CN104811186B - 温度补偿微机电振荡器 - Google Patents
温度补偿微机电振荡器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104811186B CN104811186B CN201410095280.9A CN201410095280A CN104811186B CN 104811186 B CN104811186 B CN 104811186B CN 201410095280 A CN201410095280 A CN 201410095280A CN 104811186 B CN104811186 B CN 104811186B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- temperature
- oscillation
- microcomputer electric
- heater
- subgroup
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 112
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 241001425718 Vagrans egista Species 0.000 claims description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 2
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000003534 oscillatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
- H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
- H03L1/022—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/008—MEMS characterised by an electronic circuit specially adapted for controlling or driving the same
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02244—Details of microelectro-mechanical resonators
- H03H9/02433—Means for compensation or elimination of undesired effects
- H03H9/02448—Means for compensation or elimination of undesired effects of temperature influence
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/08—Holders with means for regulating temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/24—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive
- H03H9/2405—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive of microelectro-mechanical resonators
- H03H9/2447—Beam resonators
- H03H9/2452—Free-free beam resonators
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
一种温度补偿微机电振荡器。此温度补偿微机电振荡器包含微机电(Micro Electro Mechanical Systems；MEMS)振荡子组、加热器、连接体以及控制器。微机电振荡子组包含第一微机电振荡子以及第二微机电振荡子。第一微机电振荡子是用以输出主要振荡频率。第二微机电振荡子是用以根据第二微机电振荡子的温度来输出辅助振荡频率。加热器是用以提高微机电振荡子组的温度。连接体是连接于加热器以及微机电振荡子组之间，以将加热器的热能传送至微机电振荡子组，且电性隔离加热器与微机电振荡子组。控制器是用以根据主要振荡频率与辅助振荡频率间的差值来控制加热器。
Description
技术领域
本发明是有关于一种振荡器，特别是有关于一种温度补偿微机电(Micro ElectroMechanical Systems；MEMS)振荡器。
背景技术
振荡器为一种用来产生周期性信号(例如方波或弦波)的电子装置。现今常见的电子电路，例如信号产生器、频率合成器或锁相回路，都会应用振荡器来提供工作所需的周期性信号。
目前常用的振荡器为石英振荡器。因为石英振荡器具有构造简单、成本低廉的优点，故石英振荡器被广泛地应用于各式电子产品中。然而，石英水晶加工中，机械切割与研磨制程的技术限制，不易制作高频与微小型的元件，因此，MEMS振荡器有逐渐取代石英振荡器的趋势。
MEMS振荡器是利用半导体制程技术来制造出振荡子结构，接着再利用系统级封装(SiP)方式，将控制器与振荡子结构整合于单一晶片封装中。由于MEMS振荡子是以硅作为材料，相容于半导体制程，且拥有许多不同振荡模态，所以可制作出高频与微小型化的元件。然而，MEMS振荡子的自然频率受其结构材料本身杨氏系数对温度的变化系数(TemperatureCoefficient of Young’s Modulus,TCE)、热膨胀系数(Coefficient of ThermalExpansion,CTE)等因素影响，会随着温度变化产生漂移，因此需要温度补偿设计来增加MEMS振荡子频率的稳定性。
发明内容
本发明的一方面是在提供一种温度补偿微机电振荡器，其是利用MEMS振荡子来感测温度，以据此来控制加热器的工作状态，进而将MEMS振荡子的温度维持在预设的温度值。
根据本发明的一实施例，此温度补偿微机电振荡器包含微机电振荡子组、加热器、连接体以及控制器。微机电振荡子组包含第一微机电振荡子以及第二微机电振荡子。第一微机电振荡子是用以输出主要振荡频率。第二微机电振荡子是用以根据第二微机电振荡子的温度来输出辅助振荡频率。加热器是用以提高微机电振荡子组的温度。连接体是连接于加热器以及微机电振荡子组之间，以将加热器的热能传送至微机电振荡子组，且电性隔离加热器与微机电振荡子组。控制器是用以根据主要振荡频率与辅助振荡频率间的差值来控制加热器。
由上述说明可知，本发明实施例的温度补偿微机电振荡器包含两个振荡子，其中第一微机电振荡子是用以输出使用者所需的主要振荡频率，而第二微机电振荡子是用以感测温度变化，并相应地输出辅助振荡频率。通过主要振荡频率和辅助振荡频率的差值，控制器可根据振荡子的温度变化来驱动或维持加热器，以使第一微机电振荡子操作在预设的工作温度下。然而，当控制器提供控制电压于加热器时，振荡子会受到此控制电压影响，因此需利用连接体来隔离此控制电压。
附图说明
为让本发明的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，上文特举数个较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：
图1是绘示根据本发明实施例的温度补偿微机电振荡器的功能方块示意图；
图2是绘示根据本发明实施例的温度补偿微机电振荡器的俯视结构示意图；
图3是绘示根据本发明实施例的微机电振荡子组的温度与输出频率值的关系示意图；
图4A是绘示根据本发明实施例的温度补偿微机电振荡器的功能方块示意图；
图4B是绘示根据本发明实施例的微机电振荡子组的温度与输出频率值的关系示意图。
具体实施方式
请参照图1，其是绘示根据本发明实施例的温度补偿微机电振荡器100的功能方块示意图。温度补偿微机电振荡器100包含微机电振荡子组110、加热器120、控制器130以及连接体CN。在本发明的实施例中，加热器120是用以提高微机电振荡子组110的温度，而控制器130则根据微机电振荡子组110所输出的频率差值来控制加热器120的工作状态。连接体CN是设置于加热器120以及微机电振荡子组110之间，以将加热器120的热能传送至微机电振荡子组110，且电性隔离加热器120与微机电振荡子组110。
微机电振荡子组110包含第一微机电振荡子112以及第二微机电振荡子114。第一微机电振荡子112是用以根据控制信号来输出第一周期信号，此第一周期信号具有一主要振荡频率f1。第二微机电振荡子114则用以感测环境温度的变化并相应地输出第二周期信号，此第二周期信号具有一辅助振荡频率f2。在本实施例中，振荡器100为温度补偿MEMS振荡器，故第一微机电振荡子112与第二微机电振荡子114是根据内部驱动电路所提供的电压信号来维持主要振荡频率f1以及辅助振荡频率f2的稳定性。然而，本发明的实施例不受限于此。
一般而言，微机电振荡子的主要材料为硅，其频率温度系数(temperaturecoefficient of frequency；TCF)为负值。为了降低主要振荡频率f1对温度变化的敏感度，所以利用复合材料制作，嵌入正频率温度系数材料，例如二氧化硅等，但本发明的实施例并不受限于此。
虽然第一微机电振荡子112包含正频率温度系数材料，第一微机电振荡子112的温度变化仍会对主要振荡频率f1产生小幅度的影响。因此，本实施例利用加热器120来将第一微机电振荡子112的温度控制于一预设工作温度下(例如摄氏85度)，再利用第二微机电振荡子114来感测温度，以根据感测结果来控制加热器120调整温度。
请参照图2，其是绘示根据本发明实施例的温度补偿微机电振荡器100的俯视结构示意图。加热器120包含第一接触垫122、第二接触垫124以及电阻器126。第一接触垫122是用以提供第一控制电压V1。第二接触垫124是用以提供第二控制电压V2。电阻器126是电性连接于第一接触垫122与第二接触垫124之间，以利用第一控制电压V1与第二控制电压V2之间的电压差来提供热能至微机电振荡子组110。
在本实施例中，电阻器126所产生的热能可利用连接体CN来传送至微机电振荡子组110的支架116，再通过支架来传送热能至微机电振荡子组110。连接体CN是连接于电阻器126以及微机电振荡子组110之间，且以电绝缘材料制成，例如二氧化硅等。在本实施例中，连接体CN是以二氧化硅制成，但本发明的实施例并不受限于此。本实施例的电阻器126、连接体CN、第一微机电振荡子112以及第二微机电振荡子114是悬浮于半导体基板(未绘示)上，如此可提供良好的热隔离环境，以方便控制第一微机电振荡子112的温度。在温度补偿微机电振荡器100的封装体中，可将封装体的空气抽出，使得封装体内部成为真空状态，以提高更好的热隔离效果。
另外，本发明实施例的温度补偿微机电振荡器100还包含体电压(proof massvoltage)供应线路140，以提供体电压VP至第一微机电振荡子112与第二微机电振荡子114，帮助第一微机电振荡子112与第二微机电振荡子114起振。
请参照图3，其是绘示根据本发明实施例的微机电振荡子组110的温度与输出频率值的关系示意图，其中曲线C1是代表第一微机电振荡子112的温度与输出频率值的关系，曲线C2是代表第二微机电振荡子114的温度与输出频率值的关系。如之前所述，第一微机电振荡子112包含正频率温度系数材料，以降低主要振荡频率f1对温度变化的敏感度。因此，相较于第一微机电振荡子112的曲线C1，第二微机电振荡子114的曲线C2具有较高的斜率，以利于温度变化的感测。
在本实施例中，控制器130是接收第一微机电振荡子112所输出的主要振荡频率f1以及第二微机电振荡子114所输出的辅助振荡频率f2，并根据主要振荡频率f1与辅助振荡频率f2的频率差值Δf来进行加热操作。如图3所示，当差值Δf变大时，代表温度上升，而当差值Δf变小时代表温度下降。因此，在本实施例中，可先测得对应至预设工作温度的频率差值，并以此作为频差的标准值，接着再利用此标准值来作为加热操作的依据。例如，当主要振荡频率f1与辅助振荡频率f2的差值大于频差标准值时，代表温度过高，故控制器130降低加热器120的控制电压差值来减少加热器120所提供的热能。又例如，当主要振荡频率f1与辅助振荡频率f2的差值小于频差标准值时，代表温度过低，故控制器130提高加热器120的控制电压差值来增加加热器120所提供的热能。另外，在本发明的其他实施例中，亦可建立频率差值Δf与微机电振荡子组110温度的关系曲线，如此即可利用频率差值Δf来动态地控制微机电振荡子组110的温度。
由以上说明可知，本发明实施例的温度补偿微机电振荡器100是利用第一微机电振荡子112与第二微机电振荡子114之间的频率差值来判断温度是否上升或下降，并据此来将微机电振荡子组110的温度控制在预设工作温度下。由于第二微机电振荡子114和第一微机电振荡子112可在相同的制程中制造，因此本发明实施例的温度补偿微机电振荡器100具有制程简单、成本低廉的优点。
请同时参照图4A和图4B，图4A是绘示根据本发明实施例的温度补偿微机电振荡器400的功能方块示意图，图4B是绘示根据本发明实施例的微机电振荡子组410的温度与输出频率值的关系示意图，其中曲线C3是代表第二微机电振荡子414的温度与输出频率值的关系。本实施例的温度补偿微机电振荡器400是类似于前述的温度补偿微机电振荡器100，但不同之处在于温度补偿微机电振荡器400包含微机电振荡子组410以及控制器430。
微机电振荡子组410是类似于微机电振荡子组110。微机电振荡子组410包含第一微机电振荡子112以及第二微机电振荡子414。第二微机电振荡子414是用以输出辅助振荡频率f3，且包含正频率温度系数材料。如图4B所示，在本实施例中，第二微机电振荡子414所包含的正频率温度系数材料使得曲线C3的斜率大于第一微机电振荡子112的曲线C1的斜率。如此，当频率差值Δf变大时，代表微机电振荡子组410的温度下降，而当频率差值Δf变小时，代表微机电振荡子组410的温度上升。
控制器430是类似于控制器130，但不同之处在于控制器430控制加热器120的规则不同，例如当主要振荡频率f1与辅助振荡频率f3的差值大于频差标准值时，代表温度过过低，故控制器430增加加热器120的控制电压差值来提高温度。又例如，当主要振荡频率f1与辅助振荡频率f3的差值小于频差标准值时，代表温度过高，故控制器430减少加热器120的控制电压差值来降低温度。
由以上说明可知，在本发明的实施例中，当第一微机电振荡子和第二微机电振荡子所对应的温度-频率关系曲线的斜率不同时，本发明实施例的振荡器即可利用微机电振荡子的频差来判断温度是否上升或下降，并据此来控制加热器。
虽然本发明已以数个实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，在本发明所属技术领域中任何具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种温度补偿微机电振荡器，其特征在于，包含：
一微机电振荡子组，包含：一第一微机电振荡子，用以根据一控制信号来输出一主要振荡频率；以及一第二微机电振荡子，用以根据该第二微机电振荡子的温度来输出一辅助振荡频率；
一加热器，用以提高该微机电振荡子组的温度；
一连接体，其中该连接体是连接于该加热器以及该微机电振荡子组之间，以将该加热器的热能传送至该微机电振荡子组，且电性隔离该加热器与该微机电振荡子组；以及
一控制器，用以根据该主要振荡频率与该辅助振荡频率间的差值来控制该加热器。
2.根据权利要求1所述的温度补偿微机电振荡器，其特征在于，该主要振荡频率对应该微机电振荡子组温度的一第一关系曲线具有一第一斜率，该辅助振荡频率对应该微机电振荡子组温度的一第二关系曲线具有一第二斜率，该第一斜率不等于该第二斜率。
3.根据权利要求2所述的温度补偿微机电振荡器，其特征在于，该第一斜率和该第二斜率为正值，且该第一斜率是小于该第二斜率。
4.根据权利要求3所述的温度补偿微机电振荡器，其特征在于，当该主要振荡频率与该辅助振荡频率间的差值大于一预设频差标准值时，该控制器开启该加热器。
5.根据权利要求4所述的温度补偿微机电振荡器，其特征在于，当该主要振荡频率与该辅助振荡频率间的差值小于该预设频差标准值时，该控制器关闭该加热器。
6.根据权利要求1所述的温度补偿微机电振荡器，其特征在于，该加热器为一电阻器式加热器。
7.根据权利要求6所述的温度补偿微机电振荡器，其特征在于，该加热器包含：
一第一接触垫，用以提供一第一电压；
一第二接触垫，用以提供一第二电压；以及
一电阻器，电性连接于该第一接触垫与该第二接触垫之间，以根据该第一电压与该第二电压间的电压差来提供热能。
8.根据权利要求7所述的温度补偿微机电振荡器，其特征在于，该连接体是连接于该电阻器以及该微机电振荡子组之间。
9.根据权利要求8所述的温度补偿微机电振荡器，其特征在于，该连接体是由电绝缘材料所构成。
10.根据权利要求1所述的温度补偿微机电振荡器，其特征在于，该第一微机电振荡子包含具有正频率温度系数的材料。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW103102726 | 2014-01-24 | ||
| TW103102726A TWI558096B (zh) | 2014-01-24 | 2014-01-24 | 溫度補償微機電振盪器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104811186A CN104811186A (zh) | 2015-07-29 |
| CN104811186B true CN104811186B (zh) | 2017-11-28 |
Family
ID=53680062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410095280.9A Active CN104811186B (zh) | 2014-01-24 | 2014-03-14 | 温度补偿微机电振荡器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9191012B2 (zh) |
