CN104375297A - 一种阵列基板、显示面板及制备方法、显示装置 - Google Patents

一种阵列基板、显示面板及制备方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104375297A
CN104375297A CN201410735210.5A CN201410735210A CN104375297A CN 104375297 A CN104375297 A CN 104375297A CN 201410735210 A CN201410735210 A CN 201410735210A CN 104375297 A CN104375297 A CN 104375297A
Authority
CN
China
Prior art keywords
connecting line
array base
base palte
plastic box
sealed plastic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410735210.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104375297B (zh
Inventor
蒋学兵
林琳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201410735210.5A priority Critical patent/CN104375297B/zh
Publication of CN104375297A publication Critical patent/CN104375297A/zh
Priority to US14/892,890 priority patent/US10197866B2/en
Priority to PCT/CN2015/079201 priority patent/WO2016086614A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104375297B publication Critical patent/CN104375297B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/121—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode common or background
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel

Abstract

本发明提供一种阵列基板、显示面板及制备方法、显示装置，所述阵列基板包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域包括位于所述显示区域外围的封框胶区域以及位于所述封框胶区域外围的外围区域，所述阵列基板还包括：多条用于连接驱动单元的信号连接线，所述信号连接线包括第一连接线，所述第一连接线的一部分位于所述外围区域，一部分位于所述封框胶区域。本发明中，当阵列基板与一彩膜基板对盒后，位于封框胶区域内的第一连接线可被设置在封框胶区域内的封框胶覆盖，因而可以降低第一连接线破损的可能性，进而降低了由于第一连接线破损导致的包括该阵列基板的显示装置的显示异常现象。

Description

一种阵列基板、显示面板及制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及制备方法、显示装置。
背景技术
TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)主要包括彩膜(CF)基板、阵列(Array)基板以及填充于两基板之间的液晶，两基板采用封框胶(Sealant)在贴合工艺段将四周粘合，同时封框胶还可以封住两基板之间的液晶。通常，阵列基板稍大于彩膜基板，多出的部分主要为栅极驱动单元(Gate IC)和源极驱动单元(Source IC)Bonding(绑定)留出空间。
请参考图1至图3，图1为现有的阵列基板的结构示意图，图2为图1中的阵列基板的边角放大图；图3为图2中的A-A’面的剖视图。
从图1中可以看出，阵列基板100包括显示区域101和位于显示区域外围的非显示区域102，非显示区域102又包括位于显示区域101外围的封框胶区域1021和位于封框胶区域1021外围的外围区域1022，外围区域1022内设置有PLG(Peripheral layout Gate，外围走线)走线202。PLG走线202是控制信号及电压走线，用于将栅极所需电压及信号，从源极驱动单元传输至栅极驱动单元，以保证栅极驱动单元正常工作。图2和3中，201为衬底基板，202为PLG走线，203为钝化层，204为PLG连接线，205为钝化层233上的过孔，从图3中可以看出，PLG连接线204通过钝化层203上的过孔205与PLG走线202连接，从而可以将PLG走线202和驱动单元(栅极驱动单元或源极驱动单元)连接起来。从图1中可以看出，现有的PLG走线103位于阵列基板的边缘，易受外力、划伤或腐蚀等因素影响而造成损伤，致使栅极驱动单元无法接受到所需的电压及信号，导致显示异常。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种阵列基板、显示面板及制备方法、显示装置，以解决现有的PLG走线容易造成损伤的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种阵列基板，包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域包括位于所述显示区域外围的封框胶区域以及位于所述封框胶区域外围的外围区域，其特征在于，所述阵列基板还包括：
多条用于连接驱动单元的信号连接线，所述信号连接线包括第一连接线，所述第一连接线的一部分位于所述外围区域，一部分位于所述封框胶区域。
优选地，所述阵列基板还包括位于所述非显示区域的钝化层，第一连接线位于所述钝化层之上。
优选地，所述第一连接线包括：依次相连的第一子段、第二子段和第三子段，所述第一子段和第二子段位于所述外围区域，所述第三子段位于所述封框胶区域。
优选地，所述阵列基板还包括位于所述显示区域的像素电极层，所述第一连接线与所述像素电极层同层同材料设置。
优选地，所述信号连接线还包括：位于所述外围区域且与所述第一连接线并联的第二连接线。
优选地，所述阵列基板包括位于所述显示区域的多个导电材料层，所述第二连接线与所述导电材料层的其中一层同层同材料设置。
优选地，所述导电材料层包括栅金属层和源漏金属层，所述第二连接线与所述栅金属层或源漏金属层同层同材料设置，所述第二连接线通过过孔与所述第一连接线并联。
本发明还提供一种显示面板，包括阵列基板、彩膜基板以及设置于所述阵列基板和彩膜基板之间的封框胶，所述阵列基板为上述阵列基板。
优选地，所述阵列基板还包括位于所述非显示区域的钝化层，第一连接线位于所述钝化层之上，所述第一连接线包括：断开的第一分段和第二分段，所述第一分段和所述第二分段均存在一部分位于所述外围区域，一部分位于所述封框胶区域；
所述彩膜基板包括显示区域、位于所述显示区域外围的封框胶区域以及设置于所述封框胶区域的第三连接线，每一所述第三连接线通过位于所述封框胶内的导电金属球将一所述第一连接线的第一分段和第二分段连接起来。
优选地，所述阵列基板还包括位于其显示区域的像素电极层，所述第一连接线与所述像素电极层同层同材料设置。
优选地，所述彩膜基板还包括位于其显示区域的公共电极层，所述第三连接线与所述公共电极层同层同材料设置。
本发明还提供一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域包括位于所述显示区域外围的封框胶区域以及位于所述封框胶区域外围的外围区域，其特征在于，所述方法包括：
形成用于连接驱动单元的信号连接线的步骤，所述信号连接线包括第一连接线，所述第一连接线的一部分位于所述外围区域，一部分位于所述封框胶区域。
优选地，所述形成第一连接线的步骤之前还包括：
形成位于所述外围区域的第二连接线；
形成所述非显示区域的钝化层，并形成贯穿所述钝化层的过孔；
所述形成第一连接线的步骤具体为：
采用一次构图工艺形成位于所述显示区域的像素电极层和所述第一连接线，所述第一连接线通过所述过孔与所述第二连接线并联。
本发明还提供一种显示面板的制备方法，包括制备阵列基板和制备彩膜基板的步骤，采用上述方法制备所述阵列基板。
优选地，所述形成第一连接线的步骤具体为：
采用一次构图工艺形成位于所述显示区域的像素电极层和所述第一连接线，所述第一连接线包括：断开的第一分段和第二分段，所述第一分段和所述第二分段均存在一部分位于所述外围区域，一部分位于所述封框胶区域；
所述制备彩膜基板的步骤包括：
在所述彩膜基板的封框胶区域形成第三连接线；
所述制备阵列基板和制备彩膜基板的步骤之后还包括：
使用封框胶将所述阵列基板和所述彩膜基板粘合，所述封框胶内包含导电金属球，每一所述第三连接线通过位于所述封框胶内的导电金属球将一所述第一连接线的第一分段和第二分段连接起来。
本发明还提供一种显示装置，包括上述显示面板。
本发明的上述技术方案的有益效果如下：
用于连接驱动单元的第一连接线的一部分位于封框胶区域内，一部分位于外围区域，当阵列基板与一彩膜基板对盒后，位于封框胶区域内的第一连接线可被设置在封框胶区域内的封框胶覆盖，因而可以降低第一连接线破损的可能性，进而降低了由于第一连接线破损导致的包括该阵列基板的显示装置的显示异常现象。
附图说明
图1为现有技术中的阵列基板的结构示意图；
图2为图1中的阵列基板的边角放大图；
图3为图2中的A-A’面的剖视图；
图4为本发明实施例一的阵列基板的结构示意图；
图5为本发明实施例二的阵列基板的结构示意图；
图6为本发明实施例三的阵列基板的结构示意图；
图7为本发明实施例四的阵列基板的结构示意图；
图8是本发明实施例五的显示面板的结构示意图；
图9为图8中的B-B’面的剖视图；
图10是本发明实施例六的显示面板的结构示意图；
图11为图10中的C-C’面的剖视图；
图12为本发明实施例七的显示面板的制备方法的流程示意图；
图13为本发明实施例八的显示面板的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
请参考图4，图4为本发明实施例一的阵列基板的结构示意图，所述阵列基板包括：显示区域101和非显示区域102，所述非显示区域102包括位于所述显示区域101外围的封框胶区域1021以及位于所述封框胶区域1021外围的外围区域1022。其中，所述封框胶区域1021用于设置封框胶，以将该阵列基板与一彩膜基板对盒。所述阵列基板还包括：多条用于连接驱动单元400的信号连接线，所述信号连接线包括第一连接线301，所述第一连接线301的一部分位于所述外围区域1022，一部分位于所述封框胶区域1021。
