CN104576890A - 在led芯片上形成荧光层的方法 - Google Patents
在led芯片上形成荧光层的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104576890A CN104576890A CN201310489001.2A CN201310489001A CN104576890A CN 104576890 A CN104576890 A CN 104576890A CN 201310489001 A CN201310489001 A CN 201310489001A CN 104576890 A CN104576890 A CN 104576890A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- led chip
- fluorescence
- cake
- fluorescent
- thermoplastic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 47
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 46
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 36
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims description 28
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 claims description 28
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 20
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 19
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000007590 electrostatic spraying Methods 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 claims description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims description 2
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 claims description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 claims description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 abstract description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001652 electrophoretic deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000029142 excretion Effects 0.000 description 1
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
一种在LED芯片上形成荧光层的方法，包括：将荧光饼覆盖在LED芯片上，以使所述荧光饼贴合所述LED芯片的出光面，其中，所述荧光饼的表面积大于所述出光面的表面积，所述LED芯片安装在基板上；将覆盖有所述荧光饼的所述LED芯片加热到120℃～350℃，以使所述荧光饼熔解并在所述LED芯片的出光面及其四周形成荧光层。通过在荧光饼贴合LED芯片的出光面的情况下将LED芯片加热至荧光饼的熔解温度，利用熔解的荧光饼在LED芯片的出光面及其四周形成荧光层，根据本发明的在LED芯片上形成荧光层的方法可有效提高LED芯片的良品率。其中，荧光饼具有可反复加热至特定的低温段、例如50℃～180℃而具有粘性，以及在加热至特定的高温段、例如120℃～350℃将出现热熔状态的特性。
Description
技术领域
本发明涉及发光元件，特别涉及一种在LED芯片上形成荧光层的方法。
背景技术
通常，采用静电电泳涂装法在LED芯片上形成荧光层。该方法主要依靠电场所产生的物理化学作用将荧光粉沉积在LED芯片的表面上，存在容易产生电压过高而击穿LED芯片的问题。
发明内容
有鉴于此，有必要研发一种安全、可靠的用于在LED芯片上形成荧光层的方法。
为了解决上述技术问题，根据本发明的一个方面，提供了一种在LED芯片上形成荧光层的方法，其包括：将荧光饼覆盖在LED芯片上，以使所述荧光饼贴合所述LED芯片的出光面，其中，所述荧光饼的表面积大于所述出光面的表面积，所述LED芯片安装在基板上；以及将覆盖有所述荧光饼的所述LED芯片加热到120℃～350℃，以使所述荧光饼熔解并在所述LED芯片的出光面及其四周形成荧光层。
