孔的绝缘基板。 此时,通过使氧化侣烧结体的氧化侣粒子微细化,即使绝缘基板变薄,也需要维持其强度较 高。但是,在此种绝缘基板上形成贯通孔的话,在贯通孔内壁面形成导电膜时容易产生断 路。
[0013] 因此,如专利文献2所述,也研究了通过在构成绝缘基板的陶瓷中混合玻璃成分、 使得玻璃成分析出在面向贯通孔的内壁面。由此,应该可W防止形成在贯通孔内壁面的导 体的断路。但是可知的是,此时,向绝缘基板施加热循环的话,容易产生裂纹、碎片。
[0014] 因此,本发明人在使得构成绝缘基板的氧化侣烧结体的粒子微细化的同时,尽可 能地高纯度化,防止了玻璃成分析出在面向贯通孔的内壁面。与此同时,沿着面向贯通孔的 内壁面,形成了由板状粒子构成的露出区域。结果发现,可W防止研削、研磨、切割等加工时 出现碎片、裂纹,并且施加热循环时也可W防止出现碎片、裂纹,从而完成了本发明。
附图说明
[001引【图l】(a)是显示形成有贯通孔2的绝缘基板1的模式平面图,化)是显示贯通孔 2的形状异常的模式图,(C)是显示形成有贯通孔2的绝缘基板1的模式截面图。 【图2】(a)是显示绝缘基板1的贯通孔及其周边的放大图,化)是贯通孔、露出区域W及主体部分的模式图。 【图3】显示平均粒径的计算例的模式图。 【图4】用于说明贯通孔周边的板状粒子的平均长度的计算方法的模式图。 【图5】与图4的模式图对应的显微镜照片。 【图6】显示绝缘基板的一例适宜的制造顺序的流程图。 【图7】显示绝缘基板的一例适宜的制造顺序的流程图。 【图8】显示热循环试验适用的溫度曲线。 【图9】绝缘基板1的贯通孔及其周边的放大照片。
具体实施方式
[0016]W下适当参照附图进一步详细说明本发明。 如图1(a)、(C)所示,绝缘基板1上设置有一侧主面Ia和另一侧主面化,形成有许多 贯通主面Ia和化间的贯通孔2。
[0017] 如图2所示,绝缘基板1具备有主体部分5和设置在露出于主体部分5的贯通孔 2部分上的露出区域4。露出区域4面向贯通孔2,露出区域4的表面构成内壁面3。主体 部分5和露出区域4由氧化侣烧结体构成,两者的陶瓷结构组织一体化。
[001引贯通孔内可W形成规定的导体。作为此种导体,可W例示有,将Ag、Au、化、Pd或 其混合物,或者它们中混合了少量玻璃成分而制成的浆料填充至孔内面后,W400~900°C 烧结固定的导体(导通孔导体);仅在孔的内面印刷导体并同样烧结的导体(贯通孔导体) 等,导体的形态并不特别限定于此。此外,基板的主面la、化上形成规定的配线和焊盘等。 此外,绝缘基板作为一体继电器盘。
[0019] 本发明的绝缘基板上排列有导体用贯通孔。在运里,绝缘基板的厚度T(参照图2) 为25~100ym。基于绝缘基板操作所必须的强度的观点,绝缘基板的厚度在25ymW上, 更优选50JimW上。
[0020] 绝缘基板上形成的贯通孔的直径W(参照图1、图2)在20ymW上。该贯通孔径, 基于容易成形的观点,更优选在25ymW上。此外,为了提升贯通孔的密度,贯通孔径W在 100JimW下,更优选80JimW下。
[0021] 邻接的贯通孔2的间隔D(最接近的贯通孔间的距离),基于抑制破损和裂纹的观 点,优选50ymW上,更优选100ymW上。此外,邻接的贯通孔2的间隔D,基于提升贯通孔 的密度的观点,优选1000ymW下,更优选500ymW下。
[0022] 基于确保绝缘基板操作时的强度的观点,构成绝缘基板的氧化侣烧结体的相对密 度在99. 5%W上,更优选99. 6%W上。并无特别上限,可W是100%。
[0023] 该相对密度可W从气孔率算出。 相对密度(% ) = 100(% )-气孔率(% ) 本发明中,如下决定气孔率。 良P,对操作基板的截面(垂直于接合面的截面)镜面研磨,热蚀刻而显示出结晶晶界 后,拍摄光学显微镜照片(200倍)。然后,在操作基板的厚度方向(垂直于接合面的方向) 设定0. 1mm、与接合面水平的方向设定1.Omm的层状视野。然后,对于各视野,算出大小 0. 5ymW上的气孔的总面积,从得到的气孔面积算出视野面积比,作为气孔率。
[0024] 本发明中,构成绝缘基板的主体部分5(参照图2)的氧化侣烧结体的粒子5a的 平均粒径为3~6ym。通过使该平均粒径在6ymW下,可W提升绝缘基板的强度,也可W 抑制后述的贯通孔的形状异常。基于该观点,主体部分的氧化侣烧结体的平均粒径更优选 5ymW下。此外,通过使平均粒径在3ymW上,可W防止电子设备安装后切割时产生碎片、 裂纹,也可W抑制砂轮的磨耗。基于该观点,更优选3. 5ymW上。
[002引在运里,主体部分5的结晶粒子5a的平均粒径如下测定。 (1)对烧结体的表面镜面研磨,热蚀刻而显示出晶界后,拍摄显微镜照片(100~200 倍),数出单位长度的直线横穿过的粒子数。对不同的3处进行此项操作。另外,单位长度 的范围是500Jim~1000Jim。 (2) 取运3处粒子的平均个数。 (3) 通过下式算出平均粒径。
[计算式] D= (4/JT)X化/n) 扣:平均粒径,L:直线的单位长度,n:3处的平均粒子个数]
[0026]平均粒径的计算例如图3所示。不同的3处位置中,单位长度(例如500ym)的 直线横穿过的粒子个数分别为22、23、19时,平均粒径D通过上述计算式为: D= (4/JT)X[500/ {(2化23+19) /3} ] = 29. 9ym
[0027] 本发明中,构成绝缘基板的贯通孔的露出区域4 (参照图2)的氧化侣烧结体的粒 子4的平均长度为8~25ym。通过使该平均长度在8ymW上,可W防止导电膜断路和电 阻值上升。基于该观点,构成绝缘基板的贯通孔的露出区域4(参照图2)的烧结体的平均 长度更优选IOymW上。
[002引此外,通过使构成绝缘基板的贯通孔的露出区域4的烧结体的平均长度在25ym W下,可W防止施加热循环时产生裂纹。基于该观点,构成绝缘基板的贯通孔的露出区域4 的烧结体的平均长度更优选15ymW下。
[0029] 在运里,露出区域4的板状粒子4a的平均长度如下测定。 图4是用于说明粒子的平均长度的计算方法的模式图,与图2(a)对应。但是,图4中, 绝缘基板是横向的。图5是与图4对应的照片。
[0030] 将绝缘基板在贯通孔部切断,从切割面拍摄孔内面的显微镜照片(200倍),测定 单位长度的直线S横穿过的粒子的长度。对不同的3处进行此项操作,W3根直线横穿过 的粒子的长度平均值为平均长度。
[0031]例如图4的例中,W粒子1~10的长度的平均值为平均长度。 在运里,所述直线S与贯通孔的中屯、轴C(图2 (a))平行,从绝缘基板的表面贯通至背 面。然后,所述的"单位长度"与基板的厚度T相等。
[0032]结晶4a至少存在一层即可,绝缘基板的露出区域4的板状粒子的厚度A具体的是 至少在0. 5JimW上,优选为1~3Jim。 此外,板状粒子4的纵横比优选在2. 5W上,更优选10W上。但是,板状粒子4的纵横 比指的是所述平均长度/厚度A。
[0033] 本发明中,构成绝缘基板的氧化侣烧结体的氧化侣纯度在99. 9% W上。由此,可W 防止玻璃成分析出在面向贯通孔的露出区域上。
[0034] 氧化侣烧结体的氧化侣纯度,通过将粉碎为粉末状的试料用硫酸进行加压酸分解 而溶解、对该溶解液通过ICP发光分光分析法分析而决定。
[0035] 适宜的实施方式中,构成绝缘基板的氧化侣烧结体中,作为烧结助剂,添加有氧化 错200~800质量ppm、氧化儀150~300质量ppmW及氧化锭10~30质量ppm。通过 此种构成,可W在确保上述的纯度、气孔率、相对密度的同时,抑制生成粗大的气泡,可W防 止后述的贯通孔的形状异常,而且可W使氧化侣烧结体的绝缘击穿电压非常高,在50kV/mm W上,因此即使形成微细的贯通孔,也难W产生绝缘破坏。蓝宝石的绝缘击穿电压为47kV/ mm,通常的氧化侣烧结体的绝缘击穿电压为12kV/mm。另外,本氧化侣烧结体的介电损耗角 正切与蓝宝石同等,大大低于通常的氧化侣烧结体的介电损耗角正切,例如在十分之一左 右。
[0036] 本实施方式中,构成绝缘基板的氧化侣烧结体中的氧化错的添加量更优选在300 质量ppmW上,此外,更优选在600质量ppmW下。此外,构成绝缘基板的氧化侣烧结体中 的氧化儀的添加量更优选200质量ppmW上,此外,更优选280质量ppmW下。此外,构成 绝缘基板的氧化侣烧结体中的氧化锭的添加量更优选12质量ppmW上,此外,更优选20质 量卵mW下。
[0037] 氧化侣基板上形成有许多贯通孔时,有时贯通孔的形状会产生异常。例如,如图 1(b)所示,此种贯通孔2向着一侧膨胀,形成了膨胀部3。
[0038] 对于此种膨胀部3的形态W及大小的研究结果是,残留在致密氧化侣烧结体中的 粗大气孔所造成的空隙与比较微细的贯通孔2连接成为一体。此种空隙起因于直径10ym W上的粗大气孔。
[0039] 本发明人基于此种认知,进一步研究了致密质氧化侣烧结体的材质。该基板上形 成有许多贯通电极,为了实现高电阻,采用高纯度的氧化侣烧结体较为理想。但是,与此同 时,通过控制构成绝缘基板主体部分的烧结体的平均粒径为3~6ym、相对密度在99. 5% W上,可W抑制直径10ymW上的粗大气孔、防止贯通孔的形状异常。
[0040] 在绝缘基板上形成贯通孔的方法并无特别限定。例如,可W在绝缘基板的生片上 通过针或激光加工形成贯通孔。或者,可W在制造由氧化侣烧结体构成的空白基板后,对空 白基板通过激光加工而形成贯通孔。
[0041] 图6、图7分别是适合制造本发明的绝缘基板的例示的顺序流程图。
[0042] 首先,制作氧化侣成形体用的浆料。 优选对于纯度99. 9%W上(更优选99. 95%W上)的高纯度氧化侣粉末,添加上述的 烧结助剂的粉末。作为此种高纯度氧化侣粉末,可例示有大明化学工业株式会社制造的高 纯度氧化侣粉体。
[0043] 多晶陶瓷烧结体的成形方法并无特别限定,可W是刮刀法、挤出法、凝胶注模法等 任意的方法。特别优选使用W下的刮刀法制造基板。
[0044] (1)将陶瓷粉体与成为结合剂的聚乙締醇缩下醒树脂(PVB树脂)或丙締酸树脂与 增塑剂、分散剂共同分散在分散介质中,调制浆料,用刮刀法成形为带状后,令分散介质干 燥,使浆料固化。
[0045] (2)当1片无法满足期望厚度时,将薄的带片多片层叠,通过加压层叠或CIP层叠, 得到期望厚度的基板形状的成形体。
[0046] 在运里,图6的例中,在成形体的阶段,通过冲压或激光加工,在成形体上成形许 多贯通孔,在孔的内面涂布氧化侣粒子分散于有机溶剂的浆料。此时,浆料所含的陶瓷成分 仅为氧化侣粒子,不添加上述的烧结助剂。由此,孔的内面附近的烧结助剂浓度下降,可W 促进晶粒生长,使得孔的露出区域的粒子变大。作为浆料的涂布方法,可W通过丝网印刷法 所进行的通孔印刷、浸溃法、喷涂法等。图7的例中,无需在成形体上形成贯通孔。
[0047] 接着,优选将成形体在大气中进行预烧,接着在氨中进行正式烧。正式烧时的烧结溫 度,基于烧结体致密化的观点,优选1500~1900°C,更优选1550~1750°C。
[0048] 此外,上述烧成时,更优选在钢等高烙点金属构成的平坦的板上放置基板,在上面 再放置钢等的板,将基板在上下相夹的形式下进行。由此,可W抑制烧结助剂的排出,抑制 晶粒生长。
[0049] 此外,在烧成时生成充分致密的烧结体后,可W再追加实施退火处理,由此修正翅 曲。该退火溫度,基于防止变形或产生异常晶粒生长的同时促进烧结助剂排出的观点,优选 在烧成时的最高溫度±100°CW内,更优选最高溫度在1900°CW下。此外,退火时间优选为 1~6小时。退火时,通过在对应的基板贯通孔处放置开孔的钢等的板,使得贯通孔内部容 易流通氨气,由此可W促进贯通孔的露出区域的晶粒生长。
[0050] 对如此得到的空白基板进行粗研磨加工。接着,图4的例中,由于贯通孔已经完成 成形,基于减小主面Ra的目的,可W进行精密研磨加工。作为此种精密研磨加工,一般是 CMP烟iemicalMechanical化Iishing)加工。作为其中使用的研磨浆料,使用的是碱性或 中性溶液中分散了 30nm~200nm粒径的磨粒的浆料。作为磨粒材质,可例示有,二氧化娃、 氧化侣、金刚石、氧化错、氧化姉,将它们单独或组合使用。此外,抛光垫可例示有,硬质聚氨 醋抛光垫、无纺布抛光垫、皮革抛光垫。
[0051] 此外,也可W在实施最终的精密研磨加工前、粗研磨加工实施后进行退火处理。退 火处理的气氛气体可例示有,大气、氨、氮、氣、真空。优选退火溫度为1200~1600°C,退火 时间为2~12小时。由此,可W无损表面的平滑而促进烧结助剂的排出。
[005引图7的例中,没有在成形体上形成贯通孔,对烧结后的空白基板进行粗研磨后,通 过激光加工,在空白基板上形成贯通孔。激光加工优选如下进行。
[0053] 通过向基板表面照射短脉冲化的激光,形成贯通孔。使用的脉冲宽度一般在毫秒 (l/le-3秒)W下。此外,作为激光源,使用气体(CO。或固体(YAG)。激光装置内配置有 转印用的掩模,通过向基板表面导入激光,可W得到目标的孔形状。孔径W及孔的形状可W 通过掩模直径、激光功率、脉冲宽度、发射数调整。其中,一般通过掩模直径、激光功率、脉冲 宽度调整孔径,将贯通基板的最小必需数设定为发射数,但也可W通过在基板贯通后重复 发射而控制露出区域的粒径。 【实施例】
