CN104011270B - 使硅晶体衬底生长的装置及方法 - Google Patents

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Abstract

揭示一种使硅晶体衬底生长的装置，其包括热源、异向性热负载平衡构件、坩埚以及冷却板构件。异向性热负载平衡构件具有高导热性，可位于热源上方且经运作以便平衡从热源散发的温度及热通量变化。坩埚可经运作以容纳熔融硅，其中熔融硅的上表面可界定为生长界面。坩埚可被异向性热负载平衡构件实质上围绕着。冷却板构件可位于坩埚上方，与异向性热负载平衡构件及热源一同运作以便使熔融硅的生长表面处保持热通量均匀。

Description

使硅晶体衬底生长的装置及方法
技术领域
本发明的实施例涉及硅晶体生长(silicon crystal growth)领域，特别是涉及使用异向性(anisotropic)材料来控制硅晶体生长的热负载平衡(thermal load leveling)。
背景技术
随着对可再生能源的需求的增长，对太阳能电池的需求也在不断增长。因为这些需求在增长，所以太阳能电池行业的一个目标是降低成本/功率比(ratio)。以$/瓦特为单位的太阳能很昂贵，这部分归因于制造太阳能电池的成本。有两种类型的太阳能电池：硅和薄膜。太阳能电池大部分是由硅晶圆(wafers)所制成，如单晶硅晶圆，其占与制造晶体硅太阳能电池有关的成本的大部分。太阳能电池的效率，或者在标准光照下产生的功率量，部分受到此晶圆的品质的限制。目前，这类太阳能电池的生产可超过太阳能电池总成本的40％。因此，以有效降低成本的方式来生产高品质太阳能晶圆能够降低太阳能总成本。鉴于上述及其他考虑，需要进行本文所提出的改进。
发明内容
“发明内容”旨在简要提出概念的选定，这些概念将在“实施方式”中做详细说明如下。“发明内容”并非用以鉴别申请专利范围标的之关键特征或必要特征，也非用以协助确定申请专利范围标的之技术方案范围。
各种实施例主要是指向用来制造太阳能电池的硅晶圆生产用的硅晶体生长。在一实施例中，揭示了一种使硅晶体衬底(substrate)生长的装置，其包括热源、异向性热负载平衡构件、坩埚(crucible)以及冷却板构件。坩埚是用来容纳熔融硅(molten silicon)，其中熔融硅的上表面界定为生长界面(growth interface)。异向性热负载平衡构件具有高导热性，其配置于热源与坩埚之间。异向性热负载平衡构件经运作以便平衡从热源散发的温度及热通量(heat flux)变化。冷却板构件位于坩埚上方，以便吸收来自熔融硅的热量，从而使熔融硅结晶成硅晶体衬底。
在另一实施例中，一种使硅晶体衬底生长的方法包括在坩埚内装入熔融硅，其中熔融硅的上表面的一部分界定为生长表面。使用热源对坩埚及坩埚内的熔融硅进行加热。经由配置于热源与坩埚之间的被动(passive)热负载平衡异向性材料来调节从热源入射到坩埚表面上的热量。对熔融硅的生长表面上方的区域进行冷却，以使得生长表面处保持热通量均匀。
附图说明
图1是根据本揭示一实施例所显示的一种浮硅法(FSM)装置的方框图。
图2是根据本揭示另一实施例所显示的一种浮硅法(FSM)装置的方框图。
图3是根据本揭示一实施例所显示的与图1所示的装置有关的逻辑流程图。
图4是根据本揭示另一实施例中所显示的与图2所示的装置有关的逻辑流程图。
图5显示描绘品质因素(figure of merit,FM)关系的曲线图。
图6显示适用于实施本揭示各种实施例的示例性电脑系统600的一实施例。
具体实施方式
下面将参照附图来对本发明进行全面说明，其中这些附图显示了本发明的较佳实施例。然而，本发明也可以许多不同的形态来体现，而不应理解成限于本文所列举的实施例。确切地说，提供这些实施例是为了使揭示的内容更透彻更完整，且将本揭示的技术方案范围更全面地传达给本领域普通技术人员。在整个附图中，相同的元件符号代表相同的元件。