通过在荧光饼贴合LED芯片的出光面的情况下将LED芯片加热至荧光饼的熔解温度，利用熔解的荧光饼在LED芯片的出光面及其四周形成荧光层，根据本发明的在LED芯片上形成荧光层的方法可有效提高LED芯片的良品率。
附图说明
图1为根据本发明一实施例的在LED芯片上形成荧光层的方法的流程图；
图2a～2c示出实施图1所示方法的过程中的LED芯片的示意图；
图3为实施根据本发明的在LED芯片上形成荧光层的方法的LED芯片的示意图；
图4为生产根据本发明的在LED芯片上形成荧光层的方法所用的荧光饼的流程图；
图5为生产根据本发明的在LED芯片上形成荧光层的方法所用的荧光饼的另一流程图；
图6为生产根据本发明的在LED芯片上形成荧光层的方法所用的荧光饼的又一流程图；
图7为生产根据本发明的在LED芯片上形成荧光层的方法所用的荧光饼的再一流程图。
具体实施方式
如背景技术部分所述，采用静电电泳涂装法在LED芯片上形成荧光层，存在容易因电压过高而击穿LED芯片的问题。为了提高荧光层涂布工艺中LED芯片的良品率，本发明人通过对至少包括荧光粉和热塑性材料的静电电泳涂装用粉末进行反复试验发现，所述粉末在被加热到50℃～180℃但未完全熔解时具有粘性，从而使得所述粉末相互粘结并在冷却后变硬成膜，该膜可反复加热到50℃～180℃并仍具有粘性，并且在将该膜进一步加热至热塑性材料的熔解温度、例如120℃～350℃时，该膜将呈可流动的热熔状态。
基于以上发现，本发明人独创性地提出，通过两段式加温来在LED芯片上形成荧光层。具言之，首先，对至少包括荧光粉和热塑性材料的混合物进行例如50℃～180℃的低温加热，以使所述混合物粘结成荧光膜；之后，将所述荧光膜切割成稍大于LED芯片的荧光饼，并在所述荧光饼覆盖在LED芯片的出光面上的状态下对LED芯片进行例如120℃～350℃的高温加热，以使荧光饼热熔并且四周呈垂流状态，从而可均匀覆盖LED芯片的出光面及其四周，也即均匀地在LED芯片的出光面及其四周形成荧光层。
图1为根据本发明一实施例的在LED芯片上形成荧光层的方法的流程图，并且图2a～2c示出实施图1所示方法的过程中的LED芯片的示意图。将参照图1和图2a～2c详细介绍根据本发明的在LED芯片上形成荧光层的方法的实施例如下。
如图1所示，该在LED芯片上形成荧光层的方法主要包括：
步骤S110、对于如图2a所示安装在基板220上的LED芯片210，其中LED芯片210的出光面211位于基板220的上方并且不直接接触基板220，可如图2b所示将荧光饼231覆盖在LED芯片220的出光面211上，以使荧光饼231贴合LED芯片220的出光面211，其中荧光饼231的表面积大于LED芯片210的出光面211的表面积；以及
步骤S120、将覆盖有荧光饼231的LED芯片210加热到120℃～350℃，以使荧光饼231熔解，从而如图2c所示在LED芯片210的出光面211及其四周形成荧光层232。
通常，LED芯片的厚度约为0.35mm。在这种情况下，在一种可能的实现方式中，荧光饼231的厚度可为0.1mm～2mm。
并且，在步骤S120中，为了确保荧光饼231的四周呈垂流状态，以使得荧光层232能够将LED芯片210的出光面211及其四周均匀覆盖，荧光饼231的尺寸通常要比LED芯片的尺寸大。例如，在LED芯片210的出光面211的表面积为1.1mm*1.1mm的情况下，在一种可能的实现方式中，荧光饼231的表面积可为1.15mm*1.15mm以上。
此外，在一种可能的实现方式中，LED芯片210可为覆晶LED芯片。并且，在一种可能的具体实现方式中，LED芯片210的与出光面211相反的表面具有如图3所示的结构。如图3所示，LED芯片210可包括沿水平方向依次排列的正电极212、负电极213以及隔离区214。其中，所述水平方向为与基板220平行的方向，图示为AA。隔离区214在基板220上的垂直投影位于正电极212和负电极213在基板220上的垂直投影之间，并且隔离区214在所述水平方向的中心线与LED芯片210在所述水平方向的中轴线重叠，均为图3所示线条B。优选地，隔离区214在所述水平方向的宽度L2不超过LED芯片210在所述水平方向的宽度L1的三分之一。
通过在荧光饼231贴合LED芯片210的出光面211的情况下、将LED芯片210加热至荧光饼231的熔解温度，利用熔解的荧光饼231在LED芯片210的出光面211及其四周形成荧光层232，根据本实施例的在LED芯片上形成荧光层的方法可有效提高LED芯片的良品率。其中，如上所述，荧光饼231具有可反复加热至特定的低温段、例如50℃～180℃而具有粘性，以及在加热至特定的高温段、例如120℃～350℃将出现热熔状态的特性。
以下将参照图4～图7详细介绍生产荧光饼231的流程。
图4为生产根据本发明的在LED芯片上形成荧光层的方法所用的荧光饼的流程图。如图4所示，根据本发明一实施例的生产荧光饼231的方法主要包括：
步骤S410、将包括荧光粉和热塑性材料的混合粉末静电喷涂于承载板的光滑表面上；
步骤S420、将喷涂有所述混合粉末的所述承载板加热至50℃～180℃，以使所述荧光粉和所述热塑性材料粘结成荧光膜；以及
步骤S430、将所述荧光膜分离成至少两个所述荧光饼。
在一种可能的实现方式中，所述承载板的光滑表面可为通过抛光、涂油、上离膜剂、上釉、镀膜等中的任意一种或多种方式形成的粘力薄弱的表面。此外，由于要进行静电喷涂，所述承载板优选为可为金属板，例如铝板、铜板、或铁板。
在一种可能的实现方式中，所述荧光粉包括钇铝石榴石、氮化物、氮氧化物、硅酸盐、和硫化物中的任意一种或多种。以及，所述热塑性材料包括氟树脂、甲基丙烯酸树脂、环氧树脂、有机硅树脂、聚氨酯树脂、醇酸树脂、和不饱和树脂中的任意一种或多种。这样，在将喷涂有所述荧光粉和所述热塑性材料的均匀混合粉末的承载板加热至所述热塑性材料的粘结温度、例如50℃～180℃时，所述均匀混合粉末将因所述热塑性材料的粘性而相互粘结，并在冷却后硬化成膜，以供后续使用。
在一种可能的实现方式中，所述荧光粉的颗粒的粒径可为6μm。并且，在一种可能的具体实现方式中，所述荧光粉与所述热塑性材料的质量比可为0.1～10。例如，在所述荧光粉的质量为1克的情况下，所述热塑性材料的质量可为0.1克～10克。
此外，在一种可能的实现方式中，如图4所示，该生产荧光饼231的方法还可包括步骤S440，即在各所述荧光饼上制成至少一个通孔。这样，在上述步骤S120中，在荧光饼231熔解以覆盖LED芯片210的出光面211及其四周的过程中，荧光饼231与LED芯片210中间的空气具有排泄的管道，从而可避免在所形成的荧光层231与LED芯片210之间出现气泡，也即能够进一步提高LED芯片的良品率。在一种可能的具体实现方式中，所述通孔在所述荧光饼上均匀分布，并且所述通孔的孔径可优选为不大于所述荧光饼的厚度，例如约为0.1mm～2mm。
图5为生产根据本发明的在LED芯片上形成荧光层的方法所用的荧光饼的另一流程图。如图5所示，根据本发明另一实施例的生产荧光饼231的方法主要包括：
步骤S510、将包括荧光粉、热塑性材料和挥发性液体的混合液喷涂于承载板的光滑表面上，其中所述挥发性液体包括水和/或醇类有机溶剂，例如所述挥发性液体可以选自水、乙醇、异丙醇等；
步骤S520、将喷涂有所述混合液的所述承载板加热至50℃～180℃，以使所述挥发性液体挥发并且所述荧光粉和所述热塑性材料粘结成荧光膜；以及
步骤S430、将所述荧光膜分离成至少两个所述荧光饼。
与图4所示的实施例相比，本实施例的区别主要在于，通过利用挥发性液体使荧光粉以及热塑性材料形成均匀混合液，能够利用湿法喷涂来形成所述荧光膜，从而可提高所形成的荧光饼中的荧光粉的均匀度。因此，除了在本实施例中不对所述承载板的材质进行限制外，以上针对图4所示实施例的说明均适用于本实施例。并且，在本实施例中，所述承载板可为纸质、例如铜版纸，也可为金属板、例如铝板或铜板。
此外，在一种可能的具体实现方式中，所述荧光粉与所述挥发性液体的质量比可为1～20。例如，在所述荧光粉的质量为1克的情况下，所述挥发性液体的质量可为1克～20克。
图6为生产根据本发明的在LED芯片上形成荧光层的方法所用的荧光饼的又一流程图。如图6所示，根据本发明又一实施例的生产荧光饼231的方法主要包括：
步骤S610、将荧光粉用热塑性材料进行包覆，得到包覆荧光粉；
步骤S620、将所述包覆荧光粉静电喷涂于承载板的光滑表面上；
步骤S630、将喷涂有所述包覆荧光粉的所述承载板加热至50℃～180℃，以使所述包覆荧光粉粘结成荧光膜；以及
步骤S430、将所述荧光膜分离成至少两个所述荧光饼。
与图4所示的实施例相比，本实施例的区别主要在于，通过将荧光粉用热塑性材料进行包覆，能够使得荧光粉和热塑性材料的混合更均匀，从而可提高所形成的荧光饼中的荧光粉的均匀度。因此，以上针对图4所示实施例的说明均适用于本实施例。并且，在本实施例中，在一种可能的实现方式中，可采用溶胶法、凝胶法或化学气相沉积法进行步骤S610。
图7为生产根据本发明的在LED芯片上形成荧光层的方法所用的荧光饼的再一流程图。如图7所示，根据本发明再一实施例的生产荧光饼231的方法主要包括：
步骤S710、将荧光粉用热塑性材料进行包覆，得到包覆荧光粉；
步骤S720、将所述包覆荧光粉与挥发性液体混合，得到荧光粉分散液，其中所述挥发性液体包括水和/或醇类有机溶剂；
步骤S730、将所述荧光粉分散液喷涂于承载板的光滑表面上；
步骤S740、将喷涂有所述荧光粉分散液的所述承载板加热至50℃～180℃，以使所述挥发性液体挥发并且所述包覆荧光粉粘结成荧光膜；以及
步骤S430、将所述荧光膜分离成至少两个所述荧光饼。
与图5所示的实施例相比，本实施例的区别主要在于，通过将荧光粉用热塑性材料进行包覆，能够使得荧光粉和热塑性材料的混合更均匀，从而可提高所形成的荧光饼中的荧光粉的均匀度。因此，以上针对图5所示实施例的说明均适用于本实施例。并且，在本实施例中，在一种可能的实现方式中，可采用溶胶法、凝胶法或化学气相沉积法进行步骤S710。
Claims (11)
1.一种在LED芯片上形成荧光层的方法，其特征在于，包括：
将荧光饼覆盖在LED芯片上，以使所述荧光饼贴合所述LED芯片的出光面，其中，所述荧光饼的表面积大于所述出光面的表面积，所述LED芯片安装在基板上；
将覆盖有所述荧光饼的所述LED芯片加热到120℃～350℃，以使所述荧光饼熔解并在所述LED芯片的出光面及其四周形成荧光层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述将荧光饼覆盖在LED芯片上的步骤之前，还包括：
将包括荧光粉和热塑性材料的混合粉末静电喷涂于承载板的光滑表面上；
将喷涂有所述混合粉末的所述承载板加热至50℃～180℃，以使所述荧光粉和所述热塑性材料粘结成荧光膜；以及
将所述荧光膜分离成至少两个所述荧光饼。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述将荧光饼覆盖在LED芯片上的步骤之前，还包括：
将包括荧光粉、热塑性材料和挥发性液体的混合液喷涂于承载板的光滑表面上，其中所述挥发性液体包括水和/或醇类有机溶剂；
将喷涂有所述混合液的所述承载板加热至50℃～180℃，以使所述挥发性液体挥发并且所述荧光粉和所述热塑性材料粘结成荧光膜；以及
将所述荧光膜分离成至少两个所述荧光饼。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述将荧光饼覆盖在LED芯片上的步骤之前，还包括：
将荧光粉用热塑性材料进行包覆，得到包覆荧光粉；
将所述包覆荧光粉静电喷涂于承载板的光滑表面上；
将喷涂有所述包覆荧光粉的所述承载板加热至50℃～180℃，以使所述包覆荧光粉粘结成荧光膜；以及
将所述荧光膜分离成至少两个所述荧光饼。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述将荧光饼覆盖在LED芯片上的步骤之前，还包括：
将荧光粉用热塑性材料进行包覆，得到包覆荧光粉；
将包括所述包覆荧光粉与挥发性液体的混合液喷涂于承载板的光滑表面上，其中所述挥发性液体包括水和/或醇类有机溶剂；
将喷涂有所述混合液的所述承载板加热至50℃～180℃，以使所述挥发性液体挥发并且所述包覆荧光粉粘结成荧光膜；以及
将所述荧光膜分离成至少两个所述荧光饼。
6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，采用溶胶法、凝胶法或化学气相沉积法进行所述将荧光粉用热塑性材料进行包覆的步骤。
7.根据权利要求2至5中任一项所述的方法，其特征在于，在将所述荧光膜分离成至少两个所述荧光饼之后，还包括：
在各所述荧光饼上制成至少一个通孔。
8.根据权利要求2至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述荧光粉包括钇铝石榴石、氮化物、氮氧化物、硅酸盐、和硫化物中的任意一种或多种。
9.根据权利要求2至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述热塑性材料包括氟树脂、甲基丙烯酸树脂、环氧树脂、有机硅树脂、聚氨酯树脂、醇酸树脂、和不饱和树脂中的任意一种或多种。
10.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述荧光饼的厚度为0.1mm～2mm。
11.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述LED芯片包括沿水平方向依次排列的正电极、负电极以及隔离区，其中所述水平方向为与所述基板平行的方向，
所述隔离区在所述基板上的垂直投影位于所述正电极和所述负电极在所述基板上的垂直投影之间，
所述隔离区在所述水平方向的中心线与所述LED芯片在所述水平方向的中轴线重叠，并且
所述隔离区在所述水平方向的宽度不超过所述LED芯片在所述水平方向的宽度的三分之一。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310489001.2A CN104576890A (zh) | 2013-10-17 | 2013-10-17 | 在led芯片上形成荧光层的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310489001.2A CN104576890A (zh) | 2013-10-17 | 2013-10-17 | 在led芯片上形成荧光层的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104576890A true CN104576890A (zh) | 2015-04-29 |
Family
ID=53092501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310489001.2A Pending CN104576890A (zh) | 2013-10-17 | 2013-10-17 | 在led芯片上形成荧光层的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104576890A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105098003A (zh) * | 2015-06-24 | 2015-11-25 | 林立宸 | 一种具有干燥特性经加工并可快速融合于基板之发光粉制造方法 |
| CN105161593A (zh) * | 2015-06-24 | 2015-12-16 | 林立宸 | 一种可将一种粉快速融合于基板之制造方法 |
| CN113937203A (zh) * | 2021-10-13 | 2022-01-14 | 厦门华联电子股份有限公司 | 一种led芯片的封装覆膜方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101958384A (zh) * | 2010-10-18 | 2011-01-26 | 东莞市勤望达光电科技有限公司 | 白光发光二极管制备方法及其发光二极管 |
| CN103165797A (zh) * | 2013-03-13 | 2013-06-19 | 上海大学 | 白光led薄膜封装用荧光粉预制薄膜及其制备方法 |
| CN103187486A (zh) * | 2011-12-27 | 2013-07-03 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其荧光薄膜的制造方法 |
-
2013
- 2013-10-17 CN CN201310489001.2A patent/CN104576890A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101958384A (zh) * | 2010-10-18 | 2011-01-26 | 东莞市勤望达光电科技有限公司 | 白光发光二极管制备方法及其发光二极管 |
| CN103187486A (zh) * | 2011-12-27 | 2013-07-03 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其荧光薄膜的制造方法 |
| CN103165797A (zh) * | 2013-03-13 | 2013-06-19 | 上海大学 | 白光led薄膜封装用荧光粉预制薄膜及其制备方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105098003A (zh) * | 2015-06-24 | 2015-11-25 | 林立宸 | 一种具有干燥特性经加工并可快速融合于基板之发光粉制造方法 |
| CN105161593A (zh) * | 2015-06-24 | 2015-12-16 | 林立宸 | 一种可将一种粉快速融合于基板之制造方法 |
| CN113937203A (zh) * | 2021-10-13 | 2022-01-14 | 厦门华联电子股份有限公司 | 一种led芯片的封装覆膜方法 |
| CN113937203B (zh) * | 2021-10-13 | 2023-07-18 | 厦门华联电子股份有限公司 | 一种led芯片的封装覆膜方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103545463B (zh) | 一种柔性显示器件及其制作方法 | |
| CN102428578B (zh) | 于led封装结构上形成均匀萤光材料层的方法与器件 | |
| JP2018532613A (ja) | 付加製造方法及び装置 | |
| CN104576890A (zh) | 在led芯片上形成荧光层的方法 | |
| JP2013521652A (ja) | 光学素子に光学材料を塗布するためのシステム及び方法 | |
| KR20100109919A (ko) | 태양 전지의 금속피복 방법, 핫 멜트 에어로졸 잉크 및 에어로졸 제트 프린팅 시스템 | |
| CN201357133Y (zh) | 涂漆器 | |
| CN102569603B (zh) | 一种led陶瓷基板及其制作方法 | |
| CN111286054B (zh) | 一种聚4-甲基戊烯与SiO2微球复合薄膜及其制备方法 | |
| CN104561989B (zh) | 铝碳化硅冷喷镀铜方法及所得电子封装底板 | |
| US9859476B2 (en) | LED production method and LEDs | |
| TWI410699B (zh) | 含有一揮發性液體之裝置之供液體容置單元及其製法 | |
| JP2012135704A (ja) | エレクトロスプレーデポジション装置 | |
| Patil | Doctor blade: a promising technique for thin film coating | |
| CN105931971A (zh) | 一种场效应晶体管的制备方法 | |
| CN104576889A (zh) | 在led 芯片上形成荧光层的方法 | |
| CN104329597B (zh) | 一种无基板led灯及其制备方法 | |
| CN108906524A (zh) | 一种基于静电雾化成膜封装量子点导光板的方法 | |
| CN106313425A (zh) | 玻璃盖板组件的制造方法、玻璃盖板组件及移动终端 | |
| CN107493660A (zh) | 导电配线的制造方法 | |
| JP2005002474A5 (zh) | ||
| CN104347785A (zh) | 一种模具法荧光粉胶层涂覆工艺 | |
| US20140302244A1 (en) | Method for forming uniform film-layered structure | |
| KR101673047B1 (ko) | 변형된 스핀코팅 장치 및 이를 이용한 스핀코팅 방법 | |
| CN202700765U (zh) | 一种反提拉涂膜装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20150429 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |