CN104947094B - 一种化学镀镍液及其在化学镀镍中的应用和一种线路板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种化学镀镍液以及该化学镀镍液在化学镀镍中的应用,本发明还涉及一种线路板。所述化学镀镍液含有次磷酸盐、镍盐、氮化铝纳米粒子、阴离子型表面活性剂、络合剂、缓冲剂和稳定剂,所述化学镀镍液的pH值为4‑5。所述线路板包括基板、附着在所述基板的至少一个表面的铜线路层和附着在所述铜线路层表面的镍层,其中,所述镍层中分散有氮化铝纳米粒子。本发明提供的线路板的散热能力强,可以应用于高功率LED、汽车大灯及高功率组件上。同时,本发明提供的线路板也具有良好的耐磨性能。采用本发明提供的化学镀镍液进行化学镀,在同等条件下能够获得更高的镀覆速度,并且形成的镀层对基板具有较高的附着力。

Description

一种化学镀镍液及其在化学镀镍中的应用和一种线路板
技术领域
本发明涉及一种化学镀镍液以及该化学镀镍液在化学镀镍中的应用,本发明还涉及一种线路板。
背景技术
化学镀镍,又称为无电解镀镍或自催化镀镍,是通过溶液中适当的还原剂使镍离子在金属表面靠自催化的还原作用而进行的镍沉积过程。在线路板中,通过在线路板的铜线路层与金层之间形成镍层,可以避免铜金之间的相互扩散引起的线路板可焊性差和使用寿命短的缺陷,同时,形成的镍层也提高了金属层的机械强度。
纳米材料具有小尺寸效应、表面效应、量子尺寸效应及宏观量子隧道效应等特点,在化学镀镍液中加入纳米粒子,已成为研究的热点。目前国内外对纳米复合化学镀镍工艺的研究,主要是在Ni-P镀液中添加无机纳米粒子,如Si、SiO2、SiC、Al2O3等,用来提高镀层的耐蚀性、耐磨性、抗高温氧化性和电催化性等,但是,这些复合镀镍液形成的线路板应用在大功率的LED板上时由于自身热导率低的原因无法承受高功率LED所散失出的热能,从而导致LED板寿命较短。因此其制成的线路板应用仅局限于低功率和一般功率的LED,而不具备向高功率LED延伸应用的可能。随着市场上越来越多的高功率LED应用出现,亟需开发出一种新的散热能力高的线路板。
发明内容
本发明的目的在于解决现有的线路板散热性能不佳的技术问题。
本发明的发明人在研究过程中意外发现:如果在化学镀镍液中添加氮化铝纳米粒子,采用该化学镀镍液在陶瓷基板表面形成镍层,最终形成的线路板具有良好的散热性能。在此基础上完成了本发明。
根据本发明的第一个方面,本发明提供了一种化学镀镍液,该化学镀镍液含有次磷酸盐、镍盐、氮化铝纳米粒子、阴离子型表面活性剂、络合剂、缓冲剂和稳定剂,所述化学镀镍液的pH值为4-5。
根据本发明的第二个方面,本发明提供了上述化学镀镍液在化学镀镍中的应用。
根据本发明的第三个方面,本发明提供了一种线路板,该线路板包括基板、附着在所述基板的至少一个表面上的铜线路层和附着在所述铜线路层上的镍层,其中,所述镍层中分散有氮化铝纳米粒子。
本发明提供的线路板的散热能力强,可以应用于高功率LED、汽车大灯及高功率组件。同时,本发明提供的线路板也具有良好的耐磨性能。
采用本发明提供的化学镀镍液进行化学镀,在同等条件下能够获得更高的镀覆速度,并且形成的镀层对基板具有较高的附着力。
本发明的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
具体实施方式
根据本发明的第一个方面,本发明提供了一种化学镀镍液,该化学镀镍液含有次磷酸盐、镍盐、氮化铝纳米粒子、阴离子型表面活性剂、络合剂、缓冲剂和稳定剂,该化学镀镍液的pH值为4-5。
根据本发明,所述化学镀镍液中氮化铝纳米粒子的含量可以根据预期的镍层厚度以及预期的散热性能进行选择。优选地,所述氮化铝纳米粒子的含量为0.1-2.5克/升。在所述氮化铝纳米粒子的含量处于上述范围之内时,不仅能够使得形成的镍层具有较高的热导率,从而使得最终形成的线路板具有较高的散热性能,而且形成的镍层还具有较高的耐磨损性能。更优选地,所述氮化铝纳米粒子的含量为0.5-2克/升。
所述氮化铝纳米粒子颗粒大小以能够形成致密的镍层为准。优选地,所述氮化铝纳米粒子的体积平均粒径D50为30-100nm,这样能够形成致密的镍层。更优选地,所述氮化铝纳米粒子的体积平均粒径D50为50-80nm。在所述氮化铝纳米粒子的体积平均粒径D50为50-80nm时,所述氮化铝纳米粒子具有较大的比表面积,一方面更容易分散在所述化学镀镍液中,另一方面在使得所述化学镀镍液形成一定厚度的镍层时可以含有较高含量的氮化铝纳米粒子,从而提高所述镍层的热导率。所述体积平均粒径D50可以采用马尔文激光粒度分析仪测定。
所述氮化铝纳米粒子可以通过本领域常规的方法获得。例如,可以用铝粉直接氮化法或氧化铝碳热还原法制得。所述氮化铝纳米粒子也可以商购得到,例如购自北京德科岛金科技有限公司,型号为DK331的产品;购自上海水田材料科技有限公司,型号为ST-N-001的产品;或购自南京埃普瑞纳米材料有限公司,型号为MH-ALN的产品。
根据本发明,所述阴离子型表面活性剂能够促进化学镀镍液中气体的逸出,并降低所述化学镀镍液形成的镀层的孔隙率。所述化学镀镍液中表面活性剂的用量以能够实现上述功能为准。优选地,所述阴离子型表面活性剂的含量为15-70毫克/升,这样能够形成更为致密的镍层。更优选地,所述阴离子型表面活性剂的含量为25-60毫克/升。
本发明的发明人在研究过程中发现,该化学镀镍液中,当所述氮化铝纳米粒子的含量为0.5-2克/升,所述阴离子型表面活性剂的含量为25-60毫克/升时,形成的镍层中氮化铝纳米粒子分散更为均匀,能够进一步避免由于热量集中在线路板中的部分位置而导致线路板的局部破坏。
所述阴离子型表面活性剂可以为常见的阴离子型表面活性剂。优选地,所述阴离子型表面活性剂为十二烷基磺酸钠、十二烷基硫酸钠、磺基琥珀酸单酯二钠和脂肪酸甲酯乙氧基化物磺酸盐(FMES)中的一种或两种以上。
所述磺基琥珀酸单酯二钠的结构如式(1)所示:
其中,R可以为C12-C18的饱和或不饱和的烃基,所述烃基可以为直链或支链的烃基;n可以为0-10中任意的整数。
所述磺基琥珀酸单酯二钠可以通过商购获得,例如,购自上海金山经纬化工有限公司的牌号为mes的产品。
所述脂肪酸甲酯乙氧基化物磺酸盐可以通过商购获得,例如,购自喜赫石化。
在本发明的一种优选实施方式中,所述阴离子型表面活性剂为十二烷基磺酸钠和十二烷基硫酸钠,且十二烷基磺酸钠和十二烷基硫酸钠的质量比为1:1-3,这样能够使得最终形成的线路板具有更好的散热性能。
根据本发明,在所述化学镀镍液中,所述次磷酸盐和所述镍盐的含量可以为本领域的常规含量。例如,所述次磷酸盐的含量可以为15-50克/升,所述镍盐的含量可以为12-45克/升。优选情况下,所述次磷酸盐的含量为20-45克/升,所述镍盐的含量为20-35克/升,这样可以使所述化学镀镍液具有更高的稳定性,并使所述化学镀镍液在形成镍层时能更多地俘获所述氮化铝纳米粒子。
本发明对所述镍盐和次磷酸盐的种类没有特别的限制,可以为常规选择。
具体地,所述镍盐可以为硫酸镍、氯化镍和醋酸镍中的一种或两种以上,优选为硫酸镍。
所述次磷酸盐可以为次磷酸钠和/或次磷酸钾。从降低所述化学镀镍液成本的角度出发,所述次磷酸盐优选为次磷酸钠。
根据本发明,所述化学镀镍液还含有稳定剂、缓冲剂和络合剂,以避免化学镀镍液的分解和沉淀。本发明对所述稳定剂、缓冲剂和络合剂的种类及其含量没有特别地限制。
所述稳定剂可以为硫代硫酸钠、硫代硫酸钾、硫脲和黄原酸酯中的至少一种。优选地,所述稳定剂为硫脲。所述稳定剂的含量可以为0.5-5毫克/升。
所述缓冲剂可以为醋酸钠、丁二酸钠和柠檬酸氢钠中的至少一种。优选地,所述缓冲剂为醋酸钠。所述缓冲剂的含量可以为5-20克/升。
所述络合剂可以为丁二酸、丁二酸钠、柠檬酸、柠檬酸钠、乳酸、苹果酸和甘氨酸中的至少一种,优选为柠檬酸钠。所述络合剂的含量可以为25-45克/升。
根据本发明,为了满足化学镀工艺的要求,所述化学镀镍液的pH为4-5。
根据本发明,所述化学镀镍液可以通过将含有所述氮化铝纳米粒子和所述阴离子型表面活性剂的水溶液与含有镍盐、次磷酸盐、稳定剂、缓冲剂和络合剂的水溶液混合后,从而制得化学镀镍液。以下实施例和对比例中,采用盐酸或碳酸钠调节所述化学镀镍液的pH为4-5。
含有氮化铝纳米粒子和阴离子型表面活性剂的水溶液可以通过在超声波振荡的条件下,将氮化铝纳米粒子分散在溶解有阴离子型表面活性剂的水中而得到。
根据本发明的第二个方面,本发明提供了一种上述化学镀镍液在化学镀镍中的应用。
本发明的化学镀镍液可以用于在各种需要通过化学镀的方法形成镍层的表面形成镍层。
例如,可以在化学镀镍条件下,将经活化的基板置于本发明提供的化学镀镍液中,从而在基板表面形成镍层。所述基板可以为金属基板、树脂基板或陶瓷基板。所述化学镀镍的条件以能够进行化学镀并在基板的表面上形成镍层为准,可以根据基板的种类进行选择,没有特别限定。
根据本发明的第三个方面,本发明提供了一种线路板,该线路板包括基板、附着在所述基板的至少一个表面上的铜线路层和附着在所述铜线路层的表面上的镍层,其中,所述镍层中分散有氮化铝纳米粒子。
根据本发明,从进一步提高所述线路板的导电性和引线结合力的角度出发,所述线路板还可以包括钯层和金层,所述钯层与所述镍层和所述金层相接。
根据本发明,所述镍层以及可选的钯层和金层的厚度可以根据线路板的具体应用场合进行选择。一般地,所述镍层的厚度可以为3-7μm。所述钯层的厚度可以为0.05-0.2μm。所述金层的厚度可以为0.05-0.2μm。各金属层的厚度可以采用X射线荧光光谱法测定。
本发明对所述线路板中的基板没有特别地限制,例如,可以为金属基板、树脂基板或陶瓷基板。从提高所述线路板热导率的角度出发,所述基板优选为陶瓷基板,所述陶瓷基板可以为氧化铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板。根据本发明的线路板,所述基板进一步优选为氮化铝陶瓷基板,这样能够获得散热性能更好的线路板,并且镍层对基板上铜线路层的附着力更高。
本发明中所述镍层中氮化铝纳米粒子的含量可以根据线路板对热导率的需求进行选择。优选情况下,所述镍层中氮化铝纳米粒子的含量使得所述线路板的热导率为150-185W/(m·K)。
至少一个表面附着有铜线路层的基板可以根据本领域常规的方法制得。一般地,在所述基板为陶瓷基板时,可以采用厚膜技术,即,利用印刷法将铜浆料涂布于基板表面,然后经热处理、铜浆烧结而获取铜线路层;或者使用薄膜技术,即,通过溅射、真空蒸镀等真空制膜成型,对陶瓷基板表面进行金属化,经光刻、蚀刻工序形成所述的铜线路层。所述基板上铜线路层获得的具体方法为本领域常规的选择,在此不再赘述。
所述线路板可以通过采用本发明提供的化学镀镍液对基板的铜线路层进行化学镀镍,并任选在形成的镍层表面先后镀覆钯层和金层而得到。可以通过调节化学镀镍液中氮化铝纳米粒子的含量来调节线路板的镍层中氮化铝纳米粒子的含量。一般地,可以将至少一个表面附着有铜线路层的基板置于温度为80-90℃(如83-86℃)的本发明的化学镀镍液中,从而在铜线路层的表面形成镍层。化学镀镍的时间可以根据预期的镍层的厚度进行选择,一般可以为20-40分钟。
在将基板置于本发明的化学镀镍液中进行化学镀镍之前,可以采用本领域常用的方法对基板表面的铜线路层进行活化。本发明对于铜线路层进行活化的方法没有特别限定,可以采用本领域的常规方法进行。
一般地,可以将至少一个表面附着有铜线路层的基板放入含有钯活化剂和酸的水溶液中,以将需要形成镀层的铜线路层活化。所述钯活化剂可以为氯化钯和/或硫酸钯,优选为氯化钯;所述酸优选为盐酸,进一步优选为浓度为37重量%的浓盐酸。
所述钯活化剂和酸的含量可以为常规选择。一般地,所述钯活化剂的含量可以为0.2-2.5g/L,浓度为37重量%的浓盐酸的含量可以为180-250mL/L。含有钯活化剂和酸的水溶液的pH值一般可以为3-5。进行活化时,含有钯活化剂和酸的水溶液的温度可以为25-35℃。含有钯活化剂和酸的水溶液对基板的处理时间一般可以为30-90秒。
在所述线路板还含有附着在镍层表面的钯层以及与钯层相接的金层时,可以在化学镀镍完成后,采用本领域常用的方法先后形成所述钯层和金层。
具体地,可以将化学镀镍得到的基板置于化学镀钯液中进行化学镀钯,以在所述镍层的表面上形成钯层。所述化学镀钯液可以含有钯盐、还原剂、络合剂和稳定剂。所述钯盐可以为氯化钯、溴化钯和硫酸钯中的一种或两种以上;所述还原剂可以为次磷酸钠、肼或二甲胺硼烷;所述络合剂可以为乙二胺四乙酸和/或乙二胺;所述稳定剂可以为氯化铵、硫代硫酸钠和硫代乙二醇酸中的一种或两种以上。
在所述化学钯镀液中,所述钯盐的含量可以为3-10g/L,所述还原剂的含量可以为0.5-15g/L,所述络合剂的含量可以为15-35g/L,所述稳定剂的含量可以为5-20mg/L。
所述化学镀钯的条件可以包括:pH值为7-8,温度为40-60℃(如45-55℃)。所述化学镀钯的处理时间可以为7-12min,优选为8-10min。
可以将化学镀钯得到的基板置于化学镀金液中,以在钯层表面进一步形成金层。所述化学镀金液可以含有金盐、还原剂和络合剂。所述金盐可以为氰化金钾或氯化亚金钾,所述还原剂可以为次磷酸钠、硼氢化钾、肼或二甲胺硼烷,所述络合剂可以为氰化钾、乙二胺四乙酸和乙醇胺中的一种或两种以上。
所述化学镀金液中,所述金盐的含量可以为2-7g/L,所述还原剂的含量可以为4-12g/L,所述络合剂的含量可以为3-8g/L。
所述化学镀金的条件可以包括:pH值为7-8,温度为80-85℃。所述化学镀金的处理时间可以为8-11min。
另外,在对基板上的铜线路层进行化学镀镍之前,可以采用本领域常用的方法对铜线路层进行清洗,一般可以采用常规方法对铜线路层依次进行脱脂和微蚀。所述脱脂和微蚀的方法可以为本领域的常规选择,本文不再详述。
在进行各步化学镀之后,可以采用常规方法对经化学镀的基板进行水洗。具体地,可以将各步处理后的线路板放入持续溢流的三级水洗槽中处理50-70s。
在化学镀完成之后,还可以包括将制备的线路板进行干燥。所述干燥的条件可以为常规选择。例如,可以先将线路板表面的水分吹干,然后放入80-100℃的烘箱中烘干。
下面将通过实施例来更详细地描述本发明。
以下实施例和对比例中,酸性脱脂剂购自深圳市成功科技有限公司,牌号为CG-1551;化学镀钯液和化学镀金液的成分及其含量由表1所示。
线路板的热导率测试:采用激光热导率测试仪(产自德国耐驰公司,LFA447型),测试温度为25℃。
镀镍速率的测试:镍层厚度与时间的比值即镀镍速率,其中,镍层厚度采用X射线荧光光谱法测量。
镀层附着力测试:把陶瓷基板上的化学镀镍层试样纵横切割成3mm正方形的各5块(棋盘格状),共计25小块,然后用胶带粘贴,再剥离胶带,记录在三次内能剥离掉的小块数量n,表示为n/25。
线路板的硬度测试:按ASTM B578-80提供的方法采用日本制造AKASHI显微硬度计,载荷200g,每个试片5个点,取平均值。测试之前将线路板于400℃下热处理1小时。
表1
实施例1-3
实施例1-3用于说明本发明提供的化学镀镍液及其制备方法。
将氮化铝纳米粒子(D50=50nm,购自南京埃普瑞纳米材料有限公司,型号为MH-ALN)加入到溶解有表面活性剂十二烷基磺酸钠和十二烷基硫酸钠(实施例1-3中,十二烷基磺酸钠和十二烷基硫酸钠的质量比分别为1:1、1:2和1:3)的水溶液中,于25℃超声分散1h,得到含有氮化铝纳米粒子的混合液;
将混合液加入到含有硫酸镍、次磷酸钠、柠檬酸钠、醋酸钠和硫脲的基础镍-磷镀液中,于85℃以600转/分钟搅拌30min,从而制得pH为5的化学镀镍液。化学镀镍液各成分的具体含量如表2所示。
实施例4
本实施例用于说明本发明提供的化学镀镍液及其制备方法。
采用与实施例1相同的方法制备化学镀镍液,所不同的是,氮化铝纳米粒子D50=70nm(购自上海超威纳米科技有限公司),从而制得化学镀镍液。
实施例5
本实施例用于说明本发明提供的化学镀镍液及其制备方法。
采用与实施例1相同的方法制备化学镀镍液,所不同的是,氮化铝纳米粒子D50=30nm(购自南京埃普瑞纳米材料有限公司,型号为DK331)。
实施例6
本实施例用于说明本发明提供的化学镀镍液及其制备方法。
将氮化铝纳米粒子(D50=50nm,购自南京埃普瑞纳米材料有限公司,型号为MH-ALN)加入到溶解有表面活性剂十二烷基磺酸钠和十二烷基硫酸钠(十二烷基磺酸钠和十二烷基硫酸钠的质量比为1:5)的水溶液中,于25℃超声分散1h,得到含有氮化铝纳米粒子的混合液;
将混合液加入到含有硫酸镍、次磷酸钠、柠檬酸钠、醋酸钠和硫脲的基础镍-磷镀液中,于80℃以600转/分钟搅拌30min,从而制得pH为5的化学镀镍液。化学镀镍液各成分的具体含量如表2所示。
实施例7
本实施例用于说明本发明提供的化学镀镍液及其制备方法。
采用与实施例1相同的方法制备化学镀镍液,所不同的是,用相等质量的磺基琥珀酸单酯二钠(购自上海金山经纬化工有限公司,牌号为mes)代替实施例1的表面活性剂,从而制得化学镀镍液。
实施例8
该实施例用于说明本发明提供的化学镀镍液及其制备方法。
根据实施例1所述的方法制备化学镀镍液,所不同的是,用相等质量的肪酸甲酯乙氧基化物磺酸盐(购自喜赫石化)代替实施例1的表面活性剂,从而制得化学镀镍液。
实施例9
该实施例用于说明本发明提供的化学镀镍液及其制备方法。
根据实施例1所述的方法制备化学镀镍液,所不同的是,用相等质量的十二烷基磺酸钠代替实施例1的表面活性剂,从而制得化学镀镍液。
对比例1
根据实施例1所述的方法制备化学镀镍液,所不同的是,不使用氮化铝纳米粒子和表面活性剂,从而制得化学镀镍液。
对比例2
根据实施例1所述的方法制备化学镀镍液,所不同的是,用相等质量且粒径相等的氧化铝纳米粒子(购自广州延瑞化工有限公司,牌号为NAl-2)代替氮化铝纳米粒子,从而制得化学镀镍液。
对比例3
根据实施例1所述的方法制备化学镀镍液,所不同的是,用相等质量的三乙醇胺代替实施例1中的表面活性剂,从而制得化学镀镍液。
表2
*:三乙醇胺的量
应用实施例1
该应用实施例用于说明本发明提供的线路板及其制备方法。
步骤1:将一个表面附着有铜线路层(厚度为50μm)的氮化铝陶瓷基板(76mm×12.5mm×0.5mm)放入100mL/L的酸性脱脂剂中进行脱脂,以45℃的温度处理6min。
步骤2:将脱脂后的基板依次放入有持续溢流的三级水洗槽中处理50s,以彻底清洗基板表面残留的前制程药水。
步骤3:将基板放入配有80mL/L的硫酸(浓度为98重量%)和130g/L的过硫酸钠的混合溶液中进行微蚀,控制混合溶液的pH为2-3,以室温处理20s,除去铜表面氧化形成的氧化铜,以获得新鲜的铜电路表面。
步骤4:将微蚀后的基板依次放入有持续溢流的三级水洗槽中处理60s,以彻底清洗板面残留的前制程药水。
步骤5:将基板放入120mL/L的盐酸溶液(浓度为37重量%)中进行酸化处理,处理时间为40s,活化微蚀后的基板表面。
步骤6:将活化微蚀后的基板依次放入有持续溢流的三级水洗槽中处理60s,以彻底清洗板面残留的前制程药水。
步骤7:将基板放入配有2g/L的氯化钯和180mL/L的盐酸(浓度为37重量%)混合溶液中,控制混合溶液的pH为4-5,在30℃的温度下处理40s,以引发镍金属的沉积。
步骤8:将基板依次放入有持续溢流的三级水洗槽中处理60s,以彻底清洗基板线路层之间残留的前制程药水。
步骤9:将基板放入实施例1所制得的化学镀镍液中,控制化学镀镍液的pH为4-5,在85℃的温度下处理20min,从而在基板的铜线路层表面沉积镍层。
步骤10:将沉积了镍层的基板依次放入有持续溢流的三级水洗槽中处理60s,以彻底清洗板面残留的前制程药水。
步骤11:将基板放入化学镀钯液中,控制化学镀钯液pH为7-8,在48℃的温度下处理10min,在镍层表面沉积钯层。
步骤12:将沉积了钯层的基板依次放入有持续溢流的三级水洗槽中处理60s,以彻底清洗板面残留的前制程药水。
步骤13:将基板放入化学镀金液中,控制化学镀金液的pH为7.5-8,在85℃的温度下处理10min,在钯层表面沉积金层。
步骤14:将沉积了金层的基板依次放入有持续溢流的三级水洗槽中处理60s,以彻底清洗板面残留的前制程药水。
步骤15:将基板放入80℃的烘箱中烘12min,除去基板上的水分。
从而制得应用实施例1的线路板,该线路板的性能如表3所示。
应用实施例2-10
该应用实施例用于说明本发明提供的线路板及其制备方法。
步骤1-步骤8:分别与应用实施例1的步骤1-步骤8相同。
步骤9:将基板分别放入实施例1-9制得的化学镀镍液中,控制化学镀镍液的pH为4-5,在85℃的温度下处理25min,从而在基板的铜电路表面沉积镍层。
步骤10:将基板依次放入有持续溢流的三级水洗槽中处理60s,以彻底清洗板面残留的前制程药水。
步骤11:将基板放入80℃的烘箱中烘12min,除去基板上的水分。
从而制得应用实施例2-10的线路板,线路板的性能如表3所示。
应用对比例1-3
采用与应用实施例2相同的方法制备线路板,所不同的是,分别采用对比例1-3制得的化学镍液对基板进行化学镀镍,从而制得线路板。线路板的性能如表3所示。
表3
*:钯层的厚度为0.13μm,金层的厚度为0.09μm。
从表3可以看出,本发明的线路板的散热能力强,可以应用于高功率LED、汽车大灯及高功率组件上。本发明的线路板的镍层与铜线路层之间具有较高的附着力。同时,本发明的线路板还具有较高的硬度,进而具有较好的耐磨损性能。
以上描述了本发明的优选实施方式,但是,本发明并不限于上述实施方式中的具体细节,在本发明的技术构思范围内,可以对本发明的技术方案进行多种简单变型,这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外需要说明的是,在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征,在不矛盾的情况下,可以通过任何合适的方式进行组合,为了避免不必要的重复,本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外,本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合,只要其不违背本发明的思想,其同样应当视为本发明所公开的内容。

Claims (10)

1.一种化学镀镍液,该化学镀镍液含有次磷酸盐、镍盐、氮化铝纳米粒子、阴离子型表面活性剂、络合剂、缓冲剂和稳定剂,所述化学镀镍液的pH值为4-5;该化学镀镍液中,所述氮化铝纳米粒子的含量为0.1-2.5克/升,所述阴离子型表面活性剂的含量为15-70毫克/升,所述次磷酸盐的含量为15-50克/升,所述镍盐的含量为12-45克/升,所述络合剂的含量为25-45克/升,所述缓冲剂的含量为5-20克/升,所述稳定剂的含量为0.5-5毫克/升。
2.根据权利要求1所述的化学镀镍液,其中,所述氮化铝纳米粒子的体积平均粒径D50为30-100nm。
3.根据权利要求1所述的化学镀镍液,其中,所述阴离子型表面活性剂为十二烷基磺酸钠、十二烷基硫酸钠、磺基琥珀酸单酯二钠和脂肪酸甲酯乙氧基化物磺酸盐中的一种或两种以上。
4.根据权利要求3所述的化学镀镍液,其中,所述阴离子型表面活性剂为十二烷基磺酸钠和十二烷基硫酸钠,且十二烷基磺酸钠和十二烷基硫酸钠的质量比为1:1-3。
5.权利要求1-4中任意一项所述的化学镀镍液在化学镀镍中的应用。
6.一种线路板,该线路板包括基板、附着在所述基板的至少一个表面上的铜线路层和附着在所述铜线路层的表面上的镍层,其特征在于,所述镍层中分散有氮化铝纳米粒子;所述镍层通过化学镀镍形成,形成所述镍层的化学镀镍液含有次磷酸盐、镍盐、氮化铝纳米粒子、阴离子型表面活性剂、络合剂、缓冲剂和稳定剂,所述化学镀镍液的pH值为4-5;所述化学镀镍液中,所述氮化铝纳米粒子的含量为0.1-2.5克/升,所述阴离子型表面活性剂的含量为15-70毫克/升,所述次磷酸盐的含量为15-50克/升,所述镍盐的含量为12-45克/升,所述络合剂的含量为25-45克/升,所述缓冲剂的含量为5-20克/升,所述稳定剂的含量为0.5-5毫克/升。
7.根据权利要求6所述的线路板,其中,所述线路板还包括钯层和金层,所述钯层分别与所述镍层和所述金层相接。
8.根据权利要求6或7所述的线路板,其中,所述基板为陶瓷基板。
9.根据权利要求8所述的线路板,其中,所述基板为氮化铝陶瓷基板。
10.根据权利要求8所述的线路板,其中,所述镍层中氮化铝纳米粒子的含量使得所述线路板的热导率为150-185W/(m·K)。
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