各种实施例都指向一种热负载平衡构件，其配置在热源与坩埚之间，以便协助平衡热源所产生的温度及热通量变化，其中坩埚内容纳制造硅晶圆所用的熔融硅。在一些实施例中，也可在坩埚内使用泵装置和挡板(baffle)结构来促使熔融硅均匀流动，以进一步平衡温度及热通量变化。
在使硅晶体衬底(如太阳能电池用的硅光伏(photovoltaic)衬底)生长时，可采用浮硅法(floating silicon method,FSM)。根据背景技术可以看出，采用浮硅法的硅晶体生长类似于当气温降到水的凝固点以下时池塘里如何结冰。在池塘的表面形成固态冰表面，以及随着时间的推移根据池塘表面的气温和当时的水温而向下“生长”到较暖的水里。
浮硅法硅晶体生长通常包括装有熔融硅的坩埚，此坩埚从低温被加热，再从高温冷却下来。冷却构件使得熔融硅从其上表面开始凝固，此上表面称为生长区。硅晶体衬底的生长向下延伸到熔融硅内。因此硅晶体的生长速率取决于熔融硅和冷却构件的温度。当硅垂直向下生长时，也会沿着水平方向朝坩埚外以及朝着远离加热源和冷却源的方向进行拉晶(pull)或运送(transport)。通过对影响熔融硅的温度梯度进行精确控制，硅晶体可以恒定的速率生长，且可以恒定的速率进行拉晶或运送以确保硅晶体衬底的相对均匀的厚度。因此，于生长区中保持水平均匀的温度条件是有利的。
理想的是，垂直生长速率应当尽可能均匀。这可藉由使相对于生长表面的垂直热通量保持近似恒定来达成。硅晶体衬底的上表面的温度应当保持低于生长表面的温度，以便移除能量。温差应当相对小，以使得硅晶体衬底内的应力(stress)最小化。然而，当热源经历空间温度变化时，保持这种状态可能会很麻烦。具体而言，用来加热熔融硅的热源会在熔融硅上产生温度梯度。在浮硅法系统的适当位点处加装热负载平衡构件能够大大平衡热源的温度及热通量变化，从而平衡熔融硅的温度。
通常，热通量是指通过指定表面的热能转移速率。在国际单位制(InternationalSystem of Units,SI)中，热通量是以瓦/平方米(W/m2)来进行测量，表示每单位面积的热能转移速率。最常用的热通量测量方式是对一块已知导热率的材料进行温差测量，其中导热率代表材料的导热能力。高导热率材料之间的传热速率比低导热率材料之间的传热速率快。高导热率材料可应用于热源。加热速率单位的国际单位制为焦耳每秒或瓦特。加热速率是标量(scalar quantity)，而热通量是向量(vector quantity)。
因为热能经引导而朝向熔融硅，所以浮硅法系统中用来平衡温度及热通量变化的热负载平衡构件应当是高异向性的。异向性是指与方向有关的特性，同向性(isotropy)则相反，其表示在所有方向上都具有相同的特性。异向性可定义为当沿着不同的轴来进行测量时材料的物理特性或机械特性(包括导热性)的差异。在异向性材料中沿着高导热率方向的温度变化往往会被消除，因为在此方向上传热较快。这有助于平衡不均匀热源所造成的温度及热通量变化，进而使得用来制造太阳能电池或其他设备的硅晶体衬底能够更均匀、更高品质地生长。
图1是根据本揭示一实施例中所显示的一种浮硅法装置100的方框图。此浮硅法装置100通常是用来使硅晶体衬底120从熔融硅116生长出来。装置100包括热源110，此热源110可包括(例如)石墨。在一实施例中，石墨热源110可具有约2mm的厚度，且导热率(k)值约为4W/mK(watts per meter-kelvin)。坩埚114是用来容纳熔融硅116，坩埚114可包括石英。在一示例性实施例中，坩埚114可具有约5mm的厚度，且导热率(k)值约为4W/mK。
异向性热负载平衡构件112配置于热源110与坩埚114之间。此异向性热负载平衡构件112至少部分围绕着坩埚114，其可包括热解石墨(pyrolytic graphite)，其中热解石墨是高异向性材料。在热解石墨中，碳原子形成一种结构：在一个方向上其特征为具有六边形排列的碳原子的平面层，而在垂直于此平面层的方向则包括随机定位的原子。这导致平面层方向上具有高导热率(k)，而在垂直方向上则具有很低的导热率。热解石墨也可称为被动构件，因为它无需额外的能量或进行额外的控制来获取及保持其异向性高导热特性。在一实施例中，热解石墨可具有约10mm的厚度，且平面方向上的导热率(k)值约为300W/mK，而垂直方向上的导热率(k)值仅仅为1W/mK。
