CN104464041A - 智能钥匙终端装置及其工作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于提高智能钥匙系统工作性能的智能钥匙终端装置及其工作方法，根据本发明的用于提高智能钥匙系统工作性能的智能钥匙终端装置，其特征在于：将智能钥匙的发送频率变化量管理在较窄的特定范围，从而将智能钥匙系统的使用频带设定在较窄的特定范围，因此能够在智能钥匙系统的使用频带内的强噪声区域提高遥控钥匙(RKE)的工作的成功概率。根据本发明，通过在智能钥匙上添加晶体(crystal)温度补偿电路，设定较窄的智能钥匙系统的使用频带，从而能够解决射频强电场区域中由于使用频带内的噪声或者邻近的噪声而经常引起智能钥匙工作不正常的问题。

Description

智能钥匙终端装置及其工作方法
技术领域
本发明涉及一种用于提高智能钥匙系统工作性能的智能钥匙终端(FOB)装置及其工作方法，尤其涉及在射频(RF)噪声区域用于提高智能钥匙系统的工作性能的装置。
背景技术
如图1所示，现有的智能钥匙由微型计算机集成电路(IntegratedCircuit；IC)和射频(Radio Frequency；RF)IC或表面声波(SurfaceAcoustic Wave；SAW)振荡电路等构成。
智能钥匙的射频特性取决于射频IC或SAW振荡电路的特性，由射频IC构成的电路的射频特性取决于射频IC和晶体(Crystal)、电容器(Capacitor)。
通过上述三个构成要素，能够在客户要求的温度规格(-20℃～60℃)和电源规格(+3.2V～2.5V)内形成射频目标规格(频率偏移、频率偏差)。
一方面，图2是频移键控(Frequency Shift Keying；FSK)方式的射频发送输出波形，其中上侧频率与下侧频率之差称为频率偏移，中心频率(上/下侧频率的中心)移位程度称为频率偏差。
并且，智能钥匙系统的射频规格如图3所示，接收器的接收频带是包含智能钥匙部件的公差的发送频带中反映接收器部件的公差的频带。
现有规格是发送器中心频率(f0)为433.92MHz，频率偏移为±50kHz、频率偏差为±50kHz，接收器的频带是发送器的使用频带(200kHz)+部件公差(20kHz)。
但是，现有智能钥匙系统的射频规格因考虑到基本构成部件的基本特性和温度特性，使用频带设置得比较宽，因此当噪声发生在使用频带内时，遥控钥匙(Remote Keyless Entry；RKE)性能下降。
即，当使用频带变宽时受带宽内预定级别以上噪声的影响，RKE的工作性可能会下降。
发明内容
技术问题
为了解决上述问题，本发明的目的在于提供一种用于提高智能钥匙系统的工作性能的智能钥匙终端(FOB)装置及其工作方法，其将智能钥匙的发送频率变化量管理在较窄的特定范围，将智能钥匙系统的使用频带设定在较窄的特定范围，从而能够提高智能钥匙系统的使用频带内强噪声区域提高RKE工作的成功概率。
技术方案
为了达成上述目的，根据本发明的一方面的用于提高智能钥匙系统工作性能的智能钥匙终端装置，其特征在于包括：微型计算机，其在用户操作智能钥匙工作按键时输出启动(Enable)信号；无线频率集成电路部，其在接收到所述启动信号时启动；温度补偿部，其在接收到所述启动信号时启动；以及晶体，其一侧与所述无线频率集成电路部串联连接，另一侧与所述温度补偿部串联连接，当从启动的所述无线频率集成电路部接收到信号时输出对应于接收到的信号的信号，其中所述温度补偿部包括：npn型三极管TR1，其基极端与所述微型计算机串联连接，集电极端与电源电压串联连接；电阻R2，其一侧与所述三极管TR1的发射极端串联连接；热敏电阻(Thermistor)T1，其一侧与所述电阻R2串联连接；电阻R1，其一侧与所述热敏电阻(Thermistor)T1串联连接，另一侧与接地串联连接；以及变容二极管(Varactor