[0054] (实施例1) 参照图7,根据说明的顺序,制作本发明的绝缘基板。 具体的,调制W下成分混合的浆料。 (原料粉末) •比表面积3. 5~4. 5m7g,平均一次粒径0. 35~0. 45ym的a-氧化侣粉末(氧化 侣纯度99. 99%) 100质量份 • MgO(氧化儀) 250pppm •Zr〇2(氧化错) 400卵m •Y203 (氧化锭) 15卵111 (分散介质) •2-乙基己醇 45质量份 (粘合剂) • PVB树脂 4质量份 (分散剂) •高分子表面活性剂 3质量份 (增塑剂) •DOP 0. 1质量份
[00巧]使用刮刀法,将该浆料成形为带状,烧成后的厚度为0. 25mm,切断4边,使得烧成 后的大小为IOOmmXlOOmm的正方形。将得到的粉末成形体在大气中W1240°C预烧(预烧 成)后,将基板放置在钢制的板上,在氨3 :氮1的气氛中,1300°C至1550°C的升溫速度为 50°CA,在1550°C下保持2. 5小时,进行烧成,得到空白基板。
[0056] 通过将该空白基板进行W下条件的激光加工,形成W下尺寸的贯通孔。 C〇2激光:波长 10. 6ym 脉冲:1000Hz-Ontime5]is激光掩模直径:0. 9mm 发射次数: 40次 贯通孔W: 0. 05mm 贯通孔的间隔D: 0. 12mm
[0057] 接着,在大气中进行1300°C、5小时退火处理,按顺序进行磨床研削、金刚石磨粒 研磨、CMP液态研磨。
[0058] 具体的,在通过磨床进行研削后,通过GC研磨砂进行双面研磨加工调整出形状 后,接着通过金刚石研磨浆实施双面研磨加工。金刚石的粒径为3ym。最后通过Si〇2磨粒 和金刚石磨粒进行CMP加工,实施洗净,得到绝缘基板1。
[0059] 确认得到的绝缘基板的各部位的粒径,面向贯通孔的露出区域4中,形成了覆盖孔内 面的板状结晶4a。W下是得到的基板1的特性。 露出区域4上的平均长度:IOym主体部分中的平均粒径: 3. 5ym 绝缘击穿电压:测定平均 75kV/mm 绝缘基板1的厚度: SOym 贯通孔2的直径W: 40iim 绝缘基板的氧化侣纯度: 99. 9% 相对密度: 99.6% 气孔率: 0.4% 电阻率: 10E14Q •cm 贯通孔的间隔D: 200ym 贯通孔的个数: 2500个/cm2 直径10ymW上的气孔的密度:0. 0%
[0060] 对于得到的绝缘基板的贯通孔,确认有无异常时,没有发现形状异常或裂纹、破 损。 此外,将得到的基板在贯通孔部分切断,通过SEM观察其周围的粒子状态(图9),发现 贯通孔内壁的板状粒子的厚度根据位置而有差异,但在0. 5~5ym的范围内。此外,贯通 孔内壁的板状粒子的纵横比为2. 5~20。 接着,在得到的基板的表背面W及贯通孔内面通过蒸锻形成金属膜后,通过切割制成 边长2mmX2mm大小的单片。然后,评价有无金属膜断路、有无切割引起的裂纹、碎片W及有 无热冲击试验后的贯通孔部裂纹、碎片,结果如表1所示。其中,对10个样品分别进行试验。 [0061](切割条件) 砂轮转速=SOOOO^m砂轮的进给速度=80mm/sec 砂轮粒度=SD325 (树脂粘合) 砂轮宽度=0. 15mm(热冲击试验条件) 溫度曲线如图8所示。 升溫速度=40°C/min(RT~最高溫度) 最高溫度=350°CXO. 5分 降溫速度=-30°C/min(最高溫度~100°C) :100°CW后自然冷却[006引(实施例2~W 通过与实施例1同样的方法进行实验。但是,调整烧成溫度、激光加工条件、退火条件、 贯通孔的激光加工条件,制作表1所示的各种粒径的基板,进行与实施例1同样的评价。得 到的评价结果如表1所示。贯通孔内壁的板状粒子的厚度均在0.5~Sym的范围。此外, 贯通孔内壁的板状粒子的纵横比为2. 5~20。
[006引(比较例1) 通过与实施例1同样的方法制作。但是,作为氧化侣原料粉末,使用了纯度96%的氧化 侣原料。 对得到的基板进行与实施例1同样的评价,评价结果如表2所示。
[0064](比较例2~10) 通过与实施例1同样的方法进行实验。但是,调整烧成溫度、激光加工条件、退火条件、 贯通孔的激光加工条件,制作表1所示的各种粒径的基板,进行与实施例1同样的评价。得 到的评价结果如表2、表3所示。
[006引【表1】
Figure CN105144851AD00111
Figure CN105144851AD00121
xo: 's© O' 一
[0067]【表3】
Figure CN105144851AD00131
[0068] 实施例中,没有发现断路不良、切割后的裂纹和碎片、热冲击试验后的裂纹和碎 片,或者非常少。此外,也没有发现贯通孔形状异常。
[0069] 比较例1中,绝缘基板的面向贯通孔的露出区域有玻璃成分析出。其结果是防止 了断路不良,但切割后的裂纹和碎片、热冲击试验后的裂纹和碎片很多。
[0070] 比较例2中,露出区域中的板状粒子的平均长度为6ym,较小,但有断路不良、切 割后的裂纹多。 比较例3中,露出区域中的板状粒子的平均长度为30ym,主体部分中的平均粒径为 8ym,切割后的裂纹、热循环后的裂纹多。 比较例4中,主体部分中的平均粒径为15ym,切割后的裂纹和碎片W及热冲击试验后 的裂纹和碎片都较多。 比较例5中,露出区域中的平均长度为30ym,热冲击试验后裂纹多。 比较例6中,露出区域中的板状粒子的平均长度为35ym,主体部分中的平均粒径为 2ym,切割后的裂纹多。 比较例7中,氧化侣纯度为98%,主体部分中的平均粒径为1ym,切割后裂纹多。
[0071] 比较例8中,露出区域中的板状粒子的平均长度为15ym,主体部分中的平均粒径 为8ym,切割后的裂纹、热循环后的裂纹多。 比较例9中,露出区域中的板状粒子的平均长度为15ym,主体部分中的平均粒径为 1ym,切剖后的裂纹多。 比较例10中,露出区域中的板状粒子的平均长度为6ym,主体部分中的平均粒径为 5ym,断路不良多。

Claims (5)

1. 一种具有贯通孔的绝缘基板,是排列有导体用贯通孔的绝缘基板, 其特征在于,所述绝缘基板的厚度为25~100ym,所述贯通孔的直径为20ixm~IOOym,所述绝缘基板具有主体部分和露出于所述贯通孔的露出区域,所述绝缘基板由氧 化铝烧结体构成,所述氧化铝烧结体的相对密度在99. 5 %以上,所述氧化铝烧结体的纯度 在99. 9 %以上,所述主体部分中的所述氧化铝烧结体的平均粒径为3~6ym,构成所述露 出区域中的所述氧化铝烧结体的氧化铝粒子呈板状,板状的所述氧化铝粒子的平均长度为 8 ~25um〇
2. 根据权利要求1所述的绝缘基板,其特征在于,所述贯通孔由激光加工形成。
3. 根据权利要求1所述的绝缘基板,其特征在于,在所述氧化铝烧结体成形时,所述贯 通孔成形。
4. 根据权利要求1~3任意一项所述的绝缘基板,其特征在于,所述氧化铝烧结体中 添加有作为烧结助剂的氧化锆200~800质量ppm、氧化镁150~300质量ppm以及氧化钇 10~30质量ppmD
5. 根据权利要求1~4任意一项所述的绝缘基板,其特征在于,所述氧化铝烧结体的绝 缘击穿电压在50kV/mm以上D
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10200958A1 (de) * 2002-01-12 2003-07-24 Rieter Ingolstadt Spinnerei Adaptereinrichtung zwischen einem Motor und einer Textilmaschine
EP3113586B1 (en) * 2014-02-26 2018-11-28 NGK Insulators, Ltd. Insulating substrate having through-holes
JP6831832B2 (ja) * 2016-03-11 2021-02-17 日本碍子株式会社 接続基板

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02205094A (en) * 1989-02-03 1990-08-14 Mitsubishi Mining & Cement Co Ltd Film circuit board for micro wave
EP0431524A1 (en) * 1989-12-04 1991-06-12 Japan Gore-Tex, Inc. A ceramic substrate material coated with an amorphous fluorine resin
JP2000223810A (ja) * 1999-02-01 2000-08-11 Kyocera Corp セラミックス基板およびその製造方法
CN1420904A (zh) * 1999-07-02 2003-05-28 霍尔技术有限公司 粉末填充物和聚合物粘合剂的复合材料及其制备方法
CN1805141A (zh) * 2004-11-10 2006-07-19 国际商业机器公司 电子器件接线方法和结构
JP2008244057A (ja) * 2007-03-27 2008-10-09 Tdk Corp 多層セラミックス基板の製造方法
CN101516165A (zh) * 2008-02-22 2009-08-26 Tdk株式会社 印刷配线板及其制造方法

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0412936B2 (zh) 1983-04-28 1992-03-06 Nitta Gelatin Kk
JPS62260766A (en) * 1986-05-08 1987-11-13 Toray Industries Alumina sintered body
JP2555285B2 (ja) 1987-06-20 1996-11-20 株式会社アテックス 穀粒コンテナの穀粒搬出装置
JPH0565494B2 (zh) 1988-02-03 1993-09-17 Chiyoda Chem Eng Construct Co
JPH0567026A (ja) 1991-09-10 1993-03-19 Shikoku Nippon Denki Software Kk 周辺装置制御装置
JPH0567026U (ja) 1992-02-06 1993-09-03 株式会社三協精機製作所 基板の貫通電極
JP3093897B2 (ja) 1992-11-13 2000-10-03 東芝セラミックス株式会社 高純度アルミナセラミックス及びその製造方法
GB9526343D0 (en) * 1995-12-22 1996-02-21 Cohen A N Improved sintered material
JP3411143B2 (ja) * 1995-12-28 2003-05-26 京セラ株式会社 メタライズ組成物及びそれを用いた配線基板
EP1065190A3 (en) * 1999-06-29 2001-05-16 Hitachi Metals, Ltd. Alumina ceramic composition
JP2001064075A (ja) 1999-08-30 2001-03-13 Sumitomo Chem Co Ltd 透光性アルミナ焼結体およびその製造方法
JP3924406B2 (ja) * 1999-09-30 2007-06-06 京セラ株式会社 アルミナ質焼結体及びその製造方法、並びに配線基板及びその製造方法
JP3898400B2 (ja) * 1999-11-26 2007-03-28 京セラ株式会社 配線基板およびその製造方法
JP2001199761A (ja) 2000-01-13 2001-07-24 Konoshima Chemical Co Ltd 高純度アルミナセラミックス及びその製造方法
US6759740B2 (en) * 2001-03-30 2004-07-06 Kyocera Corporation Composite ceramic board, method of producing the same, optical/electronic-mounted circuit substrate using said board, and mounted board equipped with said circuit substrate
JP2003095730A (ja) 2001-09-18 2003-04-03 Toshiba Ceramics Co Ltd 高純度アルミナセラミックスおよびその製造方法
JP4012936B2 (ja) 2004-08-06 2007-11-28 株式会社アライドマテリアル 集合基板
JP4559936B2 (ja) * 2004-10-21 2010-10-13 アルプス電気株式会社 無電解めっき方法およびこの方法を用いた回路形成方法
WO2007058361A1 (ja) * 2005-11-21 2007-05-24 Nippon Carbide Industries Co., Inc. 光反射用材料、発光素子収納用パッケージ、発光装置及び発光素子収納用パッケージの製造方法
JP5086690B2 (ja) 2007-05-18 2012-11-28 日本特殊陶業株式会社 セラミック基板の製造方法
JP5230992B2 (ja) 2007-10-25 2013-07-10 新光電気工業株式会社 貫通電極付き基板の製造方法
US20090308646A1 (en) * 2008-06-12 2009-12-17 Seiko Epson Corporation Conductor pattern forming ink, conductor pattern, and wiring substrate
WO2010023733A1 (ja) 2008-08-27 2010-03-04 セイコーインスツル株式会社 圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計並びに圧電振動子の製造方法
JP5017298B2 (ja) * 2009-03-11 2012-09-05 株式会社デンソー アルミナ質焼結体とその製造方法及びこれを用いた点火プラグ
US8829355B2 (en) 2009-03-27 2014-09-09 Ibiden Co., Ltd. Multilayer printed wiring board
GB201005457D0 (en) * 2010-03-31 2010-05-19 Isis Innovation Ceramic materials
JP5693940B2 (ja) * 2010-12-13 2015-04-01 株式会社トクヤマ セラミックスビア基板、メタライズドセラミックスビア基板、これらの製造方法
WO2013161133A1 (ja) * 2012-04-27 2013-10-31 パナソニック株式会社 セラミック基板複合体およびセラミック基板複合体の製造方法
JP6003194B2 (ja) 2012-04-27 2016-10-05 セイコーエプソン株式会社 ベース基板、電子デバイスおよびベース基板の製造方法
JP6026829B2 (ja) 2012-09-11 2016-11-16 スカイワークスフィルターソリューションズジャパン株式会社 弾性表面波デバイス
JP3183661U (ja) * 2013-03-13 2013-05-30 西村陶業株式会社 端子固定構造およびledモジュール
EP3113586B1 (en) 2014-02-26 2018-11-28 NGK Insulators, Ltd. Insulating substrate having through-holes

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02205094A (en) * 1989-02-03 1990-08-14 Mitsubishi Mining & Cement Co Ltd Film circuit board for micro wave
EP0431524A1 (en) * 1989-12-04 1991-06-12 Japan Gore-Tex, Inc. A ceramic substrate material coated with an amorphous fluorine resin
JP2000223810A (ja) * 1999-02-01 2000-08-11 Kyocera Corp セラミックス基板およびその製造方法
CN1420904A (zh) * 1999-07-02 2003-05-28 霍尔技术有限公司 粉末填充物和聚合物粘合剂的复合材料及其制备方法
CN1805141A (zh) * 2004-11-10 2006-07-19 国际商业机器公司 电子器件接线方法和结构
JP2008244057A (ja) * 2007-03-27 2008-10-09 Tdk Corp 多層セラミックス基板の製造方法
CN101516165A (zh) * 2008-02-22 2009-08-26 Tdk株式会社 印刷配线板及其制造方法

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