冷却板构件118(如碳化硅)可位于坩埚114上方，用以吸收来自熔融硅116的热量，以便在两者之间形成生长界面。举例而言，此冷却板构件118可利用辐射传热或辐射传热与对流传热相结合的方式来吸收热量。熔融硅116结晶，且沿着图1中的V生长(Vgrowth)箭头所示的方向向下“生长”，以形成硅晶体衬底120。流经熔融硅116的热量从上表面散发至冷却板构件118，此冷却板构件118用作此发热物的散热器(heat sink)。因此，较低的冷却板温度会产生较大的硅晶体衬底120生长速率V生长，而对于指定的冷却板温度，流经硅的热流速率(heat flow rate)较大会产生较小的生长速率V生长。因此，生长速率值V生长取决于流经熔体的热量与冷却板构件118从熔融硅116上吸收的热量的剩余热量。
举例而言，导热率为4W/mK、厚度为2mm的石墨热源110对含有热解石墨材料且平面或“x”方向的导热率为300W/mK、垂直或“y”方向的导热率为1W/mK的10mm异向性热负载平衡构件112进行加热。在图1中“x”轴与“y”轴是针对异向性热负载平衡构件112而做的标示。值得注意的是，异向性热负载平衡构件112的任何指定点的“y”方向都垂直于坩埚114的表面。异向性热负载平衡构件112围绕着5mm厚的坩埚114，其中坩埚114可包括石英材料且导热率为4W/mK。坩埚114内容纳导热率为64W/mK、深度为10mm的熔融硅116。冷却板构件118位于熔融硅116上方，以便在熔融硅116的上表面处形成生长界面，熔融硅116从生长界面开始结晶，且沿着图1中的V生长箭头所示的方向向下“生长”成硅晶体衬底120。
就此例而言，硅晶体衬底的想要厚度(图1中的Sy)为100μm。冷却板吸收均匀的热通量10kW/m2，且假定生长界面处于硅的凝固温度1685K下，则坩埚底部的熔融硅的温度为1687K。根据上述特性，生长速率V生长为每秒10μm。因此，硅晶体衬底将在10秒内达到想要的厚度100μm。拉晶速率(pull-rate)Vx应当近似为2cm/s，以便穿过20cm的生长区，如此一来，当硅晶体衬底朝着远离生长界面的方向进行拉晶或运送且到达支撑台122上时，硅晶体衬底厚度(Sy)将达到100μm，其中硅晶体衬底可在支撑台122上被切片。如此一来，异向性热负载平衡构件112使生长界面的热通量保持水平均匀，因而能够获得均匀的垂直生长速率和切片厚度。在替代性实施例中，衬底厚度(Sy)将会生长到略微大于100μm，以补偿浮硅法装置100对硅晶体衬底120进行拉晶或运送时由熔融硅造成的任何厚度损耗。这使得硅晶体衬底120在到达支撑台122时衬底厚度(Sy)能够达到100μm。
图2是根据本揭示所提出的另一实施例的方框图。除了泵215和挡板结构217外，浮硅法装置200实质上与参照图1所述的装置相似。具体而言，装置200包括配置于热源110与坩埚114之间的异向性热负载平衡构件112。熔融硅116被装入坩埚114内。熔融硅116流经泵215，泵215经运作以使得熔融硅116沿着箭头A所示的方向围绕挡板结构217而流动。藉由使坩埚114内的熔融硅围绕着挡板结构217而流动，热梯度变化可进一步减小。结果，坩埚114内的熔融硅116的热梯度变化的减小对使用冷却板构件118来进行更均匀的结晶提供了有利条件。如此一来，便能够以更有效降低成本且可靠的方式来生产更高品质的硅衬底。此外，平稳流动(constant flow)能够使熔融硅内的任何杂质实质上均匀地散开，以避免最终存在于成品内的杂质因高度集中而发生隔离现象。
本文包括一个或一个以上的流程图，其代表用以实施所揭示结构的新态样的示例性方法。虽然，为了便于说明，以(例如)流程图的形式显示于本文的一个或一个以上的方法是以一系列步骤来显示和表述，但是容易理解且值得注意的是，步骤的次序并非对这些方法的限定，因为有些步骤可根据需要按不同的次序来实施，和/或与不同于本文所显示和表述的其他步骤一起实施。此外，并非一种方法的所有步骤都是新实施方法所必备的。
图3是根据本发明所提出的一实施例的逻辑流程图。逻辑流程300可表示由本文所述的装置100和/或200来执行的操作的一部分或全部。
在图3所示的实施例中，在方框302处，逻辑流程300可在坩埚114内装入熔融硅116。举例而言，坩埚114可由被动材料围绕着，如具有高导热性的异向性热负载平衡构件112。熔融硅116的上表面的一部分是生长表面。各实施例并不限于此例。
在方框304处，逻辑流程300可使用热源110来对异向性热负载平衡构件112进行加热。举例而言，热源110可包括石墨。各实施例并不限于此例。
在方框306处，逻辑流程300可在熔融硅116的生长界面上方形成冷却区。举例而言，冷却板构件118(如碳化硅)可恰好位于熔融硅116上方。藉由使生长表面的温度下降到硅的平衡凝固温度，冷却板构件118可使熔融硅116从生长界面处开始凝固。各实施例并不限于此例。
在方框308处，逻辑流程300可使熔融硅116的生长表面处保持热通量均匀。举例而言，异向性热负载平衡构件112将它从热源110吸收至坩埚114的热量进行均匀分布。进而，使坩埚114内的熔融硅116保持均匀，从而使生长表面处的热通量也保持均匀。这种均匀可确保硅晶体衬底120具有均匀的生长速率。各实施例并不限于此例。
在方框310处，逻辑流程300可以恒定的拉晶速率朝着远离坩埚114的方向对正在生长的硅晶体衬底120进行拉晶或运送。举例而言，正在生长的硅晶体衬底120可以恒定速率(Vx)朝着远离冷却板构件118和朝着坩埚114外的方向进行横向拉晶。硅晶体衬底120的拉晶速率可与硅晶体衬底120的生长速率相对应，使得硅晶体衬底120具有均匀的厚度(Sy)。然后硅晶体衬底120可停靠在支撑台122上。各实施例并不限于此例。
图4是根据本发明所提出的一实施例的逻辑流程图。逻辑流程400可表示由本文所述的装置100和/或200来执行的操作的一部分或全部。
在图4所示的实施例中，在方框402处，逻辑流程400可在坩埚114内装入熔融硅116。举例而言，坩埚114可被具有高导热性的异向性热负载平衡构件112围绕着。熔融硅116的上表面的一部分是生长表面。各实施例并不限于此例。
在方框404处，逻辑流程400可使用热源110来对异向性热负载平衡构件112进行加热。举例而言，热源110可包括石墨。各实施例并不限于此例。
在方框406处，逻辑流程400可以泵送方式(pump)使熔融硅围绕着位于坩埚114内的挡板结构而流动。举例而言，本文包括泵215，其以泵送方式使熔融硅116围绕着位于坩埚114内的挡板结构217而流动。利用泵215来使熔融硅保持流动状态可进一步减小熔融硅116的温度梯度，使硅晶体衬底120的生长达到更高品质且更均匀。此外，平稳流动有助于熔融硅116内的任何杂质实质上均匀地散开，以避免最终存在于成品中的杂质因高度集中而发生隔离现象。各实施例并不限于此例。
在方框408处，逻辑流程400可在熔融硅116的生长界面上方形成冷却区。举例而言，冷却板构件118(如碳化硅)可恰好位于熔融硅116上方。藉由使生长表面的温度下降到硅的平衡凝固温度，冷却板构件118可使熔融硅116从生长界面处开始凝固。各实施例并不限于此例。
在方框410处，逻辑流程400可使熔融硅116的生长表面处保持热通量均匀。举例而言，异向性热负载平衡构件112将它从热源110吸收至坩埚114的热量进行均匀分布。进而，使坩埚114内的熔融硅116保持均匀，从而使生长表面的热通量也保持均匀。这种均匀可确保硅晶体衬底120具有均匀的生长速率。各实施例并不限于此例。
在方框412处，逻辑流程400可以恒定的拉晶速率朝着远离坩埚114的方向对正在生长的硅晶体衬底120进行拉晶或运送。举例而言，正在生长的硅晶体衬底120可以恒定速率(Vx)朝着远离冷却板构件118和朝着坩埚114外的方向进行横向拉晶。硅晶体衬底120的拉晶速率可与硅晶体衬底120的生长速率相对应，使得硅晶体衬底120具有均匀的厚度(Sy)。然后硅晶体衬底120可停靠在支撑台122上。各实施例并不限于此例。
图5显示描绘品质因素(figure of merit,FM)关系的曲线图。当给定不均匀热源110时，品质因素对下方生长表面(lower growth surface)(例如，正在生长的硅晶体衬底的底部)的热通量的均匀性进行量化(quantify)。其定义为来自热源表面110的最大热通量与最小热通量之间的差值除以到达下方生长表面的最大热通量与最小热通量之间的差值。具有尽量大的品质因素是有利的，因为这表明生长界面的热通量变化小。
图5显示为关于热解石墨的高度非线性计算结果。这些计算假定来自热源表面的热通量呈线性变化。然后此热量经过厚度介于零至20mm的热解石墨层，再经过5mm的石英，最后经过10mm的熔融硅而到达硅晶体衬底。假定每个层的长度为20cm。当热解石墨的厚度为20mm时，品质因素为204，表明衬底的热通量变化比来自热源的热通量变化小204倍。
图6是适用于实施图1所示的浮硅法装置100和/或图2所示的浮硅法装置200的示例性电脑系统600的一实施例。如图6所示，此电脑系统600包括处理构件605、用来储存负载平衡控制应用程序615的系统存储器610、用户界面构件620、网络界面625以及浮硅法界面630。处理构件605可以是市场上可购买到的各种处理器中的任何处理器，包括双微处理器(dual microprocessors)与其他多处理器架构。此处理构件605以通信方式与其他构件相耦接。此外，电脑系统600可经由网络界面625来以通信方式与外部网络650相耦接。
电脑系统600藉由负载平衡控制应用程序(application)615来运作，以便从浮硅法界面630接收衬底厚度Sy测量值。从坩埚114对硅晶体衬底进行拉晶时可获得这些衬底厚度测量值Sy，且可根据取样时间和/或根据从生长界面拉出的衬底的长度来收集这些衬底厚度测量值Sy。控制应用程序615经运作以将此厚度测量值与储存于存储器610中的对应于想要的晶圆几何形状的预定许可厚度值做比较。若所收集的厚度值Sy未落在储存于存储器610中的预定许可厚度值的容差程度(tolerance levels)内，则控制应用程序615可执行控制指令来调节施加在热源110和冷却板118上的功率以改变其温度，和/或调节从生长界面拉晶到支撑台122上的硅晶体衬底拉晶速率。此外，控制应用程序615也可提醒操作员调整坩埚114内的熔融硅116的量。这种测量及参数修正过程可重复执行，直到硅衬底120达到想要的厚度。此外，实施这些调整时也可考虑在热源110与坩埚114之间使用异向性热负载平衡构件112，它能够减少从热源入射到熔融硅上的热通量变化。这些调整都可采用负载平衡控制应用程序615执行控制指令的形式来实施。此外，这些控制指令可被预先编程，或者可由操作员经由用户界面构件620而输入。如此一来，包括(但不限于)各种温度、拉晶速率以及厚度测量值在内的反馈便可被监控且返回给电脑系统600，并由负载平衡控制应用程序615进行分析和处理，以便制造出具有所需厚度的硅衬底。
如本文所用的术语“系统”、“设备”以及“构件”是指与电脑有关的实体、硬件、硬件与软件的结合、软件或正在执行的软件，示例性计算体系架构600提供了其实例。举例而言，构件可以是(但不限于)处理器上正在运行的进程、处理器、硬碟驱动器、(光学和/或磁存储媒体的)多重存储驱动器、物体、可执行的程序、执行线程(a thread of execution)、电脑程序和/或电脑。举例而言，服务器上正在运行的应用程序与此服务器都可以是构件。一个进程和/或执行线程内可存在着一个或一个以上的构件，且一个构件可存在于一台电脑上，和/或分配在两台或两台以上的电脑之间。此外，多个构件可通过各种类型的通信媒体来以通信方式相互耦接，以便协调各操作。这种协调可能涉及单向或双向信息交换。举例而言，这些构件可通过在通信媒体上传播信号的方式来传播信息。信息可体现为分配给各信号线的信号。通过这种分配，每条信息便是一个信号。然而，其他实施例可能会以另一种方式来使用数据信息。
虽然本发明已以特定实施例揭示如上，然而在不脱离权利要求所界定的本发明的技术方案领域及范围的前提下，当可对所述实施例做出各种改良、更动或修饰。因此，本发明并不限于所述实施例，而是本发明的完整技术方案范围当由权利要求的语言文字及其等同物来界定。

Claims (16)

1.一种使硅晶体衬底生长的装置，其特征在于包括：
热源；
坩埚，配置于所述热源上方且经运作以容纳熔融硅，其中所述熔融硅的上表面界定为生长界面；
异向性热负载平衡构件，配置于所述热源与所述坩埚之间，且经运作以便平衡从所述热源散发的温度及热通量变化；
冷却板构件，位于所述坩埚上方，且经配置以便吸收来自所述熔融硅的热量，从而使所述熔融硅结晶成硅晶体衬底；
挡板结构，配置于所述坩埚内；以及
泵设备，包含于所述坩埚内，且经运作以便引导所述熔融硅流经所述泵设备并围绕着所述坩埚内的所述挡板结构而流动，
其中所述异向性热负载平衡构件在第一方向上具有第一导热率，且在第二方向上具有第二导热率，所述第一导热率大于所述第二导热率，且
所述异向性热负载平衡构件的任何指定点的所述第一方向都平行于所述坩埚的表面，且所述异向性热负载平衡构件的任何指定点的所述第二方向都垂直于所述坩埚的表面。
2.根据权利要求1所述的使硅晶体衬底生长的装置，其中所述硅晶体衬底沿着从所述生长界面垂直向下的方向生长。
3.根据权利要求1所述的使硅晶体衬底生长的装置，其中所述坩埚被所述异向性热负载平衡构件围绕着。
4.根据权利要求1所述的使硅晶体衬底生长的装置，其中所述异向性热负载平衡构件是包括热解石墨的被动构件。
5.根据权利要求4所述的使硅晶体衬底生长的装置，其中所述热解石墨为10mm厚。
6.根据权利要求1所述的使硅晶体衬底生长的装置，其中所述坩埚包括石英。
7.根据权利要求6所述的使硅晶体衬底生长的装置，其中所述石英为5mm厚。
8.根据权利要求1所述的使硅晶体衬底生长的装置，还包括支撑台，所述支撑台位于所述坩埚的一端附近且经配置以便在所述硅晶体衬底从所述坩埚被拉晶过来时支撑着所述硅晶体衬底。
9.一种使硅晶体衬底生长的方法，其特征在于包括：
在坩埚内装入熔融硅，其中所述熔融硅的上表面的一部分界定为生长表面；
使用热源对所述坩埚进行加热；
经由配置于所述热源与所述坩埚之间的被动热负载平衡异向性材料来调节从所述热源入射到所述坩埚表面上的热量；以及
对所述熔融硅的所述生长表面上方的区域进行冷却，以使得所述生长表面处保持热通量均匀，
其中所述的使硅晶体衬底生长的方法还包括利用泵设备以泵送方式使所述熔融硅围绕着位于所述坩埚内的挡板结构而流动，
其中所述熔融硅流经所述泵设备，
其中所述被动热负载平衡异向性材料在第一方向上具有第一导热率，且在第二方向上具有第二导热率，所述第一导热率大于所述第二导热率，且
所述被动热负载平衡异向性材料的任何指定点的所述第一方向都平行于所述坩埚的表面，且所述被动热负载平衡异向性材料的任何指定点的所述第二方向都垂直于所述坩埚的表面。
10.根据权利要求9所述的使硅晶体衬底生长的方法，还包括以恒定的拉晶速率朝着远离所述坩埚的方向对正在生长的硅晶体衬底进行拉晶。
11.根据权利要求9所述的使硅晶体衬底生长的方法，其中所述被动热负载平衡异向性材料包括热解石墨。
12.根据权利要求10所述的使硅晶体衬底生长的方法，还包括：
测量所述硅晶体衬底的厚度；以及
判断所述硅晶体衬底的被测厚度是否在许可容差值内。
13.根据权利要求12所述的使硅晶体衬底生长的方法，还包括：若所述硅晶体衬底的被测厚度不在所述许可容差值内，则对从所述热源入射到所述坩埚表面上的热量进行修正。
14.根据权利要求12所述的使硅晶体衬底生长的方法，还包括：若所述硅晶体衬底的被测厚度不在所述许可容差值内，则对所述生长表面上方的所述区域的冷却速率进行修正。
15.根据权利要求12所述的使硅晶体衬底生长的方法，还包括：若所述硅晶体衬底的被测厚度不在所述许可容差值内，则对远离所述坩埚的所述拉晶速率进行修正。
16.根据权利要求12所述的使硅晶体衬底生长的方法，还包括：若所述硅晶体衬底的被测厚度不在所述许可容差值内，则对装入所述坩埚的所述熔融硅的量进行修正。
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