Diode)D1，其一侧与所述电阻R2串联连接，另一侧与接地串联连接，在所述热敏电阻T1的一侧与所述变容二极管D1的一侧相并联连接的连接点串联连接有所述晶体的所述另一侧，通过向该连接点施加电源电压，使得在所述无线频率集成电路部启动时并联连接于所述晶体的电容器C1的值能够变动。
根据本发明的另一方面的一种用于提高智能钥匙系统工作性能的智能钥匙终端装置的工作方法，其特征在于包括：当用户操作智能钥匙(FOB)工作按键时，微型计算机输出用于启动无线频率集成电路部和温度补偿部的启动(Enable)信号的步骤；以及启动的所述无线频率集成电路部向位于其自身与所述温度补偿部之间的晶体输出信号的步骤，其中所述温度补偿部包括：三极管TR1，其基极端与所述微型计算机串联连接，集电极端与电源电压串联连接，该三极管TR1为npn型；电阻R2，其一侧与所述三极管TR1的发射极端串联连接；热敏电阻Thermistor)T1，其一侧与所述电阻R2串联连接；电阻R1，其一侧与所述热敏电阻(Thermistor)T1串联连接，另一侧与接地串联连接；以及变容二极管D1，其一侧与所述电阻R2串联连接，另一侧与接地串联连接，并且其中，所述热敏电阻T1的一侧与所述变容二极管D1的一侧相并联连接的连接点串联连接有所述晶体的所述另一侧，所述智能钥匙终端装置工作方法还包括通过向该连接点施加电源电压，使得在所述无线频率集成电路部启动时并联连接于所述晶体的电容器C1的值能够变动的步骤。
技术效果
根据本发明，通过向智能钥匙添加晶体(crystal)温度补偿电路，窄幅设定智能钥匙系统的使用频带，从而能够解决射频强电场区域中由于使用频带内的噪声或者邻近的噪声而经常引起智能钥匙(FOB)工作不正常的问题。
附图说明
图1至图3为说明现有技术的示意图；
图4为说明本发明的一个实施例的用于提高智能钥匙系统工作性能的智能钥匙终端装置的示意图；
图5为说明本发明的一个实施例的随温度变化的晶体频率变化的示意图；
图6为说明本发明的一个实施例的随电容值变化的晶体频率变化的示意图；
图7为说明本发明的一个实施例的随温度变化的热敏电阻的电阻值变化的示意图；
图8为说明本发明的一个实施例的随电压值变化的变容二极管的电容值变化的示意图。
附图标记说明
110：微型计算机   120：无线频率集成电路部
130：温度补偿部   140：晶体
具体实施方式
参照附图及结合附图详细说明的下述实施例，本发明的优点及特征、及其达成方法将会明确。但是本发明并非限定于以下公开的实施例，而是以互不相同的多种形态实现，本实施例仅使本发明的公开更加完整，是为了使本发明所属技术领域的普通技术人员能够容易理解本发明的范畴而提供的，本发明由本申请记载的技术方案的范畴所定义。另外，本说明书中使用的术语用于说明实施例，而并非限定本发明。本说明书中若句子中未特别言及，单数型也包括复数型。说明书中使用的“包括(comprises)”或“包含的(comprising)”不排除言及的构成要素、步骤、动作及/或元件以外的一个以上的其他构成要素、步骤、动作及/或元件存在或添加。
根据本发明的一个实施例的用于提高智能钥匙(smart key)系统工作性能的智能钥匙终端(FOB)装置，其特征在于包括：微型计算机，其在用户操作智能钥匙工作按键时输出启动(Enable)信号；无线频率集成电路部，其在接收到所述启动信号时启动；温度补偿部，其在接收到所述启动信号时启动；以及晶体，其一侧与所述无线频率集成电路部串联连接，另一侧与所述温度补偿部串联连接，当从启动的所述无线频率集成电路部接收到信号时输出对应于接收到的信号的信号，其中所述温度补偿部包括：npn型三极管TR1，其基极端与所述微型计算机串联连接，集电极端与电源电压串联连接；电阻R2，其一侧与所述三极管TR1的发射极端串联连接；热敏电阻(Thermistor)T1，其一侧与所述电阻R2串联连接；电阻R1，其一侧与所述热敏电阻(Thermistor)T1串联连接，另一侧与接地串联连接；以及变容二极管D1，其一侧与所述电阻R2串联连接，另一侧与接地串联连接，所述热敏电阻T1的一侧与所述变容二极管D1的一侧相并联连接的连接点串联连接有所述晶体的所述另一侧，通过向该连接点施加电源电压，使得在所述无线频率集成电路部启动时并联连接于所述晶体的电容器C1的值能够变动。
本发明的另一特征在于：从所述晶体输出的信号的频率随所述晶体的温度变化而变化，且随与所述晶体并联连接的电容器C1的值而变化，其中从所述晶体输出的信号的频率变化特性中随温度变化的特性与随所述电容器C1的值变化的特性互相相反，所述温度补偿部根据对应于温度变化的所述电容器C1的值的变化抵消从所述晶体输出的信号的频率变化，以防止所述晶体的频率随所述温度变化而变动。
本发明的另一特征在于：所述温度补偿部在被所述微型计算机启动(Enable)时，通过所述三极管TR1向所述连接点施加智能钥匙的电池供应的电源电压，向所述连接点施加的所述电源电压分配到所述电阻R2、所述热敏电阻T1及所述电阻R1。
本发明的另一特征在于：施加到所述变容二极管D1的电压为所述连接点的电压，所述连接点的电压取决于所述热敏电阻T1的电阻和所述电阻R1的电阻值。
本发明的另一特征在于：所述热敏电阻T1的电阻值在低温时增大，在高温时减小，所述变容二极管D1的电容值在施加的电压增大时减小，在施加的电压减小时增大。
本发明的另一特征在于：所述温度补偿部在低温时利用所述热敏电阻T1的大电阻值使所述连接点的电压增大，使所述变容二极管D1的电容值随所述连接点的电压增大而减小，使输出的所述信号的频率随所述变容二极管D1的电容值减小而增大，以弥补低温时从所述晶体输出的信号的频率减小。
本发明的另一特征在于：所述温度补偿部在高温时利用所述热敏电阻T1的小电阻值使所述连接点的电压减小，使所述变容二极管D1的电容值随所述连接点的电压减小而增大，使输出的所述信号的频率随所述变容二极管D1的电容值增大而减小，以弥补高温时从所述晶体输出的信号的频率增大。
根据本发明的一个实施例的用于提高智能钥匙系统工作性能的智能钥匙终端装置的工作方法，其特征在于包括：当用户操作智能钥匙工作按键时，微型计算机输出用于启动无线频率集成电路部和温度补偿部的启动(Enable)信号的步骤；以及启动的所述无线频率集成电路部向位于其自身与所述温度补偿部之间的晶体输出信号的步骤，其中所述温度补偿部包括：npn型三极管TR1，其基极端与所述微型计算机串联连接，集电极端与电源电压串联连接；电阻R2，其一侧与所述三极管TR1的发射极端串联连接；热敏电阻(Thermistor)T1，其一侧与所述电阻R2串联连接；电阻R1，其一侧与所述热敏电阻(Thermistor)T1串联连接，另一侧与接地串联连接；以及变容二极管D1，其一侧与所述电阻R2串联连接，另一侧与接地串联连接，并且其中，所述热敏电阻T1的一侧与所述变容二极管D1的一侧相并联连接的连接点串联连接有所述晶体的所述另一侧，所述智能钥匙终端装置工作方法还包括通过向该连接点施加电源电压，使得在所述无线频率集成电路部启动时并联连接于所述晶体的电容器C1的值能够变动的步骤。
本发明的另一特征在于：从所述晶体输出的信号的频率随所述晶体的温度变化而变化，且随与所述晶体并联连接的电容器C1的值而变化，其中从所述晶体输出的信号的频率变化特性中随温度变化的特性与随所述电容器C1的值变化的特性互相相反，施加电源电压的所述步骤包括：根据对应于温度变化的所述电容器C1的值的变化抵消从所述晶体输出的信号的频率变化，以防止所述晶体的频率随所述温度变化而变动的步骤。
本发明的另一特征在于，施加电源电压的所述步骤包括：通过所述三极管TR1向所述连接点施加智能钥匙的电池供应的电源电压的步骤；以及将向所述连接点施加的所述电源电压分配到所述电阻R2、所述热敏电阻T1及所述点入R1的步骤。
本发明的另一特征在于：施加到所述变容二极管D1的电压为所述连接点的电压，施加电源电压的所述步骤包括：由所述热敏电阻T1的电阻和所述电阻R1的电阻值确定所述连接点的电压的步骤。
本发明的另一特征在于：所述热敏电阻T1的电阻的值在低温时增大，在高温时减小，所述变容二极管D1的电容值在施加的电压增大时减小，在施加的电压减小时增大。
本发明的另一特征在于，施加电源电压的所述步骤包括：在低温时利用所述热敏电阻T1的大电阻值使所述连接点的电压增大，以弥补低温时从所述晶体输出的信号的频率减小的步骤；使所述变容二极管D1的电容值随所述连接点的电压增大而减小的步骤；以及使输出的所述信号的频率随所述变容二极管D1的电容值减小而增大的步骤。
本发明的另一特征在于，施加电源电压的所述步骤包括：在高温时利用所述热敏电阻T1的小电阻值使所述连接点的电压减小，以弥补低温时从所述晶体输出的信号的频率增大的步骤；使所述变容二极管D1的电容值随所述连接点的电压减小而增大的步骤；以及使输出的所述信号的频率随所述变容二极管D1的电容值增大而减小的步骤。
本发明的另一特征在于：用于提高工作性能的所述智能钥匙的射频(RF)特性取决于所述无线频率集成电路部的特性，所述无线频率集成电路部的特性取决于所述晶体及所述电容器C1。
以下参照图4至图8说明本发明的一个实施例的用于提高智能钥匙系统的工作性能的智能钥匙终端装置及其工作方法。图4为说明本发明的一个实施例的用于提高智能钥匙系统的工作性能的智能钥匙终端装置的示意图，图5为说明本发明的一个实施例的随温度变化的晶体频率变化的示意图，图6为说明本发明的一个实施例的随电容值变化的晶体频率变化的示意图，图7为说明本发明的一个实施例的随温度变化的热敏电阻的电阻值变化的示意图，图8为说明本发明的一个实施例的随电压值变化的变容二极管的电容值变化的示意图。
本发明通过如下管理智能钥匙的使用频带，以解决现有技术中的问题。
即，本发明缩小智能钥匙的使用频带，将其设定成预先设定的频带，使智能钥匙系统中使用的频带缩小至预先设定的频带，以防止智能钥匙系统的使用频带内的噪声降低遥控钥匙的工作性能。
一方面，智能钥匙的使用频带取决于晶体的频率偏差(移位)，晶体的频率偏差由初始偏差和温度偏差构成，大部分(预先设定的范围以上)由温度偏差构成。
因此，当将源于温度变化的频率偏差部分缩小至预先设定的范围时，智能钥匙的频带缩小至预先设定的范围，从而能够相应地将智能钥匙系统的使用频带缩小至预先设定的范围。
如图4所示，本发明的一个实施例的用于提高智能钥匙系统工作性能的智能钥匙终端装置包括微型计算机(MICOM)110、无线频率集成电路部120(Radio Frequency Integrated Circuit；RFIC)、温度补偿部130以及晶体140。
如图5所示，智能钥匙的发送频率，即晶体140的输出频率随晶体140的温度变化而变化。
并且，如图6所示，晶体140的输出频率随晶体140的负荷即并联连接于晶体140的电容器C1的值变化。
由图5及图6可知，基于温度的晶体140的输出频率变化特性与基于电容器C1的值的晶体140的输出频率变化特性互相相反。
因此，本发明根据对应于温度变化的电容器C1的值的变化抵消因温度变化而发生的晶体140的输出频率的变化，从而能够防止晶体140的频率随温度的变化而变动。
为此，温度补偿部130包括三极管TR1、电阻R1、电阻R2、热敏电阻(Thermistor)T1以及变容二极管D1，向晶体140、热敏电阻T1及变容二极管D1之间的连接点施加电源电压，使得在射频IC120启动时与晶体140并联连接的电容器C1的值能够变动。
例如，微型计算机110在用户操作智能钥匙的工作按键时启动(Enable)射频IC120和温度补偿部130。
温度补偿部130包括三极管TR1、电阻R1、电阻R2、热敏电阻T1以及变容二极管D1。
三极管TR1是npn型三极管，其基极端与微型计算机110串联连接，集电极端与电源电压VCC串联连接，其中所述电源电压VCC为3V；发射极端与电阻R2串联连接。
电阻R2的一侧与三极管TR1的发射极端串联连接，另一侧与热敏电阻T1的一侧串联连接。
热敏电阻T1的一侧与电阻R2的一侧串联连接，另一侧与电阻R1的一侧串联连接。
电阻R1的一侧与热敏电阻T1的一侧串联连接，另一侧与接地串联连接。
变容二极管D1的一侧与热敏电阻T1的一侧并联连接，与电阻R2的一侧串联连接，另一侧与接地串联连接。
温度补偿部130在被微型计算机110启动(Enable)时，通过三极管TR1向连接点施加智能钥匙的电池供应的电源电压VCC(3V)。
施加到连接点的电源电压VCC(3V)分配到电阻R2和热敏电阻T1+电阻R1。
施加到变容二极管D1的电压，即连接点的电压取决于热敏电阻T1的电阻和电阻R1的电阻值。
如图7所示，热敏电阻T1的电阻值随温度变化而变化。即，热敏电阻T1的特点是其电阻值在低温时增大、在高温时减小。
如图8所示，变容二极管D1的电容值随施加的电压值变化。
上述的部分进一步说明如下：在低温时热敏电阻T1具有大的电阻值，因此连接点的电压增大时变容二极管D1的电容值减小，当变容二极管D1的电容值如上减小时频率增大，从而可以弥补单晶体140的输出频率在低温时降低的特性。
并且，在高温时热敏电阻T1具有小的电阻值，因此连接点的电压减小时变容二极管D1的电容值增大，当变容二极管D1的电容值如上增大时频率减小，从而可以弥补单晶体140的频率在高温时增大的特性。
上述的内容简要概括如下：
本发明可以弥补因智能钥匙的温度变化而发生移位的输出频率，因此可以缩小使用频带，使得能够在窄于现有设定频带的频带工作。
即，现有智能钥匙系统由于接收IC的特性，因此无法将使用频带缩小至现有设定频带以内使用，，因此通过设定较宽的频率偏移来提高接收IC的接收性能，直接适用现有使用频带220kHz。
现有智能钥匙由于晶体的温度特性(±50ppm)，因此输出频率发生21.7kHz程度的移位，本发明通过添加温度补偿电路来弥补温度引起的频率移位，能够将频率移位弥补到5kHz以内。
如上所述，本发明降低温度引起的智能钥匙的输出频率移位幅度，因此能够缩小智能钥匙系统的使用频带，使用频带变窄时较少受到噪声影响，从而能够提高RKE的工作距离性能。
以上参照优选实施例及附图详细说明了本发明的构成，但这些仅仅是举例说明，在不脱离本发明的技术思想的范围内可以进行多种变形。因此本发明的范围并不限定于以上说明的实施例，与上述技术方案均等的范围均属于本发明的范围。

Claims (15)

1.一种用于提高智能钥匙系统工作性能的智能钥匙终端装置，其特征在于，包括：
微型计算机，其在用户操作智能钥匙工作按键时输出启动信号；
无线频率集成电路部，其在接收到所述启动信号时启动；
温度补偿部，其在接收到所述启动信号时启动；以及
晶体，其一侧与所述无线频率集成电路部串联连接，另一侧与所述温度补偿部串联连接，当从启动的所述无线频率集成电路部接收到信号时输出对应于接收到的信号的信号，
其中，所述温度补偿部包括：
npn型三极管(TR1)，其基极端与所述微型计算机串联连接，集电极端与电源电压(VCC)串联连接；
电阻(R2)，其一侧与所述三极管(TR1)的发射极端串联连接；
热敏电阻(T1)，其一侧与所述电阻(R2)串联连接；
电阻(R1)，其一侧与所述热敏电阻(T1)串联连接，另一侧与接地串联连接；以及
变容二极管(D1)，其一侧与所述电阻(R2)串联连接，另一侧与接地串联连接，
并且其中，所述热敏电阻(T1)的一侧与所述变容二极管(D1)的一侧相并联连接的连接点串联连接有所述晶体的所述另一侧，所述温度补偿部通过向该连接点施加电源电压，使得在所述无线频率集成电路部启动时并联连接于所述晶体的电容器(C1)的值能够变动。
2.根据权利要求1所述的用于提高智能钥匙系统工作性能的智能钥匙终端装置，其特征在于：
从所述晶体输出的信号的频率随所述晶体的温度变化而变化，且随与所述晶体并联连接的电容器(C1)的值而变化，
其中，从所述晶体输出的信号的频率变化特性中随温度变化的特性与随所述电容器(C1)的值变化的特性互相相反，
所述温度补偿部根据对应于温度变化的所述电容器(C1)的值的变化抵消从所述晶体输出的信号的频率变化，以防止所述晶体的频率随所述温度变化而变动。
3.根据权利要求1所述的用于提高智能钥匙系统工作性能的智能钥匙终端装置，其特征在于：
所述温度补偿部在被所述微型计算机启动时，通过所述三极管(TR1)向所述连接点施加智能钥匙的电池供应的电源电压(VCC)，
向所述连接点施加的所述电源电压(VCC)分配到所述电阻(R2)、所述热敏电阻(T1)及所述电阻(R1)。
4.根据权利要求1所述的用于提高智能钥匙系统工作性能的智能钥匙终端装置，其特征在于：
施加到所述变容二极管(D1)的电压为所述连接点的电压，所述连接点的电压取决于所述热敏电阻(T1)的电阻和所述电阻(R1)的电阻值。
5.根据权利要求1所述的用于提高智能钥匙系统工作性能的智能钥匙终端装置，其特征在于：
所述热敏电阻(T1)的电阻的值在低温时增大，在高温时减小，
所述变容二极管(D1)的电容值在施加的电压增大时减小，在施加的电压减小时增大。
6.根据权利要求1所述的用于提高智能钥匙系统工作性能的智能钥匙终端装置，其特征在于：
所述温度补偿部在低温时利用所述热敏电阻(T1)的大电阻值使所述连接点的电压增大，使所述变容二极管(D1)的电容值随所述连接点的电压增大而减小，使输出的所述信号的频率随所述变容二极管(D1)的电容值减小而增大，以弥补低温时从所述晶体输出的信号的频率减小。
7.根据权利要求1所述的用于提高智能钥匙系统工作性能的智能钥匙终端装置，其特征在于：
所述温度补偿部在高温时利用所述热敏电阻(T1)的小电阻值使所述连接点的电压减小，使所述变容二极管(D1)的电容值随所述连接点的电压减小而增大，使输出的所述信号的频率随所述变容二极管(D1)的电容值增大而减小,以弥补高温时从所述晶体输出的信号的频率增大。
8.一种用于提高智能钥匙系统工作性能的智能钥匙终端装置工作方法，其特征在于，包括：
当用户操作智能钥匙工作按键时，微型计算机输出用于启动无线频率集成电路部和温度补偿部的启动信号的步骤；以及
启动的所述无线频率集成电路部向位于其自身与所述温度补偿部之间的晶体输出信号的步骤，