| CN (1) | CN104811186B (zh) |
| TW (1) | TWI558096B (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105424199B (zh) * | 2015-12-31 | 2018-10-16 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种差分输出的红外探测器单元结构及制造方法 |
| FI128195B (en) | 2017-09-05 | 2019-12-13 | Tikitin Oy | Frequency reference oscillator device and method for stabilizing a frequency reference signal |
| US11186479B2 (en) | 2019-08-21 | 2021-11-30 | Invensense, Inc. | Systems and methods for operating a MEMS device based on sensed temperature gradients |
| US11073531B2 (en) | 2019-08-21 | 2021-07-27 | Invensense, Inc. | Vertical thermal gradient compensation in a z-axis MEMS accelerometer |
| US11174153B2 (en) | 2019-08-21 | 2021-11-16 | Invensense, Inc. | Package level thermal gradient sensing |
| TR202017251A1 (tr) * | 2020-10-28 | 2022-05-23 | Harran Ueniversitesi | Mi̇kro/nano ci̇hazlara homojen isitma yapilarinin uygulanmasi i̇le performans ve güvenli̇k katsayilarinin artirilmasina yöneli̇k si̇stem ve yöntem |
| CN116545382B (zh) * | 2023-07-07 | 2023-10-31 | 麦斯塔微电子(深圳)有限公司 | Mems振荡器 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1902824A (zh) * | 2004-01-09 | 2007-01-24 | 罗伯特·博世有限公司 | 频率和/或相位补偿的微机电振荡器 |
| CN102811022A (zh) * | 2011-05-31 | 2012-12-05 | Imec公司 | 烘箱控制mems振荡器装置 |
| CN103051285A (zh) * | 2011-10-14 | 2013-04-17 | Nxp股份有限公司 | 用于修正压阻式振荡器的频率的温度相关性的电路和方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7068125B2 (en) | 2004-03-04 | 2006-06-27 | Robert Bosch Gmbh | Temperature controlled MEMS resonator and method for controlling resonator frequency |
| US7102467B2 (en) | 2004-04-28 | 2006-09-05 | Robert Bosch Gmbh | Method for adjusting the frequency of a MEMS resonator |
| US7211926B2 (en) * | 2005-03-09 | 2007-05-01 | The Regents Of The University Of California | Temperature compensated oscillator including MEMS resonator for frequency control |
| US7800457B2 (en) * | 2007-12-05 | 2010-09-21 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Self-calibrating temperature-compensated oscillator |
| US7990229B2 (en) * | 2008-04-01 | 2011-08-02 | Sand9, Inc. | Methods and devices for compensating a signal using resonators |
| FI123529B (fi) * | 2010-04-22 | 2013-06-28 | Aalto Korkeakoulusaeaetioe | Mikromekaaniseen oskillaattoriin perustuva lämpötilakompensoitu taajuusreferenssi |
| EP2395660B1 (en) * | 2010-06-10 | 2013-08-14 | Nxp B.V. | MEMS resonators |
| US20120305542A1 (en) | 2011-06-01 | 2012-12-06 | Imec | Oven Controlled MEMS Oscillator Device |
| US8466754B1 (en) * | 2011-06-03 | 2013-06-18 | Rockwell Collins, Inc. | Low phase noise MEMS-based oscillator with bifurcation and parametric noise squeezing |
| JP2013232836A (ja) * | 2012-05-01 | 2013-11-14 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 発振装置 |
-
2014
- 2014-01-24 TW TW103102726A patent/TWI558096B/zh active
- 2014-03-13 US US14/207,671 patent/US9191012B2/en active Active
- 2014-03-14 CN CN201410095280.9A patent/CN104811186B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1902824A (zh) * | 2004-01-09 | 2007-01-24 | 罗伯特·博世有限公司 | 频率和/或相位补偿的微机电振荡器 |
| CN102811022A (zh) * | 2011-05-31 | 2012-12-05 | Imec公司 | 烘箱控制mems振荡器装置 |
| CN103051285A (zh) * | 2011-10-14 | 2013-04-17 | Nxp股份有限公司 | 用于修正压阻式振荡器的频率的温度相关性的电路和方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI558096B (zh) | 2016-11-11 |
| US9191012B2 (en) | 2015-11-17 |
| US20150214956A1 (en) | 2015-07-30 |
| TW201531019A (zh) | 2015-08-01 |
| CN104811186A (zh) | 2015-07-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104811186B (zh) | 温度补偿微机电振荡器 | |
| JP7241817B2 (ja) | 微小電気機械共振器 | |
| US8410868B2 (en) | Methods and apparatus for temperature control of devices and mechanical resonating structures | |
| CN101895270B (zh) | 包括热控压电谐振器的振荡器装置 | |
| US8289092B2 (en) | Microelectromechanical resonant structure having improved electrical characteristics | |
| CN103528578B (zh) | 微机电系统 | |
| CN102570974B (zh) | 温度控制型晶体振子以及晶体振荡器 | |
| CN103427765B (zh) | 振荡装置、振荡元件以及电子设备 | |
| Wu et al. | Wafer-level vacuum-packaged high-performance AlN-on-SOI piezoelectric resonator for sub-100-MHz oscillator applications | |
| US10240953B2 (en) | Housing with a damping element for a micromechanical sensor element | |
| CN104811138A (zh) | 温度补偿振荡器与其控制方法 | |
| WO2022222570A1 (zh) | 谐振器封装体和震荡器 | |
| US6770504B2 (en) | Methods and structure for improving wafer bow control | |
| CN107147370A (zh) | 一种基于振动模态耦合的mems振荡器及控制方法 | |
| US20200373904A1 (en) | Micro-electro-mechanical device with reduced temperature sensitivity and manufacturing method thereof | |
| CN109728791A (zh) | 相对于温度变化稳定性提高的微机电谐振器系统 | |
| WO2016192371A1 (zh) | 传感器集成装置及其生产方法 | |
| US11855604B2 (en) | Piezoelectric microelectromechanical resonator device and corresponding manufacturing process | |
| Jia et al. | A micro-oven-controlled dual-mode piezoelectric MEMS resonator with±400 PPB stability over− 40 to 80° C temperature range | |
| CN107112983A (zh) | 通用振荡器 | |
| CN102611385B (zh) | 频率产生器及频率信号产生方法 | |
| CN103873012B (zh) | 一种mems压阻谐振器 | |
| CN107697880A (zh) | 一种基于soi‑mems的温控隔振平台及系统 | |
| CN206323357U (zh) | 一种高效率高性能抗跌的石英晶体谐振器 | |
| CN216451341U (zh) | 一种时钟振荡器、芯片及电子设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| EXSB | Decision made by sipo to initiate substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |