CN104951114A - 一种导电连接结构及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及平板显示技术领域，尤其涉及一种导电连接结构。其至少包括一第一功能层和第二功能层，所述第一功能层形成于一基板或衬底上，所述第二功能层形成于所述第一功能层上，所述第一功能层至少由具有良好结合性能的材料构成，所述第二功能层至少由具有良好导电性能的材料制成，且所述第二功能层的厚度至少大于所述第一功能层的厚度。

Description

一种导电连接结构及其制作方法

技术领域

本发明涉及平板显示技术领域，尤其涉及一种导电连接结构及其制作方法。

背景技术

触控面板可分为可视区域和非可视区域，可视区域至少包括一触控电极层，其用于实现触控功能；非可视部分包括一遮挡层和导电引线层，其中的导电引线作为触控电极层中的触控电极与触控芯片之间的连接线，其用于传输触控信号，以实现用户的触控操作。

目前的导电引线一般由金属材料制作，最常见的是以丝印银浆的方式形成，以减小通道阻抗。再例如，专利号为201310298159.1，名称为“触摸屏边框的制作方法”的专利公开了一种溅射钼铝钼材料制作金属引线的方法。然而，无论是银浆还是钼铝钼材料，其成本在整个终端产品例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑中占据比例较高，因此，无形中抬高了终端产品的价格，不符合市场化需求；另一方面，传统的钼铝钼材料形成的金属引线为了满足阻值和可靠性要求，其整体厚度更厚，必须为3000埃以上，因此，也延长了生产制程的工时，运营成本增加。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种制作成本低、阻值低、工艺过程简单且有利于轻薄化的导电连接结构。

此外，还有必要提供一种制作上述导电连接结构的制作方法。

本发明提供的所述导电连接结构，其至少包括一第一功能层和第二功能层，所述第一功能层用于形成于一基板或衬底上，所述第二功能层形成于所述第一功能层上，所述第一功能层至少由具有良好结合性能的导电材料构成，所述第二功能层至少由具有良好导电性能的材料制成，且所述第二功能层的厚度至少大于所述第一功能层的厚度。

本发明提供的所述导电连接结构中，所述第一功能层和第二功能层中均包含有同一种导电元素。

本发明提供的所述导电连接结构中，所述同一种导电元素为铜，所述第二功能层由金属铜制成，所述第一功能层由铜的复合金属氧化物制成。

本发明提供的所述导电连接结构中，所述导电连接结构还包括一第三功能层，所述第三功能层形成于所述第二功能层之上，所述第三功能层至少由具有保护性能的材料制成，且所述第三功能层完全覆盖所述第一功能层及第二功能层，所述第三功能层的膜厚范围为300-500埃。

本发明提供的所述导电连接结构中，所述第三功能层为铜合金构成，所述铜合金中至少包含一种耐腐蚀金属；所述第一功能层的膜厚范围为300-500埃，所述第二功能层的膜厚范围为800-1400埃。

本发明提供的所述导电连接结构中，所述铜合金或铜的复合金属氧化物中，还包括镍，且所述铜的比例为50%至95%，所述镍的比例为49%至4%。

一种导电引线制作方法，其至少包括如下步骤：

提供一具有一第一表面的基板或衬底，在所述第一表面基板或衬底上形成第一功能层，所述第一功能层至少由具有良好结合性能的导电材料制成；在所述第一功能层上形成一第二功能层，所述第二功能层至少由具有良好导电性能的材料制成，且第二功能层的厚度至少大于所述第一功能层的厚度。

本发明提供的导电引线制作方法过程中，所述第一功能层和第二功能层中均包含有同一种导电元素，所述同一导电元素为铜，所述第二功能层由金属铜制成，所述第一功能层由铜的复合金属氧化物制成。

本发明提供的导电引线制作方法过程中，所述步骤还包括，在所述第二功能层上形成一第三功能层，所述第三功能层至少由具有保护性能的材料制成，且所述第三功能层完全覆盖所述第一功能层及第二功能层，所述第三功能层的膜厚范围为300-500埃。

本发明提供的导电引线制作方法过程中，所述第三功能层为铜合金构成，所述铜合金至少包含一种或多种耐腐蚀金属；所述第一功能层的膜厚范围为300-500埃，所述第二功能层的膜厚范围为800-1400埃，所述铜合金或铜的复合金属氧化物中，还包括镍，且所述铜的比例为50%至95%，所述镍的比例列为49%至4%。

本发明提供的导电引线制作方法过程中，所述第一功能层、第二功能层和第三功能层均以金属铜为靶材经溅射方式形成，所述第一功能层的形成过程具体为，在溅射金属铜镍合金靶材时，同时通入氧气；所述第二功能层的形成过程具体为，在溅射金属铜靶材时保持真空环境；所述第三功能层的形成过程具体为，溅射至少掺杂有一种耐腐蚀金属的铜合金靶材，并保持真空环境。

本发明提供的所述导电连接结构中，所述导电连接结构中的第一功能层、第二功能层中均包含有同一种导电材料，其整体阻值相对较低；所述导电连接结构是以铜为主材料形成的铜膜系结构，因此，相对于银浆和钼铝钼材料，降低了生产成本；所述导电连接结构中还包括具有保护功能的第三功能层，所述第一功能、第二功能层和第三功能层的整体厚度为1400-2400埃，相对于整体厚度为3000埃以上的钼铝钼引线材料，更有利于触控面板的轻薄化需求。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：

图1为本发明提供的一较佳实施方式的导电连接结构的连接结构示意图；

图2为图1所示导电连接结构制作方法的制作流程图；

图3为图1所示导电连接结构制作方法的流程示意图。

具体实施方式

为说明本发明提供的导电连接结构及其制作方法，以下结合说明书附图及文字说明进行详细阐述。

请参考图1，其为本发明提供的一较佳实施方式的导电连接结构123的连接结构示意图，所述导电连接结构123用以将一触控电极层112连接至一处理器111以传输信号。所述导电连接结构123包括一第一功能层123a、第二功能层123b和第三功能层123c。在其他实施方式中，所述导电连接结构还可连接显示装置等。

所述第一功能层123a形成于一基板或衬底101的第一表面101a上，本实施方式中，所述第一表面101a为一平面，所述基板101为触控基板，所述基板101可由玻璃或者柔性材料制成。在其他实施方式，第一表面还可以为曲面或不规则的表面，所述基板还可以是阵列基板或者彩膜基板。本实施方式中，所述基板的第一表面101a还包括遮挡区域和功能区域（图中未示出），所述第一功能层123a形成于所述遮挡区域的第一表面101a上，所述第一功能层123a与所述基板之间还可以形成一油墨遮挡层（图中未示出）。

所述第一功能层123a至少由具有良好结合性能的材料构成。所述第一功能层123a由铜的复合金属氧化物构成，所述复合金属氧化物中至少还包含镍、钛、锰、银、铂等中的一种或多种。本实施方式中，所述第一功能层123a为氧化镍铜CuNiOx(0<x<1)，所述第一功能层123a的形成具体过程为：在溅射金属铜镍合金靶材时，通入氧气，如图2所示。所述第一功能层123a的膜厚范围为300-500埃，优选的，所述膜厚为400埃，所述本实施方式中的CuNiOx材料与玻璃基板、柔性基板或油墨层均有较好的附着性，可防止其在基板或油墨层上脱落。

所述第二功能层123b形成于所述第一功能层123a上，所述第二功能层至少由具有良好导电性能的材料制成，所述第二功能层123b的厚度大于或等于第一功能层123a的厚度。本实施方式中，所述第二功能层由铜材料制成。所述第二功能层123b的膜厚范围为800-1400埃，优选的，所述膜厚为1200埃，所述第二功能层123b在所述导电连接结构123中起到导电的作用。所述第二功能层123b的形成过程为：在溅射金属铜靶材时保持真空环境，且此过程中不掺杂任何其他材料，如图2所示。

所述第三功能层123c形成于所述第二功能层123b之上，所述第三功能层123c至少由具有保护性能的材料制成，本实施方式中，所述第三功能层123c为铜镍合金（CuNix，0<x<1），所述镍的比例为10%，在其他实施方式中，所述第三功能层123c还可由其他的铜合金构成，所述铜合金中至少包括钛、锰、银、铂等中的一种或多种耐腐蚀金属。所述铜的比例为50%至95%，所述镍的比例为49%-4%。所述第三功能层123c的膜厚范围为300-500埃，优选的，所述膜厚为400埃。所述第三功能层的形成过程具体为，溅射至少掺杂有一种耐腐蚀金属的铜合金靶材，并保持真空环境,如图2所示。所述第三功能层123c起到保护第二功能层123b的作用，防止其不被氧化或腐蚀。

如图3所示，为本实施方式的导电连接结构123制作方法流程示意图，所述方法至少包括如下步骤：

步骤S01：提供一基板或衬底，在所述基板或衬底上形成第一功能层。

所述第一功能层至少由具有良好结合性能的材料构成。所述第一功能层由铜的复合金属氧化物构成，所述复合金属氧化物中至少还包含镍、钛、锰、银、铂等中的一种。本实施方式中，所述第一功能层为CuNiOx，所述第一功能层的形成过程具体为：在溅射金属铜镍合金靶材时，同时通入氧气。所述第一功能层的膜厚范围为300-500埃，优选的，所述膜厚为400埃，所述本实施方式中的CuNiOx材料与玻璃基板、柔性基板或油墨层均有较好的附着性，可防止其在基板或油墨层上脱落。

步骤S02：在所述第一功能层上形成一第二功能层。

所述第二功能层至少由具有良好导电性能的材料制成，且第二功能层的厚度至少大于所述第一功能层的厚度。本实施方式中，所述第二功能层由铜材料制成。所述第二功能层在所述导电连接结构中起到导电的作用。所述第二功能层的形成过程为：在溅射金属铜靶材时保持真空环境。

步骤S03：在所述第二功能层上形成一第三功能层。

所述第三功能层123c至少由具有保护性能的材料制成，本实施方式中，所述第三功能层123c为铜镍合金（CuNix），所述铜的比例为50%至95%，所述镍的比例为49%至4%，在其他实施方式中，所述第三功能层123c还可由其他铜的复合金属材料构成，所述铜合金至少包括钛、锰、银、铂等中的一种或多种耐腐蚀金属，所述镍化铜中镍的比例范围为0-50%。所述第三功能层的形成过程为：在溅射金属铜靶材时至少掺杂49%-4%的镍材料，所述第三功能层123c起到保护第二功能层123b的作用，防止其不被氧化或腐蚀。

本实施方式中，所述导电连接结构中的第一功能层、第二功能层中均包含有同一种导电材料，，其整体阻值相对较低；所述导电连接结构是以铜为主材料形成的铜膜系结构，因此，相对于银浆和钼铝钼材料，降低了生产成本；所述导电连接结构中还包括具有保护功能的第三功能层，所述第一功能、第二功能层和第三功能层的整体厚度为1400-2400埃，相对于整体厚度为3000埃以上的钼铝钼引线材料，更有利于触控面板的轻薄化需求。

以上为本发明提供的导电连接结构及其制作方法的较佳实施方式，并不能理解为对本发明权利保护范围的限制，本领域的技术人员应该知晓，在不脱离本发明构思的前提下，还可做多种改进或替换，所有的该等改进或替换都应该在本发明的权利保护范围内，即本发明的权利保护范围应以权利要求为准。

Claims (11)

1.一种导电连接结构，其至少包括一第一功能层和第二功能层，所述第一功能层形成于一基板或衬底上，所述第二功能层形成于所述第一功能层上，所述第一功能层至少由具有良好结合性能的材料构成，所述第二功能层至少由具有良好导电性能的材料制成，且所述第二功能层的厚度至少大于所述第一功能层的厚度。

2.如权利要求1所述的导电连接结构，其特征在于：所述第一功能层和第二功能层中均包含有同一种导电元素。

3.如权利要求2所述的导电连接结构，其特征在于：所述同一种导电元素为铜，所述第二功能层由金属铜制成，所述第一功能层由铜的复合金属氧化物制成。

4.如权利要求3所述的导电连接结构，其特征在于：所述导电连接结构还包括一第三功能层，所述第三功能层形成于所述第二功能层之上，所述第三功能层至少由具有保护性能的材料制成，且所述第三功能层完全覆盖所述第一功能层及第二功能层，所述第三功能层的膜厚范围为300-500埃。

5.如权利要求4所述的导电连接结构，其特征在于：所述第三功能层为铜合金构成，所述铜合金中至少包含一种耐腐蚀金属；所述第一功能层的膜厚范围为300-500埃，所述第二功能层的膜厚范围为800-1400埃。

6.如权利要求5所述的导电连接结构，其特征在于：所述铜合金或铜的复合金属氧化物中，还包括镍，且所述铜的比例为50%至95%，所述镍的比例为49%至4%。

7.一种导电连接结构制作方法，至少包括如下步骤：

提供一基板或衬底，在所述基板或衬底上形成第一功能层，所述第一功能层至少由具有良好结合性能的导电材料制成；

在所述第一功能层上形成一第二功能层，所述第二功能层至少由具有良好导电性能的材料制成，且第二功能层的厚度至少大于所述第一功能层的厚度。

8.如权利要求7所述的导电连接结构制作方法，其特征在于：所述第一功能层和第二功能层中均包含有同一种导电元素，所述同一导电元素为铜，所述第二功能层由金属铜制成，所述第一功能层由铜的复合金属氧化物制成。

9.如权利要求8所述的导电连接结构制作方法，其特征在于：所述步骤还包括，在所述第二功能层上形成一第三功能层，所述第三功能层至少由具有保护性能的材料制成，且所述第三功能层完全覆盖所述第一功能层及第二功能层，所述第三功能层的膜厚范围为300-500埃。

10.如权利要求9所述的导电连接结构制作方法，其特征在于：所述第三功能层为铜合金构成，所述铜合金至少包含一种或多种耐腐蚀金属；所述第一功能层的膜厚范围为300-500埃，所述第二功能层的膜厚范围为800-1400埃，所述铜合金或铜的复合金属氧化物中，还包括镍，且所述铜的比例为50%至95%，所述镍的比例为49%至4%。

11.如权利要求10所述导电连接结构制作方法，其特征在于：所述第一功能层、第二功能层和第三功能层均以金属铜为靶材经溅射方式形成，所述第一功能层的形成过程具体为，在溅射金属铜镍合金靶材时，同时通入氧气；所述第二功能层的形成过程具体为，在溅射金属铜靶材时保持真空环境；所述第三功能层的形成过程具体为，溅射至少掺杂有一种耐腐蚀金属的铜合金靶材，并保持真空环境。