其中，所述温度补偿部包括：npn型三极管(TR1)，其基极端与所述微型计算机串联连接，集电极端与电源电压串联连接；电阻(R2)，其一侧与所述三极管(TR1)的发射极端串联连接；热敏电阻(T1)，其一侧与所述电阻(R2)串联连接；电阻(R1)，其一侧与所述热敏电阻(T1)串联连接，另一侧与接地串联连接；以及变容二极管(D1)，其一侧与所述电阻(R2)串联连接，另一侧与接地串联连接，
并且其中，所述热敏电阻(T1)的一侧与所述变容二极管(D1)的一侧相并联连接的连接点串联连接有所述晶体的所述另一侧，
所述智能钥匙终端装置工作方法还包括通过向该连接点施加电源电压，使得在所述无线频率集成电路部启动时并联连接于所述晶体的电容器(C1)的值能够变动的步骤。
9.根据权利要求8所述的用于提高智能钥匙系统工作性能的智能钥匙终端装置工作方法，其特征在于：
从所述晶体输出的信号的频率随所述晶体的温度变化而变化，且随与所述晶体并联连接的电容器(C1)的值而变化，
其中，从所述晶体输出的信号的频率变化特性中随温度变化的特性与随所述电容器(C1)的值变化的特性互相相反，
施加电源电压的所述步骤包括：
根据对应于温度变化的所述电容器(C1)的值的变化抵消从所述晶体输出的信号的频率变化，以防止所述晶体的频率随所述温度变化而变动的步骤。
10.根据权利要求8所述的用于提高智能钥匙系统工作性能的智能钥匙终端装置工作方法，其特征在于，施加电源电压的所述步骤包括：
通过所述三极管(TR1)向所述连接点施加智能钥匙的电池供应的电源电压(VCC)的步骤；以及
将向所述连接点施加的所述电源电压(VCC)分配到所述电阻(R2)、所述热敏电阻(T1)及所述电阻(R1)的步骤。
11.根据权利要求8所述的用于提高智能钥匙系统工作性能的智能钥匙终端装置工作方法，其特征在于：
施加到所述变容二极管(D1)的电压为所述连接点的电压，
施加电源电压的所述步骤包括：
由所述热敏电阻(T1)的电阻和所述电阻(R1)的电阻值确定所述连接点的电压的步骤。
12.根据权利要求8所述的用于提高智能钥匙系统工作性能的智能钥匙终端装置工作方法，其特征在于：
所述热敏电阻(T1)的电阻的值在低温时增大，在高温时减小，
所述变容二极管(D1)的电容值在施加的电压增大时减小，在施加的电压减小时增大。
13.根据权利要求8所述的用于提高智能钥匙系统工作性能的智能钥匙终端装置工作方法，其特征在于，施加电源电压的所述步骤包括：
在低温时利用所述热敏电阻(T1)的大电阻值使所述连接点的电压增大，以弥补低温时从所述晶体输出的信号的频率减小的步骤；
使所述变容二极管(D1)的电容值随所述连接点的电压增大而减小的步骤；以及
使输出的所述信号的频率随所述变容二极管(D1)的电容值减小而增大的步骤。
14.根据权利要求8所述的用于提高智能钥匙系统工作性能的智能钥匙终端装置工作方法，其特征在于，施加电源电压的所述步骤包括：
在高温时利用所述热敏电阻(T1)的小电阻值使所述连接点的电压减小，以弥补低温时从所述晶体输出的信号的频率增大的步骤；
使所述变容二极管(D1)的电容值随所述连接点的电压减小而增大的步骤；以及
使输出的所述信号的频率随所述变容二极管(D1)的电容值增大而减小的步骤。
15.根据权利要求8所述的用于提高智能钥匙系统工作性能的智能钥匙终端装置工作方法，其特征在于：
用于提高工作性能的所述智能钥匙的射频特性取决于所述无线频率集成电路部的特性，所述无线频率集成电路部的特性取决于所述晶体及所述电容器(C1)。
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