所述驱动单元400包括栅极驱动单元和源极驱动单元，所述信号连接线可用于连接一栅极驱动单元和一源极驱动单元，或者连接两源极驱动单元，或者连接两栅极驱动单元。通常情况下，位于阵列基板上侧的驱动单元400为源极驱动单元，位于左侧的驱动单元400为栅极驱动单元。
所述信号连接线传输的信号通常包括：STV(Start vertical，一帧的开启信号)、CPV(Clock pulse vertical，一行的开启信号)、OE(Output enable，输出使能信号)、VGH(输入薄膜晶体管的高电压信号)和VGL(输入薄膜晶体管的低电压信号)等。
由于用于连接驱动单元的第一连接线301的一部分位于封框胶区域1021内，当阵列基板与一彩膜基板对盒后，位于封框胶区域1021内的第一连接线301可被设置在封框胶区域1021内的封框胶覆盖，因而可以降低第一连接线301破损的可能性，进而降低了由于第一连接线301破损导致的包括该阵列基板的显示装置的显示异常现象。
所述阵列基板通常还包括钝化层，优选地，第一连接线301位于所述钝化层之上，以方便与驱动单元400的连接。
此外，所述阵列基板还包括位于所述显示区域101的像素电极层，优选地，所述第一连接线301可与所述像素电极层同层同材料设置，即所述第一连接线301可与像素电极层通过一次构图工艺形成，从而可以减少阵列基板的工艺流程，提高生产效率。当然，在本发明的其他一些实施例中，所述第一连接线301也可以通过单独的构图工艺制备。
或者，在本发明的其他一些实施例中，所述第一连接线301也可以设置于所述钝化层之下，通过过孔与驱动单元400连接。
图4所示的实施例中，用于连接驱动单元的信号连接线除了包括第一连接线301之外，还包括位于外围区域的第四连接线302，其中，用于连接源极驱动单元和栅极驱动单元的信号连接线为第一连接线301(其一部分位于封框胶区域1021内)，而其他位置所采用的信号连接线则是位于外围区域的第四连接线302。
所述阵列基板还包括位于所述显示区域101的多个导电材料层，所述第四连接线302可与所述导电材料层的其中一层同层同材料设置。所述导电材料层可以为栅金属层或源漏金属层。所述第四连接线302通过过孔与驱动单元400连接。
图4所示的实施例中，只有第一连接线301(其一部分位于封框胶区域1021内)可以得到保护，而位于外围区域的第四连接线302难以得到有效的保护，易受外力、划伤或腐蚀等因素影响而造成损伤。
请参考图5，图5为本发明实施例二的阵列基板的结构示意图，本发明实施例中，信号连接线全部为第一连接线301，该种结构下，全部信号连接线均可得到保护。而且，该种结构下，外围区域1022中的信号连接线所占区域小，因而还可以缩小阵列基板的外围区域1022的尺寸，从而实现窄边框。
请参考图6，图6为本发明实施例三的阵列基板的结构示意图，所述阵列基板与图4中所示的阵列基板的区别在于：所述信号连接线还包括：位于所述外围区域且与所述第一连接线301并联的第二连接线303。
所述阵列基板还包括钝化层和位于所述显示区域的多个导电材料层，优选地，所述第二连接线303可与所述导电材料层的其中一层同层同材料设置。
优选地，所述导电材料层包括栅金属层和源漏金属层，所述第二连接线303可以与所述栅金属层或源漏金属层同层同材料设置，所述第二连接线303通过过孔205与所述第一连接线301并联。
该种结构下，第一连接线301和第二连接线303可具有双重保险功能，也就是说，即使第二连接线303破损，与其并联的第一连接线301仍可以正常传输信号，即使第一连接线301发生故障，与其并联的第二连接线303也可以正常传输信号。
图6所示的实施例中，只有用于连接源极驱动单元和栅极驱动单元的信号连接线为第一连接线301和第二连接线303并联的方式，其他位置处的信号连接线均为位于外围区域的第四连接线302。
请参考图7，图7为本发明实施例四的阵列基板的结构示意图，本发明实施例中，信号连接线全部为第一连接线301和第二连接线303并联的方式。
本发明实施例还提供一种显示面板，包括阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板可以为上述任一实施例中的阵列基板。
请参考图8和图9，图8是本发明实施例五的显示面板的结构示意图，图9为图8中的B-B’面的剖视图，所述显示面板包括阵列基板100、彩膜基板600以及设置于所述阵列基板100和彩膜基板600之间的封框胶500，所述阵列基板100包括：显示区域101和非显示区域，所述非显示区域包括位于所述显示区域101外围的封框胶区域1021以及位于所述封框胶区域1021外围的外围区域1022。所述封框胶区域1021用于设置封框胶500，以与彩膜基板600对盒。所述阵列基板还包括：多条用于连接驱动单元400的信号连接线，所述信号连接线包括第一连接线301，第一连接线301包括依次相连的第一子段3011、第二子段3012和第三子段3013，所述第一子段3011和第二子段3012位于所述阵列基板的外围区域1022，所述第三子段3013位于所述阵列基板的封框胶区域1021。
从图9中可以看出，位于封框胶区域1021内的第一连接线301可被封框胶500覆盖，从而不受外力、划伤或腐蚀等因素影响而造成损伤。图9中，201为阵列基板的衬底基板，203为钝化层，301为第一连接线，601为彩膜基板的衬底基板，602为平坦层。
本实施例中，信号连接线还包括位于所述外围区域1022内且与所述第一连接线301连接的第二连接线303。第二连接线303通过过孔205与第一连接线301并联。
请参考图10和图11，图10为本发明实施例六的显示面板的结构示意图，图9为图8中的C-C’面的剖视图，本发明实施例中，所述显示面板包括阵列基板100、彩膜基板600以及设置于所述阵列基板100和彩膜基板600之间的封框胶500，所述阵列基板100包括：显示区域101和非显示区域，所述非显示区域包括位于所述显示区域101外围的封框胶区域1021以及位于所述封框胶区域1021外围的外围区域1022。所述封框胶区域1021用于设置封框胶500，以与彩膜基板600对盒。所述阵列基板还包括：多条用于连接驱动单元400的信号连接线，所述信号连接线包括第一连接线301，所述第一连接线301包括：断开的第一分段3014和第二分段3015，所述第一分段3014和所述第二分段3015的一部分位于所述外围区域1022，一部分位于所述封框胶区域1021。
所述彩膜基板600包括显示区域、位于所述显示区域外围的封框胶区域以及设置于所述封框胶区域的第三连接线603，每一所述第三连接线303通过位于所述封框胶500内的导电金属球501将一所述第一连接线301的第一分段3014和第二分段3015连接起来。
该种结构中，封框胶500内的导电金属球501可以导通阵列基板100和彩膜基板600侧的第一连接线301和第三连接线603，第一连接线301的第五分段3015传输的信号可以通过导电金属球501进入彩膜基板600侧，再经由导电金属球501回到阵列基板100侧的第四分段3014上。
所述导电金属球501可以为导电金球。
所述阵列基板100还包括位于其非显示区域的钝化层203，优选地，第一连接线301位于所述钝化层203之上。所述阵列基板100还包括位于其显示区域的像素电极层，优选地，所述第一连接线301与所述像素电极层同层同材料设置。
当所述显示面板为TN(扭曲向列)型的显示面板时，所述彩膜基板600还包括位于其显示区域的公共电极层，优选地，所述第三连接线603可与所述公共电极层同层同材料设置。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述实施例中的显示面板。
本发明实施例还提供一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域包括位于所述显示区域外围的封框胶区域以及位于所述封框胶区域外围的外围区域，所述方法包括：形成用于连接驱动单元的信号连接线的步骤，所述信号连接线包括第一连接线，所述第一连接线的一部分位于所述外围区域，一部分位于所述封框胶区域。
优选地，所述形成第一连接线的步骤之前还包括：
形成位于所述外围区域的第二连接线；
形成所述非显示区域的钝化层，并形成贯穿所述钝化层的过孔；
其中，所述形成第一连接线的步骤具体为：
采用一次构图工艺形成位于所述显示区域的像素电极层和所述第一连接线，所述第一连接线通过所述过孔与所述第二连接线并联。
本发明实施例还提供一种显示面板的制备方法，包括制备阵列基板和制备彩膜基板的步骤，所述阵列基板包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域包括位于所述显示区域外围的封框胶区域以及位于所述封框胶区域外围的外围区域，所述制备阵列基板的方法包括：形成用于连接驱动单元的信号连接线的步骤，所述信号连接线包括第一连接线，所述第一连接线的一部分位于所述外围区域，一部分位于所述封框胶区域。
优选地，所述形成第一连接线的步骤具体为：
采用一次构图工艺形成位于所述显示区域的像素电极层和所述第一连接线，所述第一连接线包括：断开的第一分段和第二分段，所述第一分段和所述第二分段均存在一部分位于所述外围区域，一部分位于所述封框胶区域；
所述制备彩膜基板的步骤包括：
在所述彩膜基板的封框胶区域形成第三连接线；
所述制备阵列基板和制备彩膜基板的步骤之后还包括：
使用封框胶将所述阵列基板和所述彩膜基板粘合，所述封框胶内包含导电金属球，每一所述第三连接线通过位于所述封框胶内的导电金属球将一所述第一连接线的第一分段和第二分段连接起来。
请参考图12，图12为本发明实施例七的显示面板的制备方法的流程示意图，所述方法包括以下步骤：
步骤S121：在阵列基板侧，形成位于所述阵列基板的非显示区域的第二连接线；所述阵列基板的非显示区域包括封框胶区域和位于封框胶区域的外围区域，所述第二连接线位于所述外围区域；
步骤S122：形成位于所述阵列基板的非显示区域的钝化层，并形成贯穿所述钝化层的过孔；
步骤S123：在所述钝化层上形成第一连接线，所述第一连接线包括：断开的第一分段和第二分段，所述第一分段和所述第二分段均存在一部分位于所述外围区域，一部分位于所述封框胶区域；所述第一连接线通过所述过孔与所述第二连接线并联。
所述第一连接线可与位于所述阵列基板的显示区域的像素电极层通过一次构图工艺形成。
步骤S124：在彩膜基板侧，形成位于所述彩膜基板的非显示区域的第三连接线；
当显示面板为TN型显示面板时，所述第三连接线可与所述彩膜基板上的公共电极层通过一次构图工艺形成。
步骤S125：在液晶滴下(One Drop Filling，ODF)工序进行真空对盒，使用封框胶将阵列基板和彩膜基板粘合，其中，封框胶内含有导电金属球，每一所述第三连接线通过位于所述封框胶内的导电金属球将一所述第一连接线的第一分段和第二分段连接起来。
该种结构中，封框胶内的导电金属球可以导通阵列基板和彩膜基板侧的第一连接线和第三连接线，第一连接线的第五分段传输的信号可以通过导电金属球进入彩膜基板侧，再经由导电金属球回到阵列基板侧的第四分段上。
该实施例中，用于传输信号的信号连接线同时位于阵列基板和彩膜基板侧。
该种结构具有以下优点：阵列基板侧的第一连接线部分被封框胶覆盖，可以得到有效保护，且阵列基板侧同时具有并联的第一连接线和第二连接线，具有双重保险功能。
请参考图13，图13为本发明实施例八的显示面板的制备方法的流程示意图，所述方法包括以下步骤：
步骤S131：在阵列基板侧，形成位于所述阵列基板的非显示区域的第二连接线；所述阵列基板的非显示区域包括封框胶区域和位于封框胶区域的外围区域，所述第二连接线位于所述外围区域；
步骤S132：形成位于所述阵列基板的非显示区域的钝化层，并形成贯穿所述钝化层的过孔；
步骤S133：在所述钝化层上形成第一连接线，第一连接线包括依次相连的第一子段、第二子段和第三子段，所述第一子段和第二子段位于所述阵列基板的外围区域，所述第三子段位于所述阵列基板的封框胶区域。所述第一连接线通过所述过孔与所述第二连接线并联。
所述第一连接线可与位于所述阵列基板的显示区域的像素电极层通过一次构图工艺形成。
步骤S134：在液晶滴下工序进行真空对盒，使用封框胶将阵列基板和彩膜基板粘合。
该实施例中，用于传输信号的信号连接线只位于阵列基板侧。
该种结构具有以下优点：阵列基板侧的第一连接线部分被封框胶覆盖，可以得到有效保护，且阵列基板侧同时具有并联的第一连接线和第二连接线，具有双重保险功能。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (16)

1.一种阵列基板，包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域包括位于所述显示区域外围的封框胶区域以及位于所述封框胶区域外围的外围区域，其特征在于，所述阵列基板还包括：
多条用于连接驱动单元的信号连接线，所述信号连接线包括第一连接线，所述第一连接线的一部分位于所述外围区域，一部分位于所述封框胶区域。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述非显示区域的钝化层，第一连接线位于所述钝化层之上。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一连接线包括：依次相连的第一子段、第二子段和第三子段，所述第一子段和第二子段位于所述外围区域，所述第三子段位于所述封框胶区域。
4.根据权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述显示区域的像素电极层，所述第一连接线与所述像素电极层同层同材料设置。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述信号连接线还包括：位于所述外围区域且与所述第一连接线并联的第二连接线。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括位于所述显示区域的多个导电材料层，所述第二连接线与所述导电材料层的其中一层同层同材料设置。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述导电材料层包括栅金属层和源漏金属层，所述第二连接线与所述栅金属层或源漏金属层同层同材料设置，所述第二连接线通过过孔与所述第一连接线并联。
8.一种显示面板，包括阵列基板、彩膜基板以及设置于所述阵列基板和彩膜基板之间的封框胶，其特征在于，所述阵列基板为权利要求1-7任一项所述的阵列基板。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，
所述阵列基板还包括位于所述非显示区域的钝化层，第一连接线位于所述钝化层之上，所述第一连接线包括：断开的第一分段和第二分段，所述第一分段和所述第二分段均存在一部分位于所述外围区域，一部分位于所述封框胶区域；
所述彩膜基板包括显示区域、位于所述显示区域外围的封框胶区域以及设置于所述封框胶区域的第三连接线，每一所述第三连接线通过位于所述封框胶内的导电金属球将一所述第一连接线的第一分段和第二分段连接起来。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于其显示区域的像素电极层，所述第一连接线与所述像素电极层同层同材料设置。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述彩膜基板还包括位于其显示区域的公共电极层，所述第三连接线与所述公共电极层同层同材料设置。
12.一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域包括位于所述显示区域外围的封框胶区域以及位于所述封框胶区域外围的外围区域，其特征在于，所述方法包括：
形成用于连接驱动单元的信号连接线的步骤，所述信号连接线包括第一连接线，所述第一连接线的一部分位于所述外围区域，一部分位于所述封框胶区域。
13.根据权利要求12所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述形成第一连接线的步骤之前还包括：
形成位于所述外围区域的第二连接线；
形成所述非显示区域的钝化层，并形成贯穿所述钝化层的过孔；
所述形成第一连接线的步骤具体为：
采用一次构图工艺形成位于所述显示区域的像素电极层和所述第一连接线，所述第一连接线通过所述过孔与所述第二连接线并联。
14.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括制备阵列基板和制备彩膜基板的步骤，其特征在于，采用权利要求12或13所述的方法制备所述阵列基板。
15.根据权利要求14所述的显示面板的制备方法，其特征在于，
所述形成第一连接线的步骤具体为：
采用一次构图工艺形成位于所述显示区域的像素电极层和所述第一连接线，所述第一连接线包括：断开的第一分段和第二分段，所述第一分段和所述第二分段均存在一部分位于所述外围区域，一部分位于所述封框胶区域；
所述制备彩膜基板的步骤包括：
在所述彩膜基板的封框胶区域形成第三连接线；
所述制备阵列基板和制备彩膜基板的步骤之后还包括：
使用封框胶将所述阵列基板和所述彩膜基板粘合，所述封框胶内包含导电金属球，每一所述第三连接线通过位于所述封框胶内的导电金属球将一所述第一连接线的第一分段和第二分段连接起来。
16.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8-11任一项所述的显示面板。
CN201410735210.5A 2014-12-05 2014-12-05 一种阵列基板、显示面板及制备方法、显示装置 Active CN104375297B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410735210.5A CN104375297B (zh) 2014-12-05 2014-12-05 一种阵列基板、显示面板及制备方法、显示装置
US14/892,890 US10197866B2 (en) 2014-12-05 2015-05-18 Array substrate and manufacturing method thereof, display panel and manufacturing method thereof, and display device
PCT/CN2015/079201 WO2016086614A1 (zh) 2014-12-05 2015-05-18 阵列基板及其制备方法、显示面板及其制备方法、显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410735210.5A CN104375297B (zh) 2014-12-05 2014-12-05 一种阵列基板、显示面板及制备方法、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104375297A true CN104375297A (zh) 2015-02-25
CN104375297B CN104375297B (zh) 2017-10-20

Family

ID=52554317

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410735210.5A Active CN104375297B (zh) 2014-12-05 2014-12-05 一种阵列基板、显示面板及制备方法、显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10197866B2 (zh)
CN (1) CN104375297B (zh)
WO (1) WO2016086614A1 (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016086614A1 (zh) * 2014-12-05 2016-06-09 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板及其制备方法、显示装置
WO2017008540A1 (en) * 2015-07-10 2017-01-19 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel and display apparatus having the same
CN107238982A (zh) * 2017-07-31 2017-10-10 深圳市华星光电技术有限公司 一种显示面板及其制备方法以及液晶显示装置
CN107665057A (zh) * 2016-07-31 2018-02-06 矽创电子股份有限公司 触控显示设备
CN108987608A (zh) * 2018-07-24 2018-12-11 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及其制造方法、显示装置
CN109581755A (zh) * 2018-12-18 2019-04-05 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板制造方法及显示面板
CN112684642A (zh) * 2020-12-04 2021-04-20 惠科股份有限公司 一种显示面板和显示装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102483894B1 (ko) * 2016-04-05 2023-01-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2022051929A1 (en) * 2020-09-09 2022-03-17 Boe Technology Group Co., Ltd. Method of fabricating array substrate, array substrate, display apparatus, and probe unit

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080123013A1 (en) * 2006-11-29 2008-05-29 Lg Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display device
CN101303487A (zh) * 2008-06-26 2008-11-12 友达光电股份有限公司 显示面板及光电装置
CN103901690A (zh) * 2014-03-20 2014-07-02 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN104199216A (zh) * 2014-08-25 2014-12-10 京东方科技集团股份有限公司 液晶显示面板及其封装方法、显示装置
CN204215120U (zh) * 2014-12-05 2015-03-18 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006284625A (ja) 2005-03-31 2006-10-19 Optrex Corp 表示パネル
KR101256669B1 (ko) * 2005-12-29 2013-04-19 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
CN101216643B (zh) 2007-12-26 2010-12-08 昆山龙腾光电有限公司 液晶显示装置阵列基板、其修补方法及液晶显示装置
TWI401497B (zh) * 2010-08-26 2013-07-11 Au Optronics Corp 顯示面板
CN102540525B (zh) * 2010-12-30 2015-02-25 上海天马微电子有限公司 一种液晶显示装置
TWI497159B (zh) * 2011-11-10 2015-08-21 Au Optronics Corp 顯示面板
CN103278980B (zh) 2012-10-22 2015-12-16 上海中航光电子有限公司 Tft-lcd阵列基板配线结构及tft-lcd阵列基板
CN103744206B (zh) * 2013-12-27 2016-08-17 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板驱动电路、阵列基板及相应的液晶显示器
CN103941491B (zh) 2014-04-30 2016-08-17 昆山龙腾光电有限公司 液晶显示装置
TW201602680A (zh) * 2014-07-01 2016-01-16 友達光電股份有限公司 顯示裝置
CN104375297B (zh) 2014-12-05 2017-10-20 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种阵列基板、显示面板及制备方法、显示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080123013A1 (en) * 2006-11-29 2008-05-29 Lg Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display device
CN101303487A (zh) * 2008-06-26 2008-11-12 友达光电股份有限公司 显示面板及光电装置
CN103901690A (zh) * 2014-03-20 2014-07-02 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN104199216A (zh) * 2014-08-25 2014-12-10 京东方科技集团股份有限公司 液晶显示面板及其封装方法、显示装置
CN204215120U (zh) * 2014-12-05 2015-03-18 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10197866B2 (en) 2014-12-05 2019-02-05 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and manufacturing method thereof, display panel and manufacturing method thereof, and display device
WO2016086614A1 (zh) * 2014-12-05 2016-06-09 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板及其制备方法、显示装置
US10037096B2 (en) 2015-07-10 2018-07-31 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel and display apparatus having the same
WO2017008540A1 (en) * 2015-07-10 2017-01-19 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel and display apparatus having the same
CN107665057A (zh) * 2016-07-31 2018-02-06 矽创电子股份有限公司 触控显示设备
US10884527B2 (en) 2016-07-31 2021-01-05 Sitronix Technology Corp. Touch display device
CN107665057B (zh) * 2016-07-31 2021-08-20 矽创电子股份有限公司 触控显示设备
CN107238982A (zh) * 2017-07-31 2017-10-10 深圳市华星光电技术有限公司 一种显示面板及其制备方法以及液晶显示装置
CN107238982B (zh) * 2017-07-31 2020-10-02 深圳市华星光电技术有限公司 一种显示面板及其制备方法以及液晶显示装置
CN108987608A (zh) * 2018-07-24 2018-12-11 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及其制造方法、显示装置
CN108987608B (zh) * 2018-07-24 2021-01-05 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及其制造方法、显示装置
CN109581755A (zh) * 2018-12-18 2019-04-05 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板制造方法及显示面板
CN112684642A (zh) * 2020-12-04 2021-04-20 惠科股份有限公司 一种显示面板和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN104375297B (zh) 2017-10-20
WO2016086614A1 (zh) 2016-06-09
US10197866B2 (en) 2019-02-05
US20160357041A1 (en) 2016-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104375297A (zh) 一种阵列基板、显示面板及制备方法、显示装置
KR101984269B1 (ko) 액정표시장치 및 이의 제조방법
US7564533B2 (en) Line on glass type liquid crystal display device
JP5505755B2 (ja) 表示基板及びそれを含む液晶表示装置
KR101942850B1 (ko) 액정표시장치와 그 제조 방법
KR100922803B1 (ko) 액정표시장치
US9746731B2 (en) Array substrate, repairing sheet, display panel and method of repairing array substrate
CN104977740A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
CN108873496A (zh) 一种液晶面板母板及液晶面板的制作方法
CN104536229A (zh) 一种阵列基板及显示面板
CN106952933A (zh) 具有显示面板的显示装置及其制造方法
US7319503B2 (en) Method for cutting liquid crystal display panel
JP2018049104A (ja) 液晶表示装置
JP2018049103A (ja) 液晶表示装置
CN103901690A (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN105742261A (zh) 焊盘结构以及具有该焊盘结构的显示装置
CN109307961A (zh) 显示面板电路结构
JP6811103B2 (ja) 液晶表示装置
CN204215120U (zh) 一种阵列基板、显示面板和显示装置
CN101613177A (zh) 划线设备及采用该划线设备制造显示面板的方法
KR101604492B1 (ko) 액정표시장치
KR20210052741A (ko) 표시장치
KR102324543B1 (ko) 표시장치 및 표시패널
KR102166953B1 (ko) 어레이 기판과 이를 포함한 액정표시장치
JP2018072755A (ja) 液晶表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant